【課題】回路基板の基板側端子と光素子の素子側基板とが確実に電気的に接続されている光素子搭載基板を提供すること。
【解決手段】光素子搭載基板１は、基板本体８と、基板本体８の上面に設けられ、第１の基板側端子７１ａ〜７１ｄと第２の基板側端子７２ａ〜７２ｄとを有する電気回路７とで構成された回路基板６と、回路基板６に搭載され、光を発光する光素子５であって、板片状をなし、その面に第１の基板側端子７１ａ〜７１ｄと電気的に接続される第１の素子側端子５２ａ〜５２ｄと、第２の基板側端子７２ａ〜７２ｄと電気的に接続される第２の素子側端子５３ａ〜５３ｄとを有する光素子５とを備えている。そして、回路基板６には、光素子５が搭載される際に第１の素子側端子５２ａ〜５２ｄと第１の基板側端子７１ａ〜７１ｄとの間と、第２の素子側端子５３ａ〜５３ｄと第２の基板側端子７２ａ〜７２ｄとの間の距離を規制する規制部９Ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】ミラー部と配線コアを相対的に高い位置精度で形成でき、工程を簡略化できる製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）基材１１上に第１クラッド層１２を形成する工程、（Ｂ）第１クラッド層１２上に該クラッド層１２よりも屈折率の高い材料からなるコア層１４を積層する工程、（Ｃ）フォトマスクを用いて該コア層１４を加工し、嵌合用バンプ１５、ミラー用バンプ１６、及び配線コアパターン１７を同時に形成する工程、（Ｄ）ミラー用バンプ１６に傾斜部を形成する工程、（Ｅ）前記嵌合用バンプ１６を基準に位置決めを行いながらミラー反射膜形成用マスク１９を用いて前記配線コアパターン１７を保護し、ミラー用バンプ１６に反射膜２０を選択的にコーティングしてミラー部２１を形成する工程、及び（Ｆ）前記ミラー部２１と前記配線コアパターン１７とを含む領域上に第２クラッド層２２を形成する工程を有する光配線プリント基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】光モジュールを簡単かつ精度よく製造できること。
【解決手段】光モジュールは、伝送した信号光を入出力する光導波路と、レンズシート１２０と、フレキシブル電気回路基板１０３と、フレキシブル電気回路基板１０３に搭載される受光素子あるいは発光素子からなる光素子とを備えている。レンズシート１２０は、透明な材料からなり、フレキシブル電気回路基板１０３の下面に貼り付けられる。このレンズシート１２０には、光素子の光が通過する部分にレンズ１２０ａが形成される。また、このレンズシート１２０には、光素子との位置決め用の指標としてのエッジ構造体１２０ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】光素子とＩＣ基板との間の電気的に接続する距離を短くすることで、高周波に対する損失を抑えることができる光モジュールを提供する。
【解決手段】基板１５と、内部導波路２１と、ミラー部２０と、光素子３３（３３ａ，３３ｂ）と、外部導波路２５とを備えた光モジュールである。光素子３３の発光面若しくは受光面が基板１５の表面と所定の隙間を隔てるように、裏面で保持する保持部材３０を設けている。保持部材３０の表面で、かつ光素子３３の近傍にＩＣ基板３４ａを実装する。保持部材３０の光素子３３の貫通穴配線３０ｂとＩＣ基板３４ａとを電気的に接続するメタル回路３５ａを設けている。 （もっと読む）

【課題】フィルム光導波路の両面に光デバイスを実装でき、しかもフィルム光導波路の強度を下げることがないフィルム光導波路とその製造方法を提供する。
【解決手段】第一のクラッドフィルム１Ａと第二のクラッドフィルム１Ｂとが対向配置されて、光導波路コア４が狭持されている。第一のクラッドフィルム１Ａを貫通し光導波路コア４の一端部に接続する入光部１２と、第二のクラッドフィルム１Ｂを貫通し光導波路コア４の他端部に接続する出光部１５と、前記一端部側に入光部１２からの光を光導波路コア４に導く第一のミラー面３Ａと、前記他端部側に光導波路コア４を伝播した光を出光部１５に導く第二のミラー面３Ｂと、を有している。 （もっと読む）

