【課題】ガスの検出感度とガスの脱離を両立することができる有機電界効果トランジスタ式ガスセンサおよびその使用方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する電界効果トランジスタ１と、電界効果トランジスタ１の温度を制御する温度制御機構２４とを備える有機電界効果トランジスタ式ガスセンサ３である。 （もっと読む）

【課題】測定信号に及ぼす環境変量の影響が十分に補償された、二酸化炭素の検出を可能とするガスセンサを提供する。また、空気中の二酸化炭素濃度を表すガス測定値を発生させるための方法を提供する。
【解決手段】ガス測定値を出力するための少なくとも１つのガスセンサ、湿度測定値を出力するための少なくとも１つの湿度センサ、及び前記湿度測定値を用いて前記ガス測定値を補正するための機構を有する、空気の二酸化炭素含有量を検出するための装置であって、前記ガスセンサが、二酸化炭素に応答し且つ第１級アミノ基を有するガス感知材料を備えており、ここで、前記ガスセンサが、前記材料の仕事関数を評価することによってガス測定値を発生するように構成されている装置。 （もっと読む）

本発明は、ガス状態で存在する、または溶媒に溶解した対象化合物を検出および／または定量するための装置および方法に関する。本発明による装置は、２つの電極を含む電気デバイスと、電気デバイスの２つの電極間の電荷の変動を測定するためのデバイスとを含む。電気デバイスは、受容体分子の層がその上にグラフトされた、絶縁性誘電材料で作製された層を含み、最終的に、半導体材料の層が該受容体分子層上に堆積される。本発明は、特にガスまたは溶液として存在する対象化合物の検出および／または定量の分野において使用することができる。 （もっと読む）

【解決手段】半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機分子で構成された有機単分子膜を形成し、有機単分子膜に反応性官能基を介して架橋分子を結合させ、電界効果型トランジスタの通電回路に通電することにより架橋分子に電圧を印加し、更に、架橋分子にプローブ物質を結合させて固定化する。
【効果】本発明によれば、センシング時の電圧の印加による架橋分子やプローブ物質の脱離を抑制して、従来に比べて、高い感度と再現性で被検出物質を検出することができる。 （もっと読む）

本明細書は生物的材料および電気的材料並びに該生物的材料と該電気的材料との間の界面を含む電子デバイスの製造方法を記載する。この方法は、電子デバイスを製造する際、所望の位置にタンパク質（１１）の自己組織化を利用する。この明細書はまた、構造部としてタンパク質層を含む電子デバイスも記載する。ハイドロフォビンタンパク質を含む電子デバイスのタンパク質層もまた記載する。いくつかの実施形態では、電子デバイスはタンパク質（１１）に接触したグラフェン（１２）の層も含む。 （もっと読む）

【解決手段】半導体上に反応ゲート絶縁部として絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機単分子膜を形成し、有機単分子膜に塩基数３〜３５の短鎖プローブＤＮＡを、反応性官能基を介して結合させ、プローブＤＮＡに対し、ターゲットＤＮＡをハイブリダイゼーション反応させ、ハイブリダイゼーション反応により形成された二本鎖ＤＮＡを金属カチオンで修飾した後、金属カチオンで修飾された二本鎖ＤＮＡを緩衝液に接触させて、ハイブリダイゼーション反応によるプローブＤＮＡの負電荷の変化により生じる絶縁層の表面電位変化を検出する。
【効果】本発明のＤＮＡセンシング方法は、オンチップでの高感度のＤＮＡセンシングとして非常に効果的であり、完全相補配列を有するＤＮＡ及び一塩基多型等のミスマッチ配列のＤＮＡの解析を、高感度かつ高精度で実施することができる。 （もっと読む）

【課題】水の感度を低下させた、エタノール用ガスセンサ。
【解決手段】有機電界効果トランジスタ１００の構成は、導電性基板１０表面にゲート絶縁膜２０が形成されている。このゲート絶縁膜２０の表面２０ｓはフッ化オルガノシリル化処理されている。その上に有機半導体（有機材料）から成るチャネル形成層３０が形成されている（１．Ａ）。
有機電界効果トランジスタ２００の構成は、誘電体基板１１表面にゲート電極４１ｇが形成され、それを覆うようにゲート絶縁膜２１が形成されている。このゲート絶縁膜２１の表面２１ｓが、フッ化オルガノシリル化処理されている。ゲート絶縁膜２１の表面２１ｓには、ソース電極４１ｓとドレイン電極４１ｄが形成され、有機半導体から成るチャネル形成層３１が形成されている（１．Ｂ）。 （もっと読む）

