【課題】陽子、重陽子又はヘリウムイオンからなる大電流、高エネルギーイオンビームを生成するためのシングルエンド直流線形加速器を提供する。
【解決手段】加速器は、高電圧ターミナル４内に配置されたイオンビーム７を生成するイオン源６と、イオンビーム７を精製するための分析磁石１９と、加速管３と、重要なイオンを高エネルギーに加速する直流高電圧電源と、イオン源６からの中性ガスの大部分を接地電位の真空ポンプ１８に向けて輸送するポンプ輸送管１７とを備えており、それにより加速管３内における大きい真空圧力の悪影響を防止する。 （もっと読む）

【課題】サイクロトロンが用いられるイオンビーム生成装置を小型化する。
【解決手段】図１の右側には、中心軸方向の磁場の強度を、図１の左側に示された構成に対応させて示す。サイクロトロン５０からＥＣＲイオン源（イオン源）２０までの磁場の強度が連続的に一定値以上に保たれている（零とならない）点である。Ｗｉｅｎフィルター３０やＥＣＲイオン源２０においては磁場が利用されるため、それぞれにはコイルが用いられているが、これらにおいて用いられる磁場は、これらのコイルによって生成された磁場とサイクロトロンの磁場が重畳した磁場となっている。すなわち、このイオンビーム生成方法においては、ＥＣＲイオン源２０からサイクロトロン５０に至るまでのイオンビームが通過する経路の中心軸方向において、連続的に分布する磁場を形成する。各構成要素における軸方向の磁場強度を微調整するためにもソレノイドコイル４１は使用される。 （もっと読む）

【課題】大電流かつ高エネルギの直流陽子加速器を提供する。
【解決手段】本発明における加速器システムは直流の高電圧・大電流の電力供給装置と、排出イオン加速管と、陽子イオン源と、双極子分解磁石と、高電圧端子に設置された真空ポンプとを有する。大電流・高エネルギの直流陽子ビームは、ホウ素中性子補足治療法（ＢＮＣＴ）、核共鳴吸収法（ＮＲＡ）、及びシリコン分割のようなアプリケーションに応じて、多くの対象に指向することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置等に併設しあるいは組み込むことが可能な、小型の低速陽電子ビーム発生装置を得る。
【解決手段】真空チャンバー内に、陽電子源（２）で生成されモデレータによって低速化された陽電子ビームのうち所望のエネルギーを有する陽電子ビームを取り出すためのエネルギー弁別器（３）と、被測定試料（１１）を保持する試料保持部（９）と、エネルギー弁別器（３）を出射した陽電子ビームを加速して被測定試料（１１）に照射するための加速部（５）と、を備える低速陽電子ビーム発生装置（１）において、真空チャンバー内の被測定試料（１１）の周辺に、陽電子ビームを被測定試料（１１）上に輸送するための磁場を発生する第１の永久磁石（１２、１３）を配置する。 （もっと読む）

【課題】高速中性子及び連続エネルギー・スペクトルX線による材料識別の方法と装置を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、（a）高速中性子源及び連続エネルギー・スペクトルX線源でそれぞれ産生された高速中性子ビーム及び連続エネルギー・スペクトルX線ビームを被検対象に照射する；（b）X線検出器アレー及び中性子検出器アレーにて、透過したX線ビーム及び高速中性子ビームの強度を直接計測する；（c）被検対象の異なる材料を透過した中性子ビームとX線ビームの減衰差によって形成された曲線により、被検対象の材料に対して材料識別を行う；ステップを含む。 高速中性子と連続エネルギー・スペクトルX線との透過減衰強度が異なるように構成され、被検対象の厚さと無関係に被検対象の等効原子番号Zとのみ関係するn-X曲線を利用して材料識別を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１台の加速器が出力する荷電粒子ビームを、複数のターゲットに照射するように構成し、ＢＮＣＴによるがん治療や、ＰＥＴ用薬剤に用いられるＲＩの製造等に効率よく利用し、採算性の向上が図れる加速器利用システムを提供することを課題にする。
【解決手段】 加速器利用システム(100)は、加速器(110)から出射する荷電粒子ビーム(5)が、ターゲット(201,301)に照射して起きる核反応を利用するものであり、荷電粒子ビーム(5)の軌道を形成しその軌道上に出入自在な複数のターゲット(201,301)が配置されるビーム輸送管(6)と、荷電粒子ビーム(5)が照射する少なくとも１つのターゲット(201,301)を前記軌道上に位置させるターゲット駆動機構（204,304）と、を前記課題の解決手段として備える。 （もっと読む）

