【課題】有機溶媒の混合物を含むフォトレジスト現像剤組成物の提供。
【解決手段】特定の組み合わせの有機現像剤のネガティブトーン現像を用いたフォトリソグラフィパターンを形成する方法により、個々の現像剤の良くない特性を回避するかもしくは最小限にしつつ、優れたリソグラフィ性能を提供できる。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュードに優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位を、樹脂中の全繰り返し単位に対して６５モル％以上有し、かつ下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位を有する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含む、パターン形成方法。
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【課題】シリコーンゴム層を有する印刷版原版を現像するにあたり、非画線部のシリコーン剥がれを抑制する現像装置を提供すること
【解決手段】シリコーンゴム層を有する印刷版原版を、搬送ロール対により搬送しながら、シリコーンゴム層をブラシロールにより擦り現像する印刷版原版の現像装置であって、前記ブラシロールの上流に位置し、かつ、シリコーンゴム層に接する搬送ロールのうち、少なくとも１本の表面粗さの最大高さ（Ｒｙ）が６０μｍ以上であることを特徴とする印刷版原版の現像装置。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となる高分子化合物、
（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）パーフルオロアルキルエチレンオキシド付加物からなる非イオン性含フッ素界面活性剤及びパーフルオロポリエーテル基を含有し且つポリオキシアルキレン型ポリエーテル結合を有する非イオン性含フッ素オルガノシロキサン系化合物の中から選ばれる少なくとも１種の非イオン性含フッ素化合物
を含有する波長１５０ｎｍ以上の紫外線を露光光源とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
【効果】本発明によれば、スカムを形成しないレジスト材料であって、塗布均一性に優れ、基板周辺部で膜厚が極端に厚くなる現象であるＥｄｇｅ Ｃｒｏｗｎを抑えることのできる化学増幅型レジスト材料を提供することができる。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、
（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）塩基性成分として窒素を含有する化合物
を含有するポジ型である化学増幅型レジスト組成物のレジスト膜を得る工程と、パターン露光する工程と、現像する工程と、更に現像により得られたパターンの線幅を１０％以上変化させない範囲で加熱によるパターン形状補正を行う工程を含むパターン形成方法において、上記組成物は、酸不安定基で保護された酸性官能基を有する分子量８００以下の軟化促進剤を２．５〜２０質量％で含有する組成物であるレジストパターン形成方法。
【効果】本発明のレジストパターン形成方法では、現像により得られたパターンを熱変形させて、パターンの線幅を１０％以上変化させない範囲でレジストパターン形状の微細な荒れの修正を安定して行える。 （もっと読む）

【課題】ローディング効果により現像後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のパターンとのズレを軽減すること。
【解決手段】現像液により溶解される前記レジスト膜の反応表面に形成された複数の凹上のパターン形状における単位面積当たりの現像液の浸透流を示すフラックスを、前記パターン形状のサイズに応じて前記レジスト膜の反応表面の前記フラックスが変わることを示す関係式に従って、前記パターン形状の前記基板の面方向の長さ、および前記パターン形状の前記基板の厚さ方向の長さに基づき求め、前記フラックスに基づき、前記レジスト膜の反応表面の現像液の濃度を求め、前記複数のパターン形状が形成されている前記レジスト膜に対して前記マスクパターンが描画されて現像された場合、前記レジストに形成されるレジストパターンの形状を前記現像液の濃度に基づき求めることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】ナフタレン、フルオレン、フルオレノン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、アントラキノン、キサントン、チオキサントン、ベンゾクマリン、フェナレン-1-オン、アセナフテンから選ばれる芳香族基含有繰り返し単位を有し、酸によりアルカリに溶解する高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第1のレジスト膜を形成する工程と第1のレジスト膜上にアルキルアルコールを溶剤とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して第2のレジスト膜を形成する工程と高エネルギー線で露光、ベーク後現像液を用いて前記第1,2のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】第2層のレジスト膜を第1層レジスト膜と組み合わせることにより第2層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したりイオンを打ち込んだりするときの耐性を高くできる。 （もっと読む）

【課題】ヒーティングブレードを利用して、基板に残っているフィルムを容易に除去することができるフィルム除去装置を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部、前記基板支持部の上部に配置される固定軸、前記固定軸内で上下移動可能に備えられる移動軸、前記移動軸に結合されたヒーティング部を含み、前記ヒーティング部は、前記移動軸の下部に結合されたヒーティングブロック、及び前記ヒーティングブロックから発生された熱を利用し、前記基板支持部に支持される前記基板の積層部材を加圧するヒーティングブレードを含む。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を用いて記録することによりコンピューター等のデジタルデータから直接製版可能で、特に、印刷機上において現像可能であり、現像性に優れ、高感度であり、しかも高耐刷かつ耐汚れ性が良好な平版印刷版原版、及びそれを用いる製版方法を提供する。
【解決手段】支持体と、下塗り層と、画像記録層とをこの順に有し、画像記録層上に画像様露光後、印刷インキ等を供給することにより未露光部の除去が可能な平版印刷版原版であって、該画像記録層が、（Ａ）重合開始剤、（Ｂ）重合性化合物、（Ｃ）バインダーポリマーを含有し、下塗り層が、（ａ１）双性イオン構造を有する繰返し単位、及び（ａ２）前記支持体表面と相互作用する構造を有する繰返し単位を有する共重合体（Ｄ１）、並びに、（ａ３）エチレン性不飽和結合を有する繰返し単位、及び（ａ２）前記支持体表面と相互作用する構造を有する繰返し単位を有する共重合体（Ｄ２）を含有し、共重合体（Ｄ１）及び（Ｄ２）の総質量に対する、共重合体（Ｄ１）の質量が、５〜９５％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イマージョンリソグラフィ工程において使用される溶媒に対して安定であり、感度、レジストパターンプロファイル形状に優れるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ１）酸解離性溶解抑制基を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位、（ａ２）ラクトン単位を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位、並びに（ａ４）多環式基を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位を有し、かつ（ａ０）（ａ０−１）ジカルボン酸の無水物含有構成単位及び（ａ０−２）フェノール性水酸基含有構成単位を有さない、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を溶解する有機溶剤（Ｃ）と、含窒素有機化合物（Ｄ）とを含むポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】表面極性をリソグラフィ的に変え、自己組織化層によるパターン形成方法の提供。
【解決手段】光酸発生剤を含む感光層の一部分を照射し、発生した酸を隣の下層１２０ａの部分に拡散させる工程。前記下層１２０ａは酸分解可能基、アタッチメント基および官能基を含む酸感受性コポリマーを含む。感光層は下層の表面上に配置されており、拡散させる工程は下層１２０ａおよび感光層を加熱することを含み、下層１２０ａ中の酸感受性コポリマーの酸感受性基は拡散した酸と反応して下層の表面に極性領域を形成し、前記極性領域はパターンの形状を有する。感光層は除去され、下層の表面上に自己組織化層１５０ｂを形成する工程。前記自己組織化層１５０ｂは極性領域に対する親和性を有するブロックと、極性領域に対する親和性が低いブロックとを有するブロックコポリマーを含む。第１もしくは第２のドメインのいずれかを除去し下層の部分を露出させる工程。 （もっと読む）

