【課題】環境負荷を低減する代替溶媒技術を提供する。
【解決手段】一般式（1A）〜(1C)：
Ｒｆ−Ｘ−Ｒｈ (1A)
Ｒｈ−Ｘ−Ｒｆ^１−Ｘ−Ｒｈ (1B)
Ｒｆ−Ｘ−Ｒｈ^１−Ｘ−Ｒｆ (1C)
（ここでRfは一価のペルフルオロポリエーテル基を表し、Xは結合基であり、Rhはエーテル性酸素原子を有することのある一価の炭化水素基を表す。Rf¹は二価のペルフルオロポリエーテル基を表し、Rh¹はエーテル性酸素原子を有することのある二価の炭化水素基を表す。Rｆ、Rf¹、RｆまたはRf¹とXの間には、フッ素化されていてもよい直鎖又は分枝を有するアルキレン基を有してもよい。）で表される洗浄、乾燥剤。 （もっと読む）

【課題】 ａ−Ｃ：Ｈ膜の反射防止効果を損なわず、化学増幅型ネガレジストのみを剥離する方法を提供する。
【解決手段】 アモルファスカーボン膜表面に形成された化学増幅型ネガレジストパターンを、アモルファスカーボンを実質的にエッチングしない酸溶液を用いて該化学増幅型ネガレジストパターンを剥離する。または、アモルファスカーボン膜表面に形成された化学増幅型ネガレジストパターンを、アモルファスカーボンを実質的にエッチングしないアルカリ溶液を用いて該化学増幅型ネガレジストパターンを剥離する。 （もっと読む）

【課題】基板上のレジストパターンにイオン注入処理を行う際のレジストの変質層の生成を抑制し、基板に損傷を与えることなくレジストを除去する。
【解決手段】基板１上にレジストパターン３を形成する第１の工程の後に、不活性ガスおよび窒素雰囲気下で加熱しながら基板１を紫外線照射するか、もしくは基板１を加熱しながらアルカリ溶液に浸漬する第２の工程を実施し、その後イオン注入の処理を行う第３の工程を実施し、最後にレジストパターン３を除去する第４の工程を実施する。レジストの除去能力低下は、レジスト樹脂が注入イオンである例えばリンと架橋することにより硬化した変質層が形成されるためである。本発明では、前処理として紫外線照射またはアルカリ溶液浸漬を行うことにより、変質層の形成を抑制し、レジスト除去を容易にする。 （もっと読む）

【課題】オゾン水を用いて基板表面のレジストを極めて高い効率、かつ、均一に除去することができるレジスト除去方法、及び、レジスト除去装置を提供する。
【解決手段】オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去するレジスト除去方法であって、前記基板の処理面の略全表面に対応する位置に複数の噴射孔が形成されたノズルを、前記ノズルと前記基板の処理面との間に見かけ上オゾン水の層が形成される程度に前記基板に近接させた状態で、前記基板の処理面の略全表面に対してオゾン水を噴射させるレジスト除去方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面のレジストを高効率にかつ均一に除去することができるレジスト除去方法、及び、レジスト除去装置を提供する。
【解決手段】基板の処理面をオゾン水で処理するオゾン水処理工程と、基板の処理面をγ−ブチロラクトン、エチレングリコールジアセタート及びジアセチン（グリセリンジアセテート）からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤１００重量部と、水５〜１００重量部との混合溶剤を用いて除去する混合溶剤処理工程とを有するレジスト除去方法。 （もっと読む）

【課題】 簡便であり、且つ確実にレジスト膜を除去することができるレジスト膜の除去方法を提供する。
【解決手段】 インプランテーションを施すことによって表面が変質して硬化した硬化層１２と、該硬化層１２下にあって硬化していないレジスト層１３とを有したレジスト膜１１において、先ず、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）によって、レジスト膜１１の上面部に形成された厚い硬化層１２Ａを除去した。そして、硬化層１２Ａが除去された後に、その硬化層１２Ａが除去されたレジスト膜１１を硫酸Ｒに浸してレジスト層１３を溶解し、レジスト膜１１の周側部に形成された薄い硬化層１２Ｂを取り除くようにした。 （もっと読む）

