【課題】受光する光の強度にばらつきが生じたとしても、高精度に測定することができるイメージセンサ、分光装置、及びイメージセンサの作動方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサ１は、入力用スイッチ２２を介して受光素子２１の接続された積分回路２３、その出力電圧値が検出閾値を越えたときに検出信号Ｓを出力する電圧検出回路２４、及び出力用スイッチ２５を有する複数の光電変換部１０と、ＡＤＣ１１と、入力用スイッチ２２を閉状態に制御して検出信号Ｓが出力されたときにその入力用スイッチ２２を開状態に制御し、入力用スイッチ２２を閉状態に維持させた時間を電荷蓄積時間として測定すると共に、出力用スイッチ２５を制御して光電変換部１０ごとの出力電圧値を測定電圧値としてＡＤＣ１１から読み込み、各光電変換部１０への入射光の強度を、電荷蓄積時間及び測定電圧値に基づいて演算する制御部１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、迷光による誤差を補正することによって、より精度よく残留輝度を測定し得る残留輝度測定装置および該システムを提供する。
【解決手段】本発明の残留輝度測定システム（残留輝度測定装置）Ｓは、遮光された蓄光標識ＭＫの残留輝度を測定するものであって、蓄光標識ＭＫを遮光する遮光部１Ａと、遮光部１Ａによって遮光された遮光域における所定の領域を測定域として前記測定域からの放射光を受光する測定部１Ｂと、遮光開始から互いに異なる複数の第１時間経過後に測定部１Ｂでそれぞれ受光された前記測定域からの放射光の複数の強度に基づいて、前記放射光に含まれる迷光の強度を迷光補正値として求め、測定部１Ｂで受光された前記測定域からの放射光の強度を前記迷光補正値で補正して、遮光開始から第２時間経過後における前記測定域の前記残留輝度を求める収集処理ユニット３とを備える。 （もっと読む）

【課題】検出された光子数を判定できるように構成された光子検出システムの提供。
【解決手段】検出システムは、アバランシェフォトダイオード５１と、照明においてアバランシェによる信号がシステムの飽和値よりも小さいようにフォトダイオードの両端にバイアスを印加する手段と、アバランシェ信号の大きさを測定する手段と、を具備するようにしている。 （もっと読む）

【課題】単一光子検出器が被る１つの問題は、単一光子の検出により出力される信号は弱いことが多く、検出器出力の他のアーチファクトと区別するのが困難な場合がある。
【解決手段】単一光子を検出するように構成された光子検出器（ＡＰＤ５１）と、光子検出器の出力信号を、第１の部分が第２の部分と実質的に同一である第１の部分と第２の部分とに分周する信号分周器（電力分配器５５）と、第２の部分を第１の部分に対して遅延させる遅延手段（遅延線５６）と、信号の第１の部分と遅延させた第２の部分とを、遅延させた第２の部分が出力信号の第１の部分における周期的変動を打ち消すために使用されるように合成する合成器（ハイブリッド結合器６１）とを備える光子検出システム。 （もっと読む）

