【課題】ＱＰＳＫ光送信装置を用いてＢＰＳＫ光を安定して生成し、単一装置で複数の伝送方式に対応することで、装置生産コスト削減を図る。
【解決手段】第１の位相変調部１２ａと第２の位相変調部１２ｂに入力されるデータ信号の出力形態を、２並列か直列かに切り替えられる機能を持つフレーマ１６を備える。フレーマ１６は複数のデータフォーマットから任意のフォーマットのデータ信号を選択して出力する機能を有する。また、受光素子１４と第１の制御回路１５ａの間に反転回路１９を設ける。第１の制御回路１５ａに入力される電気信号は当該回路１５ａの前に反転回路１９に入力されることになる。これにより、第１の位相変調部１２ａに入力されるデータ信号を遮断し、反転回路１９を反転設定として第１の位相変調部１２ａの透過率を最小点に固定させ、残る一方のデータ信号によって生成された光出力信号の振幅調整を行う。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】制御を開始したときに、初めに設定したバイアス点が最適なバイアス点から１８０°位相がずれていても、速やかにバイアス点を最適なバイアス点となるように制御することができる光変調器を提供する。
【解決手段】光送信機１０のマッハツェンダ型光変調器１２は、低周波信号Ｐｓが重畳された入力信号Ｍｓと印加されたバイアス電圧Ｖｂｓに応じて光ＣＷを変調し、光信号Ｏｓとして出力する。ＭＣＵ４０は、光信号Ｏｓの低周波成分と低周波信号Ｐｓの位相差に基づき、バイアス電圧Ｖｂｔを設定する。ＭＣＵ４０は、制御を開始したときに、光信号Ｏｓの低周波成分と低周波信号Ｐｓの位相差がゼロであった場合、バイアス電圧Ｖｂｔにオフセット電圧Ｖｔを重畳して、バイアス電圧をオフセットする。 （もっと読む）

【課題】３値の入力信号を光変調器に印加して光を変調する変調方式において、制御を開始したときに、初めに設定したバイアス点が最適なバイアス点から１８０°位相がずれていても、速やかにバイアス点を最適なバイアス点となるように制御する。
【解決手段】光送信機は、ＭＣＵ３０を用いてＭＺ型光変調器に印加するバイアス電圧Ｖ_Ｂを制御する。ＭＣＵ３０は、低周波信号ｓをバイアス電圧Ｖ_Ｂに重畳する。このとき制御入力値ｆは制御誤差ｅとなる。制御誤差ｅがゼロであった場合、ＭＣＵ３０は、低周波信号ｓを入力信号に重畳する。このとき制御入力値ｆは判別量ｄとなる。ＭＣＵ３０は、判別量ｄの正負符号からバイアス電圧Ｖ_Ｂが最適なバイアス点にあるかを判定する。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器を通過する高強度の光源を必要とせずに、単一通過、高解像度、高速度の画像形成システムを提供する。
【解決手段】高エネルギ赤外レーザから均質光を発生させる均質光発生器１１０、２次元アレイ内に配列された光変調素子を含む空間光変調器１２０、およびアナモフィック光学システム１３０を含む画像形成システム。光変調素子は、各変調素子が関連均質光部分を受信するように配置され、「オン」変調状態と「オフ」変調状態との間で個々に調整可能であり、それによって「オン」変調状態において各変調素子は、関連変調光部分がアナモフィック光学システム１３０の中の対応する領域上へ向けられるように、受信した均質光部分を変調する。次いでアナモフィック光学システム１３０は、変調光部分をアナモフィックに集光して、スキャンライン画像を形成する。 （もっと読む）

【課題】 アームの光学特性を得ることができる光干渉素子の測定方法を提供する。
【解決手段】 光干渉素子の測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第１および第２の半導体アームと、前記第１および第２の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の測定方法であって、前記第１の半導体アームを光透過状態にせしめた後に前記第２の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記第１の半導体アームを前記光透過状態に比べて大きな光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で前記第２の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子の干渉特性の調整を行うことなく、光干渉素子に入力される入力光の特性を精度よく測定することができる、光干渉素子の入力光の特性測定方法を提供する。
【解決手段】 光干渉素子の入力光の特性測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の入力光の特性測定方法であって、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光の特性を測定する第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子のクロスポイントチューニングを行うことなく、光デバイスの位置決めを行うことができる、光デバイスの位置決め方法を提供する。
【解決手段】 光デバイスの位置決め方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子において、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光を測定しつつ、前記光干渉素子と光結合する光デバイスの位置決めを行う第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の一次元スキャンライン画像を同時に生成するために使用が可能な高信頼かつ高速の画像形成システムを提供する。
【解決手段】複数行および複数列に配置される光変調素子を有する空間光変調器１２０を用いて二次元均質光場１１９Ａを変調することにより、２つの略一次元スキャンライン画像ＳＬ１、ＳＬ２を同時発生させる。上側の変調素子グループは、第１のスキャンライン画像データグループを用いて構成され、かつ下側の変調素子グループは、第２のスキャンライン画像データグループを用いて構成される。次に、二次元均質光場を空間光変調器上へ方向づけるために、均質光源１１０がパルスされる。二次元変調光場１１９Ｂはアナモルフィック光学系１３０を介して方向づけられ、アナモルフィック光学系は、画像形成面上に２つの平行する一次元スキャンライン画像が同時に形成されるように、変調光を画像形成面上へ画像化し、かつ集中させる。 （もっと読む）

