【課題】基板上に形成されたフォトレジスト層の前記基板の縁部を除去する際に、その部分のフォトレジスト層を正確に、かつ効率的に除去する方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト１ｂを除去する部分と除去しない部分の境界をに基板１の中央側から縁部側に向かう第１の空気の流れＫ１と、この第１の空気の流れＫ１に対向する側縁側からの第２の空気の流れＫ２と、前記境界線の部分で前記第１の空気の流れＫ１と第２の空気の流れＫ２とを合流させて混合させ、この混合流を前記二つの流れに交差して吸引排出される第３の空気の流れＫ３形成し、第２の空気の流れＫ２に溶剤を滴下供給し、前記境界線の近傍で溶剤でフォトレジストを溶解し、かつ、溶解物を含んだ第２の空気の流れＫ２と第１の空気の流れＫ１を合流して第３の空気の流れＫ３として排出し角形基板表面のフォトレジストを除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜を湿式エッチング処理する際に、レジスト変質物が残ることのない良好なエッチングが行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸化膜１を形成する工程と、上記酸化膜１上にレジストパターン２を形成する工程と、上記基板を薬液に浸漬することにより上記レジストパターン２をマスクとして上記酸化膜１をエッチングする工程と、上記基板を水洗および乾燥する工程と、上記レジストパターン２を除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法において、上記レジストパターン２を除去する工程は、上記基板を水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐに、基板を硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬する工程であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 凹部の均一な形状、凹部エッジの真直性、凹部深さの精度が得やすく、さらに、耐久性に優れる凹版とその製造法を提供する。
【解決手段】 少なくとも表面にダイヤモンドライクカーボン又は無機材料を有し、その表面に転写物を保持するための凹部が形成されており、しかも、その凹部が開口方向に向かって幅広に形成されている凹版であり、（Ａ）凹版用基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、（Ｂ）除去可能な凸状のパターンが形成されている凹版用基材の表面に、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなる膜を形成する工程及び（Ｃ）凸状のパターンを除去する工程を含む方法により製造することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の損傷を防止しつつ基板の表面に均一に処理液を供給することができる基板処理装置を提供する
【解決手段】基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板保持台２１、処理液ノズル５０、不活性ガス供給板１１０、および供給板回転駆動機構１３８を備える。基板保持台２１により基板Ｗが略水平に保持され、その基板Ｗに処理液ノズル５０から処理液が供給されるとともに、不活性ガス供給板１１０から不活性ガスが供給される。このとき、不活性ガス供給板１１０は、供給板回転駆動機構１３８により回転されつつ不活性ガスを基板Ｗの表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】
優れたレジスト剥離効果が得られるレジスト剥離液を得ることが可能な電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置を提供する。
【解決手段】
レジスト剥離処理装置１は、レジスト剥離液Ｈ１の粘度μを測定する粘度計６、粘度μに基いてレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを求め水分率Ｐに基いて水分を調整する水分補給部４、制御部７を備えている。従って、粘度計６により粘度μを求め、粘度μが所定値より大きいときに水分補給部４からレジスト剥離液タンク３に水を補給しレジスト剥離液の粘度μを所定値以下にして、優れたレジスト剥離効果が得られるレジスト剥離液を得ることができる。このとき、制御部７により、図２のレジスト剥離液Ｈ１の粘度μと水分率Ｐとの相関関係から、レジストの溶け込み量に依存せずに、粘度計６で測定した粘度μから水分率Ｐを正確に求める。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物を基板上に塗布し、硬化させて得られた硬化物からなる膜を基板から剥離する方法であって、硬化物からなる膜を基板から容易に剥離することができ、基板を再利用することを可能とする膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物（Ａ）と、第１，第２の刺激により活性化する刺激剤（Ｂ）とを含む感光性組成物１を基板２上に塗布した後に、該感光性組成物１に第１の刺激を与えることにより、感光性組成物１硬化させて得られた硬化物からなる感光性組成物膜１Ｃに、第２の刺激を与えて、硬化物からなる膜１Ｃを基板２から剥離する、膜１Ｃの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物を基板上に塗布し、硬化させて得られた硬化物からなる膜を基板から剥離する