【解決手段】被加工基板上に酸不安定基を有する繰り返し単位を有し、酸不安定基の脱離によりアルカリ性現像液に可溶になる樹脂、光酸発生剤又は熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物でレジスト膜を形成する工程、該膜に高エネルギー線の繰り返し密集パターンを露光し、未露光部を露光、加熱し、発生酸を樹脂の酸不安定基に作用させ、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応させた後、現像してポジ型パターンを得る工程、ポジ型パターンを露光又は加熱して、樹脂の酸不安定基を脱離させ、架橋を形成させてポジ型パターンに有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜形成工程、上記架橋形成ポジ型パターンを溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたレジストパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型パターン上に反転用膜を成膜し、パターンにダメージを与えずにポジ型パターンの間隙に反転用膜形成用材料を埋め込められ、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行える。 （もっと読む）

【課題】基板上のレジスト膜の有効面積を向上させつつ、露光処理後に基板の周縁部上のレジスト膜を完全に除去する。
【解決手段】ウェハ上にレジスト液を塗布し、ウェハの全面にレジスト膜を形成する（工程Ｓ１）。その後、プリベーク処理を行った後（工程Ｓ２）、ウェハ上のレジスト膜を露光処理する（工程Ｓ３）。その後、ウェハの周縁部上のレジスト膜に溶剤を供給し、この周縁部上のレジスト膜を除去する（工程Ｓ４）。その後、露光後ベーク処理を行った後（工程Ｓ５）、ウェハ上のレジスト膜を現像する（工程Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】優れた形状及びラインエッジラフネスを有するパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される酸発生剤及び式（ＩＩ）で表される構造単位を有する樹脂を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物。


［Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｘ^０は、２価のＣ_１-17飽和炭化水素基を表す。Ｙ^１は、炭素数３〜３６の飽和環状炭化水素基を表す。Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｘ^２は、単結合又は−［ＣＨ_２］_ｋ−を表す。ｋは、１〜８の整数を表す。Ｙ^２は、炭素数４〜３６の飽和環状炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】
この発明は半導体産業で使用されるフォトレジスト材料のスイング曲線の振幅を低減する光吸収性の最上反射防止層に関する。
【解決手段】
このコーティングは水をベースにしているが、必ずしもそうではない。水をベースにするコーティングの利点は使い易さにある。何故なら、このコーティングをソフトベークしたフォトレジストと混合することなく塗布でき、現像工程で除去できるので、処理の複雑さが最小に増加するだけであるからである。既存の非吸収性の反射防止コーティングに付随する一つの問題は、スイング曲線の最適な減少が非常に低い屈折率でのみ達成される点にある。着色されたコーティングの利点は、ａ）色素を慎重に選べば、異常分散の効果を利用して、最上コートの屈折率を更に低下させることができること、およびｂ）最上コートの屈折率が高いところでスイング曲線を最適に低減させることができることにある。これ等の二つの効果を組み合わせて、この発明はスイング曲線が理論的な最小値に近づき、これが既存の反射防止の最上コートより著しい改善となることを示している。 （もっと読む）

【課題】解像性に優れ、低コストで、塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体の構造上適用可能な選択肢の範囲が広い感光性樹脂組成物及びその様な感光性樹脂組成物に利用可能な塩基発生剤を提供する。
【解決手段】塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体、及び、特定の構造を有し、電磁波の照射と加熱により、塩基を発生する塩基発生剤を含有することを特徴とする、感光性樹脂組成物、並びに特定の構造を有し、電磁波の照射と加熱により、塩基を発生することを特徴とする、塩基発生剤。 （もっと読む）

