【課題】
微小な欠陥を検出すること、検出した欠陥の寸法を高精度に計測することなどが求められる。
【解決手段】
光源から出射した光を、調整する照明光調整工程と、前記照明光調整工程により得られる光束を所望の照明強度分布に形成する照明強度分布制御工程と、前記照明強度分布の長手方向に対して実質的に垂直な方向に試料を変位させる試料走査工程と、照明光が照射される領域内の複数の小領域各々から出射される散乱光の光子数を計数して対応する複数の散乱光検出信号を出力する散乱光検出工程と、複数の散乱光検出信号を処理して欠陥の存在を判定する欠陥判定工程と、欠陥と判定される箇所各々について欠陥の寸法を判定する欠陥寸法判定工程と、前記欠陥と判定される箇所各々について、前記試料表面上における位置および前記欠陥の寸法を表示する表示工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】検出器の両端に必要とされるバイアスを増大させずに単一光子による信号の存在を強調するため、従来より高い周波数で動作させることができる光子検出システム。
【解決手段】単一光子を検出するように構成された光子検出器５１と、光子検出器の出力信号を、第１の部分が第２の部分と実質的に同一である第１の部分と第２の部分とに分配する信号分配器５５と、第２の部分を第１の部分に対して遅延させる遅延手段５６と、信号の第１の部分と遅延させた第２の部分とを、遅延させた第２の部分が出力信号の第１の部分における周期的変動を打ち消すために使用されるように合成する合成器６１とを備える光子検出システム。 （もっと読む）

【解決手段】光子検出器 光子検出システムはアバランシェフォトダイオードを具備し、アバランシェフォトダイオードは、第１導電型を有する第１半導体層と第２導電型を有する第２半導体層とから形成されたｐｎ接合を具備し、第１導電型はｎ型またはｐ型から選択され、第２導電型は第１導電型とは異なりかつｎ型またはｐ型から選択され、第１半導体層は第１導電型のドーパントでドープされるドープ層であり、低い場の複数ゾーンに囲まれた高い場の複数ゾーンの複数のアイランドを第１層が具備するように、第１導電型のドーパントの濃度に変化があり、高いおよび低い場の複数ゾーンは、ｐｎ接合の平面で横方向に分布していて、ドーパント濃度は、高い場の複数ゾーンでは低い場の複数ゾーンよりも高く、前記システムは、さらにバイアス部を具備し、前記バイアス部は、時間に関して静的である電圧、および時間変動する電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】光関連機器への搭載に適した自立型電源装置及びこれを用いた光関連機器を提供する。
【解決手段】自立型電源装置１０は、光エネルギを電気エネルギに変換する光電変換部１１と、光電変換部１１の出力を用いて充電される蓄電部１２と、を有し、光関連機器Ａを形成する半導体装置Ａ１やモジュールＡ２とは別に、独立したユニットとして光関連機器Ａに内蔵または着脱され、光関連機器Ａの各部に電力を供給する。 （もっと読む）

【課題】高精度であり、さらに、低コストかつ電子機器の負担が小さい、光検出装置、及び光検出装置を搭載した電子機器を実現する。
【解決手段】光検出装置１００は、受光素子１０１が受光して得られた電流１１０を、第１デジタル信号１１１に変換して出力する光‐デジタル変換回路１０２と、第１デジタル信号１１１を浮動小数点データに圧縮して、第２デジタル信号１１２として出力する浮動小数変換回路１０７と、第２デジタル信号１１２に対して所定の演算を行う浮動小数演算回路１０８と、演算の結果を示す信号１１３を、整数型のデジタルデータである第３デジタル信号１１４に変換して出力する浮動小数‐整数型データ変換回路１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】赤外線センサ装置の出力の個体差ばらつきを簡易に補正し、赤外線エネルギー量から測定温度を簡易かつ高精度に定量することが可能な赤外線センサ信号の補正方法及び温度測定方法並びに温度測定装置を提供すること。
【解決手段】赤外線センサ装置から得られる赤外線センサ信号に赤外線センサ装置固有の補正係数Ａを乗算する第１補正工程を有し、補正係数Ａは、赤外線センサ装置を用いて所定のセンサ温度Ｔ_AMBXにおいて所定の温度Ｔ_OBJXの対象物を測定したときに得られる信号Ｓ_IRXを所定の値にするための係数である。 （もっと読む）

【課題】赤外線センサ信号の環境温度に対する変化を補正して、高精度に測定温度を定量することが可能な赤外線センサ信号の補正方法及び温度測定方法並びに温度測定装置を提供すること。
【解決手段】赤外線センサ装置から得られる赤外線センサ信号に、環境温度Ｔ_AMBに基づいたオフセット補正量を加算又は減算する第１補正工程を有し、オフセット補正量がＴ_AMBの３次及び／又は２次の項を含む関数で表される。また、第１補正工程の後に、環境温度Ｔ_AMBに基づいた補正係数Ｂを乗算する第２補正工程を有する。 （もっと読む）