本発明の目的は、基板表面のレジストを高効率に除去することができるレジスト除去方法及びレジスト除去装置を提供することである。 本発明は、基板表面のレジストを除去する方法であって、少なくとも、処理面にオゾン溶液を作用させる工程１と、処理面に有機溶剤を作用させる工程２とを有するレジスト除去方法である。
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本発明のフォトレジストストリッパーおよび洗浄組成物が、銅およびアルミニウムに対して本質的に非腐食性であり、少なくとも一つの極性有機溶媒、少なくとも一つのヒドロキシル化有機アミン、およびポリマー骨格からぶら下がった複数のヒドロキシルまたはアミノ官能基を有する腐食阻害剤ポリマー少なくとも一つを含有する、非水性洗浄組成物によって提供される。 （もっと読む）

【課題】 基板から剥離したレジスト膜と基板との再密着を抑制することができるレジスト膜の除去方法及びレジスト膜除去装置を提供する。
【解決手段】 レジスト膜６を水１１の中に浸漬させた状態にし、密着界面に対して水１１を進入させ、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせる。さらに、攪拌翼３０によって、剥離したレジスト膜６を水１１とともに内部空間２で回流させる。 （もっと読む）

【課題】 基板とレジスト膜との剥離を促進させることにより、基板からのレジスト膜の除去をより確実なものとし、さらに、基板から剥離したレジスト膜と基板との再密着を抑制するレジスト膜の除去方法及びレジスト膜除去装置を提供する。
【解決手段】 レジスト膜６に発生させたクラックを介して、密着界面に対して水蒸気を進入させ、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせる。また、同時に、密着界面から剥離し始めたレジスト膜６の剥離部を振動発生装置８によって振動させ、レジスト膜６を剥離させた。 （もっと読む）

【課題】洗浄液や処理液の活性度を高めることによって、洗浄能力や被膜除去能力を大幅に向上させることができる。
【解決手段】基板Ｗに供給された洗浄液Ｓに対してＵＶ照射部３１から紫外線を照射する。このときオゾンを含む洗浄液Ｓは紫外線が照射されたことによって、“O₃ → O(³p)＋ O₂ ”のような励起状態をとり、低エネルギーで酸素ラジカルを得ることができる。したがって、酸素ラジカルを容易に発生させることができ、洗浄液Ｓの活性度を高めることができて、洗浄能力を大幅に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜等の剥離レートを早めた基板処理方法、基板処理装置、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】 レジスト膜を備えたウエハＷからそのレジスト膜を除去するための基板処理方法であって、まず、レジスト膜を備えたウエハＷをチャンバ３０に収容し、チャンバ３０を所定温度に保持する（ステップ２）。次にチャンバ３０内への窒素ガスの供給を停止してオゾンを供給し（ステップ３）、さらにオゾンを供給しながら、水蒸気を供給する（ステップ４）。その後、チャンバ３０内に水蒸気を供給しながら、チャンバ３０内で結露が生じないようにチャンバ３０へのオゾン供給を周期的に停止して、チャンバ３０内に水蒸気量の多い状態を作り出す（ステップ５）。これによりレジスト膜を変性させる。その後、純水またはアルカリ性水溶液により、変性したレジスト膜を溶解、除去する。 （もっと読む）

【課題】処理槽内での処理液の淀みをなくし、均一な基板処理を可能とし、更にパーティクルの除去を容易にした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 四方を側壁２ｂ〜２ｅで囲まれ上部が開口した有底の容器からなる処理槽１と、この処理槽１に処理液を供給する第１、第２供給ノズル管１０ａ〜１０ｄとを備えた基板処理装置において、前記第１、第２供給ノズル管１０ａ〜１０ｄは、それぞれ中空筒状体の長手方向の側面に所定間隔で１列に配列された複数個の噴射口１１を有する供給ノズル管からなり、このうち第１供給ノズル管（１０ｂ、１０ｄ）は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め下方に傾斜させ、第２供給ノズル管（１０ａ、１０ｃ）は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め上方に傾斜させて、前記処理槽１の一側壁面２ｂに所定間隔をあけてほぼ水平に設けた。 （もっと読む）

【課題】 本発明はフラットパネルディスプレイに塗布するレジストの洗浄に用いて好適なレジスト洗浄装置に関し、レジスト除去剤が基板上のレジスト配設位置に飛散するのを確実に防止し、適正なレジストパターンの形成を可能とすることを課題とする。
【解決手段】 レジスト８が塗布されたＦＰＤ基板２の基板端面４にレジスト除去剤１０を噴射するノズル２６と、噴射されたレジスト除去剤１０を回収する回収口２７とを有し、レジスト除去剤１０により基板端面４のレジスト８を除去するレジスト除去装置において、ノズル２６から噴射されたレジスト除去剤１０のレジスト配設位置３（レジスト除去剤１０の飛散して欲しくない領域）への飛散を検出する飛散検出センサ２１を設けた構成とする。 （もっと読む）

