【課題】３００ｎｍ以下の波長の高エネルギー線又は電子線を用いてパターンを形成するレジスト組成物、および液浸リソグラフィーにおけるトップコート組成物に使用する樹脂であって、撥水性、特に後退接触角の大きい樹脂を提供する。
【解決手段】 下記一般式（２）で示される繰り返し単位（ａ）を含む質量平均分子量１，０００〜１，０００，０００の含フッ素高分子化合物。
【化】


（式中、Ｒ¹は、重合性二重結合含有基を表し、
Ｒ²は、フッ素原子または含フッ素アルキル基を表し、
Ｒ⁸は、置換もしくは非置換のアルキル基などを表し、
Ｗ¹は、単結合、非置換もしくは置換メチレン基などを表す。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜上に設けられて、前記レジスト膜を保護するトップコート組成物であって、現像液溶解性の制御が可能であって、且つ、高い撥水性を有するトップコート組成物の提供。
【解決手段】レジスト膜上に設けられて、前記レジスト膜を保護するトップコート組成物であって、下記一般式（１）で表される繰返し単位を有する含フッ素重合体を含むことを特徴とするフォトレジスト用トップコート組成物。
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【課題】フォトレジスト膜とインターミキシングを起こすことなくフォトレジスト上に被膜を形成でき、液浸露光時の媒体に溶出することなく安定な被膜を維持し、液浸媒体に対する接触角が７０°以上と大きく、さらに液浸露光でないドライ露光を行なった場合からのパターン形状劣化がなく、かつアルカリ現像液に容易に溶解する上層膜を用いる。
【解決手段】液浸上層膜用共重合体がカルボキシル基を有する繰返し単位を、全繰返し単位の２０〜６０モル％含み、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ法により測定される重量平均分子量が２，０００〜１００，０００であり、また、フッ素原子を含む基をその側鎖に有する（メタ）アクリル酸エステルを共重合して得られ、さらに、水酸基含有（メタ）アクリル酸アルキルエステルを共重合して得られる上層膜組成物を用いてパターン形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度、ラインエッジラフネス及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】酸発生剤と樹脂とを含有する化学増幅型フォトレジスト組成物であって、前記樹脂が、酸に不安定な基及びラクトン環を有するモノマーに由来する構造単位（ｂ３−２）を含む樹脂である化学増幅型フォトレジスト組成物。構造単位（ｂ３−２）の好ましい例は、酸の作用によりカルボキシ基を生じ且つラクトン環を有するモノマーに由来する構造単位である。 （もっと読む）

【課題】感度、解像力、パターン形状、ラインウィズスラフネス、ブリッジマージン、倒れマージン、残膜率に優れるレジストパターン形成方法、それに用いる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びに該パターン形成方法により形成されるレジストパターンの提供。
【解決手段】架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を露光する工程（２）、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程（４）をこの順番で有することを特徴とする、レジストパターンの形成方法、それに用いる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びに該パターン形成方法により形成されるレジストパターン。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィにより得られるレジストパターンの形状を良好にできるようにする。
【解決手段】半導体製造装置は、ウエハ２０を保持する可動ステージ３１と、ウエハ２０上に形成されたレジスト膜と露光レンズ３２との間に液体を配してパターン露光を行なう露光部３０と、レジスト膜の上に液体２５を供給する液体供給部３３と、レジスト膜の上に配された液体２５をレジスト膜の上から排出する液体排出部３４とを備えている。さらに、可動ステージ３１の温度が液体２５の温度よりも低くなるように制御する温度制御部６０を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＫｒＦレジストやＡｒＦレジストなどの液体レジストを用いて、中空構造などの複雑な三次元立体構造を有する微細な多層レジストパターンを形成することが出来るレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第一の化学増幅型レジスト組成物を用いて第一のレジスト膜を形成し、第一のレジスト膜を選択的に露光を施す第一の工程と、第一のレジスト膜上に、第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、第二のレジスト膜を選択的に露光し、露光後ベーク処理を施す第二の工程と、第一のレジスト膜および前記第二のレジスト膜を現像して多層レジストパターンを形成する工程とを有するレジストパターン形成方法であって、第一の化学増幅型レジスト組成物が、露光によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポジ型レジスト組成物であるレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等のデバイスにレジストパターンを形成する際、レジスト層の表面の濡れ性を高め、現像の均一性を高める。
【解決手段】基板９１に感光性のレジストを塗布してレジスト層９３を形成する（レジスト塗布工程）。次に、レジスト層９３に部分的に光を照射する（露光工程）。次に、親液化用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間２３に通して吹出し、レジスト層９３に接触させる（大気圧リモートプラズマ親液化工程）。次に、レジスト層９３に現像液５を接触させる（現像工程）。 （もっと読む）

