【課題】走査光学系の光学異常を容易且つ高精度に検査するための走査光学系光量測定方法を提供する。
【解決手段】光走査装置１のレーザダイオード１１１より射出された走査ビームを連続点灯させて走査している状態で、フォトセンサ３及びスリット２を移動ステージ４により走査速度よりも遅い速度で主走査方向に移動させ、フォトセンサ３の移動中にフォトセンサ３を走査ビームが通過するよりも短いサンプリング周期で測定を行う。 （もっと読む）

【課題】十分な測定精度を確保しつつ、測定作業が簡素化され、構成が簡単でコスト低減をはかることが可能な、赤外線センサを用いた温度測定装置およびその補正方法を提供する。
【解決手段】測定対象の温度をＴｂ、赤外線センサ部１の出力（該出力に対応する赤外線センサ出力測定部３による測定出力）をＶ、赤外線センサ部１の出力に関するオフセットをｃ、温度係数をｂ、赤外線センサ部１（赤外線センサ部１自体）の温度をＴｒ、温度の演算式における冪指数をαとするとき、Ｔｂ＝｛（Ｖ−ｃ）／ｂ＋Ｔｒα｝^1/αなる演算によって測定対象の温度Ｔｂを算出する。この場合、温度測定装置１０には、冪指数α、温度係数ｂ、および、オフセットｃの各定数を予め保持しておく。該各定数は、赤外線センサ部の出力の実測値と予測値との差を２乗してデータ取得回数Ｎ分の和をとった、ばらつきを表す既定の関数の値を最小とする条件を充足するものとして各算出される。 （もっと読む）

【課題】従来の技術では、支持脚の熱コンダクタンスの低減を図る際に、支持脚配線の微細化に対して、マスクの精度で支持脚配線の微細化が決定され、それ以下のサイズで安定した微細化を図ることが困難であった。
【解決手段】本発明では、支持脚配線の微細化において、支持脚３の断面積を小さくするため、周囲の層間絶縁膜であるＢＰＳＧ１０及びＴＥＯＳ１１に対し、支持脚３に相当する領域のみをエッチングすることにより、支持脚３を低背化することができ、マスクで決定するサイズ立則にとらわれない微細化された支持脚構造を有する赤外線撮像素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 （もっと読む）

【課題】量子井戸構造体を含むものであり、結晶欠陥の発生を抑制しつつ、感度を向上させることができる温度センサ、及びその温度センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＧｅ層３１と、このＳｉＧｅ層３１上に形成されるものであり、ＳｉＧｅ層３１と同じ元素から構成された複数の半導体層（ＳｉＧｅ層）からなる温度の変化によって抵抗値が変化するＱＷ構造部５０と、を備える温度センサである。このＱＷ構造部５０を構成する複数の半導体層は、障壁層５０ａ及び障壁層５０ｃと、この障壁層５０ａ及び障壁層５０ｃに挟まれた井戸層５０ｂとを構成する。そして、ＳｉＧｅ層３１、障壁層５０ａ、障壁層５０ｃ、井戸層５０ｂは、ＳｉＧｅ層３１の格子定数をａ、障壁層５０ａ、障壁層５０ｃの格子定数をｂ、井戸層５０ｂの格子定数をｃとした場合、ｂ＜ａ＜ｃを満たすように形成される。 （もっと読む）

【課題】高抵抗な光伝導素子を提供することである。
【解決手段】光伝導素子は、励起光（４）の照射により光励起キャリアを発生する半導体材料からなる光伝導層（２）と、光伝導層（２）に配置された複数の電極（３）を有する。光伝導層（２）の材料は、光伝導層に生ずる空乏層（６）の厚さが励起光（４）の波長における光伝導層（２）の光学吸収長より小さい材料である。光伝導層（２）の膜厚は、光伝導層の複数の電極（３）の間の少なくとも一部分において空乏層（６）が膜厚方向全体に達する様に調整されている。 （もっと読む）