【課題】表面特性をリソグラフィ的に変え、その上の自己組織化層のパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸分解可能基、アタッチメント基、および官能基を含む酸感受性コポリマーと光酸発生剤とを含む下層２２０ａの部分を照射し、前記酸分解可能基は、下層の照射部分において光酸発生剤から生じた酸と反応して、下層２２０ａの表面に極性領域を形成する。前記極性領域はパターンの形状および寸法を有している。下層２２０ａの表面上に自己組織化層２５０ｂを形成する。前記自己組織化層２５０ｂはブロックコポリマーを含み、前記ブロックコポリマーは、極性領域に対して親和性を有し、極性領域に対して整列する第１のドメインを形成する第１のブロックと、前記第１のドメインの隣に整列する第２のドメインを形成する第２のブロックとを有している。次に第１のドメインもしくは第２のドメインのいずれかを除去して、下にある下層２２０ａの部分を露出させる。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジストパターン形成方法、および該方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、前記（Ａ）として、酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）を用いる。 （もっと読む）

【課題】露光後にプレヒートを行うことなく、網再現性、耐刷性に優れ、環境への配慮と省スペース、低ランニングコストへの適合化を満足することができる平版印刷版の作製方法を提供する。
【解決手段】下記工程（ａ）と下記工程（ｂ）とを含む、平版印刷版の作製方法。
（ａ）支持体、重合性化合物とバインダーポリマーとを含む感光層、及び、保護層をこの順に有する平版印刷版原版を、画像様に露光する露光工程
（ｂ）露光した平版印刷版原版を、加熱処理を経ることなく、現像液で現像する現像工程
ただし、前記平版印刷版原版に対する画像様露光の終了から、前記平版印刷版原版が前記現像液に接触するまでの時間は、１分未満である。 （もっと読む）

【課題】良好な着肉性及び高耐刷性を有する平版印刷版を与え、かつ、機上現像性が良好な平版印刷版原版及びその製版方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、（Ａ）赤外線吸収染料、（Ｂ）重合開始剤、（Ｃ）重合性化合物および（Ｄ）アルキレンオキサイド基を有するバインダーポリマーを含有し、露光後に印刷機上で印刷インキおよび湿し水の少なくともいずれかにより未露光部を除去することで画像形成可能な画像記録層、並びに、（Ｅ）特定構造の繰り返し単位を有する親水性ポリマーを含有する保護層をこの順に設けてなることを特徴とする平版印刷版原版。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度の小さいパターンを形成可能とするパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（ａ）化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成することと、（ｂ）前記膜を露光することと、（ｃ）第１有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含んでおり、前記現像液は、粒径が0.3μm以上のパーティクルの密度が30個/ｍＬ以下である。 （もっと読む）

【課題】レーザー露光による画像記録が可能であり、現像性及び汚れ性に優れ、かつ十分な耐刷性を有する平版印刷版原版を提供する。
【解決手段】支持体上に、画像記録層と、必要に応じて下塗り層を有し、画像記録層又は下塗り層の少なくともいずれかに（Ａ）ベタイン構造を少なくとも２つ有するモノマー単位を含むエチレン性ポリマーを含有することを特徴とする平版印刷版原版。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくとも、（Ａ）フラーレン骨格を有する物質と電子吸引基含有１，３−ジエン化合物誘導体との反応生成物であるフラーレン誘導体、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ないパターンを形成することができるレジスト組成物を製造するレジスト組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂、酸発生剤及び溶剤を混合して得られる混合液をセラミックス製のフィルタで濾過してレジスト組成物を得るレジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜として最適なレジスト下層膜と無機ハードマスクを組み合わせたパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式(１)で表されるナフタレン誘導体又はそれを含有する高分子化合物をレジスト下層膜材料として用いた下層膜形成方法により、反射防止膜としての最適な特性、エッチング耐性、高耐熱性、耐溶媒性を有し、ベーク中のアウトガスの発生を抑制でき、基板のエッチング中によれのないレジスト下層膜を形成できる。


（環構造Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環。Ｘは単結合又はＣ１〜２０のアルキレン基。ｍは０又は１。ｎは分子量が１０万以下となる自然数。） （もっと読む）