【課題】光導波路構造の全反射信号伝送技術を利用する、簡単な半導体製造工程により製造でき、簡単に取り付けられ、部品の配置精度を有効に制御できる電気−光カプラモジュールを提供する。
【解決手段】半導体基板と、細長いトレンチ構造と、リフレクタと、薄膜と、光−電気信号変換デバイスと、光導波路構造と、を含む電気−光カプラモジュールである。細長いトレンチ構造は、半導体基板中に形成され、かつリフレクタは、細長いトレンチ構造の一端に形成される。光導波路構造及び薄膜は、細長いトレンチ構造の表面上に形成され、かつ光−電気信号変換デバイスは、細長いトレンチ構造のリフレクタに対応するように半導体基板上に配置される。電気信号を光信号に変換した後、光導波路構造に送信し、リフレクタにより反射された後、光導波路構造に沿って伝送し、又は逆に光導波路構造から送ってきた光信号を受信して電気信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】クラッドに侵入した外光、あるいはコアから漏れた光が、クラッド内を伝播し、受光素子に入射することを防止する。
【解決手段】光導波路１０はクラッド１１の凹みに光吸収部１２を設ける。光吸収部１２はクラッド１１内の不要光の伝播を防ぐ。光吸収部１２は全波長の光（赤外光、可視光、および紫外光）を吸収する。光吸収部１２は受光素子１３に隣接して設置される。光吸収部１２の在るところでは、コア１４は薄いクラッド１１により囲まれ、コア１４とコア１４を囲む薄いクラッド１１が光吸収部１２に囲まれる。 （もっと読む）

【課題】光導波路ユニットのコアと基板ユニットの光学素子との光結合損失のばらつきが減少する光センサモジュールを提供する。
【解決手段】基板ユニット嵌合用の縦溝部６０を有する光導波路ユニットＷ₂ と、その縦溝部６０に嵌合する嵌合板部５ａおよび突設部Ｐを有する基板ユニットＥ₂ とを、個別に作製し、光導波路ユニットＷ₂ の縦溝部６０に基板ユニットＥ₂ の嵌合板部５ａを突設部ごと嵌合する。このとき、突設部Ｐが変形することで、部品公差を吸収し、基板ユニットＥ₂ は、ぐらついたり撓んだりしない。また、光導波路ユニットＷ₂ の縦溝部６０は、コア２の光透過面２ａに対して適正位置に形成され、基板ユニットＥ₂ の嵌合板部５ａは、光学素子８に対して適正位置に形成されているため、縦溝部６０と嵌合板部５ａとの嵌合により、コア２の光透過面２ａと光学素子８とは、適正に位置決めされ、自動的に調芯された状態になる。 （もっと読む）

【課題】自己形成光導波路である光合分波器を有した光通信デバイスの量産性を向上させること。
【解決手段】光通信デバイスは、光ファイバーコネクタ１と、光ファイバーコネクタ１が挿入されたキャップハウジング２と、によって構成されている。光ファイバーコネクタ１は、コネクタハウジング１０と、コネクタハウジング１０内部に納められた光ファイバー１１の先端部、および光合分波器１２とを有している。光合分波器１２は、光導波路コア１３、光導波路クラッド１５を有し、これらは光硬化性樹脂の硬化物であり、自己形成光導波路技術により形成される。キャップハウジング２は、光ファイバーコネクタ１が離脱可能に挿入される凹部２２を有している。また、キャップハウジング２の内部には、受発光素子２０、２１とが納められていて、光合分波器１２と光学的に接続される。 （もっと読む）

