光センサモジュール
【課題】光導波路ユニットのコアと基板ユニットの光学素子との光結合損失のばらつきが減少する光センサモジュールを提供する。
【解決手段】基板ユニット嵌合用の縦溝部60を有する光導波路ユニットW2 と、その縦溝部60に嵌合する嵌合板部5aおよび突設部Pを有する基板ユニットE2 とを、個別に作製し、光導波路ユニットW2 の縦溝部60に基板ユニットE2 の嵌合板部5aを突設部ごと嵌合する。このとき、突設部Pが変形することで、部品公差を吸収し、基板ユニットE2 は、ぐらついたり撓んだりしない。また、光導波路ユニットW2 の縦溝部60は、コア2の光透過面2aに対して適正位置に形成され、基板ユニットE2 の嵌合板部5aは、光学素子8に対して適正位置に形成されているため、縦溝部60と嵌合板部5aとの嵌合により、コア2の光透過面2aと光学素子8とは、適正に位置決めされ、自動的に調芯された状態になる。
【解決手段】基板ユニット嵌合用の縦溝部60を有する光導波路ユニットW2 と、その縦溝部60に嵌合する嵌合板部5aおよび突設部Pを有する基板ユニットE2 とを、個別に作製し、光導波路ユニットW2 の縦溝部60に基板ユニットE2 の嵌合板部5aを突設部ごと嵌合する。このとき、突設部Pが変形することで、部品公差を吸収し、基板ユニットE2 は、ぐらついたり撓んだりしない。また、光導波路ユニットW2 の縦溝部60は、コア2の光透過面2aに対して適正位置に形成され、基板ユニットE2 の嵌合板部5aは、光学素子8に対して適正位置に形成されているため、縦溝部60と嵌合板部5aとの嵌合により、コア2の光透過面2aと光学素子8とは、適正に位置決めされ、自動的に調芯された状態になる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された基板ユニットとを備えた光センサモジュールに関するものである。
【背景技術】
【0002】
光センサモジュールは、図13(a),(b)に示すように、アンダークラッド層71,コア72およびオーバークラッド層73をこの順に形成した光導波路ユニットW0 と、基板81に光学素子82が実装された基板ユニットE0 とを、個別に作製し、上記光導波路ユニットW0 のコア72と基板ユニットE0 の光学素子82とを調芯した状態で、上記光導波路ユニットW0 の端部に上記基板ユニットE0 を接着剤等により接着して製造される。なお、図13(a),(b)において、符号75は基台、符号85は封止樹脂である。
【0003】
ここで、上記光導波路ユニットW0 のコア72と基板ユニットE0 の光学素子82との上記調芯は、通常、自動調芯機を用いて行われる(例えば、特許文献1参照)。この自動調芯機では、光導波路ユニットW0 を固定ステージ(図示せず)に固定し、基板ユニットE0 を移動可能なステージ(図示せず)に固定した状態で行われる。すなわち、上記光学素子82が発光素子である場合、図13(a)に示すように、その発光素子から光H1 を発光させた状態で、コア72の一端面(光入口)72aに対して、基板ユニットE0 の位置を変化させつつ、コア72の他端面(光出口)72bからオーバークラッド層73の先端部のレンズ部73bを経て出射した光の光量(自動調芯機に備えられている受光素子91が発生する起電圧)をモニタリングし、その光量が最大となった位置を、調芯位置(コア72と光学素子82とが相互に適正になる位置)として決定する。また、上記光学素子82が受光素子である場合、図13(b)に示すように、コア72の他端面72bから一定量の光(自動調芯機に備えられている発光素子92から発光され、オーバークラッド層73の先端部のレンズ部73bを透過した光)H2 を入光させ、その光H2 をコア72の一端面72aからオーバークラッド層73の後端部73aを経て出射させた状態で、コア72の一端面72aに対して、基板ユニットE0 の位置を変化させつつ、その受光素子で受光する光量(起電圧)をモニタリングし、その光量が最大となった位置を、調芯位置として決定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開平5−196831号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上記自動調芯機を用いた調芯では、高精度な調芯が可能であるものの、手間と時間とを要し、量産には適さない。
【0006】
そこで、本出願人は、上記のような機器と手間をかけることなく調芯できる光センサモジュールを提案し既に出願している(特願2009−180723)。この光センサモジュールは、その平面図を図14(a)に、その右端部を右斜め上から見た斜視図を図14(b)に示すように、光導波路ユニットW1 において、アンダークラッド層41の、コア42の存在しない両側部分〔図14(a)の右端部の上下部分〕をコアの軸方向に沿って〔図14(a)の右方向に〕延長するとともに、それに対応するオーバークラッド層43の両側部分も延長している。そして、その延長部分44に、光導波路ユニットW1 の厚み方向に延びる、基板ユニット嵌合用の、一対の縦溝部(嵌合部)44aが、コア42の光透過面(一端面)42aに対して適正な位置に、形成されている。一方、基板ユニットE1 の左右両側部(幅方向の両側部)は、上記縦溝部44aに嵌合する嵌合板部(被嵌合部)51aに形成されている。
【0007】
そして、上記光センサモジュールでは、上記光導波路ユニットW1 に形成されている上記縦溝部44aに、上記基板ユニットE1 に形成されている上記嵌合板部51aが嵌合された状態で、光導波路ユニットW1 と上記基板ユニットE1 とが結合されている。ここで、上記縦溝部44aは、上記コア42の光透過面42aに対して適正な位置になるよう設計されており、上記嵌合板部51aは、上記光学素子54に対して適正な位置になるよう設計されていることから、上記縦溝部44aと上記嵌合板部51aとの嵌合により、上記コア42と上記光学素子54とが自動的に調芯される。なお、図14(a),(b)において、符号45は基台、符号45aは基台45に形成された、基板ユニットE1 を貫通させる貫通孔、符号51は上記嵌合板部51aが形成された整形基板、符号55は封止樹脂である。
【0008】
このように、本出願人が先に出願した上記光センサモジュールでは、光導波路ユニットW1 のコア42と、基板ユニットE1 の光学素子54とを、調芯作業することなく、自動的に調芯した状態にすることができる。そして、時間を要する調芯作業が不要となるため、光センサモジュールの量産が可能となり、生産性に優れる。
【0009】
しかしながら、上記光センサモジュールでは、場合によって、コア42と光学素子54との光結合損失のばらつきが大きくなることがわかった。そこで、その原因を本発明者が究明した結果、生産工程において、光導波路ユニットW1 の一対の縦溝部44aの間隔(対向する縦溝部44aの底面44bの間の距離)Ls(図15(a)参照)に多少のばらつきがあるとともに、基板ユニットE1 の全幅(両側の嵌合板部51aの側端縁51bの間の距離)Lc(図15(b)参照)にも多少のばらつきがあることがわかった。すなわち、設計では、Ls=Lcであるが、実際の生産では、部品公差により、場合によって、Ls>Lcであったり、Ls<Lcであったりする。Ls>Lcの場合は、図15(c)に示すように、基板ユニットE1 がぐらついて(図示の矢印F参照)正確な調芯ができず、光結合損失のばらつきが大きくなる。Ls<Lcの場合は、図15(d)に示すように、基板ユニットE1 が外側に(コア42の光透過面42aから光学素子54が遠ざかる方向に)撓んで光結合損失が大きくなったり、逆に、基板ユニットE1 が内側に(コア42の光透過面42aに光学素子54が近づく方向に)撓んで(図示せず)光結合損失が小さくなったりして〔殆ど図15(d)に示すように外側に撓む〕、光結合損失のばらつきが大きくなる。このように、上記光導波路ユニットW1 に基板ユニットE1 を嵌合させる光センサモジュールは、上記光結合損失のばらつきが場合によって大きくなる点で、改善の余地がある。
【0010】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、光導波路ユニットのコアと基板ユニットの光学素子との光結合損失のばらつきが減少する光センサモジュールの提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
上記の目的を達成するため、本発明の光センサモジュールは、光導波路ユニットと、光学素子が実装された基板ユニットとを結合させてなる光センサモジュールであって、上記光導波路ユニットが、アンダークラッド層と,このアンダークラッド層の表面に形成された光路用の線状のコアと,このコアを被覆するオーバークラッド層と,上記コアの光透過面に対して適正位置となる上記オーバークラッドの部分に形成された基板ユニット嵌合用の左右一対の嵌合部とを備え、上記基板ユニットが、基板と,この基板上の所定部分に実装された光学素子と,この光学素子に対して適正位置となる上記基板の部分に形成された,上記基板ユニット嵌合用の嵌合部に嵌合する一対の被嵌合部と,これら一対の被嵌合部の少なくとも一方に側方に突設された,上記基板より剛性の低い突設部とを備え、上記光導波路ユニットと上記基板ユニットとの結合が、上記光導波路ユニットに形成された上記嵌合部に、上記基板ユニットに形成された上記被嵌合部を上記突設部ごと嵌合させ、上記突設部が上記嵌合部との当接により変形した状態で、かつ、上記基板ユニットが撓んでいない状態でなされているという構成をとる。
【0012】
本発明者は、光センサモジュールにおいて、光導波路ユニットのコアと基板ユニットの光学素子との光結合損失のばらつきを減少させるとともに、その光結合損失を小さくすることを目的として、その光センサモジュールの構造について、研究を重ねた。その過程で、本出願人が先に出願した、図14(a),(b)に示す、光導波路ユニットに形成された嵌合部に、基板ユニットに形成された被嵌合部を嵌合させてなる光センサモジュールに、改良を加えることに着想した。すなわち、基板ユニットの一対の被嵌合部の少なくとも一方に、基板よりも剛性の低い突設部を、側方に突設させ、上記嵌合状態では、上記突設部を上記嵌合部との当接により変形させ、その変形により部品公差を吸収するようにした。その結果、基板ユニットがぐらついたり、撓んだりすることがなくなり、そのため、上記基板ユニットの上記光導波路ユニットへの結合が安定し、上記光結合損失のばらつきが減少することを、本発明者は見出し、本発明に到達した。
【発明の効果】
【0013】
本発明の光センサモジュールは、光導波路ユニットにおいて、コアの光透過面と基板ユニット嵌合用の嵌合部とが適正な位置関係になっている。また、基板ユニットにおいて、光学素子と上記嵌合部に嵌合する被嵌合部とが適正な位置関係になっている。そのため、上記光導波路ユニットに形成された上記嵌合部に、上記基板ユニットに形成された上記被嵌合部を嵌合させた状態、すなわち、上記光導波路ユニットと上記基板ユニットとが結合した状態では、自動的に調芯された状態になっている。さらに、その状態では、上記基板ユニットの上記突設部が上記嵌合部との当接により変形し、その変形により部品公差を吸収しているため、上記基板ユニットがぐらついたり、撓んだりすることがない。すなわち、光導波路ユニットのコアと基板ユニットの光学素子との光結合損失のばらつきを減少させることができる。
【0014】