【課題】ＡＰＤを用いる光強度測定方法において、ＡＰＤの暗電流の影響が大きい極めて小さな入力光強度を精度よく測定する。
【解決手段】この光強度測定方法は、ＡＰＤ１１が受けた入力光の強度を測定する方法であって、複数の周囲温度下でのＡＰＤ１１の暗電流量を測定する第１ステップと、入力光をＡＰＤ１１に入射させ、ＡＰＤ１１の出力電流量を測定する第２ステップと、第２ステップのときの周囲温度に対応する暗電流量を出力電流量から減算した値を求めることにより、入力光の強度を得る第３ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】電磁放射検出デバイスを提供する。
【解決手段】電磁放射検出デバイスは、一つ以上のサブアセンブリ（３００）にまとめられた複数の基本検出器（３２、３２０）を含む。各サブアセンブリは複数の基本検出器（３２、３２０）を含む。各基本検出器（３２、３２０）は、相互接続部（３２．１、３２０．１）によってインピーダンス整合デバイス（３３）に接続されている。そして、インピーダンス整合デバイス（３３）が、単一のサブアセンブリ（３００）の全ての基本検出器（３２、３２０）に共通であり、各サブアセンブリ（３００）において、相互接続部（３２．１、３２０．１）が略同一の抵抗値を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、車両の周辺光および車両のウィンドシールドに付着した雨滴の検出精度を向上可能な光検出装置を提供する。
【解決手段】第１導光体３０、第１受光素子、発光素子、第２導光体６０および第２受光素子は、車両のウィンドシールドに取り付け可能なケースに収容されている。第１導光体３０は、車両の周辺光を透過可能に設けられ、第２導光体６０と接触可能な接触面３５、および、当該接触面３５とは異なる位置に突起状の第１溶着部３６を有している。第２導光体６０は、発光素子から射出された光およびウィンドシールドと車両外部との境界面で反射された光を透過可能に設けられ、第１溶着部３６に対応する位置に突起状の第２溶着部６８を有している。第１導光体３０と第２導光体６０とは、接触面３５と接触面６７とで接触しつつ、第１溶着部３６と第２溶着部６８とが熱溶着されることにより一体となっている。 （もっと読む）

【課題】入射光量に応じた高精度の値の電気信号を出力することができる光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出装置１は、フォトダイオードＰＤ，積分回路１０，比較回路２０，電荷注入回路３０，計数回路４０，第１保持回路５１，第２保持回路５２，増幅回路６０，ＡＤ変換回路７０および選択回路８０を備える。積分回路１０は、アンプＡ_１０，積分容量素子Ｃ_１０，第１スイッチＳＷ_１１，第２スイッチＳＷ_１２および第３スイッチＳＷ_１３を有する。スイッチＳＷ_１２，ＳＷ_１３の開閉動作により、電荷注入回路３０による電荷注入の際の積分回路１０の出力電圧値Ｖ_１０の変化量が求められる。 （もっと読む）

【課題】外乱赤外線をより適切に遮断することができ、画像劣化を抑制することができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面には、空洞部１ａの開口を覆うように面状に遮蔽膜７及び反射膜８が形成されている。即ち、遮蔽膜７は、半導体基板１における光学系１５０と対向する面に、機械的でかつ熱的に接続されている。反射膜８は、遮蔽膜７の表面の全体を覆うように形成されている。撮像画素開口１０１ａは、遮蔽膜７及び反射膜８に空けられている。遮蔽膜７及び反射膜８は、撮像画素開口１０１ａで、光学系通過赤外線１５２のみを空洞部１ａ内の温度検出部５へ通す。遮蔽膜７及び反射膜８は、これらの面全体における撮像画素開口１０１ａ以外の箇所で、外乱赤外線を遮断・反射する。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＳセンサ、光電子管等に代えて、フォトＩＣ等、半導体素子等の光センサを用いた場合に、火炎が発する光の検出に関して、安定した性能を確保することが可能な火炎センサ、火炎検出装置、及び燃焼装置を提供すること。
【解決手段】バーナが発する火炎を検出する火炎センサ４２であって、前記火炎が発する光を検出する光センサ４３と、前記光センサ４３の検出部４３Ｃ側に配置され前記火炎が発する光を集光するレンズ４４と、前記レンズ４４の光軸方向において、前記レンズ４４と前記光センサ４３の間に配置され、前記レンズ４４を通過した光を前記光センサ４３側に反射するように構成された反射部４６とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微弱な光パルスであっても、光増幅器を使用することなく、高い時間分解能で光パルスを検出することができる時間ゲート付き光検出装置およびこれを用いた多点計測システムを提供する。
【解決手段】時間ゲート付き光検出装置は、所定の変調周波数で光パルスを発生するレーザ光源ＬＡと、レーザ光源ＬＡからの自然放出光の強度を検出するための光検出器ＰＤと、レーザ光源ＬＡからの光パルスと同期した被測定光パルスをレーザ光源ＬＡへ注入するための光カプラＣＰ１と、光パルスと被測定光パルスとの間の時間差を調整するための可動ミラーＭＲと，光パルスと被測定光パルスの偏光状態を揃えるための偏波コントローラなどで構成される。 （もっと読む）