【課題】薄形化を可能とするタッチパネル用光導波路モジュールおよびその製法を提供する。
【解決手段】タッチパネルのディスプレイの画面周縁部に沿って設置される光導波路ユニットＷ₁ と、この光導波路ユニットＷ₁ の外縁部に、その光導波路ユニットＷ₁ と直交した状態で結合された基板ユニットＥ₁ とからなり、基板ユニットＥ₁ の基板５が、光導波路ユニットＷ₁ 側に折り曲げられた状態で、その折り曲げ部分の先端が、電気配線８との接続部分となっており、オーバークラッド層４の表面に、ディスプレイの画面周縁部に沿う方向に長溝部４ａが形成されており、その長溝部４ａ内に、上記電気配線８が収納されている。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブル光電配線モジュールの低コスト化と高信頼化を実現する。
【解決手段】 電気配線１１を有する可撓性のフレキシブル電気配線板１０と、フレキシブル電気配線板１０上の一部に搭載され、フレキシブル電気配線板１０よりも低い可撓性を備えた複数の補強板３０と、フレキシブル電気配線板１０上の一部に搭載され、光配線路２１を有する可撓性のフレキシブル光配線板２０とを具備し、フレキシブル電気配線板１０は補強板３０の搭載により可撓性を低下させた固定部Ａと、固定部Ａ以外の可動部Ｂを有し、フレキシブル光配線板２０は固定部Ａに搭載されている。 （もっと読む）

【課題】実装基板上の半導体装置の間の電気信号通信を光通信化する場合において、開発コストが上昇することを抑制する。
【解決手段】実装基板上少なくとも１組以上、半導体装置毎に電気信号を光信号に変換する光通信装置の入出力装置を実装半導体装置の近傍（ＣＨＩＰ-ＣＨＩＰ間最短距離２ｍｍ以下で結線）である直下実装基板上に形成する。その実装基板上に実装する各々の半導体装置は少なくとも入出力を電気信号で行い、実装基板内に形成された各光通信装置間は光導波路を通して光信号にて結線される。これにより、実装される半導体装置側に光通信関係の回路を組み込む為の設計や製造プロセスの開発は不要となり、光通信半導体装置としての実装基板側の開発で光半導体装置を実現する。また、実装基板上光通信装置内光受信回路を半導体装置内に取り込むため光通信装置側の構造簡略化により、更なるコスト削減を実現する。 （もっと読む）

【課題】
光素子の駆動回路または増幅回路ＬＳＩと光素子との電気配線を薄膜配線層により短距
離で接続することで、チャネル当たりの伝送速度を高くしかつ消費電力の増大を防ぐ。また、伝送装置への接続方式がコネクタ等簡便であり、ＬＳＩの実装も従来技術によるものであるため、組立が容易でかつ高信頼が実現できる。すなわち、本発明によれば、性能、量産性ともに優れた光電気複合配線モジュールを提供する。
【解決手段】
光素子２ａ、２ｂを、回路基板１に形成された光導波路１１と光結合できるように、回路基板上１に配置し、光素子の上層に電気配線層３を光素子の電極と電気配線層３の配線が電気的に接続されるように積層し、光素子が応力や水分から保護されるよう光素子周辺部を樹脂で封止し、電気配線層３上にＬＳＩを実装して電気的に接続した構造とすることを特徴とする光電気複合配線モジュール。 （もっと読む）

【課題】導波路を伝搬した後に出射端面で反射されてこの反射光の光パワーが該導波路に結合することを低減できる半導体光素子を提供する。
【解決手段】第１の埋め込み層１５は、半導体ストライプメサ１３の第１の部分１３ａの第１のコア層２７ｂにおける一方の側面２８ａを覆い、一端面２３から延在する。第１の埋め込み領域１７は、第１の部分１３ａの第１のコア層２７ｂにおける一方の側面２８ａ上に設けられ、一端面２３から延在する。第２の埋め込み領域１９は、第１の部分１３ａの第１のコア層２７ｂにおける他方の側面２８ｂを覆い、一端面２３から延在する。第１の埋め込み層１５は第１のコア層２７ｂと第１の埋め込み領域１７との間に設けられる。第１の埋め込み層１５の屈折率は第１の埋め込み領域１７の屈折率より大きく、第２の埋め込み領域１９の屈折率より大きい。第１のコア層２７ｂにおける側面２８ａ、２８ｂを埋め込む埋込構造は半導体ストライプメサ１３に関して非対称である。 （もっと読む）