【課題】単一パス高解像度高速印刷用途に使用されることが可能な高信頼でしかも高出力である画像形成システムを提供する。
【解決手段】アナモルフィック光学系１３０Ｅは、画像形成面１６２Ｅから湿し溶液を気化するに足るエネルギーを有するライン画像を発生するために、１つまたは複数の円柱／非円柱レンズ１３４Ｅにより全屈折配置に形成される、または円柱／非円柱レンズおよびミラーの組合せによって形成される工程方向サブ光学系１３７Ｅを含む。また、本アナモルフィック光学系は、変調光場１１９Ｂを工程横断方向に画像化するために１つまたは複数の円柱／非円柱レンズ１３８Ｅおよび任意選択の円柱／非円柱視野レンズにより形成される工程横断方向サブ光学系１３３Ｅも含む。本アナモルフィック投影光学系は、ライン画像の複数のピクセル画像の同時的発生を容易にし、１２００ｄｐｉ以上での印刷を容易にする。 （もっと読む）

【課題】周波数間隔が等しく且つ強度が一定で平坦な光サブキャリアを生成することができ、且つ、装置構成が簡易で装置規模が小さい光サブキャリア生成器を提供する。
【解決手段】非線形な位相−電圧特性を有する光位相変調部２５，２６を備えたマッハツェンダ型光変調器２０と、ＣＷ光源３１と、光位相変調部２５，２６に同一振幅電圧Ｖ_mの正弦波電圧信号を印加する正弦波電気信号源３２と、光位相変調部２５に直流バイアス電圧Ｖ_b1を印加する直流電圧源３３と、光位相変調部２６に直流バイアス電圧Ｖ_b2を印加する第２の直流電圧源３４とを有し、且つ、これらの電圧の大小関係がＶ_b1＞Ｖ_b2≧Ｖ_mであり、光位相変調部２５，２６のそれぞれを、同一振幅電圧Ｖ_mの正弦波電圧信号と互いに異なる直流バイアス電圧Ｖ_b1，Ｖ_b2とで駆動して、光位相変調振幅を制御することにより、光位相変調部２５，２６間で非対称に光位相変調を行う構成とする。 （もっと読む）

【課題】光変調しない画素有効領域外からの出射光を抑制して、コントラストを向上させた反射型の空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に２次元配列された画素４からなる空間光変調器の画素アレイ４０は、各画素４の光変調素子同士を絶縁する素子間絶縁層５を、光の入射される側から順に低屈折率絶縁層５２およびそれよりも屈折率の高い高屈折率絶縁層５１の少なくとも２層を積層して備える。光が高屈折率絶縁層５１の上下界面で多重反射して閉じ込められることにより減衰して、出射光が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ＳＨＦ帯の電波のセンシングを高感度に行うことができる電波受信・光伝送システムを提供する。
【解決手段】電波受信・光伝送システムは、ＳＨＦ帯の電波を受信するアンテナ１１と、アンテナ１１から出力された電気信号の電界強度を増幅するデプレッション型トランジスタ２３から形成された増幅器１３と、トランジスタに一定のバイアス電圧を印可するバイアス回路１４と、トランジスタ２３に駆動用電源を供給する光電変換素子１５と、光電変換素子１５に光電変換用の光を出射する光源１５と、バイアス回路１４にバイアス電源を供給する光電変換素子１７と、光電変換素子１７に光電変換用の光を出射する光源１８とから形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、各構成部品を等長化して組み立てる必要がなく、部品の温度特性及び経時変化が生じてもスキュー調整が容易である位相変調装置を提供することを目的とする。
【解決手段】位相変調装置３０１は、連続光を出力する光源１０と、２つの位相変調器１２及び強度変調器１５を有し、光源１０からの連続光を位相変調器１２がそれぞれに入力されるデータ信号（ＤＡＴＡ１、２）で位相変調して２つの位相変調光信号を生成し、位相器１３が位相変調光信号の一方の位相をπ／２ずらして位相変調光信号の他方と合波した合波信号を強度変調器１５が入力されたクロック信号ＣＬＫで強度変調しＲＺ化して出力するＲＺ位相変調回路１０１と、ＲＺ位相変調回路１０１の出力が最大となるように、ＲＺ位相変調回路１０１の位相変調器１２が生成する位相変調光信号の位相をそれぞれ調整する位相制御回路１１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光変調器に入力される信号のバイアス電圧を高速かつ効率的に制御すること。
【解決手段】光変調装置は、生成回路と、重畳器と、光変調器と、算出回路と、制御器とを備える。生成回路は、所定の周波数を有する電気信号よりも周波数が低く、かつ、振幅の平均値が振幅の中心値と一致しない低周波信号を生成する。重畳器は、生成回路によって生成された低周波信号を電気信号に重畳する。光変調器は、重畳器によって低周波信号が重畳されて得られた電気信号である入力信号を用いて、光源からの光を変調し信号光を出力する。算出回路は、光変調器によって出力される信号光の周波数成分のうち低周波信号と同一の周波数を有する低周波成分の振幅の平均値と、振幅の中心値とを算出する。制御器は、算出回路により算出された低周波成分の振幅の平均値が振幅の中心値に近づくように、光変調器へ入力される入力信号のバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子のレーザ光スペクトルの線幅を抑えること。
【解決手段】複数のレーザ素子と、複数のレーザ素子のそれぞれに導波路を介して接続され、複数のレーザ素子が出力するレーザ光を合流する光合流器と、光合流器から出力されるレーザ光を増幅する半導体光増幅器と、記光合流器及び半導体光増幅器と同一の基板上において、複数のレーザ素子のそれぞれと光合流器との間の経路上にそれぞれ形成された複数の波長選択フィルタとを備える半導体光素子。 （もっと読む）