特に、上記光導波路ユニットに形成されている上記左右一対の嵌合部が、上記光導波路ユニットの厚み方向に延びる縦溝部であって、上記縦溝部の底面の幅が、上記被嵌合部の厚みの2倍の値以下に設定され、上記基板ユニットに形成されている上記突設部が、上記縦溝部の底面に位置決めされている場合には、上記基板ユニットの嵌合が、より安定的となり、基板ユニットのぐらつきや撓みをより確実に防止することができる。
【0015】
また、上記基板ユニットの上記突設部が、銅製である場合には、その突設部が変形し易く、上記縦溝部への嵌合が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】(a)は、本発明の光センサモジュールの一実施の形態を模式的に示す平面図であり、(b)は、(a)の右端部を右斜め上方から見た斜視図である。
【図2】(a)は、上記光センサモジュールの光導波路ユニットを模式的に示す平面図であり、(b)は、(a)の右端部を右斜め上方から見た斜視図である。
【図3】(a)は、上記光センサモジュールの基板ユニットを模式的に示す平面図であり、(b)は、(a)の左側を左斜め上方から見た斜視図である。
【図4】上記基板ユニットの、上記光導波路ユニットへの嵌合方法を模式的に示す側面図である。
【図5】(a)〜(c)は、上記光導波路ユニットのアンダークラッド層およびコアの形成工程を模式的に示す説明図である。
【図6】(a)は、上記光導波路ユニットのオーバークラッド層の形成に用いられる成形型を模式的に示す斜視図であり、(b)〜(d)は、そのオーバークラッド層の形成工程を模式的に示す説明図である。
【図7】(a)〜(c)は、上記基板ユニットの作製工程を模式的に示す説明図である。
【図8】(a),(b)は、図7に続く、基板ユニットの作製工程を模式的に示す説明図である。
【図9】(a),(b)は、上記光導波路ユニットの縦溝部の変形例を模式的に示す平面図である。
【図10】上記基板ユニットの変形例を模式的に示す平面図である。
【図11】(a),(b)は、上記基板ユニットの他の変形例を模式的に示す平面図である。
【図12】上記光センサモジュールを用いたタッチパネル用検知手段を模式的に示す平面図である。
【図13】(a),(b)は、従来の光センサモジュールにおける調芯方法を模式的に示す説明図である。
【図14】(a)は、本出願人が先に出願した光センサモジュールを模式的に示す平面図であり、(b)は、(a)の右端部を右斜め上方から見た斜視図である。
【図15】(a)〜(d)は、本出願人が先に出願した上記光センサモジュールの課題を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。
【0018】
図1(a)は、本発明の光センサモジュールの一実施の形態を模式的に示す平面図であり、図1(b)は、その右端部を右斜め上方から見た斜視図である。この光センサモジュールは、図14(a),(b)に示す、本出願人が先に出願した光センサモジュールの基板ユニットE1 を以下のように改良したものとなっている。すなわち、基板ユニットE2 の整形基板5の左右両側部(整形基板5の幅方向両側部)の嵌合板部(被嵌合部)5aに、側方に突出する板状の突設部Pがそれぞれ形成されている。これら突設部Pは、整形基板5より剛性が低く、変形し易くなっている。また、このように整形基板5の左右両側部に突設部Pを設けてなる基板ユニットE2 の全幅Lc〔図3(a)参照〕は、部品公差を考慮して、対向する縦溝部60の底面61の間の距離Ls〔図2(a)参照〕よりも、少し大きくなる(Ls<Lc)よう設定されている。なお、上記基板ユニットE2 の整形基板5の全幅Lm〔図3(a)参照〕は、上記距離Lsよりも、少し小さくなる(Lm<Ls)よう設定されている。
【0019】
そして、上記基板ユニットE2 が上記光導波路ユニットW2 に嵌合された状態では、上記基板ユニットE2 の突設部Pが、図1(a)に示すように、上記縦溝部60の底面61に当接しているとともに、その当接により先端側が曲がり変形しており、その変形部の、上記縦溝部60の底面61との摩擦抵抗により、上記基板ユニットE2 は、適正に嵌合しており、ぐらついても、撓んでもいない。すなわち、上記突設部Pの変形により、部品公差を吸収している。上記突設部Pの変形は、その突設部Pの形成材料や厚み等に依存し、弾性変形でも塑性変形でもよいが、弾性変形の方が振動を吸収することができ、しかも、上記縦溝部60の底面61との摩擦力が大きくなるため、基板ユニットE2 の抜け止め防止作用がより向上する。このように、光センサモジュールにおいて、基板ユニットE2 に上記突設部Pを幅方向に突設し、その突設部Pの変形により部品公差を吸収して調芯された状態にすることが、本発明の大きな特徴である。
【0020】
上記実施の形態について、より詳しく説明すると、上記光導波路ユニットW2 は、図14(a),(b)に示す、本出願人が先に出願した光センサモジュールの光導波路ユニットW1 と同様である。すなわち、上記光導波路ユニットW2 は、図2(a),(b)に示すように、基台10の表面に、接着剤により接着されており、上記基台10の表面に接着されたアンダークラッド層1と、このアンダークラッド層1の表面に所定パターンの線状に形成された光路用のコア2と、このコア2を被覆した状態で上記アンダークラッド層1の表面に形成されたオーバークラッド層3とを備えている。光導波路ユニットW2 の一端部側〔図2(a)では右側〕では、アンダークラッド層1およびオーバークラッド層3のコア2の存在しない積層部分〔図2(a)では上下の部分〕が軸方向に延長されている。そして、その延長部分4に、上記一対の縦溝部60が、その延長部分4を厚み方向に貫通した状態で、形成されている。この縦溝部60は、横断面略U字状(底面61が平面に形成され、その底面61と両側の壁面とが直角に形成された略U字状)であり、コア2の光透過面2aに対して適正位置になるよう設計され形成されている。
【0021】
この実施の形態が、本出願人が先に出願した光センサモジュールと異なる点は、基板ユニットE2 の構成である。この基板ユニットE2 は、上記のように、一対の嵌合板部5aの側部に突設部Pを突設し、基板ユニットE2 の全幅Lc〔図3(a)参照〕を、上記光導波路ユニットW2 の、対向する上記縦溝部60の底面61の間の距離Ls〔図2(a)参照〕よりも、少し大きくなる(Ls<Lc)よう設定し、整形基板5の全幅Lm〔図3(a)参照〕を上記距離Ls〔図2(a)参照〕よりも、少し小さくなる(Lm<Ls)よう設定している。上記突設部Pの、上記嵌合板部5aの側端縁からの突出量(はみ出し長さ)は、例えば、0.005〜0.1mmの範囲内に設定され、その突設部Pの厚みは、例えば、0.005〜0.02mmの範囲内に設定される。それ以外は、図14(a),(b)に示す、本出願人が先に出願した光センサモジュールの基板ユニットE1 と同様である。
【0022】
その同様の部分について説明すると、上記基板ユニットE2 は、図3(a),(b)に示すように、整形基板5と、この整形基板5の表面に、絶縁層(図示せず)および光学素子実装用パッド(図示せず)を介して実装された光学素子8と、この光学素子8を封止する封止樹脂9とを備えている。上記整形基板5には、上記縦溝部60〔図2(a),(b)参照〕に嵌合するための嵌合板部5aが整形基板5の幅方向〔図3(b)の左右方向〕に突出した状態で形成されている。上記絶縁層は、上記整形基板5の表面の所定部分に形成されている。上記光学素子実装用パッドは、上記絶縁層の表面中央部に形成されている。上記光学素子8は、光学素子実装用パッドに実装されている。上記整形基板5の嵌合板部5aは、エッチングにより形成され、上記光学素子実装用パッドに対して、適正に位置決めされ整形されている。そのため、上記嵌合板部5aは、上記光学素子実装用パッドに実装された光学素子8に対して、適正位置に形成されている。また、上記光学素子8の発光部または受光部は、その光学素子8の表面に形成されている。なお、上記絶縁層の表面には、光学素子実装用パッドに接続する電気回路(図示せず)が形成されている。
【0023】
そして、上記光センサモジュールは、図1(a),(b)に示すように、上記光導波路ユニットW2 に形成された上記一対の縦溝部60に、上記基板ユニットE2 に形成された上記嵌合板部5aがそれぞれ上記突設部Pごと嵌合されている状態で、光導波路ユニットW2 と基板ユニットE2 とが結合され一体化されている。上記嵌合は(図4参照)、まず、基板ユニットE2 を少し斜めに倒し、一方の縦溝部60に、一方の嵌合板部5aを突設部Pごと少し嵌合し、その後、斜めに倒した上記基板ユニットE2 を元に戻し、他方の縦溝部60に、他方の嵌合板部5aを突設部Pごと少し嵌合し、その状態で全体を押し込んで完全な嵌合状態にすることにより行われる。この嵌合状態では、先に述べたように、上記基板ユニットE2 の突設部Pが、上記縦溝部60の底面61との当接により変形して部品公差を吸収している。そして、上記変形した突設部Pは、上記縦溝部60の底面61に当接した状態を維持しており、上記基板ユニットE2 は、ぐらついても、撓んでもいない。
【0024】
ここで、光導波路ユニットW2 に形成された上記縦溝部60は、コア2の光透過面2aに対して適正位置になるよう設計され形成されている。また、基板ユニットE2 に形成された嵌合板部5aは、光学素子8に対して適正位置になるよう設計され形成されている。このため、上記縦溝部60と嵌合板部5aとの嵌合により、コア2の光透過面2aと光学素子8とは、自動的に適正に位置決めされ、調芯された状態になっている。すなわち、上記嵌合状態では、上記縦溝部60の底面61に上記突設部Pが変形した状態で位置決めされていることにより、上記光学素子8は、上記基台10に対して、図1(b)における左右方向(X軸方向)が適正に位置決めされている。また、上記嵌合状態では、幅方向に突出した上記嵌合板部5aの下端縁が基台10の表面に当接しており、それにより、上記光学素子8は、基台10の表面に直角な方向(Y軸方向)が適正に位置決めされている。
【0025】
この場合、一方の突設部Pと他方の突設部Pとの変形幅が略等しくなるよう設計されており、左右の突設部Pの変形幅の違いによる誤差は生じない。このような左右の突設部Pの変形幅の差をなくすために、例えば、両突設部Pの略同じところに、変形させるためのガイドとなる筋目(鎖線状の切込み、ハーフカット等)を入れ、そこから変形させるようにしてもよい。また、突設部Pの突出量を小さくすることにより、変形可能領域を小さくし、変形幅の差をなくすようにしてもよい。このように突出寸法を小さくする場合の突設部Pの突出量は、0.005〜0.02mmの範囲内に設定することが好ましい。
【0026】
なお、この実施の形態では、図1(a),(b)に示すように、上記基板ユニットE2 に対応する基台10の部分に、四角形の貫通孔10aが形成され、基板ユニットE2 の一部分が、上記基台10の裏面から突出している。その基板ユニットE2 の突出部分は、基台10の裏面側において、例えば、光学素子に信号の送信等するためのマザーボード(図示せず)等に接続される。
【0027】
上記光センサモジュールは、下記の(1)〜(3)の工程を経て製造される。
(1)上記光導波路ユニットW2 を作製する工程〔図5(a)〜(c),図6(a)〜(d)参照〕。なお、この工程を説明する図5(a)〜(c),図6(a)〜(d)は、図1(a)の縦断面図に相当する図面である。
(2)上記基板ユニットE2 を作製する工程〔図7(a)〜(c),図8(a)〜(b)参照〕。
