【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪Ｅ１〜Ｅ３を算出する工程と、散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３及び歪Ｅ１〜Ｅ３に基づき、散乱電子の電子線強度Ｉを変数とする歪の近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ｉｏを予測する工程と、臨界電子線強度Ｉｏを近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）に代入して、被測定試料の歪Ｅｏを算出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡用試料において薄片化を行う場合、崩れの制御を容易とする。
【解決手段】透過型電子顕微鏡用試料は、試料本体４ａと薄膜部１１と保護膜８とを具備する。薄膜部１１は試料本体４ａから第１の向きに伸び、試料本体４ａより薄い。保護膜８は試料本体４ａ及び薄膜部１１の上側の表面に連続的に設けられ、試料本体４ａ及び薄膜部１１の主材料より固い。薄膜部１１は、保護膜８の下側に接した極薄膜部１２と、極薄膜部１２の下側に接した残余部１１ａとを備える。極薄膜部１２は残余部１１ａより薄い。極薄膜部１２は保護膜８と接する部分を第１の辺とする三角形又は四角形の薄片形状を有している。極薄膜部１２は、第１の辺に交わり外側に露出した第２の辺と、第２の辺に交わり残余部１１ａと結合する第３の辺とが成す角が、０°より大きく１８０°より小さい。 （もっと読む）

【課題】本願の目的は，イオンビームによる断面形成時間を短縮する加工方法，およびウェーハから微小試料を分離する加工時間を短縮する加工方法，およびイオンビーム加工装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によるイオンビーム加工装置は，真空容器４１を有しており，真空容器内には，デュオプラズマトロン５１，非軸対称イオンビームレンズ５２，ステンシルマスク５７，などから構成されており，断面に垂直方向に急峻なビームプロファイルを持つアルゴンイオンビームにより試料１１から微小試料１３９を摘出する。
【効果】本願によると，デバイス製造ウェーハ検査・不良解析のための断面観察結果が短時間で得られる。さらに試料を取り出したおよびウェーハをプロセスに戻しても不良を発生させない新たな検査・解析方法，および高歩留まりの電子部品製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 試料片を保持している試料支持体からの反射電子や散乱電子が試料片に当たり難くする試料保持方法を提供する。
【解決手段】 試料素材１に集束イオンビーム２を照射して試料片４を切り出す工程と、切り出された試料片４をマニピュレータの先端部に取付けられたプローブ５の先端部に付着させ、ピックアップする工程と、試料素材１に換えて電子顕微鏡用試料ホルダーにセットされる試料支持部材７を集束イオンビーム装置の試料載置台にセットする工程と、プローブ５の先端部に付着された試料片４が試料支持部材７から離れた空間部に位置して、プローブ５の一部が試料支持部材７に接触する様にプローブ５を移動させる工程と、その接触部でプローブ５の一部を試料支持部材７に付着させる工程と、及び、その接触部よりプローブ５の根元側の部分を切断する工程から成る。 （もっと読む）

【課題】断面試料作製時に、ボイド、異種物質由来の凹凸の発生を抑え、観察／分析に好適な試料断面を作製する。
【解決手段】イオンビーム２の光軸（Ｚ軸）に対し試料３をチルト振動させて、試料３の加工面３ａが傾斜軸方向（Ｙ軸方向）に向いた面状態と、その面状態から加工面３ａの試料台側部分が加工面３ａのマスク側部分よりも傾斜軸方向（Ｙ軸方向）に突出したチルト面状態との間での、試料３の加工面３ａの傾斜及び傾斜回復を繰り返すことにより、加工面３ａにイオンビーム２が低角度照射し、ボイド６１、異種物質６２由来の凹凸６３を抑える。 （もっと読む）

【課題】 短時間で電子顕微鏡観察用の試料を作製する。
【解決手段】 ポリイミド樹脂からなる第１の基材１上に、被検試料３と流動状態の硬化性樹脂４とを載せ、ポリイミド樹脂からなる第２の基材２を第１の基材１に重ね合わせて硬化性樹脂４を硬化させて、第１の基材１と、硬化性樹脂４の内部に被検試料３を位置させた硬化性樹脂層５と、第２の基材２とが順に積層された積層体６を作製する。積層体６を積層方向に切断し、切断した面にアルゴンイオンエッチングを施す。 （もっと読む）