例えば呼気などの流体中のＮＯ濃度を決定する半導体デバイスが開示される。デバイス（１）は典型的に、有機半導体層（１４）内にチャネル領域（１６）を画成するように互いに離隔された一対の電極（１８）と、チャネル領域を制御するゲート構造（１０）と、チャネル領域に少なくとも部分的に重なる受容体層（２２）とを有し、受容体層は、ＮＯと錯体形成するＩＩＩ族からＸＩＩ族の遷移金属イオン又は鉛（Ｐｂ）イオンを含むポルフィン又はフタロシアニン配位錯体を有する。このような半導体デバイスは、ｐｐｂレンジのＮＯ濃度を検出することができる。
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【課題】有機電界効果トランジスタを用いて極性分子を検出するガス検出方法において、極性分子を検出していない状態での有機電界効果トランジスタのドレイン電流を時間的に安定させること。
【解決手段】ガスセンサは、有機電界効果トランジスタ１と、有機電界効果トランジスタ１の有機半導体層１３に光を照射するＬＥＤ２と、により構成されている。有機半導体層１３はヘキサベンゾコロネン誘導体からなる。有機半導体層１３に光を継続的に照射することで、極性分子を検出していない場合の有機電界効果トランジスタ１のドレイン電流が時間的に一定となり安定する。そのためガスセンサの感度や信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】高機能化、高感度化が可能な有機半導体装置、検出装置および検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、有機半導体からなる活性層２０と、活性層２０にキャリアを注入するソース電極１６と、活性層２０からキャリアを受けるドレイン電極１８と、活性層２０の一面に設けられ、キャリアの伝導を制御するゲート電極１２と、活性層２０の前記一面と反対の面のソース電極１６とドレイン電極１８との間の領域の少なくとも一部上に設けられ、ターゲット分子に対し感応性を有する感応膜２２と、を具備する有機半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】濃度０の場合に出力が０となる有機電界効果トランジスタを用いたガスセンサ。
【解決手段】１．Ａの有機電界効果トランジスタ１００は、導電性基板１０表面に絶縁膜２０を形成する。この絶縁膜２０の表面２０ｓを、疎水化処理をしたものと、しないものとで１組とする、或いは親水化処理をしたものと、しないものとで１組とする。その上にチャネル形成層である有機半導体層３０を形成する。導電性基板１０裏面にはゲート電極４０ｇを形成し、有機半導体表面には、チャネル長を空けてソース電極４０ｓとドレイン電極４０ｄが形成される。１組とした２つの有機電界効果トランジスタ１００の、ガス濃度０の時の出力を、等しくなるように増幅調整した上で、差分をとれば、ガス濃度０の場合に出力が０となる構成とできる。 （もっと読む）

化学的および生物学的な化学種を検出し、かつ放射線の変化を検出するソリッドステート電界効果トランジスタセンサが開示される。デバイスは、多孔性または構造化されたチャネルの区画を含むことにより、デバイス感度を向上させる。感知された生物学的、化学的または放射線の変化がチャネルのコンダクタンスの指数関数的な変化を引き起こすように、デバイスはフルデプレート型モードにおいて動作する。一実施形態において、チャネルの上に重なる誘電体層と、該誘電体層の上に重なる材料の層とをさらに備え、該材料の層は、放射性、化学的および生物学的な化学種から成るグループから検出される標的化学種と相互作用し、該材料の層は、連続的な層または離散的なアイランドのいずれかである。
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湿度センサ（１）は、その表面にモイスチャーフィルム（５ａ，５ｂ）のための収容領域（４）を有している；その層厚（６ａ，６ｂ）は、収容領域（４）の周囲の相対湿度に依存する。湿度センサ（１）は信号源を有しており、その信号源は、モイスチャーフィルム（５ａ，５ｂ）に制御電圧を印加するために、少なくとも１つの供給箇所（１１）において収容領域（４）に隣接する、少なくとも１つの制御電極（１０）と接続されている。湿度センサ（１）は、少なくとも１つの電位センサを有しており、その電位センサが、収容領域（４）の下方に、少なくとも１つの供給箇所（１１）から離間した、少なくとも１つのセンサ領域（９）を有している。センサ領域（９）は、センサ領域と収容領域（４）との間にある絶縁層（３）によって収容領域（４）に対して次のように、即ち電位センサによってモイスチャーフィルム（５ａ，５ｂ）の層厚と制御電圧とに依存する電位が容量的に検出可能であるように、電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【目的】 ガスセンサにおいて，ガス選択性が高く量産が可能なセンサ構造を提供する。
【構成】 本発明は、電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の上に，触媒金属からなる下部ゲート電極と，イオン導伝性膜と，触媒金属からなる上部ゲート電極の積層構造を設けた多層ゲート型ガスセンサである。 （もっと読む）