(3)上記基板ユニットE2 を上記光導波路ユニットW2 に結合する工程。
【0028】
上記(1)の光導波路ユニットW2 の作製工程について説明する。まず、アンダークラッド層1を形成する際に用いる平板状の基板20〔図5(a)参照〕を準備する。この基板20の形成材料としては、例えば、ガラス,石英,シリコン,樹脂,金属等があげられる。なかでも、ステンレス製基板が好ましい。ステンレス製基板は、熱に対する伸縮耐性に優れ、上記光導波路装置の製造過程において、様々な寸法が設計値に略維持されるからである。また、基板20の厚みは、例えば、20μm〜1mmの範囲内に設定される。
【0029】
ついで、図5(a)に示すように、上記基板20の表面の所定領域に、アンダークラッド層形成用の感光性エポキシ樹脂等の感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布した後、必要に応じて、それを加熱処理(50〜120℃×10〜30分間程度)して乾燥させ、アンダークラッド層1形成用の感光性樹脂層1Aを形成する。そして、その感光性樹脂層1Aを、紫外線等の照射線により露光することにより、アンダークラッド層1に形成する。アンダークラッド層1の厚みは、通常、1〜50μmの範囲内に設定される。
【0030】
つぎに、図5(b)に示すように、上記アンダークラッド層1の表面に、上記アンダークラッド層形成用の感光性樹脂層1Aの形成方法と同様にして、コア形成用の感光性樹脂層2Aを形成する。そして、コア2のパターンに対応する開口パターンが形成されているフォトマスクを介して、上記感光性樹脂層2Aを照射線により露光する。つぎに、加熱処理を行った後、現像液を用いて現像を行うことにより、図5(c)に示すように、上記感光性樹脂層2Aにおける未露光部分を溶解させて除去し、残存した感光性樹脂層2Aをコア2のパターンに形成する。コア2の厚み(高さ)は、通常、5〜60μmの範囲内に設定される。コア2の幅は、通常、5〜60μmの範囲内に設定される。
【0031】
なお、上記コア2の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層1と同様の感光性樹脂があげられ、上記アンダークラッド層1およびオーバークラッド層3〔図6(c)参照〕の形成材料よりも屈折率が大きい材料が用いられる。この屈折率の調整は、例えば、上記アンダークラッド層1,コア2,オーバークラッド層3の各形成材料の種類の選択や組成比率を調整して行うことができる。
【0032】
つぎに、成形型30〔図6(a)参照〕を準備する。この成形型30は、オーバークラッド層3〔図6(c)参照〕と、基板ユニット嵌合用の縦溝部60〔図6(c)参照〕を有するオーバークラッド層3の延長部分4とを同時に型成形するためのものである。この成形型30の下面には、図6(a)に、下から見上げた斜視図を示すように、上記オーバークラッド層3の形状に対応する型面を有する凹部31が形成されている。この凹部31は、上記延長部分4を形成するための部分31aと、レンズ部3b〔図6(c)参照〕を形成するための部分31bとを有している。そして、上記延長部分形成用の部分31aには、上記基板ユニット嵌合用の縦溝部60のうちのオーバークラッド層3に対応する部分を成形するための突条32が形成されている。また、上記成形型30の上面には、その使用の際にコア2の光透過面2a〔図6(b)では右端面〕に位置合わせして成形型30を適正に位置決めするためのアライメントマーク(図示せず)が形成されており、このアライメントマークを基準とする適正な位置に、上記凹部31および突条32が形成されている。
【0033】
このため、上記成形型30のアライメントマークをコア2の光透過面2aに位置合わせして上記成形型30をセットし、その状態で成形すると、コア2の光透過面2aを基準として適正な位置に、オーバークラッド層3と、基板ユニット嵌合用の縦溝部60とを同時に型成形することができる。また、上記成形型30のセットは、その成形型30の下面をアンダークラッド層1の表面に密着させることにより行われ、それにより、上記凹部31の型面とアンダークラッド層1の表面とコア2の表面で囲まれる空間が成形空間33になるようになっている。さらに、上記成形型30には、オーバークラッド層形成用の樹脂を上記成形空間33に注入するための注入孔(図示せず)が、上記凹部31に連通した状態で形成されている。
【0034】
なお、上記オーバークラッド層形成用の樹脂としては、例えば、上記アンダークラッド層1と同様の感光性樹脂があげられる。その場合は、上記成形型30としては、その成形型30を通して、上記成形空間33に満たされた感光性樹脂を、紫外線等の照射線により露光する必要があるため、照射線を透過する材料からなるもの(例えば石英製のもの)が用いられる。なお、オーバークラッド層形成用の樹脂として熱硬化性樹脂を用いてもよく、その場合は、上記成形型30としては、透明性は問われず、例えば、金属製,石英製のものが用いられる。
【0035】
そして、上記成形型30を、図6(b)に示すように、その成形型30のアライメントマークを上記コア2の光透過面2aに位置合わせし成形型30全体を適正に位置決めした状態で、その成形型30の下面をアンダークラッド層1の表面に密着させる。ついで、上記凹部31および突条32の型面とアンダークラッド層1の表面とコア2の表面で囲まれた成形空間33に、オーバークラッド層形成用の樹脂を、上記成形型30に形成された注入孔から注入し、上記成形空間33を上記樹脂で満たす。つぎに、その樹脂が感光性樹脂の場合は、上記成形型30を通して紫外線等の照射線を露光した後に加熱処理を行い、上記樹脂が熱硬化性樹脂の場合は、加熱処理を行う。これにより、上記オーバークラッド層形成用の樹脂が硬化し、オーバークラッド層3と同時に、基板ユニット嵌合用の縦溝部60(オーバークラッド層3の延長部分4)が形成される。このとき、アンダークラッド層1とオーバークラッド層3とが同じ形成材料の場合は、アンダークラッド層1とオーバークラッド層3とは、その接触部分で同化する。
【0036】
つぎに、脱型し、図6(c)に示すように、オーバークラッド層3と、基板ユニット嵌合用の縦溝部60のうちのオーバークラッド層3に対応する部分とを得る。この基板ユニット嵌合用の縦溝部60の部分は、先に述べたように、上記成形型30を用いコア2の光透過面2aを基準として形成したため、コア2の光透過面2aに対して適正な位置に位置決めされている。また、上記オーバークラッド層3のレンズ部3bも、適正な位置に位置決めされている。
【0037】
上記オーバークラッド層3の厚み(アンダークラッド層1の表面からの厚み)は、通常、コア2の厚みを上回り1200μm以下の範囲内に設定される。また、上記基板ユニット嵌合用の縦溝部60の大きさは、それに嵌合する基板ユニットE2 の嵌合板部5aおよび突設部Pの大きさに対応して形成され、例えば、溝の深さが0.2〜1.2mmの範囲内、溝の幅が0.2〜2.0mmの範囲内に設定される。
【0038】
ついで、図6(d)に示すように、アンダークラッド層1の裏面から基板20を剥離する(図示の矢印参照)。このとき、オーバークラッド層3の上記縦溝部60に対応するアンダークラッド層1の部分1a等の、オーバークラッド層3が存在しないアンダークラッド層1の部分1bは、オーバークラッド層3との接着力がないため、通常、基板20に付着した状態で(基板20とともに)剥離する。それ以外のアンダークラッド層1の部分は、オーバークラッド層3に接着した状態を維持し、アンダークラッド層1の裏面と基板20の間で剥離する。このとき、上記縦溝部60に対応するアンダークラッド層1の部分1aが上記基板20とともに剥離されて除去されることにより、基板ユニット嵌合用の縦溝部60がアンダークラッド層1およびオーバークラッド層3を厚み方向に貫通して形成される。これにより、アンダークラッド層1,コア2,オーバークラッド層3を備え、上記基板ユニット嵌合用の縦溝部60が形成された光導波路ユニットW2 を得、上記(1)の光導波路ユニットW2 の作製工程が完了する。
【0039】
そして、図2(a),(b)に示すように、上記光導波路ユニットW2 をアクリル板等の基台10上に、接着剤により接着する。このとき、アンダークラッド層1と基台10とを接着する。上記基台10としては、表面に凹凸のないものが用いられ、材質,透明性,厚みは問わないが、例をあげると、上記アクリル板以外に、ポリプロピレン(PP)板,金属板,セラミック板等があげられる。また、上記基台10の厚みは、例えば、500μm〜5mmの範囲内に設定される。
【0040】
つぎに、上記(2)の基板ユニットE2 の作製工程について説明する。まず、上記整形基板5の基材となる基板5A〔図7(a)参照〕を準備する。この基板5Aの形成材料としては、例えば、金属,樹脂等があげられる。なかでも、加工容易性および寸法安定性の観点から、ステンレス製基板が好ましい。また、上記基板5Aの厚みは、例えば、0.02〜0.1mmの範囲内に設定される。
【0041】
ついで、図7(a)に示すように、上記基板5Aの表面の所定領域に、感光性ポリイミド樹脂等の、絶縁層形成用の感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布した後、必要に応じて、それを加熱処理して乾燥させ、絶縁層形成用の感光性樹脂層を形成する。そして、その感光性樹脂層を、フォトマスクを介して紫外線等の照射線により露光することにより、所定形状の絶縁層6に形成する。絶縁層6の厚みは、通常、5〜15μmの範囲内に設定される。
【0042】
つぎに、図7(b)に示すように、上記絶縁層6の表面に、光学素子実装用パッド7およびそれに接続する電気回路(図示せず)ならびに突設部P〔図8(a)参照〕に形成されるシート層P0 を、同じ材料(通常、上記電気回路の形成材料である金属材料)により形成する。その形成は、例えば、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、上記絶縁層6の表面に、スパッタリングまたは無電解めっき等により金属層(厚み60〜260nm程度)を形成する。この金属層は、後の電解めっきを行う際のシード層(電解めっき層形成の素地となる層)となる。ついで、上記基板5A,絶縁層6およびシード層からなる積層体の両面に、ドライフィルムレジストを貼着した後、上記シード層が形成されている側のドライフィルムレジストに、フォトリソグラフィ法により上記実装用パッド7および電気配線ならびに突設部形成用シート層P0 のパターンの孔部を同時に形成し、その孔部の底に上記シード層の表面部分を露呈させる。つぎに、電解めっきにより、上記孔部の底に露呈した上記シード層の表面部分に、電解めっき層(厚み5〜20μm程度)を積層形成する。そして、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。その後、上記電解めっき層が形成されていないシード層部分をソフトエッチングにより除去し、残存した電解めっき層とその下のシード層とからなる積層部分を実装用パッド7および電気配線ならびに突設部形成用シート層P0 に形成する。この突設部形成用シート層P0 は、上記のように、一個のフォトマスクを使用したフォトリソグラフィ法を利用して、実装用パッド7と同時に形成したため、その実装用パッド7に対して高精度に設定された位置に、適正形状に形成される。これにより、一対の突設部形成用シート層P0 の外側端縁の間の距離(基板ユニットE2 の全幅Lcとなる距離)が、光導波路ユニットW2 に形成された縦溝部60の底面61の間の距離Ls〔図2(a)参照〕より大きくなるようにする。