方法であって、硬化物からなる膜を基板から容易に剥離することができ、基板を再利用することを可能とする膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物（Ａ）と、刺激により活性化し、アルコキシシランの縮合物（Ａ）を架橋させる第１の刺激剤（Ｂ）と、第１の刺激剤（Ｂ）を活性化する刺激とは異なる刺激により活性化する第２の刺激剤（Ｃ）とを含む感光性組成物１を基板２上に塗布した後に、該感光性組成物１に第１の刺激剤（Ｂ）を活性化する刺激を与えることにより、感光性組成物を硬化させて得られた硬化物からなる膜１Ｃに、第２の刺激剤（Ｃ）を活性化する刺激を与えて、硬化物からなる膜１Ｃを基板２から剥離する、膜１Ｃの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度を維持したまま除去性を十分に向上させることが可能な感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法並びに光硬化物の除去方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）共役ジエン部位を有する化合物及び求ジエン部位を有する化合物、（Ｂ）光ラジカル重合性化合物の光重合反応を開始させる光重合開始剤、を含有する感光性樹脂組成物であって、（Ａ）共役ジエン部位を有する化合物及び求ジエン部位を有する化合物において、その一方、又は両方が、光ラジカル重合可能なエチレン性不飽和結合を分子内に有する化合物、またはディールス・アルダー反応により環を巻いた構造となっている化合物である、感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理時の支持体ダメージの発生を抑制可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法において、ドライエッチング処理を、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を形成する第１のエッチング工程と、窒素ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を除去し支持体露出部を形成する第２のエッチング工程とで行う。 （もっと読む）

【課題】表面硬化層が形成されたレジストを基板の表面から良好に剥離することのできるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗが処理チャンバー１１にローディングされると、プレート１４に吸着保持された基板Ｗは基板加熱用ヒータ１９からの発熱により加熱処理される。このとき、コントローラは基板Ｗの温度が３００℃以上で、かつ４５０℃以下の温度範囲となるように基板加熱用ヒータ１９を駆動制御する。基板Ｗの加熱によりレジストにポッピング現象が生じると、表面硬化層の内側（下層側）に位置する未硬化層のポッピングによる衝撃で表面硬化層に亀裂が生じ、未硬化層が灰化される。続いて、加熱処理後に高圧流体を用いたレジスト除去を行うことで、基板表面からレジストが表面硬化層ごと剥離される。 （もっと読む）

【目的】ポリイミド残渣を除去して、且つ、高精度で開口寸法を確保できるポリイミドのパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第１のポリイミド用レジストマスク６でポリイミド２のパターニングを行い、第２のポリイミド用レジストマスク１２でポリイミド残渣７を除去することで、ポリイミド２のサイドエッチを防止しながらポリイミド残渣７を除去して、高精度で開口寸法を確保できる。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄を良好に行うことができる基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板洗浄プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、複数種類の薬剤（たとえば、硫酸と過酸化水素水）を反応させて生成した洗浄剤（たとえば、カロ酸）を用いて基板（ウエハ７）の洗浄を行う基板洗浄装置(1)において、前記複数種類の薬剤を混合する混合手段(31)と、混合した前記薬剤を前記基板（ウエハ７）の表面に供給する供給手段(32)と、前記基板（ウエハ７）の表面に供給した前記薬剤を前記基板（ウエハ７）の表面で加熱する加熱手段(14)とを有することにした。特に、前記混合手段(31)は、混合した薬剤の反応を抑制するための反応抑制手段(33)を有し、この反応抑制手段(33)は、混合した薬剤を冷却するための冷却手段(30)とした。 （もっと読む）

【課題】微細な金属配線パターンが形成された半導体ウェハに対して、薬液やリンス液による配線への悪影響を抑制しつつウェハ上の堆積物を除去する。
【解決手段】半導体製造方法は、半導体基板上に形成された膜にエッチングを施す工程と、エッチングの後に、膜上の堆積物を剥離する薬液を所定の回転数よりも回転数が小さい状態の半導体基板に供給し、その後、半導体基板を所定の回転数よりも大きい高回転数で回転する剥離工程とを含む。この方法において、薬液が供給される時間は４５秒以内である。この方法は、剥離工程が２回以上実行されるシークエンスを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の配線工程において、低誘電率層間絶縁膜等の半導体材料を腐食することなく、比較的低温で、剥離性の悪いレジストを剥離することのできるレジストの剥離方法を提供する。