【課題】上下機構の製造タクト増加を抑えると共に、精度のよい発光測定ができる。
【解決手段】ＬＥＤチップ２をセットしてＬＥＤ素子４を発光駆動可能とする台座３と、ＬＥＤ素子４からの発光を反射させる反射筒部５と、反射筒部５からの光を拡散して均一な光に変換する拡散板８と、拡散板８からの拡散光を受光素子６により受光してＬＥＤ素子４の発光量を検査する受光・検査装置７とを有し、発光量の検査時に、電磁石５２による電磁吸着力により反射筒部５を上方に移動させてＬＥＤ素子４側と受光素子６側とを反射筒部６および拡散板８を介して光漏れなくカバーする。即ち、反射筒部５の上端開放側と、これに対向する拡散板８の拡散領域外周側とを光漏れなく電磁石５２による電磁吸着力により吸着させる。 （もっと読む）

【課題】従来技術よりも簡便な構成により高速性が向上された光子検出器を提供すること。
【解決手段】ＡＰＤ７０１からの電圧信号と、パルス電源７０３からのゲート電圧印加時刻を示す信号とが光子入射判別手段７０４に入力され、光子入射判別手段７０４において、ＡＰＤ７０１からの電圧信号のうちのゲート電圧の微分波形電圧とＡＰＤ７０１に対する光子入射による光子入射信号とをゲート電圧印加時刻を用いて判別する。そして、ゲート電圧印加時刻を含まない光子検出時刻のみを示す信号を出力する。光子入射判別手段７０４は、入力された信号が所定の閾値を超えたときに信号パルスを出力する閾値回路を有する。ここで、所定の閾値は、ゲート電圧の微分波形電圧のピーク値および光子入射信号のピーク値よりも小さく設定する。このように閾値が小さくても、上記構成によれば正しく光子入射が検出できる。 （もっと読む）

【課題】検出対象の物体が透明部材の場合にも、物体の検出を確実に行う。
【解決手段】透明部材が基本位置に配置されて検出領域内を通過した場合の当該透明部材に相当する基準線に対して、基準線の法線となす角が所定の角度である光を投光する第１の投光部１ａと、検出領域を介して第１の投光部により投光された光を受光する第１の受光部２ａと、基準線に対して、法線となす角が所定の角度であり、かつ、法線を挟んで第１の投光部による光と交差する光を投光する第２の投光部１ｂと、検出領域を介して第２の投光部により投光された光を受光する第２の受光部２ｂと、第１，２の受光部により受光された受光量に基づいて、検出領域での透明部材の有無を検出する判定部３とを備える。 （もっと読む）