【課題】光源に流れる電流の設計を容易にして量産性を向上し、光源消灯時の光源に流れる電流を完全にカットして電力の浪費を無くした上で、光源の寿命を縮めることの無い光源駆動回路を提供する。
【解決手段】光源７の一端にドレインが接続され、ソースがグラウンド電位に接続されるｎＭＯＳトランジスタ６１、反転入力端子１０１ｂ、非反転入力端子１０１ａ、出力端子１０１ｃを有する演算増幅器１０１を含み、演算増幅器１０１の出力端子１０１ｃがｎＭＯＳトランジスタ６１のゲートに接続され、光源７の消灯時、演算増幅器１０１の反転入力端子１０１ｂに、非反転入力端子１０１ａに供給されるバイアス電圧ＶBIASよりも高い電圧を供給し、光源７の点灯時、演算増幅器１０１の反転入力端子１０１ｂをｎＭＯＳトランジスタ６１のソースに接続する切替器６５によって光源駆動回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】オゾン濃度を精度よく検出できるコンパクトなオゾン検出センサを提供する。
【解決手段】透光性基板４ａ、４ｂの対の対向間隙５にオゾン含有流体Ｏを装入する測定セル４と、一方の基板４ａに紫外光ＵＶを照射する光源２０と、他方の基板４ｂの透光側に設けたドーピング又は真性欠陥により紫外光感度を増大させたＰ型又はＮ型の所定膜厚ｄの酸化亜鉛（ＺｎＯ）の薄膜１０と、薄膜１０に一定電圧を印加する電極対１１、１２と、電極対１１、１２間の電流を検知する計測回路１６とを備え、酸化亜鉛薄膜１０の所定膜厚ｄをＡ領域紫外光に対するＣ領域紫外光の感度比率（ＵＶＣ／ＵＶＡ）が所定比率以上となるように選択する。好ましくは、酸化亜鉛薄膜１０の所定膜厚ｄを、電極対１１、１２間の電流の時定数が所定値以下となる範囲内においてＡ領域紫外光に対するＣ領域紫外光の感度比率（ＵＶＣ／ＵＶＡ）が最大となるように選択する。 （もっと読む）

【課題】屋外でも火災や電気火花等を迅速に検知することができ、安くて、小型で、耐衝撃性の高い撮像装置を提供する。
【解決手段】支持部材６上に回路部２が、回路部２上に固体撮像素子１が形成されている。また、固体撮像素子１の前面には、レンズ機構５が設けられている。固体撮像素子１、回路部２、レンズ機構５は枠体７の中に組み込まれている。一方、枠体７の外側に光電変換素子３が取り付けられている。光電変換素子３の構成は、３００ｎｍを超える光波長域では受光感度が略０であり、３００ｎｍ以下の光波長域で受光感度を有するように構成されている。これにより、紫外光の中でも特に火炎や電気火花等を感知することができる。 （もっと読む）

【課題】有用な受光装置および使い易い機能を備えたモバイル機器を提案する。
【課題を解決するための手段】それぞれ可視光域および赤外光域において６０％以上の量子効率を有し複数波長域の光による像を撮像するために規則的に配列された複数の受光部を有する光電変換部で紫外線情報を得る。可視光域および赤外光域の出力から肌情報を得る。複数の受光部に、ガラスの撮像レンズを透過しない領域を含む紫外光の感度を付加する。撮像レンズをローパスフィルタとして機能させ、入射光路に挿入されている時は狭い波長域のＵＶＡ情報を得るとともに、退避しているときはＵＶインデックス算出に必要な広い波長域の紫外線を受光する。大きく異なる波長の光による像の差を予め記憶されている補正値で補正する。紫外線情報が所定以上であるとき、モバイル機器使用時に肌情報の取得を自動的に行い、両者を同時に表示する。 （もっと読む）

【課題】表面プラズモンを利用した半導体装置において、より高感度化、薄膜化を可能にした半導体装置を提供する。
【解決手段】光電変換層２と、光電変換層２内に埋め込まれた連続あるいは不連続の筒状の金属微細構造体３と、金属微細構造体３の内側面及び外側面を被覆する誘電体膜４とを有する。 （もっと読む）

本発明者らは、半導体／金属界面を有する金属半導体ハイブリッド（ＭＳＨ）構造において、異常光コンダクタンス（ＥＯＣ）現象、および好ましくは逆ＥＯＣ（Ｉ−ＥＯＣ）現象に基づいて室温で機能する、好ましくはナノスケール寸法の、新規な高性能光学センサを開示する。このような設計は、ベア半導体によって示されることのない、効率的な光子検知を示す。例示的実施形態を用いる実験において、ヘリウム−ネオンレーザ放射を用いる超高空間分解能４点光コンダクタンス測定は、２５０ｎｍ装置について、観測された最大測定値が９４６０％という、著しく大きい光コンダクタンス性能を明らかにした。このような例示的ＥＯＣ装置はまた、６３２ｎｍ照射で５．０６×１０^１１ｃｍ√Ｈｚ／Ｗよりも高い固有検出能、および４０ｄＢの高い動的応答を実証しており、このようなセンサを広範囲な実際的応用に対して技術的に優位にする。
（もっと読む）

【課題】単一のプラズモン構造及び半導体吸収層の配列を用いて二次元検出を可能にする光検出器を提案する。
【解決手段】この光検出器は、
・ドープ半導体層（１２）と、
・前記半導体層（１２）の下に位置した反射層（２２）と、
・前記半導体（１２）と共に、表面プラズモン共鳴器を形成する、前記半導体層（１２）上に配置された金属構造（１６）と、
・前記半導体層（１２）内に形成され、及び前記半導体層のドーピングとは反対にドープされた複数の半導体領域（２４）と、を備えており、
・各々の半導体領域（２４）について、導体（２６）が前記半導体層（２２）から少なくとも半導体領域（２４）まで貫通し、及び対応する導体（２６）に関連した半導体領域（２４）と共に前記金属構造（１６）から電気的に絶縁されており、このようにして前記光検出器の基本検出表面を画定していること。 （もっと読む）

