【課題】 本発明は、レジスト処理液の再生方法及びその装置に係り、より詳しくは、電子回に又は表示素子の金属配線をパターニングするレジスト被膜を含む基板からレジストを除去した後、レジスト除去工程で排出されたレジスト含有処理液を不均一光触媒と接触させて、レジストを除去及び分解する工程を含んで、パターン化された金属膜の上部に残留するレジストを除去できるだけでなく、工程中発生したレジスト含有処理液からレジスト成分の分解が可能であり、したがって、高温揮発による組成変化及び薬液疲労度が微細であって、パターン化された金属膜の腐食を最小化することができるレジスト処理液の再生方法及びその装置に関するものである。
【解決手段】 レジスト除去工程から排出されたレジスト含有処理液を不均一光触媒と接触させて、レジストを除去及び分解する工程を含むレジスト処理液の再生方法。 （もっと読む）

【課題】端面処理においてピンホール、レジスト残りを発生させないガラス基板端部のレジスト除去方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板４０の端部と対向する治具５５の部位に、捻じり振動子の円筒形ホーン２０を端部の辺と平行に設けて、Ａ）スリット内に処理液を充填させた後、端部を処理液貯留部５１に位置させる前に、円筒形ホーンから超音波を処理液に照射し気泡を押し出すこと。Ｂ）スリット内に処理液を充填させ、端部を処理液貯留部に位置させた後、端部に処理液を接触させた状態で、円筒形ホーンから超音波を端部の塗布膜に照射し塗布膜を溶解除去すること。 （もっと読む）

【課題】オゾン水による基板上残留有機物の除去方法の改良。
【解決手段】受台に保持された基板３の、レジストＲが残留している面に対してオゾン水用ノズル１と、それと独立した過熱水蒸気用ノズル２ａ、２ｂとを、それぞれから供給されるオゾン水と過熱水蒸気とが、そのレジストＲの直上で混合されるような姿勢に配設し、かつ、基板３のレジストＲが存在する全領域にわたってその除去ができるよう、基板３の受台との間で相対移動可能とする。 （もっと読む）

【課題】種々の用途に適用可能なエレクトロニクス用洗浄液の提供。
【解決手段】下記一般式（ｓ−１）で表される化合物（ｓ−１）を含むエレクトロニクス用洗浄液と、これを用いたパターン形成方法。
［化１］


［式中、Ｒ^２１〜Ｒ^２３はそれぞれ独立に水素原子、または直鎖状もしくは分岐状のアルキル基であって、Ｒ^２１〜Ｒ^２３のうち少なくとも２つはアルキル基であり、該アルキル基は、シクロヘキサン環における当該アルキル基が結合した炭素原子以外の炭素原子と結合して環を形成していてもよい。］ （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＴＦＴ−ＬＣＤのカラーフィルター工程で発生する不良基板を再使用するために、カラーレジスト及びオーバーコートを除去するＴＦＴ−ＬＣＤ用カラーレジスト剥離液組成物に関する。
【解決手段】 （ａ）無機アルカリ水酸化物、炭素数１乃至４のアルキル基を有するアルキルアンモニウム水酸化物、及びフェニルアルキルアンモニウム水酸化物からなる群より選択される水酸化物１乃至５０重量％、（ｂ）極性を有する硫黄化合物５乃至３０重量％、（ｃ）炭素数１乃至４のアルキル基を有するアルキレングリコールエーテル５乃至３５重量％、（ｄ）炭素数１乃至４のアルキル基を有するアルキレングリコールジアルキルエーテル２乃至３０重量％、（ｅ）水溶性アミン化合物２乃至３０重量％、及び（ｆ）残量の水を含むカラーレジスト剥離液組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程において硬化したフォトレジストを、半導体装置の信頼性に悪影響を与えることなく従来よりも容易に剥離することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、支持基板１０上、あるいは、支持基板上に形成された構造体上にフォトレジスト膜２０を形成し、フォトレジスト膜をパターニングし、フォトレジスト膜をマスクとして物質を注入し、あるいはドライエッチングで加工し，フォトレジスト膜を膨潤または溶解させる有機溶剤に晒し、硫酸を含む薬液にフォトレジスト膜を浸漬することによって該フォトレジスト膜を除去することを具備する。 （もっと読む）