【課題】干渉フィルタを用いて高い精度で所望の分光応答度特性を得ることのできる測光機器の受光装置を提供する。
【解決手段】測定目的に応じた所定の分光応答度特性を有するように設計される測光機器の受光装置１０である。入射光を拡散する拡散板１２と、その拡散板１２により拡散された入射光の波長成分を制限する干渉フィルタ１５と、その干渉フィルタ１５と拡散板１２との間に配置され、干渉フィルタ１５の入射面１５ｂにおける入射光の入射角度を制限する入射角度制限部材（１４）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】操作者の負担の小さい残留輝度測定装置および残留輝度測定システムを提供する。
【解決手段】遮光された蓄光標識１００の測定域の残留輝度を測定する残留輝度測定装置Ｓは、蓄光標識１００の測定域からの放射光を受光するＳＰＤ２１と、ＳＰＤ２１を制御し、測定開始から所定時間経過後までの測定域からの放射光をＳＰＤ２１で測定するとともに、ＳＰＤ２１で測定された測定値を記憶する処理回路２２と、ＳＰＤ２１と処理回路２２とを納める測定ユニット２０および遮光ユニット１０を備えるハウジングとを備え、前記ハウジングは、ＳＰＤ２１が蓄光標識１００の測定域に対向し、前記測定域が周囲光から遮光されるように、蓄光標識１００に脱着可能に固定するための固定手段を装着する固定部としての領域１Ａを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの接続段数の増加を抑えながら、より大きな出力電圧を得ることができる赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線エネルギーを電気信号に変換して取り出す赤外線センサ１において、赤外線エネルギーを電気信号に変換する受光部２、受光部２が赤外線エネルギーを受光したことによって励起された電荷に対してローレンツ力を加えるように作用する磁場を発生させる磁石７、磁性体６、リードフレーム３を設け、磁石７、磁性体６、リードフレーム３によって電荷の移動する方向と直交する方向にローレンツ力を加える。 （もっと読む）

【課題】表示素子を有する多光軸光電センサの小型化を図る。
【解決手段】多光軸光電センサは、対向配置される投光器１０及び受光器２０を有する。受光器２０は、複数の受光素子２２ａ〜２２ｌと、複数の表示灯３１ａ〜３１ｄと、受光用シフトレジスタ２６ａ〜２６ｃと、投受光駆動信号ＳＩ０と表示駆動信号ＳＩａ〜ＳＩｄとクロック信号ＳＣとを出力する受光制御回路２３と、クロック信号ＳＣを受光用シフトレジスタ２６ａ〜２６ｃとに入力するためのクロック信号線２８ｂと、駆動信号ＳＩ０，ＳＩａ〜ＳＩｄを受光用シフトレジスタ２６ａ〜２６ｃに入力するための駆動信号線２７ａとを備える。表示灯３１ａ〜３１ｄが接続される表示用シフトレジスタ３３は、クロック信号線２８ｂ及び駆動信号線２７ａに分岐接続される。受光制御回路２３は、受光素子２２ａ〜２２ｌに表示駆動信号ＳＩａ〜ＳＩｄが転送されるタイミングでの受光信号Ｓ１〜Ｓ３を無効化する。 （もっと読む）

【課題】微弱な赤外線光を高感度、高Ｓ／Ｎ比で検出することができる赤外線センサを提供する。
【解決手段】基板１上に形成された半導体材料を含む第１メサ部４０、第１メサ部４０と極性が異なる半導体材料を含む第２メサ部４３を含む複数のフォトダイオードを含む赤外線センサを、複数のフォトダイオードの全てについて、フォトダイオードが占有する基板面積Ｓ_Wと、第１メサ部４０と第２メサ部４３との接触面積Ｓ₁₂とが、０．７≦（Ｓ₁₂／Ｓ_W）≦０．９８の関係になるように構成する。 （もっと読む）

【課題】光電流及び素子抵抗をともに大きくできるようにすること。
【解決手段】本発明の赤外線センサ１００は、第１の光吸収層１０３及び第２の光吸収層１０６によって吸収された赤外線を光電流に変換するＰＮダイオードをトンネル接合によって直列接合させた構造である。半導体基板１０１上に設けられた第１のｎ型化合物半導体層１０２と、その上に設けられた第１の光吸収層１０３と、その上に設けられた第１のｐ型ワイドバンドギャップ層１０４と、その上に設けられた第２のｎ型化合物半導体層１０５と、その上に設けられた第２の光吸収層１０６と、その上に設けられた第２のｐ型ワイドバンドギャップ層１０７と、その上に設けられたｐ型キャップ層１０８と、第１のｎ型化合物半導体層１０２上及びｐ型キャップ層１０８上に電極１１０，１０９を備えている。 （もっと読む）