経路に沿って移動する荷電粒子源を備えた放射線源を開示する。ビームが衝突すると放射を生成するターゲット材料が、経路に沿って配置されている。ターゲットに衝突する前のビームを偏向させるために磁石が設けられている。この磁石は、時間に対して変化する磁場または定常磁場を生成ことができる。定常磁場は、ビームにかけて空間的に変化する。磁石は電磁石または永久磁石であってよい。或る例では、ビームを偏向させることにより、ビームが複数の軸に沿ってターゲットに衝突する。別の例では、ビームの各部分が異なった形で偏向される。そのため、線源は、走査する対象物を均等な放射線によって照射することができる。荷電粒子は電子または陽子であってよく、また放射はX光線またはガンマ光線放射、または中性子であってよい。このような線源を組み込んだ走査システム、放射の生成方法、および対象物の検査方法も開示している。
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【課題】 高密度の中性粒子ビームを被処理物に照射することができ、被処理物の加工速度を向上させることができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 中性粒子ビーム処理装置１０は、イオン生成室１４の内部にイオンを生成するイオン生成手段と、イオン生成室１４の内部のイオンを中性化室１６に引き出す引出手段と、引き出されたイオンを中性化して中性粒子ビームを生成する中性化手段とを備える。中性粒子ビーム処理装置１０は、中性粒子ビーム中に残留する荷電粒子を除去する荷電粒子除去手段と、中性粒子ビームが照射される被処理物１８を保持する保持台４８とを備えている。荷電粒子除去手段は、ビームの進行方向に垂直な方向に磁界を形成して荷電粒子の軌道を曲げる磁界形成手段と、軌道が曲げられた荷電粒子を捕捉する捕捉板６６とを有している。 （もっと読む）

【課題】 イオンを荷電変換部へ導くためのビームライン調整を容易かつ適正に行うことができるタンデム型イオン加速装置及びイオンビーム調整方法を提供する。
【解決手段】 一対の加速管１９Ａ，１９Ｂと、これら一対の加速管が前段側と後段側とに接続される高電圧ターミナル２０と、この高電圧ターミナル２０の内部に配置され、前段側の加速管１９Ａで加速されたイオンの極性を反転し当該イオンを後段側の加速管１９Ｂへ導くストリッパカナル（荷電変換部）２０１とを有するタンデム型イオン加速装置１０において、ストリッパカナル２０１のイオンビーム導入端側に、当該ストリッパカナル２０１を通るビームラインから外れて加速されたイオンの照射を受けて発光する発光部材３１を設置し、この発光部材が発光しない位置にビームラインを調整する。発光部材３１の発光は、ビームラインと同軸的に設置した監視窓３５で監視する。 （もっと読む）

【課題】
稼働率を向上できる粒子線照射システムを提供することにある。
【解決手段】
陽子線ライナック１から出射されたイオンビームは、スイッチング電磁石５によって
９０度偏向され、ビーム輸送系９を経てＲＩ製造装置１０に導かれる。ＲＩ製造装置１０内ではそのイオンビームによってＲＩが製造される。陽子線ライナック３からのイオンビームは、スイッチング電磁石５によって９０度偏向され、ビーム輸送系６を経てシンクロトロン７に導かれる。シンクロトロン７から出射されたイオンビームは照射装置１２から患者に照射される。陽子線ライナック３が異常状態になった場合には、その運転を停止して保守点検を行う。このとき、陽子線ライナック１から出射されたイオンビームは、スイッチング電磁石５によってＲＩ製造装置１０およびシンクロトロン７に交互に導かれる。 （もっと読む）

