【課題】Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓやＡｌＡｓＳｂなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、ＴＥ光信号に対する反射構造（Ｒ１）を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路１０を構成する。導波路端面（Ｐ１）から入力された信号光５は、導波路で位相変調効果を受け、光導波路に設けた反射構造（Ｒ１）にて反射され、再び、導波路内で位相変調効果を受けて、導波路端面（Ｐ１）から出力されるので、シリコン細線導波路との入出力端の同一化および光路長増大を実現できる。 （もっと読む）

【課題】光素子実装時に位置合わせが容易にできる光素子搭載基板、かかる光素子搭載基板を備え、光伝播性能および生産性に優れた光電気混載基板、および前記光素子搭載基板又は前記光電気混載基板を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路が形成された光回路層に積層され、かつ、受光部又は発光部４を有する光素子３を搭載した光素子搭載基板であって、電気回路層２と絶縁基板１とが積層してなり、かつ、前記光素子搭載基板は、前記電気回路層側又は前記絶縁基板側に厚さ方向に少なくとも一つの凹部を有し、前記光素子の少なくとも一部が前記凹部内に収納されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光源からの光を、長方形状のパネルの長辺側と短辺側とに均等に分配することができるとともに、光源とコアとの間の調芯に高い精度が要求されることのない光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の光導波路デバイスＤ１は、長方形状のパネルＰの縁に沿った額縁部に、光源１０と、光源１０側の共通部１ａから互いに直交する２方向に分岐する分岐状コア１を有する光導波路とを備え、上記共通部１ａは、上記額縁部の角部に配置され、上記分岐状コア１は、その共通部１ａから上記パネルＰの長辺Ｘに沿って直線状に延びる第１のコア部１ｂと、上記共通部１ａの分岐点Ｊからアーチ状に湾曲しそれより先端側がパネルＰの短辺Ｙに沿って直線状に延びる第２のコア部１ｃとからなり、第２のコア部１ｂのコア幅（Ｗ２）が、第１のコア部１ｂのコア幅（Ｗ１）より広くなっている（Ｗ１＜Ｗ２）という構成をとる。 （もっと読む）

【課題】光導波路リンク装置において、発光（受光）素子と光導波路フィルムとの間にレンズを設けることが必要であったが、それを解消する。
【解決手段】コア部とそれを囲堯するクラッド部とで成る光導波路を少なくとも有する光導波路フィルムの長手方向の両端部に、発光素子と受光素子とを配設して成る光導波路リンク装置において、前記光導波路フィルム５は、コア部２の光信号伝達方向における該光信号伝達方向に直交する厚さが発光側から受光側に行く途中で薄くなっており、前記発光素子６および受光素子７における端面と光導波路フィルムの端面とには間隙のみが設けられている光導波路リンク装置１とする。 （もっと読む）

【課題】光素子の実装が容易、かつ実装の精度を向上させた光配線基板、光導波路、及び光素子の実装方法を提供する。
【解決手段】基板２の裏面側に形成された光導波路５と、基板２の表面側に実装される面発光素子６から入射された光の光路を９０度変換してコア３に入射する発光素子用ミラー７と、面発光素子６から出射されコア３を伝搬する光の光路を基板２側に９０度変換して、基板２の表面側に実装される面受光素子８に入射する受光素子用ミラー９と、コア３の一部を光導波路５の側面から露出させて形成され、光導波路５の側面に照射された照明光Ｌを光導波路５のコア３に入射する照明光入射部１０と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】導光体の出射端におけるレーザ光の光強度分布の均一性を向上させることができるレーザ照射装置を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置１は、複数のレーザ光源２と、各レーザ光源２から出力されたレーザ光を伝搬させる複数の光ファイバ７を有するファイバアレイ４と、ファイバアレイ４の各光ファイバ７から出射されたレーザ光を合波して出射する導光体５とを備えている。ファイバアレイ４の各光ファイバ７は、ファイバアレイ４の左右方向に一直線上に不等ピッチで配列されている。これにより、各レーザ光源２から出力されたレーザ光が異なる間隔で導光体５に入射されることとなる。 （もっと読む）

【課題】モードフィールドが大きく異なる異種光導波路を接続する際に、従来のテーパ構造の光導波路と比べて効率的な光の接合を可能とする光導波路を提供することにある。
【解決手段】構造の異なる２つの導波路４１，４２が所定の長さＬ_taperを有する不連続テーパ構造接合部本体５０を介して接し、一方の導波路４１を導波する光の横方向の広がりが、他方の導波路４２を導波する光の横方向の広がりよりも広い光導波路において、不連続テーパ構造接合部本体５０の幅が前記一方の導波路４１と接する一方の端部５１から他方の導波路４２と接する他方の端部５２に向けて徐々に狭くなり、不連続テーパ構造接合部本体５０における一方の端部５１の幅Ｗ_taperを一方の導波路４１の幅Ｗ_ridgeよりも広くした。 （もっと読む）