【0043】
ついで、図7(c)に示すように、上記基板5Aを、実装用パッド7に対して適正な位置に嵌合板部5aを有する整形基板5に形成する。このとき、整形基板5の全幅Lmが、光導波路ユニットW2 に形成された縦溝部60の底面61の間の距離Lsより小さくなるようにする。この整形基板5の形成は、例えば、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、上記基板5Aの裏面を、ドライフィルムレジストで覆う。そして、実装用パッド7に対して適正な位置に嵌合板部5aが形成されるよう、フォトリソグラフィ法により、目的とする形状のドライフィルムレジストの部分を残す。そして、その残ったドライフィルムレジストの部分以外の露呈している基板5A部分を、塩化第2鉄水溶液を用いてエッチングすることにより除去する。これにより、上記基板5Aが、嵌合板部5aを有する整形基板5に形成される。つぎに、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。上記のようにして基板5Aを整形基板5に整形することにより、絶縁層6の一部分は、整形基板5からはみ出る。また、上記突設部形成用シート層P0 の側端縁部分も、嵌合板部5aの側端縁からはみ出し、その突設部形成用シート層P0 が突設部Pに形成される。なお、上記整形基板5における嵌合板部5aの大きさは、例えば、縦の長さL1 が0.5〜5.0mmの範囲内、横の長さL2 が0.5〜5.0mmの範囲内に設定される。
【0044】
つぎに、図8(a)に示すように、はみ出た余分な絶縁層6の部分を、エッチングすることにより除去する。この方法は、例えば、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、上記整形基板5の裏面およびその整形基板5からはみ出た絶縁層6の裏面を、ドライフィルムレジストで覆う。ついで、除去する余分な絶縁層6の部分以外のドライフィルムレジストの部分を、フォトリソグラフィ法により残す。そして、その残ったドライフィルムレジストの部分以外の露呈している絶縁層6の部分を、ポリイミドエッチング液を用いてエッチングすることにより除去する。つぎに、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。
【0045】
そして、図8(b)に示すように、実装用パッド7に、光学素子8を実装した後、上記光学素子8およびその周辺部を、透明樹脂によりポッティング封止する。上記光学素子8の実装は、実装機を用いて行われ、その実装機に備わっている位置決めカメラ等の位置決め装置により、実装用パッド7に正確に位置決めされて行われる。これにより、嵌合板部5aを有する整形基板5と、絶縁層6と、実装用パッド7と、突設部Pと、光学素子8と、封止樹脂9とを備えた基板ユニットE2 を得、上記(2)の基板ユニットE2 の作製工程が完了する。この基板ユニットE2 では、先に述べたように、実装用パッド7を基準として、嵌合板部5aが形成されているため、その実装用パッド7に実装された光学素子8と嵌合板部5aとは適正な位置関係にある。
【0046】
つぎに、前記(3)の光導波路ユニットW2 と基板ユニットE2 との結合工程について説明する。すなわち、まず、図4に示すように、基板ユニットE2 の光学素子8〔図3(a),(b)参照〕の表面(発光部または受光部)を、光導波路ユニットW2 のコア2〔図2(a),(b)参照〕の光透過面2a側に向けた状態で、基板ユニットE2 を少し斜めに倒し、一方の嵌合板部5aを突設部Pごと、光導波路ユニットW2 に形成した基板ユニット嵌合用の縦溝部60の一方に少し嵌合させる。つづいて、斜めに倒した上記基板ユニットE2 を元に戻し、他方の嵌合板部5aを突設部Pごと、他方の縦溝部60に少し嵌合させ、その状態で全体を押し込み、上記光導波路ユニットW2 と基板ユニットE2 とを一体化する〔図1(a),(b)参照〕。このとき、上記基板ユニットE2 の突設部Pは、上記縦溝部60の底面61との当接により変形し、その状態で、上記縦溝部60の底面61との当接状態を維持する。そして、上記突設部Pの変形により、部品公差が吸収され、上記基板ユニットE2 は、ぐらつきも、撓みもしない。なお、上記縦溝部60と嵌合板部5aおよび突設部Pとの嵌合部分を接着剤で固定してもよい。このようにして、目的とする光センサモジュールが完成する。
【0047】
図9(a),(b)は、光導波路ユニットW2 に形成する縦溝部60の変形例を模式的に示す平面図である。これら変形例は、縦溝部60の底面61の幅が、上記嵌合板部5aの厚みの2倍の値以下と狭く設定され、左右の突設部Pの変形幅の差を極めて小さくするかなくすように設計されている。すなわち、図9(a)では、底面61に段部が形成され、段階的に幅が狭くなっている。図9(b)では、底面61に曲面状の傾斜面が形成され、徐々に幅が狭くなっている。上記以外の部分は、図1(a),(b)に示す実施の形態と同様である。なお、図1(a),(b)に示す縦溝部60の幅を、全体的に狭くすることにより、上記のように、縦溝部60の底面61の幅を狭くしてもよい。これらのように縦溝部60の底面61の幅を狭くすることにより、上記基板ユニットE2 の嵌合が、より安定的となり、基板ユニットE2 のぐらつきや撓みをより確実に防止することができる。
【0048】
なお、上記実施の形態では、基板ユニットE2 の突設部Pを、基板ユニットE2 の実装用パッド7および電気配線と同時に、同じ材料で形成したが、突設部Pの形成方法は他でもよい。例えば、光学素子8を樹脂封止した後に、上記突設部Pとなるシート片を、嵌合板部5aの側端縁部に、接着剤により接着してもよい。上記シート片の形成材料としては、実装用パッド7および電気配線と同じ金属材料でもよいし、それと異なる材料でもよい。そのような材料としては、例えば、合成樹脂,ゴム等があげられる。
【0049】
また、上記実施の形態では、基板ユニットE2 の突設部Pを、基板ユニットE2 の両側に形成したが、図10に示すように、片側のみに突設部Pを形成してもよい。
【0050】
さらに、上記実施の形態では、基板ユニットE2 の突設部Pを、基板ユニットE2 の実装用パッド7および電気配線と同じ面に形成したが、図11(a),(b)に示すように、実装用パッド7と反対側の面に、上記のようにシート片を接着する等して、突設部Pを形成してもよい。図11(a)では、基板ユニットE2 の両側に突設部Pが形成され、図11(b)では、基板ユニットE2 の片側のみに突設部Pが形成されている図を示している。
【0051】
そして、上記本発明の光センサモジュールは、例えば、図12に示すように、2つのL字形の光センサモジュールS1 ,S2 に形成し、それらを四角形の枠状にして用いることにより、タッチパネルにおける指等の触れ位置の検知手段として用いることができる。すなわち、一方のL字形の光センサモジュールS1 は、角部の2箇所に、発光素子8aが実装された基板ユニットE2 が嵌合され、光Hが出射するコア2の端面2bおよびオーバークラッド層3のレンズ面が、上記枠状の内側に向けられている。他方のL字形の光センサモジュールS2 は、角部の1箇所に、受光素子8bが実装された基板ユニットE2 が嵌合され、光Hが入射するオーバークラッド層3のレンズ面およびコア2の端面2bが、上記枠状の内側に向けられている。そして、上記2つのL字形の光センサモジュールを、タッチパネルの四角形のディスプレイDの画面を囲むようにして、その画面周縁部の四角形に沿って設置し、一方のL字形の光センサモジュールS1 からの出射光Hを他方のL字形の光センサモジュールS2 で受光できるようする。これにより、上記出射光Hが、ディスプレイDの画面上において、その画面と平行に格子状に走るようにすることができる。このため、指でディスプレイDの画面に触れると、その指が出射光Hの一部を遮断し、その遮断された部分を、受光素子8bで感知することにより、上記指が触れた部分の位置を検知することができる。なお、図12では、基板ユニットE2 の突設部Pを省略している。また、コア2を鎖線で示しており、その鎖線の太さがコア2の太さを示しているとともに、コア2の数を略して図示している。
【0052】
つぎに、実施例について従来例と併せて説明する。但し、本発明は、実施例に限定されるわけではない。
【実施例】
【0053】
〔アンダークラッド層,オーバークラッド層(延長部分を含む)の形成材料〕
ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル(成分A)35重量部、脂環式エポキシ樹脂である3’,4’−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート(ダイセル化学工業社製、セロキサイド2021P)(成分B)40重量部、(3’,4’−エポキシシクロヘキサン)メチル−3’,4’−エポキシシクロヘキシル−カルボキシレート(ダイセル化学工業社製、セロキサイド2081)(成分C)25重量部、4,4’−ビス〔ジ(β−ヒドロキシエトキシ)フェニルスルフィニオ〕フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートの50重量%プロピオンカーボネート溶液(成分D)2重量部とを混合することにより、アンダークラッド層およびオーバークラッド層の形成材料を調製した。
【0054】
〔コアの形成材料〕
上記成分A:70重量部、1,3,3−トリス{4−〔2−(3−オキセタニル)〕ブトキシフェニル}ブタン:30重量部、上記成分D:1重量部を乳酸エチルに溶解することにより、コアの形成材料を調製した。
【0055】
〔光導波路ユニットの作製〕
まず、ステンレス製基板の表面に、上記アンダークラッド層の形成材料をアプリケーターにより塗布した後、2000mJ/cm2 の紫外線(波長365nm)照射による露光を行うことにより、アンダークラッド層(厚み25μm)を形成した〔図5(a)参照〕。
【0056】
ついで、上記アンダークラッド層の表面に、上記コアの形成材料をアプリケーターにより塗布した後、100℃×15分間の乾燥処理を行い、感光性樹脂層を形成した〔図5(b)参照〕。つぎに、その上方に、コアのパターンと同形状の開口パターンが形成された合成石英系のクロムマスク(フォトマスク)を配置した。そして、その上方から、プロキシミティ露光法にて4000mJ/cm2 の紫外線(波長365nm)照射による露光を行った後、80℃×15分間の加熱処理を行った。つぎに、γ−ブチロラクトン水溶液を用いて現像することにより、未露光部分を溶解除去した後、120℃×30分間の加熱処理を行うことにより、コア(厚み50μm、幅50μm)を形成した〔図5(c)参照〕。
【0057】
つぎに、オーバークラッド層と、基板ユニット嵌合用の縦溝部(オーバークラッド層の延長部分)とを同時に型成形する石英製の成形型〔図6(a)参照〕を、コアの光透過面を基準として適正位置にセットした〔図6(b)参照〕。そして、上記オーバークラッド層およびその延長部分の形成材料を、成形空間に注入した後、その成形型を通して2000mJ/cm2 の紫外線照射による露光を行った。つづいて、120℃×15分間の加熱処理を行った後、脱型し、オーバークラッド層と、基板ユニット嵌合用の縦溝部とを得た〔図6(c)参照〕。上記オーバークラッド層の厚み(アンダークラッド層の表面からの厚み)は、接触式膜厚計で測定すると、1000μmであった。
