本発明は、マイクロミラーアクチュエータ及び対応するアクチュエータに関する。この方法によると、アクチュエータは、中間層１０２、１０４、１０６によって互いから少なくとも部分的に電気的に絶縁される少なくとも３つの主要層１０１、１０３、１０７の層構造から製造される。層は、マイクロミラー素子及び電極を形成するように構造化され、この構造化は、少なくとも上側の主要層１０７から成る閉鎖フレーム３１０をアクチュエータの内側領域の周りに形成することによって達成され、このフレームにカバープレートを適用することによって内側領域を気密封入することを可能にする。導体経路平面１０５が、層のうちの少なくとも２つの間に生成され、中間層によって当該層から電気的に絶縁され、且つ、導体トラックを形成するように構造化され、この導体トラックによって、中間層１０２、１０４、１０６のうちの１つ又は複数に接触開口を形成した後で、電極のうちの１つ又は複数に、フレーム３１０の外側から電気的に接触することができる。上記方法によって、アクチュエータの内側領域の気密封止された封入を、ウェハレベルでさえも簡単に達成することができる。 （もっと読む）

【課題】電磁気マイクロアクチュエータを提供する。
【解決手段】基板１１０の一面に回動自在に形成されたステージ１２０と、ステージ１２０の回転軸方向にステージ１２０の両側に連結された一対のトーションバネ１３２と、トーションバネ１３２を支持してステージ１２０を取り囲む固定フレーム１５０と、ステージ１２０の上面に所定深さで巻き回された駆動コイル１３０と、駆動コイル１３０形成部分から離隔した形成されたミラー部１４０と、駆動コイル１３０から離隔し、駆動コイル１３０を挟んで対向する位置に形成された一対の永久磁石１６０と、を備えることを特徴とする電磁気マイクロアクチュエータ。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一つのリボンを使用して一つのピクセルを形成することができる回折光を得るようにして、製品の小型化を可能にする回折型光変調器を提供する。
【解決手段】基盤部材；前記基盤部材から離隔して空間を確保する中間部分、入射光を透過させる透過性物質、及び中間部分の一部に前記基盤部材に配向され、入射光を反射させる反射面を持ち、前記基盤部材に支持される第１反射部；前記第１反射部と基盤部材との間に位置し、第１反射部から離隔しており、前記第１反射部を透過した透過光を反射させる反射表面を有する第２反射部；及び前記第１反射部の中間部分を前記第２反射部に対して動かし、前記第１反射部と前記第２反射部の反射光から形成される回折光の光強度を変化させる駆動手段を含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で製造も困難でなく、小型化や集積化も容易で大面積のディスプレイを構成することができ、単独の表示素子で色表示を迅速に、可変に制御することができる表示素子を提供する。
【解決手段】表示素子において、屈折率の異なる複数の透明薄膜からなる積層体に電界を印加し、積層体中の透明薄膜の厚さを電界により変化させることで、入射光に対する反射光または透過光の波長分布を変化させる。 （もっと読む）

光変調装置の２層の間のキャビティの深度を制御する方法および装置が提供される。光変調装置を作る方法は、基板を形成するステップと、基板の少なくとも一部の上に犠牲層を形成するステップと、犠牲層の少なくとも一部の上に反射層を形成するステップと、基板の上に１つまたは複数の屈曲コントローラを形成するステップとを含んでおり、屈曲コントローラは、反射層を動作可能に支持し、犠牲層の除去の際に犠牲層の厚さとはある程度異なる深度のキャビティを形成するように構成されており、深度は基板に対して垂直に測定される。
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【課題】犠牲層エッチングを行わずに微小構造体及びマイクロマシンを作製する。
【解決手段】基板１０１上に剥離層１０２を形成し、剥離層１０２上に可動電極となる層１０３を形成する。剥離層１０２を境界に、可動電極となる層１０３を基板から剥離する。別の基板１０５に固定電極となる層１０６を形成する。可動電極となる層１０３と固定電極となる層１０６が向かい合うように、部分的に設けられたスペーサ層１０３を挟んで、可動電極となる層１０３を基板１０５に固定する。これにより、犠牲層エッチングを行わずに、層１０３と層１０６の間に空間部分１０９が形成される。 （もっと読む）