【課題】重金属を簡単に検出することができる重金属イオンセンサを提供する。
【解決手段】被験試料中の標的イオンを検出するための標的イオン感応部２０を電界効果型トランジスタ１０のゲート領域１７に形成した。標的イオン感応部２０を包接化合物２１と、包接化合物２１を電界効果型トランジスタ１０のゲート領域１７に化学的に結合させる無機シラン化合物２２とで構成した。標的イオンと包接化合物２１との錯形成による包接化合物２１表面の電位変化を電界効果型トランジスタ１０のゲート電圧の変化として検出し、標的イオンをネルンスト式を用いて近似的に定量する。 （もっと読む）

【解決手段】半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第１の絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの上記第１の絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機分子で構成された第１の有機単分子膜を形成し、該第１の有機単分子膜に塩基数３〜３５の短鎖プローブＤＮＡを上記反応性官能基を介して、直接又は架橋分子を介して結合させてなる、プローブＤＮＡ／有機単分子膜／絶縁層／半導体構造を検出部として備える半導体ＤＮＡセンシングデバイス。
【効果】本発明の半導体ＤＮＡセンシングデバイスは、オンチップでの高感度マイクロマルチＤＮＡセンシングデバイスとして非常に効果的な半導体デバイスであり、これを用いた集積化デバイスは、一塩基多型等のミスマッチ配列のＤＮＡ解析を高精度に可能とするセンシング特性を有するものであり、高度な医療の提供・テーラーメード医療に有効である。 （もっと読む）

ガス分析装置は、導電性チャネルに基づく有機半導体（６）とゲート（２）との間にキャビティ（７）を有するトランジスタを有する。動作中、キャビティ（７）に案内されたガスサンプルからの成分は、有機半導体（６）の露出された吸収感応性表面部分において吸収されることが可能である。検出器（１３）は、露出表面部分において吸収された成分によりもたらされるトランジスタの閾値電圧における変化を検出する。この変化の検出に応じて、検出器は、サンプルにおける成分の濃度を表す測定信号を生成する。
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本発明は、NOを検出する有機化合物半導体の使用と、斯かる化合物がNOの検出に使用されるセンサ(18)及びデバイス(19)とに関する。そのデバイス(9)は、肺及び呼吸管の状態及び／又は機能を予測するのに使用されることができる呼吸ガス分析を、簡単で無侵襲な方法で行うことを可能にする。そのセンサ(18)は、より詳細には、ナノスケールFETタイプの構造を持つ。

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ドレイン電極８４およびソース電極８２を接続する少なくとも１つの有機分子８７を含む分子単電子トランジスタ（ＭＳＥＴ）検出デバイス１４を記載する。使用中、前記少なくとも１つの有機分子８７は量子閉じ込め領域を形成する。対象の分子（検体）を結合する少なくとも１つの検体レセプタ部位９０、９２が前記少なくとも１つの有機分子８７近傍に設けられる。ＭＳＥＴ検出器、前濃縮装置４、および流体ゲート構造体６を備えた流体分析器２も記載する。流体ゲート構造体６は前濃縮装置４から検出器１４および排出口１２のいずれか一方に選択的に流体を送るように配置される。前濃縮装置４、流体ゲート構造体６および検出器１４は各々実質的に平坦な層として形成され、積層体または立方体として配置される。
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