【解決手段】 低誘電率層間絶縁膜を有する半導体素子の配線工程において、アルキルアミン類、アルキレンアミン類、環状アミン類、水酸基含有アミン類、ニトリル含有アミン類、及びこれらのアミンのＮ−アルキル化体等のアミンで基板を洗浄した後、レジスト剥離処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング法によるカラーフィルタの製造方法であって、微細かつ矩形な画素を有するカラーフィルタを製造することが可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に設けた第１の着色層上に、エッチングストッパー層を形成し、第２の着色層を形成すべき領域に対応する第１の着色層をドライエッチング法により除去する。その除去領域を埋め込むように第２の着色層を形成し、次いでエッチングストッパー層上に形成された第２の着色層をドライエッチング法に除去する。次に第３の着色層を形成すべき領域に対応する第１の着色層をドライエッチング法により除去する。その除去領域を埋め込むように第３の着色層を形成し、次いでエッチングストッパー層及び第２の着色層上に積層された第３の着色層をエッチングストッパー層が露出するまで除去するカラーフィルタの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ゲートパターンを形成するとき、セル領域のＣＤは一定に維持しつつ、周辺領域のＣＤのみ選択的に縮小することができる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】セル領域と周辺領域を有する基板上にゲート用導電物質層を形成するステップと、該ゲート用導電物質層上にハードマスクパターンを形成するステップと、前記セル領域のハードマスクパターンを備える全体構造上に前記周辺領域を露出させるマスクパターンを形成するステップと、前記周辺領域のハードマスクパターンをトリミングするステップと、前記マスクパターンを除去するステップと、前記ハードマスクパターンを用いて前記ゲート用導電物質層をエッチングしてゲートパターンを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板のフッ酸エッチングでガラス基板との密着性に優れる特性を有する、感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体を提供すること。
【解決手段】（Ａ）カルボキシル基含有量が酸当量で１００〜６００であり、かつ、重量平均分子量が５０００〜５０００００であるバインダー用樹脂、（Ｂ）少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する光重合性モノマー、（Ｃ）光重合開始剤及び、（Ｄ）シリコーンアルコキシオリゴマー化合物を含有してなる感光性樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板に対するダメージを抑制または回避しながら、硬化層を有するレジストを基板から良好に除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持回転機構２と、基板Ｗに閃光を照射する光照射部７と、基板Ｗにレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給機構３とを備えている。基板Ｗは、硬化層を有するレジストが表面に形成されたものである。光照射部７は、閃光を発生するフラッシュランプ３５を備えている。このフラッシュランプ３５からの閃光をレジストに向けて照射することにより、硬化層が昇華および分解されて破壊される。その後に、レジストに対してレジスト剥離液を供給することより、当該レジストが基板Ｗ表面から除去される。閃光の照射に代えて、レーザ光を照射することにより、硬化層を昇華および分解させてもよい。 （もっと読む）

【課題】種々の機能性材料を付着させうる高解像度のグラフトパターンの形成が可能であり、基板とグラフトポリマーとの密着性に優れたグラフトポリマーパターン形成方法及びそれを用いた基板との密着性に優れ、基板との界面における凹凸が小さい金属膜を形成しうる導電性パターン形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上に感光性レジストパターンを形成する工程、（ｂ）該基板上の感光性レジストパターンの非形成領域に光重合開始剤を付与する工程、（ｃ）感光性レジストパターンを剥離する工程、及び、（ｄ）基板表面に、全面にわたり二重結合を有する化合物を接触させ、全面にエネルギーを付与して、光重合開始剤を付与した領域にグラフトポリマーを形成させる工程、を含む、グラフトポリマーパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ネガ型レジストを用いながら、非水溶性の有機溶媒を用いることなく、感光剤を含まないポリイミドのパターンを形成することができる方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）基板上にポリイミド前駆体層を形成する工程、（Ｂ）前記ポリイミド前駆体層上にネガ型レジスト層を形成する工程、（Ｃ）前記ネガ型レジスト層を選択的に露光するパターン露光工程、（Ｄ）前記ネガ型レジスト層の現像後または現像と同時に、下層のポリイミド前駆体層を選択的に除去しパターン化する現像工程、（Ｅ）前記パターン化されたポリイミド前駆体層を少なくとも部分的にイミド化することにより塩基性水溶液又は水溶性塩基性物質に対する溶解性を低下させる工程、（Ｆ）前記パターン化されたネガ型レジスト層を塩基性水溶液又は水溶性塩基性物質を用いて剥離する剥離工程、を有するポリイミドパターンの形成方法である。 （もっと読む）