【0058】
そして、アンダークラッド層の裏面からステンレス製基板を剥離した〔図6(d)参照〕。このとき、オーバークラッド層の上記縦溝部に対応するアンダークラッド層の部分の、オーバークラッド層が存在しないアンダークラッド層の部分は、ステンレス製基板に付着した状態で(ステンレス製基板とともに)剥離した。その結果、縦溝部は、アンダークラッド層およびオーバークラッド層を厚み方向に貫通して形成された。そして、その剥離した光導波路ユニットをアクリル板上に、接着剤を用いて接着した〔図2(a),(b)参照〕。上記縦溝部の形状は、図1(a)に示す横断面略U字状のものとした。また、対向する上記縦溝部の底面間の距離(Ls)は14.00mmであった。
【0059】
〔基板ユニットの作製〕
ステンレス製基板〔25mm×30mm×50μm(厚み)〕の表面の一部分に、感光性ポリイミド樹脂からなる絶縁層(厚み10μm)を形成した〔図7(a)参照〕。ついで、セミアディティブ法により、上記絶縁層の表面に、銅/ニッケル/クロム合金からなるシード層と電解銅めっき層(厚み10μm)とからなる積層体を形成した。さらに、その積層体の表面に金/ニッケルめっき処理(厚み金/ニッケル=0.2μm/2.0μm)し、上記積層体と金/ニッケルめっき層とからなる光学素子実装用パッドおよび電気配線ならびに突設部形成用シート層を形成した〔図7(b)参照〕。
【0060】
つぎに、上記光学素子実装用パッドに対して適正な位置に嵌合板部が形成されるよう、ドライフィルムレジストを利用してエッチングすることにより、ステンレス製基板を、嵌合板部を有する整形基板に形成した〔図7(c)参照〕。この整形基板の全幅(Lm)は13.08mmであった。その後、同様にドライフィルムレジストを利用して、余分な絶縁層をエッチングすることにより除去した〔図8(a)参照〕。各工程の上記ドライフィルムレジストは、水酸化ナトリウム水溶液により剥離した。
【0061】
そして、上記光学素子実装用パッドの表面に、銀ペーストを塗布した後、高精度ダイボンダ(実装装置)を用いて、上記銀ペースト上に、ワイヤーボンディングタイプの発光素子(Optwell社製、SM85−1N001)を実装した。ついで、キュア処理し、上記銀ペーストを硬化させた。その後、上記発光素子およびその周辺部を、透明樹脂(日東電工社製、NT−8038)によりポッティング封止した〔図8(b)参照〕。このようにして、基板ユニットを作製した。この基板ユニットの嵌合板部の寸法は、縦の長さが2.0mm、横の長さが2.0mmであり、全幅(Lc)は14.05mmであった。
【0062】
〔光センサモジュールの製造〕
上記光導波路ユニットに形成した基板ユニット嵌合用の縦溝部の一方に、上記基板ユニットに形成した嵌合板部の一方を突設部ごと嵌合させ、つづいて、他方の縦溝部に、他方の嵌合板部を突設部ごと嵌合させ、一対の嵌合板部の下端縁をアクリル板の表面に当接させた。このとき、上記基板ユニットの突設部は、上記縦溝部の底面と当接した状態で変形した。その後、その嵌合部を接着剤で固定した。このようにして、光センサモジュールを製造した〔図1(a),(b)参照〕。
【0063】
〔従来例〕
上記実施例において、基板ユニットとして、突設部を形成しないものを作製した。その基板ユニットの全幅は、対向する上記縦溝部の底面間の距離(Ls)と同じとなるようにしたが、部品公差により、全て上記距離(Ls)より大きく形成された。それ以外の部分は、上記実施例と同様とした。この従来例では、基板ユニットが、上記発光素子がコアの光透過面から遠ざかる方向に撓んだ。
【0064】
〔光結合損失〕
上記実施例および従来例の光センサモジュールを、それぞれ5個(サンプル数N=5)準備した。そして、それぞれの光センサモジュールの発光素子に電流を流し、発光素子から光を出射させ、光センサモジュールの先端部から出射された光の強度を測定し、光結合損失を算出した。また、その平均値および偏差も算出した。その結果を下記の表1に示した。
【0065】
【表1】
【0066】
上記表1に示す光結合損失の平均値から、上記実施例は、従来例と比較して、光結合損失が小さくなることがわかる。さらに、上記表1に示す光結合損失の偏差から、上記実施例は、従来例と比較して、光結合損失のばらつきも小さくなることがわかる。
【0067】
なお、上記実施例では、基板ユニットの両側に突設部を形成したが、片側のみに突設部を形成したもの(図10参照)であっても、上記実施例と同様の結果が得られた。また、突設部を、発光素子と反対側の面に形成したもの〔図11(a),(b)参照〕であっても、上記実施例と同様の結果が得られた。さらに、光導波路ユニットの縦溝部の形状を、図1(a)に示す横断面略U字状のものとしたが、図9(a),(b)に示す、底面の幅が狭い縦溝部としても、上記実施例と同様の結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【0068】
本発明の光センサモジュールは、タッチパネルにおける指等の触れ位置の検知手段、または音声や画像等のデジタル信号を高速で伝送,処理する情報通信機器,信号処理装置等に用いることができる。
【符号の説明】
【0069】
W2 光導波路ユニット
E2 基板ユニット
P 突設部
2 コア
2a 光透過面
5a 嵌合板部
8 光学素子
60 縦溝部
【技術分野】
【0001】
本発明は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された基板ユニットとを備えた光センサモジュールに関するものである。
【背景技術】
【0002】
光センサモジュールは、図13(a),(b)に示すように、アンダークラッド層71,コア72およびオーバークラッド層73をこの順に形成した光導波路ユニットW0 と、基板81に光学素子82が実装された基板ユニットE0 とを、個別に作製し、上記光導波路ユニットW0 のコア72と基板ユニットE0 の光学素子82とを調芯した状態で、上記光導波路ユニットW0 の端部に上記基板ユニットE0 を接着剤等により接着して製造される。なお、図13(a),(b)において、符号75は基台、符号85は封止樹脂である。
【0003】
ここで、上記光導波路ユニットW0 のコア72と基板ユニットE0 の光学素子82との上記調芯は、通常、自動調芯機を用いて行われる(例えば、特許文献1参照)。この自動調芯機では、光導波路ユニットW0 を固定ステージ(図示せず)に固定し、基板ユニットE0 を移動可能なステージ(図示せず)に固定した状態で行われる。すなわち、上記光学素子82が発光素子である場合、図13(a)に示すように、その発光素子から光H1 を発光させた状態で、コア72の一端面(光入口)72aに対して、基板ユニットE0 の位置を変化させつつ、コア72の他端面(光出口)72bからオーバークラッド層73の先端部のレンズ部73bを経て出射した光の光量(自動調芯機に備えられている受光素子91が発生する起電圧)をモニタリングし、その光量が最大となった位置を、調芯位置(コア72と光学素子82とが相互に適正になる位置)として決定する。また、上記光学素子82が受光素子である場合、図13(b)に示すように、コア72の他端面72bから一定量の光(自動調芯機に備えられている発光素子92から発光され、オーバークラッド層73の先端部のレンズ部73bを透過した光)H2 を入光させ、その光H2 をコア72の一端面72aからオーバークラッド層73の後端部73aを経て出射させた状態で、コア72の一端面72aに対して、基板ユニットE0 の位置を変化させつつ、その受光素子で受光する光量(起電圧)をモニタリングし、その光量が最大となった位置を、調芯位置として決定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開平5−196831号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上記自動調芯機を用いた調芯では、高精度な調芯が可能であるものの、手間と時間とを要し、量産には適さない。
【0006】
そこで、本出願人は、上記のような機器と手間をかけることなく調芯できる光センサモジュールを提案し既に出願している(特願2009−180723)。この光センサモジュールは、その平面図を図14(a)に、その右端部を右斜め上から見た斜視図を図14(b)に示すように、光導波路ユニットW1 において、アンダークラッド層41の、コア42の存在しない両側部分〔図14(a)の右端部の上下部分〕をコアの軸方向に沿って〔図14(a)の右方向に〕延長するとともに、それに対応するオーバークラッド層43の両側部分も延長している。そして、その延長部分44に、光導波路ユニットW1 の厚み方向に延びる、基板ユニット嵌合用の、一対の縦溝部(嵌合部)44aが、コア42の光透過面(一端面)42aに対して適正な位置に、形成されている。一方、基板ユニットE1 の左右両側部(幅方向の両側部)は、上記縦溝部44aに嵌合する嵌合板部(被嵌合部)51aに形成されている。
【0007】
そして、上記光センサモジュールでは、上記光導波路ユニットW1 に形成されている上記縦溝部44aに、上記基板ユニットE1 に形成されている上記嵌合板部51aが嵌合された状態で、光導波路ユニットW1 と上記基板ユニットE1 とが結合されている。ここで、上記縦溝部44aは、上記コア42の光透過面42aに対して適正な位置になるよう設計されており、上記嵌合板部51aは、上記光学素子54に対して適正な位置になるよう設計されていることから、上記縦溝部44aと上記嵌合板部51aとの嵌合により、上記コア42と上記光学素子54とが自動的に調芯される。なお、図14(a),(b)において、符号45は基台、符号45aは基台45に形成された、基板ユニットE1 を貫通させる貫通孔、符号51は上記嵌合板部51aが形成された整形基板、符号55は封止樹脂である。
【0008】
このように、本出願人が先に出願した上記光センサモジュールでは、光導波路ユニットW1 のコア42と、基板ユニットE1 の光学素子54とを、調芯作業することなく、自動的に調芯した状態にすることができる。そして、時間を要する調芯作業が不要となるため、光センサモジュールの量産が可能となり、生産性に優れる。
【0009】
しかしながら、上記光センサモジュールでは、場合によって、コア42と光学素子54との光結合損失のばらつきが大きくなることがわかった。そこで、その原因を本発明者が究明した結果、生産工程において、光導波路ユニットW1 の一対の縦溝部44aの間隔(対向する縦溝部44aの底面44bの間の距離)Ls(図15(a)参照)に多少のばらつきがあるとともに、基板ユニットE1 の全幅(両側の嵌合板部51aの側端縁51bの間の距離)Lc(図15(b)参照)にも多少のばらつきがあることがわかった。すなわち、設計では、Ls=Lcであるが、実際の生産では、部品公差により、場合によって、Ls>Lcであったり、Ls<Lcであったりする。Ls>Lcの場合は、図15(c)に示すように、基板ユニットE1 がぐらついて(図示の矢印F参照)正確な調芯ができず、光結合損失のばらつきが大きくなる。Ls<Lcの場合は、図15(d)に示すように、基板ユニットE1 が外側に(コア42の光透過面42aから光学素子54が遠ざかる方向に)撓んで光結合損失が大きくなったり、逆に、基板ユニットE1 が内側に(コア42の光透過面42aに光学素子54が近づく方向に)撓んで(図示せず)光結合損失が小さくなったりして〔殆ど図15(d)に示すように外側に撓む〕、光結合損失のばらつきが大きくなる。このように、上記光導波路ユニットW1 に基板ユニットE1 を嵌合させる光センサモジュールは、上記光結合損失のばらつきが場合によって大きくなる点で、改善の余地がある。