干渉変調器の動作光学範囲内の光の波長に対する閾値未満の吸光係数（ｋ）を有する物質を組み込むことによって、ＭＥＭディスプレイ装置において、広帯域白色光を得ることができる。一実施形態は、この物質（２３）を透明基板（２０）の少なくとも一部の上に堆積させる段階と、この物質の層の上に誘電体層（２４）を堆積させる段階と、この誘電体の上に犠牲層を形成する段階と、この犠牲層の上に導電性層（１４）を堆積させる段階と、犠牲層の少なくとも一部を除去することによってキャビティ（１９）を形成する段階とを備えたＭＥＭＳディスプレイ装置の製造方法を提供する。適切な物質は、ゲルマニウム、多様な組成のゲルマニウム合金、ドーピングしたゲルマニウム、ドーピングしたゲルマニウム含有合金を含み得て、透明基板上に堆積されるか、透明基板または誘電体層内に組み込まれ得る。
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応力関連の変形を最小限に抑えるように構成された支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法
ＭＥＭＳデバイスの実施形態は、上位の支持構造によって支持される移動可能層を含み、更に、下位の支持構造を含むことができる。１つの実施形態では、上位の支持構造内の残留応力と、移動可能層内の残留応力とが、実質的に等しい。別の実施形態では、上位の支持構造内の残留応力と、下位の支持構造内の残留応力とが、実質的に等しい。特定の実施形態では、実質的に等しい残留応力は、同じ厚さを有する同じ材料で形成される層の使用を通じて得られる。更なる実施形態では、実質的に等しい残留応力は、互いの鏡像である支持構造および／または移動可能層の使用を通じて得られる。
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テーパ縁を実現するために、ＭＥＭＳデバイス内に層を形成するための方法
特定のＭＥＭＳデバイスは、テーパ縁を有するようにパターン形成された層を含む。テーパ縁を有する層を形成するための１つの方法は、エッチング誘導層を使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、上方部分が下方部分よりも速い速度でエッチング可能な層を堆積することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、複数の反復エッチングを使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、リフトオフマスクの上に層が堆積され、そのマスク層が除去された後、テーパ縁を有する構造が残されるように、負の角度を含む開口を有するリフトオフマスクを使用することを含む。
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ＭＥＭＳデバイスのための支持構造、およびその方法
ドーパント材料を選択的に拡散された犠牲材料で形成された、または選択的に酸化された金属犠牲材料で形成された支持構造を有する微小電気機械システムデバイス。該微小電気機械システムデバイスは、電極を上に形成された基板を含む。別の電極が、キャビティによって第一の電極から分離され、移動可能層を形成する。該移動可能層は、拡散された、または酸化された犠牲材料で形成された支持構造によって支持される。
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支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法
ＭＥＭＳデバイスの実施形態は、導電性の移動可能層を含み、該移動可能層は、ギャップによって導電性の固定層から隔てられ、導電性の移動可能層内のくぼみの上にある剛性の支持構造もしくはリベットによって、または導電性の移動可能層内のくぼみの下にある柱によって支持される。特定の実施形態では、リベット構造の部分は、移動可能層を通って下の層に接触する。他の実施形態では、剛性の支持構造の形成に使用される材料を、ＭＥＭＳデバイスと電気的に接続する不動態化を経ないと曝されるであろうリードを不動態化して、これらのリードを損傷またはその他の干渉から保護するためにも用いることができる。
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発明は気密封止されたデバイス及びそのようなデバイスを作成する方法に向けられる。デバイスは、１つまたは複数の光、光電子、電子または超小型電気機械（ＭＥＭＳ）素子が、単独でまたは組み合されて、その上に配置された基板、上部及び上部からある距離まで延びるエクステンションを有するカバー部材、カバー部材のエクステンション部分を基板に接合するために用いられる接着剤及びカバー部材エクステンションが基板に接合されている領域を気密封止するための封止剤を有する、光、超小型電気機械、電子及び光電子デバイスを含む。発明の方法において、封止剤は原子層堆積法を用いて与えられる。
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【課題】改良された画像品質と、削減された電力消費とのために、高速に、かつ低電圧で駆動されることが可能な、機械的に作動させられるディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明は、ＭＥＭＳベースの光変調器の動きを制御するための制御マトリクスを利用して、ディスプレイ上に画像を形成するための、方法および装置に関する。 （もっと読む）

