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Fターム[2H092GA45]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 電極の構造 (19,386) | 表示領域外電極の構造 (10,180) | 外部回路と外部端子との接続構造 (4,290)

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【課題】液晶装置等の電気光学装置において、好適なラビング処理を行えるようにすることで、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)と、基板上の画素領域(10a)に設けられた画素部と、前記画素部に設けられた透明導電膜(71)、透明導電膜の上層に形成された誘電体膜(71a)、及び誘電体膜の上層に形成された透明な画素電極(9)からなる蓄積容量(70)と、基板上の画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられており、透明導電膜(71a)及び画素電極と同一膜からなる第1導電膜(9a)が、互いに電気的に接続されるように積層されてなる複数の外部回路接続端子(102)とを備える。 (もっと読む)


【課題】良好な点灯状態が得られる液晶表示装置、を提供する。
【解決手段】液晶表示装置10は、画素電極が形成されるアクティブマトリクス基板41と、アクティブマトリクス基板41上に形成される引き回し配線22と、アクティブマトリクス基板41と対向して設けられる対向基板46と、対向基板46上に形成される対向電極61とを有する。アクティブマトリクス基板41の主表面41a上には、表示エリア31と、表示エリア31に隣り合って配置される非表示エリア32とが規定される。引き回し配線22は、非表示エリア32に配置される。対向電極61は、表示エリア31に対向して配置されるアクティブ部62と、非表示エリア32に対向して配置され、アクティブ部62から電気的に絶縁される周辺部63とを含む。 (もっと読む)


【課題】優れた導電性を有する基板を容易に製造できる製造方法を提供すること。
【解決手段】金属線14を有する基板10の製造方法であって、基板層12に金属層14aを積層する工程と、金属層14aの表面の少なくとも一部を樹脂層16で被覆する工程と、樹脂層16により被覆されていない金属層14aの部分をエッチングにより除去することで、基板層12上に金属線14を形成する工程と、を含む、基板10の製造方法とすること。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置の信頼性や歩留りを向上させる。
【解決手段】本発明に係る電気光学装置は、第1基板(S1)の周辺領域(A2)に配置された、外部端子(P)、第1又は第2の駆動回路(DC1、DC2)を接続する引出配線(L1)を、互いに電気的に接続され、異なる層に形成され、平面視において互いに重なる第1層配線部および第2層配線部を有するよう構成し、前記第1層配線部(L1a)を、前記第1基板(S1)側に形成し、前記第2層配線部(L1b)を、前記第2基板(S2)側に形成する。かかる構成によれば、周辺領域に物理的衝撃が加わり基板の欠けや割れが生じても、多層の配線部により回路駆動が担保される。 (もっと読む)


【課題】カラーフィルターのスクライブ時に表示領域の周縁部に形成された引き回し配線
が断線し難い液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】走査線用引き回し配線GL1〜GLnを、第2接続部CP2でゲート絶縁膜
及びパッシベーション膜で被覆されている下層配線GL1、GL5、・・・とパッシベー
ション膜によって被覆されている上層配線GL3、GL7、・・・とで構成し、張り出し
部2a'よりも表示領域側で、上層配線を走査線用第1接続部SP1'において下側の走査
線用引き回し配線GL3'、GL7'・・・に変換して電極端子t1及びt2に電気的に接
続し、信号線SW1〜SWmを信号線用第1接続部SP1においてゲート絶縁膜の下層に
形成されている信号線用引き回し配線SL1〜SLnに切り替えて信号線用電極端子t3
に電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】配線の電気抵抗を低減した表示装置を提供する。
【解決手段】基板101の上方に形成された薄膜トランジスタと、基板101の上方に形成され、基板101が有する表示部の辺に沿って設けられ、フラットケーブルおよび薄膜トランジスタに電気的に接続された配線111と、を有し、配線111は、薄膜トランジスタのソース電極109またはドレイン電極110と同じ層に形成された第1の配線と、第1の配線の上方に絶縁膜107を介して形成された第2の配線と、を有し、第1の配線は、第2の配線と並行に設けられ、絶縁膜107に開けられた複数のコンタクトホール108を介して第2の配線と電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】 積層回路基板相互間の電気接続加工が容易で接続部分のはみ出しが小さい電極端子接続構造を提供する。
【解決手段】 電気接続する回路基板1,2,3,4の電極端子同士11:21,12:32,13:43が異方性導電フィルム(ACF)5を介して対向して加圧・加熱されて接続し、電気接続する回路基板以外の回路基板は電極端子の位置に切り欠き31,41,22,42,23,33を設けて電極端子同士の会合を妨げずかつ接続加工における電極端子への伝熱を妨げないようにする。 (もっと読む)