【課題】実効感度と解像度改良に優れた新たな樹脂及び該樹脂を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構成単位を有する樹脂。［式（Ｉ）中、Ｕは、炭素数１〜２０の二価の炭化水素基を表す。該二価の炭化水素基中の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＮＲ^ｃ−、−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−で置き換わっていてもよい。Ｘ^１は、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−、−ＮＲ^ｄ−ＣＯ−又は−ＣＯ−ＮＲ^ｄ−を表す。］
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【課題】網点再現性に優れ、現像時の現像液における現像カスの生成が少ない平版印刷版原版、並びに、平版印刷版の製造方法を提供すること
【解決手段】支持体上に、（i）バインダーポリマー、（ii）エチレン性不飽和化合物、及び、（iii）重合開始剤を含有する感光層を有し、前記（ii）エチレン性不飽和化合物が、下記式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする平版印刷版原版、並びに、並びに、平版印刷版の製造方法。式（１）中、Ｌは（ｍ＋ｎ）価の連結基を表し、Ｄは下記式（Ａ）〜（Ｄ）で表される基よりなる群から選ばれた基を表し、Ｒは一価の有機基を表し、ｍは１〜２０の整数を表し、ｎは２〜２０の整数を表す。
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【課題】高い解像度と改善されたエッジラフネスとを備えるとともに、アルカリ現像可能な感光性組成物用の化合物、並びにそれを用いた感光性組成物、パターン形成方法を提供する。
【解決手段】１、２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホニル基又は１、２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホニル基を有する１、３、５−トリス（パラ−（パラ−ヒドロキシフェニル）フェニル）ベンゼン誘導体化合物、該感光性化合物と溶媒を含有する感光性組成物、並びに該感光性組成物を含む感光性層を形成する工程等を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板上にレジスト膜と帯電防止膜とを積層してなる試料において、ミキシング層の影響を排して、パターンプロファイルの劣化が無い、高精度なレジストパターンを形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】化学増幅型レジスト膜とこの化学増幅型レジスト膜上に形成された導電性膜とを有する基板試料に所望のパターンを露光する露光工程と、露光後の基板試料に加熱処理をする加熱工程と、加熱処理された基板試料上のレジスト膜に現像処理をする現像工程と、露光工程と加熱工程との間または加熱工程と現像工程との間に、導電性膜、化学増幅型レジスト膜の一部をドライエッチングまたはアッシングにより剥離する剥離工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 モリブデン酸化物を腐食させることなく、モリブデン酸化物層上のフォトレジストを現像できるフォトレジスト用現像液を提供する。
【解決手段】 特定の第四級アンモニウム塩（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム等）と、特定のアルキルアミン（例えば、オクチルアミン等）とを含有するフォトレジスト用現像液を、特にモリブデン酸化物層上のフォトレジストの現像に用いる。 （もっと読む）