【課題】前記アディティブ法により形成される回路のアスペクト比が１：１以上であり、かつ高精細な回路が簡易な方法で得られ、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれ、前記パターンの解像度のばらつきや濃度むらを軽減し、前記パターンを高精細に、かつ効率よく形成可能な回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】厚みが４０μｍ以下の感光層を重ねて複数回積層し、感光層を形成する感光層形成工程と、前記感光層を露光する露光工程と、現像工程と、アディティブ法により金属を埋め込み、回路を形成する回路形成工程と、前記回路形成後に、硬化部分を剥離除去する硬化部分剥離除去工程とを含む回路基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】より簡単かつ低コストで行うことのできるフォトレジスト膜のリワーク方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、反射防止用ケイ素樹脂膜１２、その上にフォトレジスト膜１３を順次形成した基板１０のフォトレジスト膜１３をリワークする方法であって、少なくとも、溶剤で前記ケイ素樹脂膜１２を残したまま前記フォトレジスト膜１３を除去し、前記ケイ素樹脂膜１２の上に再びフォトレジスト膜１３を形成することを特徴とするフォトレジスト膜１３のリワーク方法。この時、前記フォトレジスト膜１３をリワークする基板は、前記ケイ素樹脂膜１２の下に、有機膜１１を形成したものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】レジストマスクの表面変質層を最小時間で確実に剥離する。
【解決手段】予め、テスト加工工程で形成された表面変質層の膜厚を実測し、加工条件と表面変質層の膜厚を関係付ける加工条件テーブルＴ１を作成する。製品の加工工程Ｓ１１での加工条件をキーとして加工条件テーブルＴ１を検索し、その条件で形成される膜厚を抽出する。そして、その抽出された膜厚の表面変質層をエッチングするに十分な剥離条件で剥離する。表面変質層の膜厚の測定は、レジストマスクの破断面を酢酸イソアミルでエッチングし、表面変質層を凸部、未露光レジストを凹部として断面に顕彰化させた後、ＳＥＭで断面の凸部の厚さを測定する。 （もっと読む）

基板から１、２またはそれより多くのフォトレジスト層を除去するための改善された乾燥剥離溶液を提供する。本剥離溶液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、およびアルカノールアミン、任意に第二の溶媒、約３重量％未満の水を含み、および／または少なくとも約１の乾燥係数を有する。さらに、このような改善された乾燥剥離溶液の製造方法およびその使用を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高い光透過率および高強度を有するガラス焼結体や、表面平滑性に優れたＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）のパネル部材を好適に形成することができる無機粒子含有樹脂組成物、該組成物からなり、可撓性および転写性に優れた無機粒子含有樹脂層を有する転写フィルム、および、該転写フィルムを用いたＰＤＰの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の無機粒子含有樹脂組成物は、（Ａ）無機粒子と、（Ｂ）アミド基を有する重合体と、（Ｃ）分散剤とを含有することを特徴とする。本発明の転写フィルムは、支持フィルム上に、前記組成物からなる無機粒子含有樹脂層を有することを特徴とする。本発明のＰＤＰの製造方法は、基板上に、前記転写フィルムの無機粒子含有樹脂層を転写する工程と、転写された樹脂層を焼成する工程とを含む方法によりパネル部材を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ドライエッチングが良好に行なえると共に、分光特性及び表面性状が良好でパターンの矩形性に優れると共に、剥れを抑えた密着性の高いカラーフィルタの作製を可能とする。
【解決手段】 着色剤と光硬化性化合物とを含むと共に、全固形分中の着色剤の濃度が５０質量％以上１００質量％未満である着色剤含有光硬化性組成物を用いて塗設された着色層を、露光により前記着色層上への感光性樹脂層形成前に光硬化させる工程を有している。 （もっと読む）

【課題】導電性構造物を損傷することなしに、半導体基板および／または導電性構造物上に残留するポリマーを除去することができ、粒子汚染および金属汚染を効果的に抑制しうる手段を提供する。
【解決手段】水酸化アンモニウム化合物およびフッ素含有化合物を含む水溶液８０〜９９．８９９９質量％と、緩衝剤０．１〜５質量％と、腐食防止剤０．０００１〜１５質量％と、を含むことを特徴とする半導体基板用洗浄液組成物、該洗浄液組成物の製造方法、該洗浄液組成物を用いた半導体基板の洗浄方法、および該洗浄方法を含む半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】非ニュートン流体に変換される前駆物質流体を液相で保持するのに充分な圧力を、半導体ウエハが存在する容積内で維持する。前駆物質流体を液相で保持しつつ、半導体ウエハから除去するべき物質の近傍に前駆物質流体を供給する。半導体ウエハが存在する所定の容積内を減圧することにより、ウエハ上に位置する前駆物質流体が非ニュートン流体に変換される。非ニュートン流体への変換の際における前駆物質流体の膨張の作用と、ウエハに対する前駆物質流体の相対的な移動の作用とにより、変換後の非ニュートン流体が半導体ウエハから物質を除去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、ブラックマトリックスパターンやカラーフィルターを形成するための顔料分散型感光性樹脂組成物の洗浄用として少量で高い洗浄効果を発揮する洗浄剤を提供する。
【解決手段】 半導体基板または液晶パネル用基板に固着した感光性樹脂組成物を溶解させて除去可能な少なくとも一種の溶剤と、その感光性樹脂組成物中に含有される無機顔料をその基板の表面から剥離させることを促進させる芳香族化合物とを有することにより、上記課題の解決を図る。 （もっと読む）

