【課題】エッチングガスの混合比を選択することにより、フォトレジストの側壁へのエッチング生成物の付着を抑えて、フォトレジストの剥離を容易に行なうことができるカラーフィルタの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）支持体上に、着色層を形成する着色層形成工程と、（ｂ）前記着色層上に、フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、（ｃ）前記フォトレジスト層をパターン様に除去することにより、前記着色層上に画像を形成する画像形成工程と、（ｄ）前記画像形成工程によって形成されたパターン様に、前記着色層をフッ素系ガスとＯ_２との混合比率（フッ素系ガス／Ｏ_２）が流量比で２／１〜８／１である混合ガスを用いたドライエッチング法により除去するエッチング工程と、（ｅ）前記エッチング工程後に残存する前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去工程と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を避け、レジストの分離・回収を効率的に行なうことができるレジスト剥離・回収システム、該レジスト剥離・回収システムに用いられるレジスト分離器およびレジスト回収槽を提供する。
【解決手段】レジストの分離・回収システムの構成として、搬送中の帯状の製品からレジストを分離するために剥離液が注入され、かつ製品が剥離液に浸漬されるように構成された剥離液槽、または搬送中の個々の製品からレジストを分離するために剥離液が注入され、個々の製品を搬送する外部駆動のローラコンベアを内部に配置され、かつ製品が剥離液に浸漬されるように構成された剥離液槽と、剥離液槽で製品から分離されたレジストおよび剥離液の混合体が流入され、流入したレジストおよび剥離液を分離するレジスト分離器と、レジスト分離器から分離された、多少の剥離液を伴ったレジストが流入され、流入したレジストから剥離液を分離してレジストを回収するレジスト回収槽と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー限界以上のピッチを有する微細パターンを形成する製造方法を提供する。
【解決手段】被食刻層１３を有する半導体基板１１上に化学増幅型フォトレジストパターン１５を形成し、この上にシリコン含有ポリマーをスピンコーティングする。露光、ベークしフォトレジストパターンとシリコン含有ポリマーの界面に架橋結合層１９を形成する。これを現像し架橋結合がなされていないシリコン含有ポリマーを除去し、フォトレジストパターンの周辺のみに架橋結合層を形成する。フォトレジストパターンの上部が露出するまで架橋結合層をエッチバックし、フォトレジストパターンの側壁に架橋結合層を残す。フォトレジストパターンを除去して架橋結合層からなる微細パターンとする。これを食刻マスクにして被食刻層をパターニングする。 （もっと読む）

【課題】基板の一方面から薄膜を均一に剥離して除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】保持プレート２によって、保持プレート２に近接した位置に吸着保持されたウエハＷをヒータ１６によって加熱し、その表面温度を所定の第１温度に昇温させる。そして、このウエハＷの表面に供給プレート３を近接して対向配置させた状態で、供給プレート３の対向面１９に形成された複数の吐出口２０から、前記第１温度に昇温されたウエハＷの表面にＳＰＭを均一に供給する。ウエハＷに供給されたＳＰＭはウエハＷによって加熱され、レジスト剥離能力を十分に発揮できる前記第１温度に昇温される。したがって、ウエハＷの表面上の何れの位置であっても、レジストを良好に剥離して、ウエハＷの表面からレジストを均一に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】処理槽内のペルオキソ一硫酸酸濃度の推移を予め検出し、その検出結果を指標として基板上の有機物を除去するための適正な処理時間を設定することを可能にした電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸を含む処理液が収容され、過酸化水素水の供給でペルオキソ一硫酸を生成する処理槽内で基板表面の有機物を除去する電子デバイスの製造方法で、基板表面の有機物除去時における処理槽内の処理液を逐次サンプリングし、サンプリング液中の硫酸および過酸化水素をキャピラリーゾーン電気泳動分析により検出し、この検出結果からペルオキソ一硫酸の濃度変化を予め測定する工程と、硫酸を含む処理液が収容された処理槽内に過酸化水素水を供給し、有機物が付着された基板を挿入し、取り出す際、過酸化水素水の供給時期を予め測定した前記ペルオキソ一硫酸の濃度変化に基づいて基板の挿入から取り出しの間にペルオキソ一硫酸の濃度ピークが現れるように設定する工程とを含む。 （もっと読む）