【課題】露光部における指紋部の画像抜けや、空気中の水分、塩（Ｎａｃｌ）などによる画像故障が改善された平版印刷版原版を提供する。
【解決手段】支持体上に、（Ａ）光又は熱により分解して酸を発生する化合物、（Ｂ）酸により架橋する架橋剤、（Ｃ）バインダーポリマー、（Ｄ）赤外線吸収剤、及び（Ｅ）（ａ）側鎖にフッ素原子の数が９以上のフルオロアルキル基等含有置換基を有する（メタ）アクリレート（１）と、（ｂ）下記一般式（２）で示される側鎖に、カルボキシル基含有の炭素数３〜３０の脂肪族環状構造を有する（メタ）アクリレート（２）と、を共重合成分として有する高分子化合物、を含有する画像記録層を有するネガ型平版印刷版原版。
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【課題】基板との密着性に優れた１００ｎｍ以下の微細なレジストパターンを形成し得るレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）基板上に特定の構造を有する表面処理剤を塗布し、前記基板を表面処理する工程、（ｉｉ）前記表面処理された基板上に、フェノール系樹脂を含む感光性組成物を塗布した後、加熱処理し、レジスト層を形成する工程、及び（ｉｉｉ）前記レジスト層を電子線、ＥＵＶ、又はＸ線で露光し、加熱、現像する工程、を含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】現像液を基板に均一性高く供給して、歩留りの低下を抑えることができる現像装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を水平に保持する基板保持部と、現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化させる表面処理液霧化手段と、霧化した前記表面処理液を前記基板に噴霧する第１の噴霧ノズルと、前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行うための現像液吐出ノズルと、を備えるように現像装置を構成する。霧化した表面処理液は、液状のままの表面処理液に比べて、基板に対する表面張力が低いので、基板上で凝集することが抑えられるため、容易に基板全体に供給することができ、基板の濡れ性を高めることができる。その結果として、現像液を均一性高く基板に供給することができ、歩留りの低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】高精細印刷、高精度印刷に使用可能な版厚が薄く版厚均一性の良好な印刷版を簡便に製造する方法及び装置を提供する。
【解決手段】フォトマスク又はモールドの上面に粘度が０．２Ｐａ・ｓ以上５０．０Ｐａ・ｓ以下の感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂組成物層が積層されてなる２層積層体を形成する積層工程と、該感光性樹脂組成物層の上にシート状支持体を所定速度でラミネートすることによって、フォトマスク又はモールドと感光性樹脂組成物層とシート状支持体とからなる３層積層体を形成するラミネート工程と、該３層積層体を所定速度で加圧する加圧処理工程と、フォトマスク又はモールド側から該３層積層体に紫外線を照射する露光工程と、フォトマスク又はモールドを露光後の感光性樹脂組成物層から剥離する剥離工程とを含む、シート状支持体上に凹凸形状が形成された印刷版の製造方法。 （もっと読む）

【課題】露光ラチチュード、ラインエッジラフネス性能、パターン倒れ性能、現像欠陥性能に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射によりノルボルニル構造を有する特定の酸を発生する化合物、及び、（Ｂ）樹脂側鎖に連結基を介してラクトン構造を有する特定の繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 改良された化学増幅フォトレジスト材料及び組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明は、ポリマー骨格と酸感受性基との間のペンダントスペーサを有する第１のメタクリレートモノマーと、フッ素化アルキル基を含むペンダント基を有する第２のメタクリレートモノマーと、ペンダント炭化水素基を有する第３のメタクリレートモノマーとを含むポリマーである。フォトレジスト調合物は、上記ポリマーと、光酸発生剤と、キャスト溶媒とを含む。フォトレジスト調合物からパターン付けされたフォトレジスト膜を形成する方法は、約６０℃以下の温度での露光後ベークで特徴付けられる。 （もっと読む）

【課題】遠紫外光、ＥＵＶ、電子線等、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、通常露光更には液浸露光によるパターニングにおいても、露光ラチチュードが広く、ラインエッジラフネスを抑制できる、優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）ラクトン構造を有する特定の繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び（Ｄ）酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

本発明は、デバイス上にリバーストーン画像を形成するための方法であって、ａ）基材上に任意選択的に吸光性有機下層を形成し； ｂ）下層上にフォトレジストのコーティングを形成し； ｃ）フォトレジストパターンを形成し； ｄ）フォトレジストパターン上に、ポリシラザンコーティング溶液からポリシラザンコーティングを形成し、ここで、ポリシラザンコーティングはフォトレジストパターンよりも厚く、更にここで、ポリシラザンコーティング組成物は、ケイ素／窒素ポリマー及び有機コーティング溶剤を含み； ｅ）ポリシラザンコーティングをエッチングして、少なくともフォトレジストの上端の高さまでポリシラザンコーティングを除去して、フォトレジストパターンが現れるようにし； そしてｆ）フォトレジスト、及びフォトレジストの下にある下層をドライエッチングして除去して、フォトレジストパターンが存在していた所の下に開口を形成することを含む方法に関する。本発明は更に上記方法の製造物及び上記方法を用いて製造される微細電子デバイスにも関する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、アウトガスの発生を防ぎ、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】液浸露光や、液浸のダブルパターンニングプロセスで行われる微細加工に適するレジスト用の含フッ素重合性単量体および含フッ素重合体、それらを使ったレジスト材料及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される含フッ素重合性単量体。
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【課題】優れた形状及びラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができる化学増幅型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】２３℃における水への溶解度が０．１％以下である酸発生剤と、樹脂とを含有する液浸露光用化学増幅型フォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィーに有用な新規のフォトレジスト組成物が提供される
【解決手段】好ましい態様において、提供されるフォトレジスト組成物は、（ｉ）光酸不安定基を含む１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）前記１種以上の樹脂とは異なっていて、光酸不安定基を含む１種以上の物質を含み；前記１種以上の物質の光酸不安定基の脱保護活性化エネルギーが、前記１種以上の樹脂の光酸不安定基の脱保護活性化エネルギーより低いかまたはこれとほぼ同じである。別の好ましい態様において、提供されるフォトレジスト組成物は、（ｉ）１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）少なくとも１オングストローム／秒のダークフィールド溶解速度を提供するのに充分な量の酸性基を含む１種以上の物質を含む。 （もっと読む）