【0010】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、光導波路ユニットのコアと基板ユニットの光学素子との光結合損失のばらつきが減少する光センサモジュールの提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
上記の目的を達成するため、本発明の光センサモジュールは、光導波路ユニットと、光学素子が実装された基板ユニットとを結合させてなる光センサモジュールであって、上記光導波路ユニットが、アンダークラッド層と,このアンダークラッド層の表面に形成された光路用の線状のコアと,このコアを被覆するオーバークラッド層と,上記コアの光透過面に対して適正位置となる上記オーバークラッドの部分に形成された基板ユニット嵌合用の左右一対の嵌合部とを備え、上記基板ユニットが、基板と,この基板上の所定部分に実装された光学素子と,この光学素子に対して適正位置となる上記基板の部分に形成された,上記基板ユニット嵌合用の嵌合部に嵌合する一対の被嵌合部と,これら一対の被嵌合部の少なくとも一方に側方に突設された,上記基板より剛性の低い突設部とを備え、上記光導波路ユニットと上記基板ユニットとの結合が、上記光導波路ユニットに形成された上記嵌合部に、上記基板ユニットに形成された上記被嵌合部を上記突設部ごと嵌合させ、上記突設部が上記嵌合部との当接により変形した状態で、かつ、上記基板ユニットが撓んでいない状態でなされているという構成をとる。
【0012】
本発明者は、光センサモジュールにおいて、光導波路ユニットのコアと基板ユニットの光学素子との光結合損失のばらつきを減少させるとともに、その光結合損失を小さくすることを目的として、その光センサモジュールの構造について、研究を重ねた。その過程で、本出願人が先に出願した、図14(a),(b)に示す、光導波路ユニットに形成された嵌合部に、基板ユニットに形成された被嵌合部を嵌合させてなる光センサモジュールに、改良を加えることに着想した。すなわち、基板ユニットの一対の被嵌合部の少なくとも一方に、基板よりも剛性の低い突設部を、側方に突設させ、上記嵌合状態では、上記突設部を上記嵌合部との当接により変形させ、その変形により部品公差を吸収するようにした。その結果、基板ユニットがぐらついたり、撓んだりすることがなくなり、そのため、上記基板ユニットの上記光導波路ユニットへの結合が安定し、上記光結合損失のばらつきが減少することを、本発明者は見出し、本発明に到達した。
【発明の効果】
【0013】
本発明の光センサモジュールは、光導波路ユニットにおいて、コアの光透過面と基板ユニット嵌合用の嵌合部とが適正な位置関係になっている。また、基板ユニットにおいて、光学素子と上記嵌合部に嵌合する被嵌合部とが適正な位置関係になっている。そのため、上記光導波路ユニットに形成された上記嵌合部に、上記基板ユニットに形成された上記被嵌合部を嵌合させた状態、すなわち、上記光導波路ユニットと上記基板ユニットとが結合した状態では、自動的に調芯された状態になっている。さらに、その状態では、上記基板ユニットの上記突設部が上記嵌合部との当接により変形し、その変形により部品公差を吸収しているため、上記基板ユニットがぐらついたり、撓んだりすることがない。すなわち、光導波路ユニットのコアと基板ユニットの光学素子との光結合損失のばらつきを減少させることができる。
【0014】
特に、上記光導波路ユニットに形成されている上記左右一対の嵌合部が、上記光導波路ユニットの厚み方向に延びる縦溝部であって、上記縦溝部の底面の幅が、上記被嵌合部の厚みの2倍の値以下に設定され、上記基板ユニットに形成されている上記突設部が、上記縦溝部の底面に位置決めされている場合には、上記基板ユニットの嵌合が、より安定的となり、基板ユニットのぐらつきや撓みをより確実に防止することができる。
【0015】
また、上記基板ユニットの上記突設部が、銅製である場合には、その突設部が変形し易く、上記縦溝部への嵌合が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】(a)は、本発明の光センサモジュールの一実施の形態を模式的に示す平面図であり、(b)は、(a)の右端部を右斜め上方から見た斜視図である。
【図2】(a)は、上記光センサモジュールの光導波路ユニットを模式的に示す平面図であり、(b)は、(a)の右端部を右斜め上方から見た斜視図である。
【図3】(a)は、上記光センサモジュールの基板ユニットを模式的に示す平面図であり、(b)は、(a)の左側を左斜め上方から見た斜視図である。
【図4】上記基板ユニットの、上記光導波路ユニットへの嵌合方法を模式的に示す側面図である。
【図5】(a)〜(c)は、上記光導波路ユニットのアンダークラッド層およびコアの形成工程を模式的に示す説明図である。
【図6】(a)は、上記光導波路ユニットのオーバークラッド層の形成に用いられる成形型を模式的に示す斜視図であり、(b)〜(d)は、そのオーバークラッド層の形成工程を模式的に示す説明図である。
【図7】(a)〜(c)は、上記基板ユニットの作製工程を模式的に示す説明図である。
【図8】(a),(b)は、図7に続く、基板ユニットの作製工程を模式的に示す説明図である。
【図9】(a),(b)は、上記光導波路ユニットの縦溝部の変形例を模式的に示す平面図である。
【図10】上記基板ユニットの変形例を模式的に示す平面図である。
【図11】(a),(b)は、上記基板ユニットの他の変形例を模式的に示す平面図である。
【図12】上記光センサモジュールを用いたタッチパネル用検知手段を模式的に示す平面図である。
【図13】(a),(b)は、従来の光センサモジュールにおける調芯方法を模式的に示す説明図である。
【図14】(a)は、本出願人が先に出願した光センサモジュールを模式的に示す平面図であり、(b)は、(a)の右端部を右斜め上方から見た斜視図である。
【図15】(a)〜(d)は、本出願人が先に出願した上記光センサモジュールの課題を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。
【0018】
図1(a)は、本発明の光センサモジュールの一実施の形態を模式的に示す平面図であり、図1(b)は、その右端部を右斜め上方から見た斜視図である。この光センサモジュールは、図14(a),(b)に示す、本出願人が先に出願した光センサモジュールの基板ユニットE1 を以下のように改良したものとなっている。すなわち、基板ユニットE2 の整形基板5の左右両側部(整形基板5の幅方向両側部)の嵌合板部(被嵌合部)5aに、側方に突出する板状の突設部Pがそれぞれ形成されている。これら突設部Pは、整形基板5より剛性が低く、変形し易くなっている。また、このように整形基板5の左右両側部に突設部Pを設けてなる基板ユニットE2 の全幅Lc〔図3(a)参照〕は、部品公差を考慮して、対向する縦溝部60の底面61の間の距離Ls〔図2(a)参照〕よりも、少し大きくなる(Ls<Lc)よう設定されている。なお、上記基板ユニットE2 の整形基板5の全幅Lm〔図3(a)参照〕は、上記距離Lsよりも、少し小さくなる(Lm<Ls)よう設定されている。
【0019】
そして、上記基板ユニットE2 が上記光導波路ユニットW2 に嵌合された状態では、上記基板ユニットE2 の突設部Pが、図1(a)に示すように、上記縦溝部60の底面61に当接しているとともに、その当接により先端側が曲がり変形しており、その変形部の、上記縦溝部60の底面61との摩擦抵抗により、上記基板ユニットE2 は、適正に嵌合しており、ぐらついても、撓んでもいない。すなわち、上記突設部Pの変形により、部品公差を吸収している。上記突設部Pの変形は、その突設部Pの形成材料や厚み等に依存し、弾性変形でも塑性変形でもよいが、弾性変形の方が振動を吸収することができ、しかも、上記縦溝部60の底面61との摩擦力が大きくなるため、基板ユニットE2 の抜け止め防止作用がより向上する。このように、光センサモジュールにおいて、基板ユニットE2 に上記突設部Pを幅方向に突設し、その突設部Pの変形により部品公差を吸収して調芯された状態にすることが、本発明の大きな特徴である。
【0020】
上記実施の形態について、より詳しく説明すると、上記光導波路ユニットW2 は、図14(a),(b)に示す、本出願人が先に出願した光センサモジュールの光導波路ユニットW1 と同様である。すなわち、上記光導波路ユニットW2 は、図2(a),(b)に示すように、基台10の表面に、接着剤により接着されており、上記基台10の表面に接着されたアンダークラッド層1と、このアンダークラッド層1の表面に所定パターンの線状に形成された光路用のコア2と、このコア2を被覆した状態で上記アンダークラッド層1の表面に形成されたオーバークラッド層3とを備えている。光導波路ユニットW2 の一端部側〔図2(a)では右側〕では、アンダークラッド層1およびオーバークラッド層3のコア2の存在しない積層部分〔図2(a)では上下の部分〕が軸方向に延長されている。そして、その延長部分4に、上記一対の縦溝部60が、その延長部分4を厚み方向に貫通した状態で、形成されている。この縦溝部60は、横断面略U字状(底面61が平面に形成され、その底面61と両側の壁面とが直角に形成された略U字状)であり、コア2の光透過面2aに対して適正位置になるよう設計され形成されている。
【0021】
この実施の形態が、本出願人が先に出願した光センサモジュールと異なる点は、基板ユニットE2 の構成である。この基板ユニットE2 は、上記のように、一対の嵌合板部5aの側部に突設部Pを突設し、基板ユニットE2 の全幅Lc〔図3(a)参照〕を、上記光導波路ユニットW2 の、対向する上記縦溝部60の底面61の間の距離Ls〔図2(a)参照〕よりも、少し大きくなる(Ls<Lc)よう設定し、整形基板5の全幅Lm〔図3(a)参照〕を上記距離Ls〔図2(a)参照〕よりも、少し小さくなる(Lm<Ls)よう設定している。上記突設部Pの、上記嵌合板部5aの側端縁からの突出量(はみ出し長さ)は、例えば、0.005〜0.1mmの範囲内に設定され、その突設部Pの厚みは、例えば、0.005〜0.02mmの範囲内に設定される。それ以外は、図14(a),(b)に示す、本出願人が先に出願した光センサモジュールの基板ユニットE1 と同様である。
【0022】
その同様の部分について説明すると、上記基板ユニットE2 は、図3(a),(b)に示すように、整形基板5と、この整形基板5の表面に、絶縁層(図示せず)および光学素子実装用パッド(図示せず)を介して実装された光学素子8と、この光学素子8を封止する封止樹脂9とを備えている。上記整形基板5には、上記縦溝部60〔図2(a),(b)参照〕に嵌合するための嵌合板部5aが整形基板5の幅方向〔図3(b)の左右方向〕に突出した状態で形成されている。上記絶縁層は、上記整形基板5の表面の所定部分に形成されている。上記光学素子実装用パッドは、上記絶縁層の表面中央部に形成されている。上記光学素子8は、光学素子実装用パッドに実装されている。上記整形基板5の嵌合板部5aは、エッチングにより形成され、上記光学素子実装用パッドに対して、適正に位置決めされ整形されている。そのため、上記嵌合板部5aは、上記光学素子実装用パッドに実装された光学素子8に対して、適正位置に形成されている。また、上記光学素子8の発光部または受光部は、その光学素子8の表面に形成されている。なお、上記絶縁層の表面には、光学素子実装用パッドに接続する電気回路(図示せず)が形成されている。