【課題】日焼けや皮膚がんを起こしやすい紫外線を、感度よく、安定に検知できる紫外線センサーを、低コストで提供する。
【解決手段】紫外線を、感度よく、安定に検知できる紫外線センサーは、以下の工程を経て、低コストで製造される。
（ｉ）無機酸化物基板の表面を金属層で覆う工程；
（ｉｉ）金属層で覆われた無機酸化物基板の表面に、化学的蒸気堆積法によって単結晶ＺｎＳナノベルトを多数成長させる工程；及び
（ｉｉｉ）成長した単結晶ＺｎＳナノベルトの上に、電極間の距離がμｍオーダーである２つの分離された電極を形成させる工程。
無機酸化物基板として石英ガラス基板が、その表面を覆う層として金薄膜が好ましく用いられる。また、基板上に電極パターンを作製する際に、μｍオーダー径のマイクロワイヤからなるメッシュをマスクに用い化学的蒸気堆積法を行なえばよい。 （もっと読む）

【課題】青色及び紫外線領域において高感度で暗電流が極小である新規な光検出器を得る。
【解決手段】光検知デバイスは以下の構成要素を有している。（ａ）絶縁層に覆われたＳｉ基板、（ｂ）前記絶縁層上に置かれた単結晶ＺｎＳｅナノベルト、及び（ｃ）前記ＺｎＳｅナノベルトの上に形成された２つの分離された金属電極。前記絶縁層は、ＳｉＯ_２又はＡｌ_２Ｏ_３で、厚さは、２００ｎｍから６００ｎｍの範囲である。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、赤外線（ＩＲ）放射を感知する方法および装置に関する。特定の実施形態において、暗視デバイスは数層の有機薄膜を積層することによって製造することができる。本デバイスの実施形態は、１０〜１５ボルトの範囲の電圧で動作可能であり、従来の暗視デバイスと比較して、製造コストがより低い。本デバイスの実施形態は、有機光トランジスタと有機発光デバイスを直列に組み合わせることができる。特定の実施形態において、全ての電極は赤外光に対し透過性である。ＩＲ感知層はＯＬＥＤと組み合わされて、ＩＲ−可視色アップコンバージョンを提供することができる。暗電流特性の改善は、ＩＲ感知層の一部として正孔の少ない輸送層を組み込むことによって達成することができる。
（もっと読む）

【課題】基準電圧設定装置、それを備える照度測定装置及びディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】第１暗電流を供給する第１素子、及び第２暗電流を供給する第２素子を備える電流発生部１１０と、電流発生部１１０と連結される第１演算増幅部１２０と、第１演算増幅部１２０と連結されて、第１演算増幅部１２０のオフセット電圧が補償された基準電圧を設定する電圧設定部１３０と、を備える基準電圧設定装置１００及びそれを備える照度測定装置、並びにディスプレイ装置である。 （もっと読む）

【課題】温度補正を精度よく高速に行える小型の赤外線センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る赤外線センサは、温度センサ素子と、外部からの赤外線を受光する量子型の赤外線センサ素子と、前記赤外線センサ素子と前記温度センサ素子とを包み込む樹脂パッケージと、赤外線を前記赤外線センサ素子の受光面に導くように前記樹脂パッケージに設けられた開口部分とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルタ構造を用いずに所定の波長の光を選択的に検出できる半導体光素子および半導体光装置の提供をする。
【解決手段】温度検知部５と、温度検知部に熱的に接続された吸収傘１０とを含み、吸収傘に入射した光を検出する熱型赤外センサ素子１００において、吸収傘が、特定波長を表面に結合させる表面プラズモンを誘起するように表面にアレイ状に配置された凹部１１を有し、特定波長の入射光の吸収量を、特定波長以外の入射光の吸収量より大きくする。また、複数の半導体光素子をアレイ状に配置し、半導体光装置とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンなどの不純物を含まないナノ素子を有するデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、電子デバイスは、ナノ素子中に炭素が含有されていないこと、また、前記素子がＭｏＯ_ｘであること、および前記ナノ素子は、電子線誘起蒸着法により基板上に形成されたものであることを特徴とする手段を採用した。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、大面積化が可能な赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】遠赤外線〜中赤外線を透過し、近赤外線〜可視光を反射する反射部１と、反射部１を透過した遠赤外線〜中赤外線により電子が励起されて、光電流が生成される量子ドット構造を多重に積層した光電流生成部２と、光電流生成部２で生成された光電流の電子が注入されて、正孔と再結合させることにより、近赤外線〜可視光を放出する量子井戸構造を多重に積層した発光部３と、発光部３から放出された近赤外線〜可視光を検出すると共に、発光部３から放出されて、反射部１で反射された近赤外線〜可視光を検出する光検出部４とを有し、反射部１、光電流生成部２及び発光部３を、半導体の基板上に積層したIII−Ｖ族化合物半導体から構成する。 （もっと読む）