【課題】 カラーフィルターやブラックマトリックスパターンを形成するための顔料分散型感光性樹脂組成物の洗浄用として特に優れた洗浄除去用溶剤を提供する。
【解決手段】 洗浄除去溶剤として、ハンセン（Ｈａｎｓｅｎ）溶解パラメータにおける水素結合力パラメータ（δ_Ｈ）が５〜１０の溶剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】ウェハー様物の加工のためのオゾンの使用。
【解決手段】本発明は、オゾンを用いたウェハー様物（例えば、露出した銅表面を有する及び／又はｌｏｗ−ｋ（低誘電）材料を含む。）の加工方法に関する。特定の好ましい態様において、塩基もまた、ウェハー様物を加工するために使用される。 （もっと読む）

基板上に耐熱性レリーフ構造を作成する方法であって、この方法は、（ａ）基板を用意し；（ｂ）最初のコーティング段階で、ポリアミド酸およびガンマ−ブチロラクトンを含有する組成物によって基板をコートして少なくとも約０.５μｍの厚さをもつポリアミド酸の層を形成し；（ｃ）１４０℃またはそれ未満の温度でポリアミド酸の層をベーキングし；（ｄ）第２のコーティング段階で、ポリアミド酸の層上にフォトレジストの層をコーティングして二層コーティングを形成し；（ｅ）二層コーティングを＜２５０ｎｍの放射線に露光し；（ｆ）１つまたはそれ以上の水性のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液によって二層コーティングを現像し；（ｇ）残留するフォトレジスト層を除去し；そして（ｈ）ポリアミド酸層を少なくとも約２００℃の温度で硬化してポリイミド構造をつくる段階を包含し、この場合ポリアミド酸は、水性のテトラメチルアンモニウム中に可溶でありまたフォトレジストに使用される溶媒中には可溶でない。 （もっと読む）

多層画像形成系においてリソグラフプロセス中に生じた間違い、例えば不正確な膜厚、好ましくないコーティング品質、および不正確な特徴寸法の解決方法を提供する。製造効率を最適化するには、下部層(アンダーコートすなわち下層)を除去、再コートおよび通常、硬化することなしに上部層(画像形成層)を除去できることが望ましい。基板スタックから画像形成層を除去するための再処理方法は、このような方法である。スタックは、基板、基板に隣接する下層および下層に隣接するケイ素を含んでいる画像形成層からなる。方法は、(ａ) 基板スタックを画像形成層除去溶媒と接触させ；(ｂ) 画像形成層除去溶媒を用いて画像形成層を除去し、それによって基板／下層スタックを形成し、その際、画像形成層除去溶媒は、グリコールエーテル、ケトン、エステル、ラクテート、ジメチルスルホキシド(ＤＭＳＯ)、ジメチルホルムアミド(ＤＭＦ)、テトラヒドロフラン(ＴＨＦ)、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、テトラヒドロピラン、エチルテトラヒドロピラン−４−アセテート、メチルテトラヒドロピラン−４−メタノール、テトラヒドロピラン−４−オン、ｎ−ブチルアセテート、ｎ−アミルアセテートおよびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選ばれ；そして(ｃ) 画像形成層を除去した後、画像形成層除去溶媒を基板／下層スタックから除去する：工程からなる。
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【課題】リフトオフ処理時間を大にすることなく、寸法精度に優れた微細パターンを容易に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表面レジスト層１５は、前述のパターン露光領域外のみ通常のポジ型レジストとして現像される。そして、下層のレジスト層１３はネガ型に反転した表面レジスト層１５のパターン露光領域下部も現像されるため、下層のレジスト層１３は表面レジスト層１５に対し、アンダーカットされた断面形状となる。なお、表面レジスト層１５は、下層のレジスト層１３との相互拡散の影響により逆テーパ形状を有する。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターニングにおける従来の現像工程を省略し、サイドエッチングが無く、低コスト、高スループットを実現可能とした表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板ＳＵＢ上に成膜した金属膜ＭＴを覆って酸現像タイプのネガ型ホトレジストＮＲＧを塗布し、所要の開口パターンを有するネガ型露光マスクＮＭＫを通してホトレジストを露光して露光部のホトレジストを硬膜化し、酸現像液を用いて硬膜化したホトレジストの露光部を残し、露光されなかった非露光部を除去するとともに、当該非露光部のホトレジストの除去で露出した金属膜ＭＴをエッチングして除去した後、ホトレジストＮＲＧを除去する。 （もっと読む）