【課題】照射対象でない治療室への誤ったビーム輸送を未然に防止し、安全性を向上する。
【解決手段】荷電粒子ビームを出射する荷電粒子ビーム発生装置１と、照射装置１５Ａ〜Ｃ，１６を備えた複数の治療室２Ａ〜Ｃ，３と、出射されたビームをビーム進行方向下流側へ輸送する１つの第１ビーム輸送系４と、これから分岐するように設けられビームを複数の治療室２Ａ〜Ｃ，３のうち対応するものの照射装置１５Ａ〜Ｃ，１６へそれぞれ輸送する複数の第２ビーム輸送系５Ａ〜Ｄと、その分岐部にそれぞれ設けられ、第１ビーム輸送系４からのビームを偏向して対応する第２ビーム輸送系５Ａ〜Ｄへ導入する複数の切替え電磁石６Ａ〜Ｃと、切替え電磁石６Ａ〜Ｃより下流側に設けられ、ビーム進行経路を遮断する第１シャッタ７Ａ〜Ｄとを有する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム発生による粒子線治療装置において、照射対象でない治療室への誤ったビーム輸送を未然に防止し、安全性を向上をさせる装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームを出射する荷電粒子ビーム発生装置１と、照射装置１５Ａ〜Ｃ，１６を備えた複数の治療室２Ａ〜Ｃ，３と、出射されたビームをビーム進行方向下流側へ輸送する１つの第１ビーム輸送系４と、これから分岐するように設けられビームを複数の治療室２Ａ〜Ｃ，３のうち対応するものの照射装置１５Ａ〜Ｃ，１６へそれぞれ輸送する複数の第２ビーム輸送系５Ａ〜Ｄと、その分岐部にそれぞれ設けられ、第１ビーム輸送系４からのビームを偏向して対応する第２ビーム輸送系５Ａ〜Ｄへ導入する複数の切替え電磁石６Ａ〜Ｃと、切替え電磁石６Ａ〜Ｃより下流側に設けられ、ビーム進行経路を遮断する第１シャッタ７Ａ〜Ｄとを有する。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウム合金製の部品（５）へのイオン注入装置に関するものであって、該装置は、抽出圧力によって加速されたイオンを放出するイオン源（６）と、前記源（６）によって発信された初期イオンビーム（ｆ１’）の、注入ビーム（ｆ１）への第一の調整手段（７−１１）とを有する。前記源（６）は、部品（５）内に１２０℃を下回る温度で注入されるマルチエネルギーイオンの初期ビーム（ｆ１’）を生産する、電子サイクロトロン共鳴源である。前記調整手段（７−１１）を介して調整された注入ビーム（ｆ１）の、これらのマルチエネルギーイオンの注入は、源の抽出圧力によってコントロールされた深さに同時に実施される。
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イオンビームの空間電荷を中和するためのプラズマ発生器を開示し、このプラズマ発生器は、ビームライン径路に沿ってイオンブームを発生しかつ指向するように動作可能なイオン注入装置内に存在する。このプラズマ発生器は、ビーム径路の一部分に電界を発生させる電界発生システムとビーム径路の一部分に磁界を発生させる磁界発生システムとを有する。この磁界は、電界に直交している。プラズマ発生器は、さらに、電界と磁界によって占有される領域内にガスを導入するために作動可能なガス源を含む。この領域内の電子は、電界と磁界のそれぞれによって、この領域内を移動し、少なくともいくつかの電子がこの領域内で衝突し、ガスの一部分をイオン化し、これによりプラズマを発生する。 （もっと読む）