【課題】電気光学用基板の信号線の構成を適正化することにより、高速シリアル転送を採
用した場合の信号特性の向上やノイズの低減を図ることのできる電気光学パネル、電気光
学装置、および電子機器を提供することにある。
【解決手段】電気光学装置の素子基板10上には、第1信号線11e〜11hと、この第
1信号線11e〜11hよりも広い幅寸法の第2信号線11a〜11dとが形成されてい
る。このため、幅寸法の広い第2信号線11a〜11dを高速シリアル転送に用い、幅寸
法の狭い第1信号線11e〜11hについては、第2信号線11a〜11dに比して転送
速度が遅いシリアル転送用の信号線、あるいはパラレル転送用の信号線として用いる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置において、集積回路のチップサイズや製造コストを抑えつつ、静電気耐圧を高める。
【解決手段】半導体装置は、(i)被保護回路(151)と、(ii)複数の端子(160)と、(iii)複数の端子の各々に対応して設けられており、端子と被保護回路との間に夫々電気的に接続された複数の静電保護回路(155)とを含む集積回路(150)と、複数の端子のうち被保護回路に対する信号の入力又は出力に使用される使用端子(160a)と、複数の端子のうち被保護回路に対する信号の入力及び出力に使用されない未使用端子(160b)とを互いに電気的に接続する接続配線(190)とを備える。 (もっと読む)


【課題】製造工程が煩雑ではなく、また、材料コストの抑制が容易な配線基板を実現する。
【解決手段】電子部品50は、配線70を構成する材料と同じ材料のみを介して、主基板20に固定されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、配線基板を端子に容易に電気的に接続することを目的としている。
【解決手段】配線14及び端子16が形成された第1の基板10に、ギャップをあけて、端子16を覆うように、樹脂を含む材料からなる第2の基板12を配置し、端子16を避けて、第1の基板10及び第2の基板12の間に液晶24を封入する。第2の基板12を屈曲させて、端子16を覆う部分から端子16を露出させる。露出した端子16に配線基板26を電気的に接続する。第2の基板12の端子16を覆う部分を配線基板26に重ねて、第1の基板10及び第2の基板12の間に配線基板26を挟む。 (もっと読む)


【課題】FFS方式の液晶表示装置において平坦化膜やFFS絶縁膜の剥がれを防止する
ことができ、信頼性に優れた高品質な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】非表示領域8における一方の基板10には、下地導電パターン70と、平坦
化膜25を下地導電パターン70の表面に達するまで開口させた開口部71aと、開口部
71aの内面の少なくとも一部を覆う第1導電パターン71と、第1導電パターン71の
少なくとも一部を覆う絶縁膜27と、下地導電パターン70の上面において第1導電パタ
ーン71を少なくとも覆う第2導電パターン72と、を備えたコンタクト部200が設け
られ、コンタクト部200において、第1導電パターン71が、下地導電パターン70上
の平坦化膜25の縁部25bを覆うように形成されるとともに、絶縁膜27の縁部27b
が、下層側の第1導電パターン71と上層側の第2導電パターン72とで挟持されている
ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】液晶表示パネルと、フレキシブル配線基板を接続する際に、液晶表示パネル電極基板と金属補強基板との短絡(ショート)を防止することが可能となり、電気的に安定した液晶表示素子を提供しようとするものである。
【解決手段】少なくとも、複数の画素電極を有する第一電極基板と該第一電極基板に相対する対向電極を有する第二電極基板を有し、前記第一電極基板と前記第二電極基板が所定の位置及び間隔でシール部材により貼り合わされた液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルを、接着手段を介して配置固定する金属補強基板と前記液晶表示パネルとの電気的接続を成す回路基板と、を備えた液晶表示素子であって、前記電極基板と回路基板との導通をとる際に、前記電極基板と前記金属補強基板間の短絡(ショート)を防止するため、前記金属補強基板に防護壁を有する液晶表示素子。 (もっと読む)


【課題】複数の引出線26の抵抗値を十分に均一化できるようにする。
【解決手段】電気絶縁する絶縁層24、絶縁層24を貫通して設けられた接続部32、絶縁層24の一方の面に形成された外部接続端子28、絶縁層24の他方の面に形成された引出線26を設ける。そして、接続部32により外部接続端子28と引出線26とが接続される。また、引出線26の一方の端部は、導電体27に接続される。引出線26の他方の端部は、導電体27側の外部接続端子28の第1の端部から所定距離離れた位置において、接続部32により外部接続端子28と接続される。 (もっと読む)