【課題】光学設計を簡素化し、光損失を抑えることができる光導波路型センサチップを得ること。
【解決手段】光導波路層と、前記光導波路層へ光を入射させ、前記光導波路層外に前記光を出射させるよう、前記光導波路層の界面のうち一方の面の両端に配置された１対の光学素子と、前記光導波路層上の所定の領域に形成された機能膜と、前記光導波路層の前記光の入射面上の、少なくとも前記光学素子が配置された平面領域を含む平面領域に形成された被覆層と、入射側の前記光学素子に入射する前記光を通過させるように、前記被覆層に形成された第１の貫通孔と、出射側の前記光学素子から出射する前記光を通過させるように、前記被覆層に形成された第２の貫通孔と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で面発光レーザ素子のレーザ発振波長を高精度に制御することができる加熱機構を用いた面発光レーザ素子および面発光レーザアレイ素子を提供すること。
【解決手段】２つの多層膜反射鏡からなる光共振器と、前記光共振器内に配置された活性層と、前記活性層の近傍に設けられた高抵抗加熱部と、前記高抵抗加熱部に接続し、該高抵抗加熱部に電流を伝えるための該高抵抗加熱部よりも電気抵抗が低い低抵抗部とを有し、当該面発光レーザ素子のレーザ発振波長を調整するための加熱機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】光モジュールを簡単に製造すること。
【解決手段】受光モジュール１００は、伝送した信号光を出射する光導波路１０１と、透明な回路基板１０２と、回路基板１０２に接続された受光素子１０３と、を備えている。回路基板１０２は、信号光を透過させる透過部１０２ａを隣接して囲み、透過部１０２ａよりも屈折率が低い低屈折率部１０２ｂを有する。低屈折率部１０２ｂは、回路基板１０２を除去されることにより形成されている。透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂは、透過部１０２ａと低屈折率部１０２ｂとの界面１０２ｃにて信号光を反射させるよう形成されている。受光素子１０３は、回路基板１０２を透過した信号光を受光する受光部１０３ａを回路基板１０２側に備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板上に光素子や信号配線を高密度に実装する際、送受信間における光および電気の干渉によるクロストークノイズの影響を低減した光インターコネクションモジュールおよび、それを用いた光電気混載回路ボードの提供。
【解決手段】 一部が段になっている基板10と、段差上部に設置された発光素子アレイ11と、段差下部に設置された受光素子アレイ12と、発光素子アレイと接続された駆動回路13と、受光素子アレイと接続された信号増幅回路14と、基板面に沿って配線されたコア16を複数有する光導波路と、発光素子アレイから出射する光を光路変換しコア16へ入射させ、コア16から出射した光を受光素子アレイへ入射させる光路変換部とを備えた光インターコネクションモジュールとする。 （もっと読む）

【課題】オーバークラッド層の形成に、型取り性と透光性とを兼ね備えるとともに寸法ずれが生じない成形型を用いる光導波路の製法を提供する。
【解決手段】オーバークラッド層形成用の成形型Ｍを、透光性樹脂２０Ａと透光性支持板Ｇとを形成材料とし、オーバークラッド層の形状と同一形状の型部材４０を用いて型成形することにより、一体的に作製する。この成形型Ｍの作製において、上記型部材４０の脱離跡が、オーバークラッド層形成用の凹部２１に形成される。そして、オーバークラッド層を形成する際には、上記成形型Ｍの凹部２１内に、オーバークラッド層形成用の感光性樹脂を充填し、その感光性樹脂内に、アンダークラッド層の表面にパターン形成されたコアを浸した状態で、上記成形型Ｍを透して上記感光性樹脂を露光し硬化させる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）