【課題】現像方式の異なる被処理基板にそれぞれ対応することができ、且つフットプリントの増加を低く抑えることのできる現像処理装置を提供する。
【解決手段】露光処理後の被処理基板Ｇに対し現像処理を施す現像処理装置３０であって、被処理基板Ｇに対する所定の現像処理機構を有する第一の現像処理部３１と、基板搬送方向に沿って、前記第一の現像処理部３１の後段に配列され、前記第一の現像処理部３１とは異なる現像処理機構を有する第二の現像処理部３４と、前記第一の現像処理部３１の上方に設けられ、前記被処理基板Ｇを、前記第一の現像処理部３１をバイパスさせて前記第二の現像処理部３４に搬送する第一の基板搬送部３２と、前記第二の現像処理機構３４の上方に設けられ、前記第一の現像処理機構３１により現像処理が施された被処理基板Ｇを、前記第二の現像処理部３４をバイパスさせて後段に搬送する第二の基板搬送部３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】非画像部に感光層の残存がない良好な現像性を示し、現像カスの発生が少ない優れた処理性を有し、非画像部に汚れがなく画像部にムラのない良好な印刷物を供することができ、しかも耐刷性に優れた平版印刷版を供することができる平版印刷版の作製方法を提供する。
【解決手段】親水性支持体上に、分光増感剤、重合開始剤、共開始剤、重合性モノマー、及びバインダーポリマーを含有する感光層と、保護層とをこの順に有する平版印刷版原版を、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内に発光波長を持つレーザー光源により画像露光した後、自動処理機により、炭酸イオン、炭酸水素イオン、界面活性剤を含有するｐＨが９．１〜１１の現像液の存在下、保護層および非露光部の感光層を除去する平版印刷版の作製方法において、該感光層が共開始剤としてトリブロモアセチルアミド化合物を含有することを特徴とする平版印刷版の作製方法。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンの倒れ、ラインエッジラフネス、並びにスカムの発生が改良され、プロファイルの劣化も少なく、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能なレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂（ｃ）を２以上含有する樹脂、及び（Ｄ）溶剤、を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジストを塗布し、露光後に現像を行ってレジストパターンを形成するにあたって、レジスト表面に残渣が付着することで生ずる現像欠陥を抑制すること。
【解決手段】ウエハＷの表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、その後レジスト膜が形成されたウエハＷの表面を露光して、この露光処理されたウエハＷの表面に、酸性アルコールＬを供給して、当該表面に形成されているレジスト膜の低分子層の一部を溶解し、さらに、その後行われる現像処理に用いられる現像液に対する当該低分子層の溶解性を高める。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを形成するための半導体素子のパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】エッチング対象膜上にフォトレジストパターンが形成された半導体基板が提供される段階と、前記フォトレジストパターンを含む前記半導体基板上に補助膜が形成される段階と、前記フォトレジストパターンの表面に形成された前記補助膜が変性されて第１補助パターンが形成される段階と、前記第１補助パターン及び前記補助膜を含む前記半導体基板上にフォトレジスト膜が形成される段階と、前記フォトレジスト膜の下部に形成された前記補助膜が変性されて第２補助パターンが形成され、前記補助膜が前記フォトレジストパターンの間のみに残留される段階と、前記フォトレジスト膜、前記第１及び第２補助パターンを除去して前記フォトレジストパターン及び前記補助膜を含むエッチングマスクパターンを形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥を解消した電子デバイスを得るための液浸リソグラフィの現像方法であって、簡便で低コスト、かつ高速スキャン可能な高撥水性を付与することが可能なプロセスを提供する。また、新たな設備を導入することなく、安価な材料による改良を加えた現像処理方法による液浸リソグラフィの現像処理方法、該現像処理方法に用いる溶液および該現像処理方法を用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】アルカリ浸漬による現像工程を含む電子デバイスの液浸リソグラフィの現像処理方法であって、表面偏析剤と化学増幅型レジストとを含むレジストのうち表面偏析剤を選択的に溶解除去する溶解除去溶液を用いて行なわれる溶解除去工程ＳＴ５−６を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶで露光を行う際のレジスト膜からのアウトガスを抑制する。
【解決手段】ＥＵＶの露光によりパターニングされるレジスト材料が、ベース樹脂と、光酸発生剤と、フッ素多環式化合物とを含む。 （もっと読む）

【課題】寸法ばらつき及び欠陥を可及的に低減したレジストパターンを高いスループットで形成する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を形成し、
減圧処理を施した後に、減圧状態の下で前記レジスト膜に露光処理を施し、
常温換算の相対湿度が所定の範囲に保たれたガスを、減圧環境下に導入することにより、減圧状態を解放しながら前記レジスト膜を加湿する、減圧解放処理を行い、
前記減圧解放処理の後、前記レジスト膜を加熱するベーク処理を行い、
前記レジスト膜を現像する。 （もっと読む）

【課題】原画フィルムを必要としないでシャープな凸状のレリーフ像を形成することが可能で、印刷品位の優れた水現像可能なフレキソ印刷版の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも、順次、支持体、親水性重合体を含有する感光層、マスク層を有する感光性印刷版原版において、画像マスクを通して、波長３１０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外光で露光、波長２００ｎｍ〜３００ｎｍの紫外光で露光、現像をこの順で行うことを特徴とする感光性印刷版の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複雑で高価な蒸着法によることなく導電層を形成し、不良品の発生を防ぎながら効率よく導電層の一部を除去することが可能な、導電層を有する三次元構造物及び三次元金属構造物の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記製造方法は、（Ａ）基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、（Ｂ）無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、（Ｃ）エッチング処理により前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 （もっと読む）