【課題】光デバイスの製造工程を簡略化し、且つ光導波路と光素子との位置決めを高精度で行えるようにする。
【解決手段】 基板１１上に光導波性材料からなる第１の層を形成し、その第１の層上に金属材料からなる第２の層を形成する。その第２の層を、光導波路１２に応じた形状の第１の金属パターンと、位置決めマーク１４ａ，１４ｂに応じた形状の第２の金属パターンと、接合部１３に応じた形状の第３の金属パターンとに加工し、その加工された第２の層をマスクとして、第１の層を光導波路１２および位置決めマーク１４ａ，１４ｂと接合部１３に応じた形状にエッチング加工し、その後、第１の金属パターンを除去して第１層による光導波路１２を完成し、第２、第３の金属パターンによる位置決めマーク１４ａ，１４ｂと接合部１３とを用いて、光素子２を基板１に搭載する。 （もっと読む）

【課題】 従来の平面配置型光導波路を用いた波長合分波器では、サイズが大きくなるため、波長多重伝送方式を用いた光配線構造において、高密度光配線が困難であった。
【解決手段】 波長多重伝送方式をベースにした光配線において、積層配置方向性結合光導波路を用いた波長合分波器を用いることで、高密度に集積可能な波長合分波器を用いた光配線構造を提供する。 （もっと読む）

【課題】生産性の高いＩ字型光導波路を組み合わせてＬ字型光導波路を作製し、Ｌ字型光導波路を構成する２本のＩ字型光導波路の、Ｘ方向およびＹ方向の組立精度を高く保ち、光電変換素子が１個で済むようにする。
【解決手段】Ｌ字型光導波路デバイス１０では、一方のＩ字型光導波路１１の結合端部は凹部１５を備え、他方のＩ字型光導波路１２の結合端部は凸部１６を備える。凹部１５と凸部１６がはめ合って凹凸継手１７を形成してＩ字型光導波路１１、１２同士が結合する。凸部１６を備えたＩ字型光導波路１２に属するコア群１８は、光電変換素子１４の近傍でほぼ直角に折れ曲がって、光電変換素子１４に光結合する。 （もっと読む）

【課題】埋め込み素子の導波路とハイメサリッジ素子の導波路がずれるのを防ぐ。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に半導体積層構造３０と半導体積層構造３２を横並びに形成する。半導体積層構造３０，３２上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６をパターニングして、半導体積層構造３０上のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を除去する。半導体積層構造３０をエッチングして導波路リッジ４０を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６及び半導体積層構造３２をエッチングしてハイメサリッジ４２を形成する。導波路リッジ４０の両サイドを埋め込み層４４，４６，４８で埋め込む。導波路リッジ４０及びその近傍の埋め込み層上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層５２を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６，５２をマスクとして埋め込み層をエッチングして埋め込み素子とハイメサリッジ素子とを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程と光導波路構造の全反射信号伝送の技術を利用し、簡単かつ容易に異なる平面での電子素子層と光子素子層が完成できる。
【解決手段】光学伝送モジュール３は、半導体基板３０と、半導体基板３０の第一表面３０１に形成される第一膜層３１と、半導体基板３０の第二表面３０２に形成され、第一電気信号Ｅ１を光信号０１に変換した後に送信する電子素子層３３と、第一膜層３１に形成され、第一反射面３６３と、光導波路構造主体３６０と、第二反射面３６４とを含む光導波路構造３６と、を含み、光信号０１は半導体基板３０と第一膜層３１を通り抜け、光導波路構造３６に入り、第一反射面３６３により反射されて光導波路構造主体３６０の中で伝送され、また第二反射面３６４により反射されて第一膜層３１と半導体基板３０とを通り抜け、電子素子層３３によって受信され、さらに光信号０１が第二電気信号Ｅ２に変換される。 （もっと読む）

【課題】高速、大容量通信を実現する光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トランシーバモジュール１は、光通信路１７が結合される複数の光コネクタ２ａ、２ｂと、バックプレーンへ結合される電気コネクタ３と、光コネクタ２ａ、２ｂで受信した光信号を電気コネクタ３へ送信する電気信号へ変換し、電気コネクタ３で受信した電気信号を光コネクタ２ａ、２ｂへ送信する光信号へ変換する受発光素子９、１０、１１、１２が搭載された回路基板６と、光コネクタ２ａ、２ｂと受発光素子９、１０、１１、１２とを光学的に結合する導波路を有する導波路アレイ７、８とを備える。 （もっと読む）