【課題】被写体のスペクトル情報をより正確に取得することができる。
【解決手段】試料から入射される入射光量に応じて電荷を蓄積する画素１１１−６に、電荷を所定の測定時間蓄積するように制御するステップと、試料から入射される入射光のうち特定の波長の入射光量に応じて電荷を蓄積する複数の画素１１１−１〜１１１−５に、電荷を所定の測定時間蓄積するように制御するステップと、所定の測定時間に画素１１１−６が蓄積する電荷の変化量から、基準信号を生成し出力するステップと、所定の測定時間に複数の画素１１１−１〜１１１−５が蓄積する電荷の変化量から、複数の測定信号を生成し出力するステップと、複数の測定信号のいずれか１つ以上が基準信号より大きい場合、当該測定信号に飽和出力が含まれると判定するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】面倒な演算等を行うことなく、測光精度を低下させないようにする。
【解決手段】被写界を複数の測光領域に分割し光強度に比例した電荷を発生し蓄積する光電変換素子１と、光電変換素子２で蓄積している電荷を転送する転送手段２と、転送手段２から転送された電荷を保持し電圧に変換する電荷電圧変換手段５，２１と、電荷電圧変換手段５，２１を基準レベルにリセットするリセット手段６と、光電変換素子１で蓄積している電荷を電荷電圧変換手段５，２１に転送しないようにするための転送手段３と、転送手段３で転送された電荷を排出する電荷排出手段７，８とを備える。 （もっと読む）

【課題】光の左右比が飽和することが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】半導体基板に複数の受光素子が形成され、受光素子の形成面上に、透光膜を介して遮光膜が形成され、遮光膜に、受光素子それぞれに対応して透光用の開口部が形成されている。上記形成面に沿う仮想直線に対して線対称となるように、一対の受光素子が半導体基板に形成され、これら一対の受光素子に対応する一対の開口部が、仮想直線に対して線対称となるように遮光膜に形成されており、一対の受光素子それぞれは、仮想直線の一方から他方に向って、中央がへこんだ凹形状を成し、その横幅が、一端から他端に向うにしたがって太くなっている。そして、形成面に交差する光によって、形成面に投影した、一対の開口部それぞれの少なくとも一部が、対応する受光素子、及び、その受光素子の両端を結ぶ線によって囲まれた領域に位置する。 （もっと読む）

【課題】指向性を広くすることで、光の強度や角度を検出することが困難となることが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】半導体基板の一面側に形成され、光を電気信号に変換する複数の受光素子と、半導体基板の一面上に形成された透光膜と、半導体基板の一面上に透光膜を介して形成された遮光膜と、遮光膜に形成され、対応する受光素子に光を導入するための複数の開口部と、を備える光センサであって、第１の受光素子の中心から、第１の受光素子に対応する第１の開口部の中心へ延びる第１の仮想直線と、第２の受光素子の中心から、第２の受光素子に対応する第２の開口部の中心へ延びる第２の仮想直線とは、仰角及び左右角の少なくとも一方が異なっており、第１の受光素子の受光面積が第１の開口部の開口面積よりも大きく、第２の受光素子の受光面積が第２の開口部の開口面積よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】微弱光から強光までの光を検知することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換層を有するフォトダイオードと、トランジスタを含む増幅回路と、
スイッチとを有し、入射する光の強度が所定の強度より小さいと前記スイッチにより前記
フォトダイオードと前記増幅回路は電気的に接続され、光電流は前記増幅回路により増幅
されて出力され、入射する光の強度が前記所定の強度より大きいと前記スイッチは前記フ
ォトダイオードと前記増幅回路の一部又は全部を電気的に切り離して光電流の増幅率を下
げて出力される光電変換装置に関するものである。このような光電変換装置により、微弱
光から強光までの光を検知することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】製作が容易で、低コスト、高精度化を実現した光学センサ及びセンサチップを提供する。
【解決手段】発光素子は、絶縁基板の法線方向に出射光を出射する面発光型であり、前記受光素子は、前記絶縁基板の面と水平な方向からの散乱光を端面で受光する端面入射型であり、前記キャップは、前記発光素子の出射光の方向を前記絶縁基板の面と水平な方向へ変換する光路変換素子をさらに有しており、前記キャップの前記第一開口部は、前記発光素子の出射光が前記キャップの前記光路変換素子で変換された光路方向にあり、前記キャップの前記第二開口部は、前記受光素子に対して前記受光素子が散乱光を受光できる方向にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】常に安定にレーザ光の出力を検出可能な紫外線レーザ装置用エネルギー測定装置を提供する。
【解決手段】レーザ光の出力を検出する光検出器(37)と、光検出器(37)の前方に配置され、光検出器(37)に入射するレーザ光を拡散させる拡散板(36)とを備えたレーザ装置用エネルギー測定装置において、紫外線光を予め照射し、拡散板(36)の透過率の変化を略飽和させた拡散板を用いることを特徴とする、レーザ装置用エネルギー測定装置。 （もっと読む）