出力レーザ光パルスビームのパルスをパルスバーストで生成する、狭帯域ＤＵＶ高出力高繰り返し率ガス放電レーザのための線幅狭小化装置及び方法が開示され、線幅狭小化モジュール内に収容される分散中央波長選択光学部品を含み、分散波長選択光学部品の分散表面上にそれぞれのパルスを含むレーザ光パルスビームの入射角により少なくとも一部が求められる各々のパルスに対する少なくとも１つの中央波長を選択し、分散中央波長選択光学部品に作動的に連結され、第１の方法により、分散表面の曲率を変化させるように作動する第１の分散光学部品曲げ機構と、分散中央波長選択光学部品に作動的に連結され、第２の方法により、分散表面の曲率を変化させるように作動する第２の分散光学部品曲げ機構と、を含むことができる。第１の方法は帯域幅の第１の測定値を変更し、第２の方法は帯域幅の第２の測定値を変更して、第１の測定値と第２の測定値の比率が実質的に変化するようにすることができる。第１の測定値はスペクトルピーク値の選択された割合におけるスペクトル幅であり（ＦＷＸ％Ｍ）、第２の測定値はスペクトル強度の幾つかの選択された割合が含まれる幅（ＥＸ％）とすることができる。第１の分散光学部品曲げ機構は、第１の寸法において分散表面の曲率を変化させ、第２の分散光学部品曲げ機構は、第１の寸法に対して一般に直角である第２の寸法において分散表面の曲率を変化させることができる。レーザシステムは、異なる屈折率と隣接する光学素子とは反対の屈折率の温度勾配とを有する材料を含むビーム経路挿入体を含むことができる。第１の分散光学部品曲げ機構は、第１の寸法における分散表面の曲率を変化させ、第２の分散光学部品曲げ機構は、第１の寸法に対して一般に平行である第２の寸法において分散表面の曲率を変化させることができる。レージングキャビティにおける光学ビームねじり素子は、レーザ光パルスビームを光学的にねじって、ねじられた波面を分散中央波長選択光学部品に提示することができる。曲げは、例えば、バーストにおいて、曲率及び波長の選択を変化させることができ、２つの中央波長ピークを生成して、ＦＷＸ％Ｍ及びＥＸ％を独立して選択することができる。
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【課題】リフトオフ工程技術を用いたインターフェロメトリック変調器の製造方法
【解決手段】本開示の実施形態は、リフトオフ工程技術を用いてインターフェロメトリックデバイスを製造する方法を含む。光学的スタックまたは屈曲層などのインターフェロメトリック変調器の種々の層の製造においてリフトオフ工程を用いることは、各層に関連する複数の材料に関する個々の化学現象を有利に避けることができる。さらに、リフトオフ工程を使用することは、インターフェロメトリック変調器の製造に利用される材料及び施設の選択を増やすことを可能にする。 （もっと読む）

空間光変調器（２００）を使用する表示装置などの表示装置（９００）を含む様々な装置に使用する、復帰電極（４１８、５１８、６１８、７１８、８１８）を有する微小電気機械装置であって、光透過基板（２１４、３２０、４１４、５１４、６１４、７１４、８１４）、半導体基板（２１２、３１８、４１２、５１２、６１２、７１２、８１２）、および基板（２１４、３２０、４１４、５１４、６１４、７１４、８１４、２１２、３１８、４１２、５１２、６１２、７１２、８１２）のうちの１つによって支持され、静止位置と動作位置の間で撓むことができる部材（２１０、４１０、５１０、６１０、７１０、８１０）を含む。可撓部材（２１０、４１０、５１０、６１０、７１０、８１０）は、復帰電極（４１８、５１８、６１８、７１８、８１８）の動作によって非撓み位置に戻る。
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