【課題】
電子機器製品のエージングにおいて、無駄なエネルギーを使用せず、適正なエージングを行う。
【解決手段】
動作状態の電子機器を薄いシート両面にアルミ蒸着を施した外気遮断物で覆い、自ら発する熱を中に閉じこめ、前記外気遮断物の一部に、温度により開閉量が変わる排気口を設けて、当該電子機器の発生熱により前記外気遮断物の内部温度を所定温度にする。 （もっと読む）

【課題】弱い書き込みテストモード(WWTM) の設定値を調整又は較正するための改善された手法の提供。
【解決手段】少なくとも１つの実施形態によれば、方法は、回路(101)の基準メモリセル(110)の駆動電流を測定(401)し、基準メモリセルの測定された駆動電流に基づいて、欠陥メモリセルを模倣するために回路の較正メモリセル(120)に供給されるべき駆動電流を決定する(402)ことを含む。方法は更に、較正メモリセルに決定された駆動電流を供給し、較正メモリセルを使用して、欠陥ＲＡＭセルを検出するために弱い書き込みテストにより利用されるべき弱い書き込み強度を決定する(403)ことを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明はＩＣの高速試験方法及び装置に関し，複数種類のメモリＩＣに対する試験を効率化すると共に高速な素子に対して正確な試験を実行することができることを目的とする。
【解決手段】試験装置本体で試験のためのパターンを生成して，試験装置本体とコネクタを介して接続されたソケット基板に入力する。ソケット基板においてパターン信号の波形を逓倍し，逓倍により高速化した信号を選択切替えられるスクランブル部を介して試験対象のＩＣの端子と接続するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】メモリデバイスの検査効率を向上する。
【解決手段】メモリデバイスのテストシステムは、複数の異なる試験条件に基づいて、複数の異なるリダンダンシテストをメモリデバイスに対して行うテスタ１０２を備える。テストシステムは、ウェハテストホスト１０１を備える。テスタ１０２は、複数の異なる試験の試験結果を合成して、合成試験結果を得る。ウェハテストホスト１０１は、合成試験結果に基づいて、前記メモリデバイスの処理の判断を行うリペア装置１０３を備える。リペア装置１０３は、この判断結果に基づいて、メモリデバイスを処理する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスに対する熱ストレス耐性を、従来評価技術に対してより正確に評価することを実現する半導体評価装置等を提供する。
【解決手段】 半導体デバイス１０１を密閉した温度環境に保管する保存炉１０２と、保存炉１０２に装填された半導体デバイス１０１に微少電流の定電流を供給し、予め設定された時間間隔で半導体デバイス１０１にかかった電圧値、抵抗値および抵抗変動率を計測する計測装置１０４と、計測装置１０４の測定時間、電圧値、抵抗値および抵抗変動率をモニタするコンピュータ１０５とを備える。これにより、従来技術で課題となっていた温度サイクルを回避し、予め設定された計測時間間隔ごとに評価デバイスの劣化進行を正確にモニタでき、熱ストレスを正確に評価することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】多数の光ファイバケーブルのコネクタを効率よく、且つ安全に接続することができる試験装置を提供する。
【解決手段】電子デバイスに試験パターンを印加するテストヘッドと、複数のフレーム側コネクタが設けられ、フレーム側コネクタを介して制御信号をテストヘッドに供給するメインフレームと、フレーム側コネクタとテストヘッドとを光接続し、制御信号をテストヘッドに伝送するケーブルユニットとを備え、ケーブルユニットは、制御信号を伝送する複数の光ファイバケーブルと、光ファイバケーブルの端部に設けられ、複数のフレーム側コネクタに対応して設けられた複数のユニット側コネクタと、メインフレームに対してケーブルユニットを固定するユニット固定部と、それぞれのユニット側コネクタを、対応するフレーム側コネクタに対してそれぞれ独立して挿抜可能に保持するコネクタ保持部とを有する試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 試験装置のメインフレーム及びテストヘッド間で光ファイバケーブルを適切に束ねて配線する。
【解決手段】メインフレームとテストヘッドとを光接続する光接続部を備え、光接続部は、複数の光ファイバケーブルと、複数の光ファイバケーブルにおけるテストヘッド側の一部の非収納部分及びメインフレーム側の一部の非収納部分を除いた収納部分を束ねて収納するケーブル収納チェーンと、テストヘッド側の非収納部分及び収納部分の境界部に設けられ、テストヘッド側の非収納部分を内部に収納する長さを調節可能とするテストヘッド側ケーブル収納部と、メインフレーム側の非収納部分及び収納部分の境界部に設けられ、メインフレーム側の非収納部分を内部に収納する長さを調節可能とするメインフレーム側ケーブル収納部とを有する試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 １個の半導体チップに割り当てるモジュールの数を基板上のモジュールの数の制約を受けることなく、任意に設定できるようにして、モジュールを有効利用できるようにする。
【解決手段】 同時測定対象半導体チップ３０に電圧あるいは電流の入出力用の複数のモジュールを割り当て、該複数のモジュールを使用して同時測定を行う。該同時測定において判定された不良半導体チップの番号を同一測定項目の測定順序から取得する。該不良半導体チップの番号と同時測定対象半導体チップ３０のグループアドレスとから該不良半導体チップにアドレスを割り当て、該不良半導体チップのアドレスをウエハ判定マップの作成に供する。 （もっと読む）

【課題】 電磁誘導によりウエハ上に電力を供給して行うことにより、プローブが不要のウエハレベルバーンインシステムを提供する。
【解決手段】 高周波磁界生成機構２を用いた電磁誘導により半導体ウエハ３に電力を供給して、半導体ウエハ３上に形成されている複数の半導体素子に対してバーンインを行うバーンインシステム１であって、高周波磁界生成機構２は、高周波磁界を発生する高周波発生装置４とその高周波磁界を出力するコイル（出力用コイル）５とを有し、半導体ウエハ３は、電磁誘導に高周波電力を生成するために形成されたコイルの役割をする配線（コイル配線）６と、コイル配線６により誘起された高周波電力を整流し、整流した電圧を調整するための回路とを有している。 （もっと読む）

【課題】バーンイン装置全体の省電力化および小型軽量化を図ること。
【解決手段】ヒータ電力制限部４４は、ＤＵＴ３２の消費電力とヒータ６２の消費電力との総電力が一定になるように各種のＤＵＴ３２に対応してヒータ６２の消費電力を制限する制御を行う。この場合、ヒータ電力制限部４４は、各種のＤＵＴ３２のうち最小の消費電力をもつＤＵＴ３２の消費電力とヒータ６２の最大電力との合計電力を前記総電力として各ヒータ６２の消費電力を制限することが好ましい。 （もっと読む）