【0023】
そして、上記光センサモジュールは、図1(a),(b)に示すように、上記光導波路ユニットW2 に形成された上記一対の縦溝部60に、上記基板ユニットE2 に形成された上記嵌合板部5aがそれぞれ上記突設部Pごと嵌合されている状態で、光導波路ユニットW2 と基板ユニットE2 とが結合され一体化されている。上記嵌合は(図4参照)、まず、基板ユニットE2 を少し斜めに倒し、一方の縦溝部60に、一方の嵌合板部5aを突設部Pごと少し嵌合し、その後、斜めに倒した上記基板ユニットE2 を元に戻し、他方の縦溝部60に、他方の嵌合板部5aを突設部Pごと少し嵌合し、その状態で全体を押し込んで完全な嵌合状態にすることにより行われる。この嵌合状態では、先に述べたように、上記基板ユニットE2 の突設部Pが、上記縦溝部60の底面61との当接により変形して部品公差を吸収している。そして、上記変形した突設部Pは、上記縦溝部60の底面61に当接した状態を維持しており、上記基板ユニットE2 は、ぐらついても、撓んでもいない。
【0024】
ここで、光導波路ユニットW2 に形成された上記縦溝部60は、コア2の光透過面2aに対して適正位置になるよう設計され形成されている。また、基板ユニットE2 に形成された嵌合板部5aは、光学素子8に対して適正位置になるよう設計され形成されている。このため、上記縦溝部60と嵌合板部5aとの嵌合により、コア2の光透過面2aと光学素子8とは、自動的に適正に位置決めされ、調芯された状態になっている。すなわち、上記嵌合状態では、上記縦溝部60の底面61に上記突設部Pが変形した状態で位置決めされていることにより、上記光学素子8は、上記基台10に対して、図1(b)における左右方向(X軸方向)が適正に位置決めされている。また、上記嵌合状態では、幅方向に突出した上記嵌合板部5aの下端縁が基台10の表面に当接しており、それにより、上記光学素子8は、基台10の表面に直角な方向(Y軸方向)が適正に位置決めされている。
【0025】
この場合、一方の突設部Pと他方の突設部Pとの変形幅が略等しくなるよう設計されており、左右の突設部Pの変形幅の違いによる誤差は生じない。このような左右の突設部Pの変形幅の差をなくすために、例えば、両突設部Pの略同じところに、変形させるためのガイドとなる筋目(鎖線状の切込み、ハーフカット等)を入れ、そこから変形させるようにしてもよい。また、突設部Pの突出量を小さくすることにより、変形可能領域を小さくし、変形幅の差をなくすようにしてもよい。このように突出寸法を小さくする場合の突設部Pの突出量は、0.005〜0.02mmの範囲内に設定することが好ましい。
【0026】
なお、この実施の形態では、図1(a),(b)に示すように、上記基板ユニットE2 に対応する基台10の部分に、四角形の貫通孔10aが形成され、基板ユニットE2 の一部分が、上記基台10の裏面から突出している。その基板ユニットE2 の突出部分は、基台10の裏面側において、例えば、光学素子に信号の送信等するためのマザーボード(図示せず)等に接続される。
【0027】
上記光センサモジュールは、下記の(1)〜(3)の工程を経て製造される。
(1)上記光導波路ユニットW2 を作製する工程〔図5(a)〜(c),図6(a)〜(d)参照〕。なお、この工程を説明する図5(a)〜(c),図6(a)〜(d)は、図1(a)の縦断面図に相当する図面である。
(2)上記基板ユニットE2 を作製する工程〔図7(a)〜(c),図8(a)〜(b)参照〕。
(3)上記基板ユニットE2 を上記光導波路ユニットW2 に結合する工程。
【0028】
上記(1)の光導波路ユニットW2 の作製工程について説明する。まず、アンダークラッド層1を形成する際に用いる平板状の基板20〔図5(a)参照〕を準備する。この基板20の形成材料としては、例えば、ガラス,石英,シリコン,樹脂,金属等があげられる。なかでも、ステンレス製基板が好ましい。ステンレス製基板は、熱に対する伸縮耐性に優れ、上記光導波路装置の製造過程において、様々な寸法が設計値に略維持されるからである。また、基板20の厚みは、例えば、20μm〜1mmの範囲内に設定される。
【0029】
ついで、図5(a)に示すように、上記基板20の表面の所定領域に、アンダークラッド層形成用の感光性エポキシ樹脂等の感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布した後、必要に応じて、それを加熱処理(50〜120℃×10〜30分間程度)して乾燥させ、アンダークラッド層1形成用の感光性樹脂層1Aを形成する。そして、その感光性樹脂層1Aを、紫外線等の照射線により露光することにより、アンダークラッド層1に形成する。アンダークラッド層1の厚みは、通常、1〜50μmの範囲内に設定される。
【0030】
つぎに、図5(b)に示すように、上記アンダークラッド層1の表面に、上記アンダークラッド層形成用の感光性樹脂層1Aの形成方法と同様にして、コア形成用の感光性樹脂層2Aを形成する。そして、コア2のパターンに対応する開口パターンが形成されているフォトマスクを介して、上記感光性樹脂層2Aを照射線により露光する。つぎに、加熱処理を行った後、現像液を用いて現像を行うことにより、図5(c)に示すように、上記感光性樹脂層2Aにおける未露光部分を溶解させて除去し、残存した感光性樹脂層2Aをコア2のパターンに形成する。コア2の厚み(高さ)は、通常、5〜60μmの範囲内に設定される。コア2の幅は、通常、5〜60μmの範囲内に設定される。
【0031】
なお、上記コア2の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層1と同様の感光性樹脂があげられ、上記アンダークラッド層1およびオーバークラッド層3〔図6(c)参照〕の形成材料よりも屈折率が大きい材料が用いられる。この屈折率の調整は、例えば、上記アンダークラッド層1,コア2,オーバークラッド層3の各形成材料の種類の選択や組成比率を調整して行うことができる。
【0032】
つぎに、成形型30〔図6(a)参照〕を準備する。この成形型30は、オーバークラッド層3〔図6(c)参照〕と、基板ユニット嵌合用の縦溝部60〔図6(c)参照〕を有するオーバークラッド層3の延長部分4とを同時に型成形するためのものである。この成形型30の下面には、図6(a)に、下から見上げた斜視図を示すように、上記オーバークラッド層3の形状に対応する型面を有する凹部31が形成されている。この凹部31は、上記延長部分4を形成するための部分31aと、レンズ部3b〔図6(c)参照〕を形成するための部分31bとを有している。そして、上記延長部分形成用の部分31aには、上記基板ユニット嵌合用の縦溝部60のうちのオーバークラッド層3に対応する部分を成形するための突条32が形成されている。また、上記成形型30の上面には、その使用の際にコア2の光透過面2a〔図6(b)では右端面〕に位置合わせして成形型30を適正に位置決めするためのアライメントマーク(図示せず)が形成されており、このアライメントマークを基準とする適正な位置に、上記凹部31および突条32が形成されている。
【0033】
このため、上記成形型30のアライメントマークをコア2の光透過面2aに位置合わせして上記成形型30をセットし、その状態で成形すると、コア2の光透過面2aを基準として適正な位置に、オーバークラッド層3と、基板ユニット嵌合用の縦溝部60とを同時に型成形することができる。また、上記成形型30のセットは、その成形型30の下面をアンダークラッド層1の表面に密着させることにより行われ、それにより、上記凹部31の型面とアンダークラッド層1の表面とコア2の表面で囲まれる空間が成形空間33になるようになっている。さらに、上記成形型30には、オーバークラッド層形成用の樹脂を上記成形空間33に注入するための注入孔(図示せず)が、上記凹部31に連通した状態で形成されている。
【0034】
なお、上記オーバークラッド層形成用の樹脂としては、例えば、上記アンダークラッド層1と同様の感光性樹脂があげられる。その場合は、上記成形型30としては、その成形型30を通して、上記成形空間33に満たされた感光性樹脂を、紫外線等の照射線により露光する必要があるため、照射線を透過する材料からなるもの(例えば石英製のもの)が用いられる。なお、オーバークラッド層形成用の樹脂として熱硬化性樹脂を用いてもよく、その場合は、上記成形型30としては、透明性は問われず、例えば、金属製,石英製のものが用いられる。
【0035】
そして、上記成形型30を、図6(b)に示すように、その成形型30のアライメントマークを上記コア2の光透過面2aに位置合わせし成形型30全体を適正に位置決めした状態で、その成形型30の下面をアンダークラッド層1の表面に密着させる。ついで、上記凹部31および突条32の型面とアンダークラッド層1の表面とコア2の表面で囲まれた成形空間33に、オーバークラッド層形成用の樹脂を、上記成形型30に形成された注入孔から注入し、上記成形空間33を上記樹脂で満たす。つぎに、その樹脂が感光性樹脂の場合は、上記成形型30を通して紫外線等の照射線を露光した後に加熱処理を行い、上記樹脂が熱硬化性樹脂の場合は、加熱処理を行う。これにより、上記オーバークラッド層形成用の樹脂が硬化し、オーバークラッド層3と同時に、基板ユニット嵌合用の縦溝部60(オーバークラッド層3の延長部分4)が形成される。このとき、アンダークラッド層1とオーバークラッド層3とが同じ形成材料の場合は、アンダークラッド層1とオーバークラッド層3とは、その接触部分で同化する。
【0036】
つぎに、脱型し、図6(c)に示すように、オーバークラッド層3と、基板ユニット嵌合用の縦溝部60のうちのオーバークラッド層3に対応する部分とを得る。この基板ユニット嵌合用の縦溝部60の部分は、先に述べたように、上記成形型30を用いコア2の光透過面2aを基準として形成したため、コア2の光透過面2aに対して適正な位置に位置決めされている。また、上記オーバークラッド層3のレンズ部3bも、適正な位置に位置決めされている。
【0037】
上記オーバークラッド層3の厚み(アンダークラッド層1の表面からの厚み)は、通常、コア2の厚みを上回り1200μm以下の範囲内に設定される。また、上記基板ユニット嵌合用の縦溝部60の大きさは、それに嵌合する基板ユニットE2 の嵌合板部5aおよび突設部Pの大きさに対応して形成され、例えば、溝の深さが0.2〜1.2mmの範囲内、溝の幅が0.2〜2.0mmの範囲内に設定される。
【0038】
ついで、図6(d)に示すように、アンダークラッド層1の裏面から基板20を剥離する(図示の矢印参照)。このとき、オーバークラッド層3の上記縦溝部60に対応するアンダークラッド層1の部分1a等の、オーバークラッド層3が存在しないアンダークラッド層1の部分1bは、オーバークラッド層3との接着力がないため、通常、基板20に付着した状態で(基板20とともに)剥離する。それ以外のアンダークラッド層1の部分は、オーバークラッド層3に接着した状態を維持し、アンダークラッド層1の裏面と基板20の間で剥離する。このとき、上記縦溝部60に対応するアンダークラッド層1の部分1aが上記基板20とともに剥離されて除去されることにより、基板ユニット嵌合用の縦溝部60がアンダークラッド層1およびオーバークラッド層3を厚み方向に貫通して形成される。これにより、アンダークラッド層1,コア2,オーバークラッド層3を備え、上記基板ユニット嵌合用の縦溝部60が形成された光導波路ユニットW2 を得、上記(1)の光導波路ユニットW2 の作製工程が完了する。
