【課題】被成形体の破損を低減する技術を提供する。
【解決手段】型面に凹部と凸部とを有するパターンが形成された成形型１０であって、凸部の角が円弧を有するように形成された成形型１０を用いて成形する。この成形型１０の製造方法としては、基材１１に凹部と凸部とを有するパターンを形成する工程と、パターンが形成された基材１１に対してエッチングを施し凸部の角に円弧を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】はんだ耐熱性、長期信頼性、電気絶縁性の改善などのため無機フィラーを添加しても残渣を抑制でき、かつ基板およびフォトレジストにダメージがなく、コスト削減が可能となるフォトレジストの現像方法および装置を提供する。
【解決手段】基板８にフォトレジスト１１を形成し、露光した後、現像液２中に浸漬させ、現像液２中に電圧を印加しながら現像を行う。この際、電源４を駆動し、電極５、６により現像液２に電圧を印加する。現像液２への電圧印加は、基板８の浸漬に先だってするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】混合されることで発熱反応を呈する複数種の処理液を十分に混合し、その結果得られた高温の混合処理液を基板に供給すること。
【解決手段】処理液供給ノズル１０４は、横断面が円状の円筒状内壁面２９を有する混合室２１と、混合室２１に硫酸を導入する硫酸導入経路１２２と、混合室２１に過酸化水素水を導入する過酸化水素水導入経路１２３と、混合室２１で生成されたＳＰＭを吐出する吐出口２４とを備えている。硫酸導入経路１２２および過酸化水素水導入経路１２３は、それぞれ、円筒状内壁面２９の周方向に沿って当該円筒状内壁面２９に接続されている。混合室２１の内部に導入された硫酸および過酸化水素水は、円筒状内壁面２９に沿って流れ、円筒状内壁面２９の周方向に回転する渦流となって流下していく。 （もっと読む）

【課題】貴金属めっき耐性及び剥離特性に優れた感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】バインダーポリマーと、分子内に１つ以上の重合可能なエチレン性不飽和結合を有する特定構造の２種類の光重合性化合物と、光重合開始剤を含む感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】処理物を所定の箇所に集約することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】剥離装置１は、部分剥離区間Ａと全体剥離・除去区間Ｂとを有し、部分剥離区間Ａは、ローラーとパドル４０とを備え、全体剥離・除去区間Ｂは、ローラーとシャワー部とを備えている。また、パドル４０は、剥離液５０が液槽部４２の両端からオーバーフローする２つの開口部を備える。このため、ガラス基板２０は剥離液５０が両縁部のみに浸されるので、中央部は剥離されず両端部が先に剥離し始める。そして、全体剥離・除去区間Ｂへと搬送され、剥離液５０がガラス基板２０の全体に噴射されるため、両縁部から中央部へとカバーフィルム２１の剥離を進行させ、カバーフィルム２１をガラス基板２０の中央部に集めることができるので、カバーフィルム２１が不規則に分散して滞留することを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィを利用した微細加工を行うために使用される、新規なフォトレジスト用化合物、上記フォトレジスト用化合物を用いたフォトレジスト液、および上記フォトレジスト液を使用して、所望の表面をエッチングするエッチング方法の提供。
【解決手段】シアニン色素およびスチリル色素からなる群から選択された化合物であるフォトレジスト用化合物。前記フォトレジスト用化合物を含むフォトレジスト液。前記フォトレジスト液を使用する被加工表面のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー処理において、生産効率が向上し、コストを低減することのできる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｇ上に形成されたフォトレジストパターン２０６を溶解し、新たなフォトレジストパターンを形成する基板処理方法であって、下地膜のエッチングマスクとして使用された前記フォトレジストパターン２０６を所定時間、純水Ｗに曝すステップと、前記基板Ｇ上にエアを吹き付けて、前記純水Ｗを除去するステップと、前記フォトレジストパターン２０６を溶剤雰囲気に曝して溶解し、所定エリアをマスクするステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】高ドーズ量のイオン注入実施後の硬化層を有するレジスト膜を、半導体基板をほぼ酸化させず、またパーティクルを発生することなく短時間で除去できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に有機ポリマーからなるレジスト膜のパターンが形成される。次いで、当該レジスト膜パターンをマスクとして半導体基板に１×１０¹⁴ｃｍ^-2以上のドーズ量で不純物イオンが注入される。イオン注入マスクとして使用されたレジスト膜パターンが酸化工程、膨潤化工程、除去工程を順に経ることにより除去される。酸化工程では、イオン注入によりレジスト膜パターンの表面部に形成された硬化層を酸化する処理が実施される。膨潤化工程では、薬液を用いて硬化層の酸化が実施されたレジスト膜パターンを構成する有機ポリマーを膨潤させる処理が実施される。除去工程では、膨潤したレジスト膜パターンが膨潤化に使用された薬液を用いて除去される。 （もっと読む）