【課題】レジストの除去の際における窒素空孔の発生が低減される、窒化ガリウム系トランジスタを作製する方法、窒化ガリウム系半導体領域を加工する方法、およびを提供する。
【解決手段】パターンを有するレジストマスク２９が、窒化ガリウム系トランジスタのための第１および第２の窒化ガリウム系半導体層１３ａ、１５ａを含む基板１９ａ上に設けられている。このレジストマスク２９を用いて基板１９ａの窒化ガリウム系半導体のエッチングを行って、部分的に除去された第１および第２の窒化ガリウム系半導体層１３ａ、１５ａを形成する。エッチングを行った後に、レジストマスク２９を除去するために基板１９ａをフッ素系ガスのプラズマ３９に曝して基板１９ａの表面に窒素終端を施す。基板表面からの窒素の脱離の発生が低減される。 （もっと読む）

【課題】基板の薬液処理をむらなく均一に行う。
【解決手段】薬液処理室２０ａ，２０ｂにおいて、薬液ノズル３から供給された薬液により、基板１の薬液処理が行われる。薬液処理後、基板１は、ローラ２により、水置換／冷却室３０へ送られる。水置換／冷却室３０において、アクアナイフ６から吹き付けられた純水により、基板１の表面の薬液が、洗い流されて、純水と置換される。そして、冷却液ノズル７から供給された冷却液により、基板１の表面に残存する薬液が常温より低い温度に冷却される。従来に比べて、迅速かつ均一に薬液処理の進行が押さえられるので、処理時間が均一化され、処理がむらなく均一に行われる。冷却液として、例えば、ドライアイスを混ぜた純水を用い、基板上の液体を凍結させる。この場合、基板上の液体は、凍結により体積が膨張するので、基板の表面から浮いて剥がれ易くなる。 （もっと読む）

【課題】ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極を形成するためのメッキレジスト膜を剥離した際に発生するレジスト残渣を大幅に低減し、且つ、コストを低減する。
【解決手段】 ネガ型のドライフィルムレジストからなる柱状電極９形成用のメッキレジスト膜２１の剥離に際し、まず、少なくとも有機アミンを含む第１のレジスト剥離液を用いて、メッキレジスト膜２１の８０〜９９％を膨潤させて剥離し、次いで、少なくともジメチルスルホキシドを含む第２のレジスト剥離液を用いて、残りのレジストを溶解させて剥離する。これにより、レジスト残渣を大幅に低減することができる。また、第２のレジスト剥離液によって溶解すべきレジスト量を大幅に低減することができるので、第２のレジスト剥離液のレジスト溶解能力が劣化しにくいようにすることができ、第２のレジスト剥離液の寿命を延ばすことができ、コストを低減することができる。 （もっと読む）

本発明は、下記の２工程の剥離工程を含む２段階の剥離方法に関する：ａ）基体を、塩基を含有する水溶液で処理する工程、ｂ）次いで、さらに基体を、塩基と、へキシレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートよりなる群から選択される少なくとも一種の剥離促進剤とを含有する溶液で処理する工程。 （もっと読む）

【課題】高エッチングレートを有し、埋め込み特性、剥離液による剥離性および反射光吸収特性の問題を改善した反射防止膜形成用組成物、およびこれを用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】反射防止膜形成用組成物を、一般式Ｒ¹_4-nＳｉ（ＯＲ²）_n・・・・・（１）（ｎは、２〜３の整数を表す。Ｒ¹は親水性結合を有する有機基を表し、Ｒ²は炭素原子数１〜５のアルキル基またはフェニル基を表す。）で表されるシラン化合物と、一般式Ｔｉ（ＯＲ³）₄・・・・・（２）（Ｒ³は、炭素原子数１〜５のアルキル基またはフェニル基を表す。）で表されるチタン化合物との加水分解生成物と、溶剤と、を少なくとも含んで構成する。 （もっと読む）