ウエハ(W)から膜(66)を除去する間に処理液体循環システム(73,73’)へ放出される膜の残骸物(66a)の量を減少させることによってフィルタ(80)の洗浄又は交換の頻度を減らす方法が供される。当該方法は、基板処理システム(1)の処理チャンバ(46)内で、上に膜(66)が形成されたウエハ(W)を、処理液体(64)に曝露する工程を有する。前記ウエハ(W)は、回転しないか、又は第1速度(608a,908a,1208a)で回転される。前記処理液体(64)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体循環システム(73)へ放出される。その結果、前記処理液体(64,64a,64b)への前記ウエハ(W)の曝露は中断され、前記ウエハ(W)は前記第1速度(608a,908a,1208a)よりも速い第2速度(608b,908b,1208b)で回転することで、該ウエハ(W)から前記膜(66)の残骸物(66a)が遠心状に除去される。それに続いて、前記ウエハ(W)は同一又は異なる処理液体(64,64a,64b)に曝露され、かつ前記処理液体(64,64a,64b)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体廃液管(78)へ放出される。
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【課題】処理液供給手段を収納する収納室から処理液のミストや粒子が発生するのを防止して、基板の処理又は乾燥を均一に行う。
【解決手段】液回収チャンバ３０及び上チャンバ４０により形成された処理室内で、回転テーブル１０が、基板１を水平に支持して回転する。ノズル２１を収納する収納室５０が処理室につなげて設けられ、ノズル２１が、収納室５０から処理室内にある基板１の上方へ移動し、基板１の表面へ処理液を供給した後、収納室５０へ戻る。シャッター５３は、ノズル２１が収納室５０内にあるとき、収納室５０を処理室から遮蔽する。収納室５０を処理室から遮蔽するので、処理室内で基板１の回転により生じた空気の流れによって、収納室５０から処理液のミストや粒子が発生するのが防止される。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィー用レジスト下層膜のためのレジスト下層膜形成組成物、該レジスト下層膜形成組成物を用いたリソグラフィー用レジスト下層膜の形成方法、及びフォトレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 表面エネルギーと架橋性官能基数とが異なる少なくとも２種類のポリマーを含む半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物。ポリマーが、高い表面エネルギーと少ない架橋性官能基数を有する第１のポリマーと、低い表面エネルギーと多くの架橋性官能基数を有する第２のポリマーを含む。更に架橋性化合物を含む。更に酸及び／又は酸発生剤を含む。最も低い表面エネルギーを有するポリマーと、最も高い表面エネルギーを有するポリマーとの表面エネルギー差が５ｍＮ／ｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】磁気特性を向上させることが可能なめっき膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基体１０１の一面に、アスペクト比（深さ／幅）が１よりも大きい開口部１０３Ｋ１とアスペクト比が開口部１０３Ｋ１よりも小さい開口部１０３Ｋ２とを有するフォトレジストパターン１０３を形成する。続いて、少なくとも開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２における基体１０１の露出面１０１Ｍおよびフォトレジストパターン１０３の内壁面１０３Ｍを覆うように、シード膜１０４を形成する。続いて、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２におけるシード膜１０４上に、基体１０１の一面と交差する方向に磁界ＦＶを印加しながら少なくとも開口部１０３Ｋ１を埋め込んだのち、基体１０１の一面に沿った方向に磁界を印加しながら少なくとも開口部１０３Ｋ２を埋め込むように、磁性材料からなるめっき膜１０５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】短い時間で基体から有機被膜を除去できる有機被膜除去方法及び有機被膜除去装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽１１内部を真空脱気してから、基体５に向かってＩＰＡ供給ノズル１３からＩＰＡガスまたはＩＰＡ液を噴射することで、硬化層表面における疎水性の影響を受けにくくし、大きい拡散速度で、硬化層に作られた細孔にすばやく浸透させ、硬化層より下部の有機被膜層に拡散・溶解させ、その有機被膜層を膨潤させることによって、硬化層を遊離させる。その後、オゾン水供給ノズル１４からオゾン水を噴射することにより、イオン注入の影響による硬化が生じていない残存した有機被膜層を、容易に酸化分解によって除去する。 （もっと読む）