【課題】供給配線の配置可能な面積を増大させた表示装置、および、そのような表示装置に必要となる表示パネルユニットを提供する。
【解決手段】液晶表示パネル31に非重畳基板面35Aに、ドライバー21を実装したFPC基板11を取り付けた液晶表示パネルユニット59では、ドライバー21は、群状の出力バンプ21Tを供給配線32の延び出る側Eに向けつつ、群状の出力バンプ21Tを供給配線32の根元側Rに向けて、実装基板面11Uに実装される。 (もっと読む)


【課題】例えばサンプリング回路等の周辺回路を構成するトランジスタのオンオフの切り替えに伴ってトランジスタの出力側に発生するノイズを低減する。
【解決手段】電気光学装置は、複数の画素電極(9a)と、複数の画素電極が配列された画素領域(10a)の周辺に位置する周辺領域に設けられ、第1のソース電極(71S)、第1のドレイン電極(71D)、及びゲート信号が入力される第1のゲート電極(71G)を有する第1のトランジスタ(71)と、第1のトランジスタと同一導電型のトランジスタであって、浮遊状態とされた第2のソース電極(81S)、第1のドレイン電極に電気的に接続された第2のドレイン電極(81D)、及びゲート信号が反転された反転ゲート信号が入力される第2のゲート電極(81G)を有する第2のトランジスタ(81)とを備える。 (もっと読む)


【課題】IPSタイプの液晶表示装置において、走査線引出し線に印加されるゲート電圧の影響によって対向基板の内側が帯電し、画面周辺に白抜けが生ずる現象を防止する。
【解決手段】走査線引出し線31は、対向電極108と同層で形成されたシールド電極107によって覆われている。走査線引出し線31はシール材20の下にも形成されている。シールド電極107はシール材20の下まで延在し、シールド電極107の下に形成されている走査線引出し線31の全数を被覆しているので、シールド効果は高い。また、シール材20の下に形成されたシールド電極107には抜きパターン1071が形成されているので、シールド電極107と、それをサンドイッチする無機パッシベーション膜106および上部絶縁膜109との間の接着強度の低下を防止することが出来る。 (もっと読む)


【課題】 中耐圧プロセスで製造可能としながら、液晶パネルに接続するフレキシブルプリント基板でコモン電極電圧の生成に必要な端子数をより削減する。
【解決手段】 表示対象となる液晶パネルのコモン電極電圧生成用の電源電圧VVCOMとGNDレベルとに応じて交流のコモン電極電圧VCOMを生成するVCOM回路56と、VCOM回路56で生成したコモン電極電圧VCOMを液晶パネルに供給する供給手段と、VCOM回路56で生成したコモン電極電圧VCOMの値に応じて上記液晶パネルに供給する階調表示信号を可変するマルチプレクサ部53及びガンマ回路51とを備える。 (もっと読む)


【課題】例えば、ODF法を用いて形成される液晶パネル及び外部回路の電気的な接続不良を低減する。
【解決手段】液晶装置(1)では、接続部分(52C)の中心部(C1)及び端子(102)は、図中Y方向に沿って、互いに第1シール部分(52L)及び第2シール部分(52R)の夫々の線幅(W0)以上の間隔である幅(Wgy)以上隔てられている。即ち、液晶装置1によれば、接続部分(52C)の線幅(W1)が拡がる上限値を考慮したうえで接続部分(52C)が端子(102)に重ならないようにシール部(52)が形成されているため、液晶装置(1)及び外部回路を互いに電気的に接続する端子(102)に接続部分(52C)が重なることによって生じる端子(102)及び外部回路等の間の接続不良を低減できる。 (もっと読む)


【課題】欠陥を低減することが可能な非晶質半導体層及びその作製方法を提供する。または、薄膜トランジスタに代表される半導体素子の動作特性が改善されるように、非晶質半導体層の膜質を制御する。または、非晶質半導体層の堆積過程を制御して、TFTに代表される半導体素子の特性向上を図る。または、薄膜トランジスタのオン電流及び移動度を向上させる。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に非晶質半導体層と、非晶質半導体層上に一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層と、を有し、非晶質半導体層はNH基を有するトランジスタとする。非晶質半導体層において、ダングリングボンドをNH基で架橋することにより、非晶質半導体層の欠陥を低減する。 (もっと読む)


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