【課題】異なるピッチのパターンを簡易に形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工膜２０上に、メモリセル形成領域１１と周辺回路形成領域１２とで異なるピッチで、加熱によって酸を発生し得る成分を含むレジストパターン３１Ｂを形成する工程と、被加工膜２０上に酸によって架橋可能な成分を含む微細パターン形成膜３２を形成する工程と、加熱によってレジストパターン３１Ｂから酸が供給される範囲の微細パターン形成膜３２を架橋させてレジストパターン３１Ｂの周囲に側壁膜３３を形成する工程と、微細パターン形成膜３２とメモリセル形成領域１１上のレジストパターン３１Ｂとを除去して、メモリセル形成領域１１上の側壁膜３３からなるパターンと、周辺回路形成領域１２上の側壁膜３３とレジストパターン３１Ｂとからなるパターンとを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】変質、硬化したレジストを短時間に効率よく除去する。
【解決手段】図１に示す洗浄方法は、基板の表面に形成された硬化した不要なレジストを除去するため、一枚毎に洗浄する枚葉装置を用いた洗浄方法である。この洗浄方法は、以下の工程を有する。被洗浄物にレジスト剥離剤を供給する（ステップＳ１）。その後、被洗浄物にエッチング液を供給する（ステップＳ２）。その後、ステップＳ１およびステップＳ２を少なくとも２回繰り返したか否かを判断する（ステップＳ３）。少なくとも２回繰り返していない場合（ステップＳ３のＮｏ）、ステップＳ１に移行してステップＳ１以降の処理を引き続き行う。一方、少なくとも２回繰り返した場合（ステップＳ３のＹｅｓ）、次工程に移行する。または処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】
現像処理した後ウエハ周辺部を、現像液やイソプロピルアルコールのようなアルコール類の溶剤でリンスしても、ウエハ周辺部に異物が付着している。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、被加工層を有する半導体ウエハの表面上方に、周辺部を除いて、レジスト膜を塗布し、塗布したレジスト膜にパターンを露光し、潜像を形成し、潜像を形成したレジスト膜を現像し、現像後の半導体ウエハの周辺部にシンナを供給し、クリーニングした後、現像したレジスト膜を用いて半導体ウエハの被加工層に加工処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】印刷版、特に、クッション性を有することにより、硬質な被印刷物に対してブランケットロールを用いないダイレクトなグラビア印刷が可能であり、段ボール印刷等、粗面に対するグラビア印刷が良好に行えて、液晶パネル用ガラスへカラーフィルタを構成するためのマトリックス画像をカラー印刷する、あるいはコンパクトディスク等に画像をカラー印刷するのに好適であるグラビア製版ロール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】版母材を準備する工程と、銅メッキ層を形成する銅メッキ工程と、ネガ型感光性組成物層を形成する工程と、該ネガ型感光性組成物層の表面にマスクを介して光線を照射する露光工程と、未露光部分を現像液によって前記銅メッキ層の表面が露出するまで溶解除去する現像工程と、前記銅メッキ層の露出部分をエッチングしグラビアセルを形成する工程と、クロムメッキ工程と、強化被覆層形成工程と、を含むようにした。 （もっと読む）

【課題】処理槽の内部において硫酸と過酸化水素とを効率よく混合させ、処理槽の内部にＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することにより、基板の表面から有機膜を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、内槽１１の内部に硫酸成分を含む液体を吐出する吐出管３６ａ，３６ｂと、吐出管３６ａ，３６ｂから吐出される液体に向けて過酸化水素水を吐出する吐出管５５ａ，５５ｂとを備えている。このため、硫酸と過酸化水素水とを効率よく混合させることができ、それにより、処理槽１０の内部においてＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することができる。したがって、基板Ｗの主面からフォトレジスト膜を良好に剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク等の遮光材料の製造に好適であり、表面の平滑性が高い金属パターン材料が得られる製造方法、及び、該製造方法により得られた金属パターン材料を提供する。
【解決手段】（Ａ）ガラス基板上に、金属粒子との相互作用を形成しうる官能基、或いは、金属イオン又は金属塩との相互作用を形成しうる官能基を有し、且つ、少なくとも該ガラス基板に片末端で直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、（Ｂ）前記ポリマー層上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンの形成領域及び非形成領域のいずれか一方の領域におけるポリマー層に、金属粒子を含有する領域をパターン状に形成する工程と、を有することを特徴とする金属パターン材料の製造方法、及び該製造方法により得られた金属パターン材料。 （もっと読む）