第１のレジスト層（１２）を基板（１０）上にコーティングすることによってマイクロ構造デバイスを製造する方法。レジストの放射線誘導熱除去によって、パターンが基板上に形成される。
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【課題】ガラス基板のフッ酸エッチングでガラス基板との密着性に優れる特性を有する、感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体を提供すること。
【解決手段】（Ａ）カルボキシル基含有量が酸当量で１００〜６００であり、かつ、重量平均分子量が５０００〜５０００００であるバインダー用樹脂、（Ｂ）少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する光重合性モノマー、（Ｃ）光重合開始剤及び、（Ｄ）オルガノシラン化合物を含有してなる感光性樹脂組成物であり、前記（Ｄ）成分が特定のオルガノシラン化合物であることを特徴とする感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を行うことなく、簡単に製造することができ、かつレジストパターン形成において露光後の加熱が必要なく、優れた性能を有するポジ型感光性樹脂組成物を得る。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂及び（Ｂ）α−アミノ置換型アセトフェノン誘導体である光ラジカル発生剤を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、この組成物を用いたレジストパターンの形成方法、及びこの組成物を用いた導体パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程を行なうことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ基板との密着性が高く、基板との界面における凹凸が小さく、充分な導電性を有すると共に、金属パターンの存在しない領域における絶縁性が高い金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】(a1)基板上にポリマー層を設ける工程と、(a2)ポリマー層に金属イオン等を付与する工程と、(a3)金属イオン等を還元して導電性層を形成する工程と、(a4)導電性層上にパターン状のレジスト層を形成する工程と、(a5)電気めっきによりレジスト層の非形成領域に金属パターンを形成する工程と、(a6)レジスト層を剥離する工程と、(a7)レジスト層で保護されていた領域の導電性層を除去する工程と、(a8)疎水化処理を行なう工程と、を有することを特徴とする金属パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー処理において、充分な膜厚均一性を有するレジストパターンを形成することができ、且つ、生産効率の低下を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｇが載置されると共に、基板載置面の温度を所定温度として基板温度を調整するための温調プレート１１と、チャンバ１０内にフォトレジストの溶剤雰囲気を供給する溶剤雰囲気供給手段１４〜１８と、チャンバ１０内の雰囲気温度を検出する雰囲気温度検出手段２３と、前記温調プレート１１の設定温度を制御すると共に前記雰囲気温度検出手段２３による検出温度が入力される制御手段２４とを備え、前記制御手段２４は、設定している前記温調プレート１１の温度と、前記雰囲気温度検出手段２３により検出された雰囲気温度とを比較し、該比較結果に基づいて温調プレート１１の設定温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】感度、解像度等に優れる感放射線性樹脂組成物、感放射線性樹脂膜及び転写フィルム並びにこれらを用いたメッキ造形物の製造方法。
【解決手段】本感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）一般式（１），（２）の構造単位を含む酸解離性基含有樹脂、（Ｂ）一般式（３）の構造単位を含む樹脂、及び（Ｃ）光酸発生剤を含有する。
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本発明は、ａ）少なくとも一種のアルカリ可溶性ポリマー、但しこのポリマーは、次の構造（Ｉ）


［式中、Ｒ’は、独立して、水素、（Ｃ₁〜Ｃ₄）アルキル、塩素、臭素から選択され、そしてｍは１〜４の整数である］
で表される少なくとも一種の単位を含み； ｂ）次の構造（ＩＩ）


［式中、Ｗは、多価連結基であり、Ｒ₁〜Ｒ₆は、独立して、水素、ヒドロキシル、（Ｃ₁〜Ｃ₂₀）アルキル及び塩素から選択され、Ｘ₁及びＸ₂は、独立して、酸素またはＮ−Ｒ₇であり、この際、Ｒ₇は、水素または（Ｃ₁〜Ｃ₂₀）アルキルであり、そしてｎは１に等しいかまたは１よりも大きい整数である］
で表される少なくとも一種のモノマー、及びｃ）少なくとも一種の光開始剤を含む、ネガ型フォトレジスト組成物に関する。また本発明は、このネガ型フォトレジスト組成物に像を形成する方法にも関する。
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【課題】フィルターの２次側へのパーティクルの吐出を防止する。
【解決手段】表面処理の実行後に、調圧バルブＶＣおよび第１バルブＶ１を閉じる一方、第２バルブＶ２を開く。これによって、圧力容器１０内に残留しているＳＣＦは、供給管路Ｐ１を通って容器前バルブＶＢを介してフィルターＦ１の２次側に向けて逆流し、フィルターＦ１の１次側から分岐点Ｂ１、分岐管路Ｐ３および第２バルブＶ２を通って装置外に排出される。これによって、表面処理の実行中にフィルターＦ１の１次側に蓄積されたパーティクルが、除去されることとなる。 （もっと読む）

【課題】 レジスト剥離処理後にシード層の上に残渣物が残っている場合はシード層をエッチングする工程にて所定領域のシード層が除去されずパターン回路が相互に短絡する。また隣接するパターンの間隔が狭くなる等の欠陥となる。
【解決手段】 パターンの形成方法において、下地金属層上にパターンに対応したレジスト層を形成し、該パターンにメッキにより導体回路を設け、前記レジスト層をアルカリ性のレジスト剥離液により剥離し、剥離した後に残る残渣物である2 、2'- ビス(o- クロロフェニル)-4 、4'、 5、5'- テトラフェニル-1、2'- ビイミダゾールを酢酸 、クエン酸、蟻酸、乳酸の内の少なくとも１つを含む有機酸とベンゾトリアゾール、2-エチルベンゾイミダゾール、3-ヒドロキシ-2- ピロンの内の少なくとも１つとを含む含窒素化合物を含有する除去液で前記残渣物を除去する工程を有することを特徴とするパターンの形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、基板に付着しているレジストまたはレジスト残渣を良好に剥離する。
【解決手段】レジスト等を剥離するための薬液としてアミン化合物とＴＭＡＦとを含有する剥離用組成物と純水とがＳＣＦと混合されて処理流体が調製され、この処理流体が処理チャンバーに供給される（ステップＳ４）。これにより処理流体（ＳＣＦ＋薬液＋純水）が処理チャンバー内で基板の表面に接触し、レジスト等が基板から剥離除去される。 （もっと読む）