【課題】試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および微小試料加工観察方法を実現する。
【解決手段】同一真空装置に集束イオンビーム光学系３１と電子ビーム光学系４１を備え、ウェーハ２１の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブ７２を備えた。 （もっと読む）

【課題】短時間で容易に、半導体デバイス基板の微小な欠陥部を特定でき、透過形電子顕微鏡観察に適した薄片試料とすることが可能な半導体デバイス基板の欠陥部観察用試料の作製方法を提供すること。
【解決手段】光学顕微鏡によって、観察対象である、シリコン半導体基板上に形成された半導体デバイス内の微小欠陥部の上部表面に電子ビーム、レーザーなどでマーキングして位置を特定する第１工程、該特定場所を支持台に固定する第２工程、基板の両面からのＦＩＢ加工によって表面を削って電子が透過する程度に薄くして平面観察用試料を作成する第３工程、ＳＴＥＭで観察することにより微小欠陥部を特定する第４工程、微小欠陥を特定した後にＳＥＭ観察して、欠陥部上に新たにマーキングする第５工程、ＦＩＢで切断して断面観察用試料とする第６工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームを試料に照射してミリングを行う際、試料におけるイオンビームの照射面を直接冷却することができるイオンミリング装置とイオンミリング方法とを提供する。
【解決手段】試料Sが設置される試料台1と、試料Sに照射するイオンビームを発生させるイオン源2と、試料台1の収納空間を所定の真空に保持する試料チャンバ3と、試料Sを冷却するための気体冷媒を試料チャンバ3内に供給する冷媒供給手段5とを備えるイオンミリング装置である。気体冷媒を試料チャンバ内に供給することで、試料Sにおけるイオンビームの照射面を直接気体冷媒で冷却することができる。 （もっと読む）

【課題】イオンミリング装置において、高い熱伝導性と耐久性とを兼ね揃えた冷却装置を実現する。
【解決手段】
真空外の冷却源と真空内の試料および試料台とを接続する熱伝達手段として、樹脂チューブの内部に、イオン液体を充填した金属製の編み線が設置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを用いるエッチングにより断面観察試料を作製するときに、イオンビームの遮蔽に用いられる遮蔽板であって、使用を繰り返し、エッジ面として使用できる箇所がなくなった場合でも、側面の平坦化加工を必要とせず、再利用が容易で寿命が長い遮蔽板を提供する。
【解決手段】イオンビーム照射による断面観察試料の作製において、試料の上面をイオンビームから遮蔽するために用いられる遮蔽板であって、角柱状であり、イオンビーム照射による前記試料の鏡面研磨を可能にするエッジをその側面に有し、かつ前記側面に直交する方向の厚さがイオンビーム照射径以上である遮蔽用部材の複数を、下面が平坦な板状を形成するように並列させて一体化してなること、又は遮蔽用部材とそれを保持する保持用部材を一体化してなることを特徴とする断面観察試料作製用の遮蔽板。 （もっと読む）

【課題】全ミリングプロセス中に、試料を連続的にかつ実時間モードで観察することができ、かつプロセスの精度、品質、および停止の完全自動制御を行なうことができるシステムを提供する。
【解決手段】マスク５０および試料２１を操作し、それによって試料２１の異なる側をイオンミリング装置４０に露出することを含む。操作は、試料２１とマスク５０との間の空間的関係を変化させることなく維持しながら、回転させることを含む。マスク５０および試料２１のアラインメントの実行は、画像を走査型電子顕微鏡のような撮像装置によって得ることを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】ラメラを作製するための方法およびシステムを開示する。
【解決手段】方法は、マスクおよび試料のアラインメントをマニピュレータによって実行するステップ、マスクと試料との間の空間的関係を変化させることなく、マスクおよび試料をイオンミリング装置の前に配置するステップ、試料の第１露出部分を、ラメラの第１側壁が露出するまでミリングするステップ、マスクが試料の第２マスキング部分を遮蔽するように、マスクおよび試料をイオンミリング装置の前に配置するステップ、ラメラの第２側壁が露出するまで試料の第２露出部分をイオンミリング装置によってミリングするステップ、ミリング装置によってラメラの両側から物質を除去するステップ；および試料からラメラを切り離すステップを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ビーム誘起堆積を用いて、極低温で基板上に材料を堆積するように改善した方法を供することである。
【解決手段】 ビーム誘起堆積を用いることによって、極低温にて基板上に材料を堆積する方法。前駆体気体が、前記基板の極低温よりも低い融点を有する化合物の群から選ばれる。好適には、前記前駆体気体は、所望の極低温にて0.5〜0.8の付着係数を有する化合物の群から選ばれる。この結果、前記前駆体気体は、前記所望の極低温にて、前記基板表面に吸着する前駆体分子と前記基板表面から脱離する前駆体気体分子との間で平衡に到達する。適切な前駆体気体は、アルカン、アルケン、又はアルキンを有して良い。-50℃〜-85℃の極低温では、ヘキサンが材料を堆積する前駆体気体として用いられて良い。-50℃〜-180℃の極低温では、プロパンが前駆体気体として用いられて良い。 （もっと読む）