【課題】スプレーした処理液が外部へ漏れ出したり、次槽へ持ち出されたり、前槽から持ち込まれたりすることなく、液切り及び処理液の回収を効率良くできる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送機構（４５１，４５２，４５３）により処理槽（４１ａ）内に搬送された被処理基板（Ｋ）に処理液（Ｗ）をスプレーすることで被処理基板（Ｋ）の表面に所定の処理を行うスプレー処理装置であって、処理槽（４１ａ）内を主処理室（Ｒ３）と下流液止め室（Ｒ２）とに区分けすると共に被処理基板（Ｋ）の表面との間に下流微少間隙（Ｄ２）を形成するように立設した下流邪魔板（４６２）と、主処理室（Ｒ３）に配設され被処理基板（Ｋ）の表面に向けて処理液をスプレーする主スプレー機構（４７３）と、下流液止め室（Ｒ２）に配設され下流微少間隙（Ｄ２）の斜め上方から下流微少間隙（Ｄ２）に向けて処理液をスプレーする下流スプレー機構（４７２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、レジストを良好に除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＳＰＭ液ノズルに対し、１７０℃以上に温度調節された硫酸と、常温の過酸化水素水とが、１：０．１〜０．３５の流量比で供給される。硫酸と過酸化水素水とが混合して生成されたＳＰＭ液が、ＳＰＭ液ノズル３からウエハＷの表面に供給される。
【効果】ウエハＷの表面上のほぼ全域において、レジストを良好にかつ均一に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】表面に多孔性の低誘電率膜（ポーラスＬｏｗ−ｋ膜）が形成された基板に付着しているレジストを、多孔性の低誘電率膜にダメージを与えるのを防止しながら良好に基板から剥離することができるレジスト剥離方法を提供する。
【解決手段】シリル化剤を必須的に含む強化剤がＳＣＣＯ2と混合されて強化用処理流体が調製され、この強化用処理流体が処理チャンバーに供給される。これにより、基板Ｗに形成されたポーラスＬｏｗ−ｋ膜がシリル化される。続いて、フッ化物成分を必須的に含む剥離剤がＳＣＣＯ2と混合されて剥離用処理流体が調製され、この剥離用処理流体が処理チャンバーに供給される。シリル化によりポーラスＬｏｗ−ｋ膜の剥離剤に対するエッチング耐性が高められていることから、ポーラスＬｏｗ−ｋ膜へのダメージ発生を防止しながらレジストを剥離除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 感度、解像度及びレジストの剥離特性に特に優れたレジストパターンを得ることが可能な感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法及び光硬化物の除去方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）酸の作用及び／又は１３０℃〜２５０℃の熱によって分解可能な結合を有する不飽和二重結合含有化合物からなる構成単位を含むラジカル重合性ポリマー、（Ｂ）光重合性化合物及び（Ｃ）光重合開始剤を含有してなる感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法及び光硬化物の除去方法。 （もっと読む）

一態様において、その表面上に材料を有する基板を処理チャンバー内に配置すること；液状処理組成物の流れを基板の表面に衝突させるように向けること；及び水蒸気の流れを基板の表面及び／または液状処理組成物に衝突させるように向けること、を含む基板の処理方法。本発明の好ましい態様は、基板から、材料、好ましくはフォトレジストを除去することであり、処理組成物は、硫酸及び／またはその脱水種及び前駆体を含む液体硫酸組成物である。他の態様において、硫酸及び／またはその脱水種及び前駆体を含む液体硫酸組成物は、基板の表面の一部分を処理するために効果的な量で、基板の全表面よりも小さい基板の表面の一部分上に投与され、そして水蒸気に曝露する前の液状硫酸組成物の温度よりも高く、液状硫酸組成物の温度を上昇させるために効果的な量の水蒸気に、液状硫酸組成物が曝露される。基板は、処理工程の間、水蒸気及び／または所望により窒素ガス環境に囲まれることもできる。
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【課題】基板上に形成されたフォトレジスト層の前記基板の縁部を除去する際に、その部分のフォトレジスト層を正確に、かつ効率的に除去する方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト１ｂを除去する部分と除去しない部分の境界をに基板１の中央側から縁部側に向かう第１の空気の流れＫ１と、この第１の空気の流れＫ１に対向する側縁側からの第２の空気の流れＫ２と、前記境界線の部分で前記第１の空気の流れＫ１と第２の空気の流れＫ２とを合流させて混合させ、この混合流を前記二つの流れに交差して吸引排出される第３の空気の流れＫ３形成し、第２の空気の流れＫ２に溶剤を滴下供給し、前記境界線の近傍で溶剤でフォトレジストを溶解し、かつ、溶解物を含んだ第２の空気の流れＫ２と第１の空気の流れＫ１を合流して第３の空気の流れＫ３として排出し角形基板表面のフォトレジストを除去する。 （もっと読む）