【課題】受光装置や発光装置との組み付けが容易な高分子光導波路を提供する。
【解決手段】クラッド用フィルム基材と、高分子材料からなるコアとを備え、前記コアは、前記クラッド用フィルム基材の片面に形成された導光部と、当該導光部の両端部に形成された反射ミラー面と、少なくともいずれか一方の前記反射ミラー面の外方であって前記クラッド用フィルム基材の凹部に形成された拡張部と、前記拡張部を挟んで前記反射ミラー面に対向する第１の光学素子部とからなり、前記導光部を伝搬した光が前記反射ミラー面で反射して前記第１の光学素子部を通過可能とされた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光導波路構造の全反射信号の伝送技術を利用し、より簡単な半導体製造工程により送信端モジュールまたは受信端モジュールを製造することができる。
【解決手段】本発明は、電気信号または光信号に対する変換および伝送に応用する、光導波路構造を有する信号伝送モジュールであって、半導体基板と、第１膜層と、電気信号伝送デバイスと、光電気信号変換デバイスと、第２膜層と、光導波路構造と、を含む信号伝送モジュールである。その中、光電気信号変換デバイスは、電気信号または光信号を対応光信号または対応電気信号に変換する。光導波路構造のリフレクタの位置は、光電気信号変換デバイスに対応する。また、対応光信号は、第１膜層と、半導体基板と、第２膜層とを通り抜け、光導波路構造に入って伝送され、または光信号は逆方向で伝送されて光電気信号変換デバイスにより受信され対応電気信号に変換される。 （もっと読む）

【課題】 光学特性の優れた光伝送基板および光モジュールを提供する。
【解決手段】 発光モジュール１０は、第１電気配線が形成されている基体と、基体の上に形成された、伝送方向Ｄ１，Ｄ２に沿って光を伝送する光導波路３２ａを有している光学層３０と、光学層３０を厚み方向に貫通して形成された、第１電気配線に接続されている第１貫通導体４２と、光学層３０の上に形成され且つ第１貫通導体４２に接続された、光電変換を行う光素子に接続される第２電気配線４３とを有しており、第２電気配線４３は、第１貫通導体４２に接続されている第１接続部４３ａと、光素子に接続される第２接続部４３ｂと、第１接続部４３ａおよび第２接続部４３ｂの間を接続している主配線４３ｃとを有しており、第１接続部４３ａおよび第２接続部４３ｂの幅に比べて主配線４３ｃの幅が狭くなっている。 （もっと読む）

【課題】斜め導波路を有する光素子を集積する場合に、素子端面の位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるようにする。
【解決手段】光集積素子の製造方法を、第１斜め導波路５を有する第１光素子１に、その端面位置を検知しうる複数の端面位置検知マーカ１１Ａ、及び、複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第１位置合わせマーカ１２Ａを形成し、第２斜め導波路８を有する第２光素子２に、第１斜め導波路の端面位置と第２斜め導波路の端面位置とが合った場合に複数の第１位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第２位置合わせマーカ１３Ａを形成し、端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第１位置合わせマーカとこれに対応する第２位置合わせマーカとを合わせて第１斜め導波路の端面と第２斜め導波路の端面とを位置合わせして、第２光素子上に第１光素子を実装するものとする。 （もっと読む）

【課題】不具合が発生することなく低コストで歩留りよく光路変換ミラーを備えた光導波路を形成できる光導波路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の上に、第１クラッド層４０、コア層４２及び第２クラッド層４４を順次形成して光導波路Ｌを得る工程と、光導波路Ｌの両端側に、光路変換傾斜面Ｓ１とそれに交差する側壁面Ｓ２とを備えて第２クラッド層４４及びコア層４２を分断する溝部５０をそれぞれ形成する工程と、溝部５０の内面に金属層６０を選択的に形成する工程と、光導波路Ｌの上に金属層６０を封止する保護絶縁層３４を形成する工程と、保護絶縁層３４及び光導波路Ｌを厚み方向に加工することによって、溝部５０の側壁面Ｓ２に形成された金属層６０を除去して凹部７０を形成することにより、光路変換傾斜面Ｓ１に金属層６０からなる光路変換ミラーＭを得る工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】接続パッドを備えた配線基板の上にコア層を十分なパターン精度で形成して光導波路を構成できる光電気複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に接続パッドＰを備えた配線基板１０上の接続パッドＰを除く領域に第１クラッド層４０を形成する工程と、第１クラッド層４０の上に帯状のコア層５０を形成する工程と、コア層５０を被覆する第２クラッド層６０を形成することにより、コア層５０が第１クラッド層４０及び第２クラッド層６０で囲まれた構造の光導波路Ｌを得る工程とを含む。第１クラッド層４０の厚みは接続パッドＰの厚みと同一に設定されて、接続パッドＰの段差が解消される。 （もっと読む）