【課題】被加工物の上部を遮蔽板で覆い、非遮蔽部をイオンビーム照射によりエッチングして鏡面研磨部を形成する断面観察試料の作製方法であって、装置外部に取り出しての平坦化加工をすることなく、遮蔽板の使用を継続できる方法を提供する。
【解決手段】遮蔽板をそのエッジ方向に移動させながら、好ましくは往復運動をさせながら、エッチングを行うことを特徴とする断面観察試料の作製方法、並びに、この方法の実施に用いられる断面観察試料の作製装置。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により一連の回転像を撮影して画像処理を行うＴＥＭトモグラフィーにおいて、位置合わせの目印のために用いる金微粒子は、直径が数ｎｍであり、試料上に分散して載せることが困難であった。針状試料に金微粒子を載せる方法を提供する。
【解決手段】試料を集束イオンビームで針状に加工する際に、同時にマスク１０を加工形成する。次に、マスク１０を近傍に有する針状試料に対して、所定の角度を持たせて金微粒子を蒸着させると、針状試料の特定の領域には金微粒子が付着し、他の領域にはマスクにより金微粒子が付着しないので、蒸着装置内で金微粒子を付着させる領域と付着させない領域を分離することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料を透過した電子を用いて観察するＴＥＭやＳＴＥＭ、或いはＳＥＭにおいて、画像のサブミクロンから数１０μｍの微小寸法を高い精度で測定可能にする荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】本発明では、上記目的を達成するために、倍率、或いは寸法校正のための異なる２つの試料が含まれている荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビーム加工装置用のマニピュレータのプローブ装置について、シンプルな構造で低コスト、汎用性のある装置構成で、広い特定領域からの抽出を実現する。
【解決手段】集束イオンビーム加工装置内において、ｎ本（ｎ≧２）に分岐した櫛形状の先端部１３を有し、その分岐間隔が２０〜２００μｍと幅広く、広い領域の特定部位を自在に抽出することができる集束イオンビーム加工装置用プローブとその簡便なプローブ製造方法を提供する。櫛形状プローブの先端部１３がプローブ支持部１２と角度を有し、先端部１３が試料６に平行に操作され、精度よく広い領域の特定部位を抽出することができる。その製造方法は、３０μｍ厚み以下の金属薄板１５から櫛形状部位１６を集束イオンビーム加工技術により切り出し、真空装置内でマニピュレート操作できる機構のプローブ支持部１２に、ガスデポジション機能を用いて取り付けて一体化する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを用いて試料を鏡面研磨する断面観察試料の作製方法であって、複数の試料について、分析に充分な研磨面積を得るために要する時間が短縮された方法を提供する。
【解決手段】被加工物の上部を遮蔽板で覆い、非遮蔽部をイオンビーム照射によりエッチングして鏡面研磨部を形成する断面観察試料の作製方法であって、前記被加工物が、２個の試料よりなり、前記２個の試料のイオンビーム照射される部分が、互いに密着又は近接して配置されており、かつ、イオンビームの照射方向に直交する方向、又は、イオンビームの照射方向に平行な方向に並べられていることを特徴とする断面観察試料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを用いて試料を鏡面研磨する断面観察試料の作製方法であって、複数の試料について、分析に充分な研磨面積を得るために要する時間が短縮された方法を提供する。
【解決手段】被加工物の上部を遮蔽板で覆い、非遮蔽部をイオンビーム照射によりエッチングして鏡面研磨部を形成する断面観察試料の作製方法であって、前記被加工物が、２個の試料からなる対を１対以上含み、前記対を構成する２個の試料のイオンビーム照射される部分が、それぞれ、イオンビームの中心線を含む平面の両側に、前記平面に対向して配置されていることを特徴とする断面観察試料の作製方法。 （もっと読む）