【課題】従来の光送信装置で問題となっていた位相変調光の平均値変動による直交制御最適点の誤検出を防ぐことにより、安定した位相シフト量（動作点）の調整を行うことができる光送信装置を提供する。
【解決手段】分岐部３９とＬＰＦ３２と加算器（減算器）３３とを有する構成の信号補正手段４０を、光送信装置の制御ループ２２に設ける。分岐部３９ではモニタＰＤ３１で得られた電気信号ｂ３を、第１の分岐信号ｂ３−１と、第２の分岐信号ｂ３−２とに分岐する。ＬＰＦ３２では第２の分岐信号ｂ３−２の低周波成分を通過させて、第２の分岐信号ｂ３−２から高周波成分を除去することにより、第２の分岐信号ｂ３−２の平均値ｂ４を得る。加算器３３では、第１の分岐信号ｂ３−１から、ＬＰＦ３２で得られた第２の分岐信号ｂ３−２の平均値ｂ４を差し引くことにより、補正モニタ信号ｂ５を得る。 （もっと読む）

【課題】パルス幅が２００フェムト秒以下で、パルス繰り返し周波数が高い短パルス光の発生を可能とする。
【解決手段】短パルス光発生装置は、任意の中心光周波数をもつＣＷ光源１と、ＣＷ光源１からの連続レーザー光を位相変調する位相変調手段２と、位相変調手段２からの光パルスを間引いてピークパワーを高める光ゲート５と、光ゲート５を通過した光パルスを増幅し、光増幅器６内での非線形効果によって光スペクトル帯域を拡大した広帯域光を発生させる光増幅器６と、光増幅器６によって増幅された光パルスを圧縮する分散付与手段７とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯを障壁層として磁化反転電流を低減したＴＭＲ素子構造を備える光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子５は、磁化固定層１１、ＭｇＯからなる障壁層１２、磁化自由層１３を積層してなるＴＭＲ素子構造１と、その上下に接続した上部電極３、下部電極２を備える。下部電極２は、組成がＣｕ_1-xＣｒ_x（０．０７＜ｘ＜０．４２）である非晶質のＣｕ−Ｃｒ合金からなり、磁化固定層１１は非晶質の磁性体からなり、このような非晶質の層の上に、障壁層１２としてＭｇＯ膜が形成されるため、ＭｇＯ膜が強い（００１）面配向を示して、ＴＭＲ素子構造１の磁化反転電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】周波数特性の劣化を防ぐことができる光デバイスを得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、光分波器２、マッハツェンダ光変調器３，４、及び光合波器５が設けられている。光分波器２は入力光を第１及び第２の入力光に分波する。マッハツェンダ光変調器３，４は、第１及び第２の入力光をそれぞれ変調する。光合波器５は、マッハツェンダ光変調器３，４により変調された光を合波する。マッハツェンダ光変調器３の位相変調電極８ａ，８ｂとマッハツェンダ光変調器４の位相変調電極１４ａ，１４ｂは、マッハツェンダ光変調器３，４の光導波路６ａ，６ｂ，１２ａ，１２ｂの延在方向に対して垂直な方向から見て互いに重ならない。 （もっと読む）