【課題】 外光の光源の発光特性に応じてバックライトの光量を調整する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】この発明によれば，画像を表示する液晶表示部と、前記液晶表示部の背面から光を照射するバックライト部と、前記液晶表示部の前面の可視光線強度及び紫外線強度を検出する可視光線センサ及び紫外線センサと、前記可視光線センサ及び前記紫外線センサで検出された可視光線強度及び紫外線強度を用いて可視光線強度に対する紫外線強度の割合を演算し、演算されたその割合が大きい程、前記バックライト部が照射する光の量を小さくする制御部とを備えることを特徴とする液晶表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板に取り付けられた状態の光源の全光量を明るい環境下でも測定できる全光量測定システムの提供。
【解決手段】光を正反射する反射面部１１３を内面に有し、直接光と反射光とが通過する第一開口１１１と、光源３００を配置するための第一挿入孔１１２とを有する第一筐体１０１と、第二開口１２１と、第二挿入孔１２２と、光を吸収する吸収面部１２３を内面に有する第二筐体１０２と、第一光量と、第二光量とを検出する検出手段１０３と、全光量を算出する演算手段１０４と、迷光の第一空間１１０への進入を阻止する柔軟性のある第一遮光部材１４１と、迷光の第二空間１２０への進入を阻止する柔軟性のある第二遮光部材１４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】アバランシフォトダイオード（ＡＰＤ）の出力に乗る周期的雑音を除去するために従来用いていた差動アンプ等を不要とし、差動アンプ等の代わりに、スタブと呼ばれる単純な線路を用いることによって同様の機能を実現することにより、回路のコストダウンを図るとともに、多段化を容易にして、スタブを連ねることによって、雑音除去の効果をいくらでも強めることを可能にする。
【解決手段】アバランシフォトダイオード（ＡＰＤ）１に周期的なバイアス電圧を印加することにより駆動される単一光子検出器であって、ＡＰＤ１に伝送路３を介して接続され、バイアス電圧Ｖ（ｔ）６に起因して出力信号に加わる周期的な雑音を除去するスタブ型の帯域除去フィルタを備えている。このスタブ型の帯域除去フィルタは、同軸ケーブルまたはプリント基板上のパターンから構成される電気的な線路（スタブ４）から構成される。 （もっと読む）

【課題】異なる波長の電磁波用のセンサを同じ半導体基板上にセットし、高感度で電磁波検出を行なう。
【解決手段】センシング部２０と、センシング部２０へ電荷を供給する電荷供給部１６と、センシング部２０と電荷供給部１６との間に形成される電荷供給調節部ＩＣＧ２と、センシング部２０からの電荷を蓄積する電荷蓄積部１７と、センシング部２０と電荷蓄積部１７の間の電荷転送調節部ＴＧ１と、電荷蓄積部１７の電荷に対応しる出力部２１とを備え、第１のセットと第２のセットが同一半導体基板上に形成され、第１のセットのセンシング部２０は第１の電磁波を受けて第１の電磁波の強さに応じた電荷を発生し、第１の電磁波と異なる波長の第２の電磁波を受けて該第２の電磁波の強さに応じて出力する電磁波感応素子が第２のセットに対応して半導体基板上にマウントされ、第２のセットのセンシング部は電磁波感応素子１３０の力に応じてポテンシャルを変化させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば蓄光標識等の残留輝度をより高精度に測定し得る残留輝度測定システムおよび該方法を提供する。
【解決手段】本発明の残留輝度測定システムＳは、りん光を放射可能な蓄光部材（蓄光標識ＭＫ）を遮光するための遮光ユニット１Ａと、遮光ユニット１Ａによって遮光された遮光域における所定の領域を測定域として前記測定域から放射されるりん光の強度を測定する測定ユニット２と、遮光ユニット１Ａによる前記蓄光部材の遮光後に計時を行う計時部と、前記計時部によって計時された経過時間が所定の第１時間に達した場合に、前記所定の第１時間が経過した旨を外部に提示する提示部と、測定ユニット２によって測定された前記測定域からのりん光強度の測定結果に基づいて前記測定域の前記りん光による残留輝度を求める残留輝度演算部とを備える収集処理ユニット３とを備える。 （もっと読む）

【課題】積分動作におけるチャージインジェクションによる検出信号の劣化を高精度に補償し、微弱光を高Ｓ／Ｎで検出する。
【解決手段】光の光量に応じた大きさの電流信号を出力するＰＤ１と、ＰＤ１とにより出力された電流信号に応じた電荷を蓄積するコンデンサ１３を含み、電流信号を積分してコンデンサ１３に蓄積されている電荷の量に応じた積分値を出力する積分回路３と、コンデンサ１３による電荷の蓄積と蓄積された電荷の放電とを切り替えるリセットスイッチ１５と、積分回路３から出力された電流信号の積分値のうち、積分期間の略開始時の電流信号の積分値と略終了時の電流信号の積分値との差分を演算して出力する差分演算部７とを備える光検出回路１０を提供する。 （もっと読む）