【0039】
そして、図2(a),(b)に示すように、上記光導波路ユニットW2 をアクリル板等の基台10上に、接着剤により接着する。このとき、アンダークラッド層1と基台10とを接着する。上記基台10としては、表面に凹凸のないものが用いられ、材質,透明性,厚みは問わないが、例をあげると、上記アクリル板以外に、ポリプロピレン(PP)板,金属板,セラミック板等があげられる。また、上記基台10の厚みは、例えば、500μm〜5mmの範囲内に設定される。
【0040】
つぎに、上記(2)の基板ユニットE2 の作製工程について説明する。まず、上記整形基板5の基材となる基板5A〔図7(a)参照〕を準備する。この基板5Aの形成材料としては、例えば、金属,樹脂等があげられる。なかでも、加工容易性および寸法安定性の観点から、ステンレス製基板が好ましい。また、上記基板5Aの厚みは、例えば、0.02〜0.1mmの範囲内に設定される。
【0041】
ついで、図7(a)に示すように、上記基板5Aの表面の所定領域に、感光性ポリイミド樹脂等の、絶縁層形成用の感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布した後、必要に応じて、それを加熱処理して乾燥させ、絶縁層形成用の感光性樹脂層を形成する。そして、その感光性樹脂層を、フォトマスクを介して紫外線等の照射線により露光することにより、所定形状の絶縁層6に形成する。絶縁層6の厚みは、通常、5〜15μmの範囲内に設定される。
【0042】
つぎに、図7(b)に示すように、上記絶縁層6の表面に、光学素子実装用パッド7およびそれに接続する電気回路(図示せず)ならびに突設部P〔図8(a)参照〕に形成されるシート層P0 を、同じ材料(通常、上記電気回路の形成材料である金属材料)により形成する。その形成は、例えば、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、上記絶縁層6の表面に、スパッタリングまたは無電解めっき等により金属層(厚み60〜260nm程度)を形成する。この金属層は、後の電解めっきを行う際のシード層(電解めっき層形成の素地となる層)となる。ついで、上記基板5A,絶縁層6およびシード層からなる積層体の両面に、ドライフィルムレジストを貼着した後、上記シード層が形成されている側のドライフィルムレジストに、フォトリソグラフィ法により上記実装用パッド7および電気配線ならびに突設部形成用シート層P0 のパターンの孔部を同時に形成し、その孔部の底に上記シード層の表面部分を露呈させる。つぎに、電解めっきにより、上記孔部の底に露呈した上記シード層の表面部分に、電解めっき層(厚み5〜20μm程度)を積層形成する。そして、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。その後、上記電解めっき層が形成されていないシード層部分をソフトエッチングにより除去し、残存した電解めっき層とその下のシード層とからなる積層部分を実装用パッド7および電気配線ならびに突設部形成用シート層P0 に形成する。この突設部形成用シート層P0 は、上記のように、一個のフォトマスクを使用したフォトリソグラフィ法を利用して、実装用パッド7と同時に形成したため、その実装用パッド7に対して高精度に設定された位置に、適正形状に形成される。これにより、一対の突設部形成用シート層P0 の外側端縁の間の距離(基板ユニットE2 の全幅Lcとなる距離)が、光導波路ユニットW2 に形成された縦溝部60の底面61の間の距離Ls〔図2(a)参照〕より大きくなるようにする。
【0043】
ついで、図7(c)に示すように、上記基板5Aを、実装用パッド7に対して適正な位置に嵌合板部5aを有する整形基板5に形成する。このとき、整形基板5の全幅Lmが、光導波路ユニットW2 に形成された縦溝部60の底面61の間の距離Lsより小さくなるようにする。この整形基板5の形成は、例えば、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、上記基板5Aの裏面を、ドライフィルムレジストで覆う。そして、実装用パッド7に対して適正な位置に嵌合板部5aが形成されるよう、フォトリソグラフィ法により、目的とする形状のドライフィルムレジストの部分を残す。そして、その残ったドライフィルムレジストの部分以外の露呈している基板5A部分を、塩化第2鉄水溶液を用いてエッチングすることにより除去する。これにより、上記基板5Aが、嵌合板部5aを有する整形基板5に形成される。つぎに、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。上記のようにして基板5Aを整形基板5に整形することにより、絶縁層6の一部分は、整形基板5からはみ出る。また、上記突設部形成用シート層P0 の側端縁部分も、嵌合板部5aの側端縁からはみ出し、その突設部形成用シート層P0 が突設部Pに形成される。なお、上記整形基板5における嵌合板部5aの大きさは、例えば、縦の長さL1 が0.5〜5.0mmの範囲内、横の長さL2 が0.5〜5.0mmの範囲内に設定される。
【0044】
つぎに、図8(a)に示すように、はみ出た余分な絶縁層6の部分を、エッチングすることにより除去する。この方法は、例えば、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、上記整形基板5の裏面およびその整形基板5からはみ出た絶縁層6の裏面を、ドライフィルムレジストで覆う。ついで、除去する余分な絶縁層6の部分以外のドライフィルムレジストの部分を、フォトリソグラフィ法により残す。そして、その残ったドライフィルムレジストの部分以外の露呈している絶縁層6の部分を、ポリイミドエッチング液を用いてエッチングすることにより除去する。つぎに、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。
【0045】
そして、図8(b)に示すように、実装用パッド7に、光学素子8を実装した後、上記光学素子8およびその周辺部を、透明樹脂によりポッティング封止する。上記光学素子8の実装は、実装機を用いて行われ、その実装機に備わっている位置決めカメラ等の位置決め装置により、実装用パッド7に正確に位置決めされて行われる。これにより、嵌合板部5aを有する整形基板5と、絶縁層6と、実装用パッド7と、突設部Pと、光学素子8と、封止樹脂9とを備えた基板ユニットE2 を得、上記(2)の基板ユニットE2 の作製工程が完了する。この基板ユニットE2 では、先に述べたように、実装用パッド7を基準として、嵌合板部5aが形成されているため、その実装用パッド7に実装された光学素子8と嵌合板部5aとは適正な位置関係にある。
【0046】
つぎに、前記(3)の光導波路ユニットW2 と基板ユニットE2 との結合工程について説明する。すなわち、まず、図4に示すように、基板ユニットE2 の光学素子8〔図3(a),(b)参照〕の表面(発光部または受光部)を、光導波路ユニットW2 のコア2〔図2(a),(b)参照〕の光透過面2a側に向けた状態で、基板ユニットE2 を少し斜めに倒し、一方の嵌合板部5aを突設部Pごと、光導波路ユニットW2 に形成した基板ユニット嵌合用の縦溝部60の一方に少し嵌合させる。つづいて、斜めに倒した上記基板ユニットE2 を元に戻し、他方の嵌合板部5aを突設部Pごと、他方の縦溝部60に少し嵌合させ、その状態で全体を押し込み、上記光導波路ユニットW2 と基板ユニットE2 とを一体化する〔図1(a),(b)参照〕。このとき、上記基板ユニットE2 の突設部Pは、上記縦溝部60の底面61との当接により変形し、その状態で、上記縦溝部60の底面61との当接状態を維持する。そして、上記突設部Pの変形により、部品公差が吸収され、上記基板ユニットE2 は、ぐらつきも、撓みもしない。なお、上記縦溝部60と嵌合板部5aおよび突設部Pとの嵌合部分を接着剤で固定してもよい。このようにして、目的とする光センサモジュールが完成する。
【0047】
図9(a),(b)は、光導波路ユニットW2 に形成する縦溝部60の変形例を模式的に示す平面図である。これら変形例は、縦溝部60の底面61の幅が、上記嵌合板部5aの厚みの2倍の値以下と狭く設定され、左右の突設部Pの変形幅の差を極めて小さくするかなくすように設計されている。すなわち、図9(a)では、底面61に段部が形成され、段階的に幅が狭くなっている。図9(b)では、底面61に曲面状の傾斜面が形成され、徐々に幅が狭くなっている。上記以外の部分は、図1(a),(b)に示す実施の形態と同様である。なお、図1(a),(b)に示す縦溝部60の幅を、全体的に狭くすることにより、上記のように、縦溝部60の底面61の幅を狭くしてもよい。これらのように縦溝部60の底面61の幅を狭くすることにより、上記基板ユニットE2 の嵌合が、より安定的となり、基板ユニットE2 のぐらつきや撓みをより確実に防止することができる。
【0048】
なお、上記実施の形態では、基板ユニットE2 の突設部Pを、基板ユニットE2 の実装用パッド7および電気配線と同時に、同じ材料で形成したが、突設部Pの形成方法は他でもよい。例えば、光学素子8を樹脂封止した後に、上記突設部Pとなるシート片を、嵌合板部5aの側端縁部に、接着剤により接着してもよい。上記シート片の形成材料としては、実装用パッド7および電気配線と同じ金属材料でもよいし、それと異なる材料でもよい。そのような材料としては、例えば、合成樹脂,ゴム等があげられる。
【0049】
また、上記実施の形態では、基板ユニットE2 の突設部Pを、基板ユニットE2 の両側に形成したが、図10に示すように、片側のみに突設部Pを形成してもよい。
【0050】
さらに、上記実施の形態では、基板ユニットE2 の突設部Pを、基板ユニットE2 の実装用パッド7および電気配線と同じ面に形成したが、図11(a),(b)に示すように、実装用パッド7と反対側の面に、上記のようにシート片を接着する等して、突設部Pを形成してもよい。図11(a)では、基板ユニットE2 の両側に突設部Pが形成され、図11(b)では、基板ユニットE2 の片側のみに突設部Pが形成されている図を示している。
【0051】
そして、上記本発明の光センサモジュールは、例えば、図12に示すように、2つのL字形の光センサモジュールS1 ,S2 に形成し、それらを四角形の枠状にして用いることにより、タッチパネルにおける指等の触れ位置の検知手段として用いることができる。すなわち、一方のL字形の光センサモジュールS1 は、角部の2箇所に、発光素子8aが実装された基板ユニットE2 が嵌合され、光Hが出射するコア2の端面2bおよびオーバークラッド層3のレンズ面が、上記枠状の内側に向けられている。他方のL字形の光センサモジュールS2 は、角部の1箇所に、受光素子8bが実装された基板ユニットE2 が嵌合され、光Hが入射するオーバークラッド層3のレンズ面およびコア2の端面2bが、上記枠状の内側に向けられている。そして、上記2つのL字形の光センサモジュールを、タッチパネルの四角形のディスプレイDの画面を囲むようにして、その画面周縁部の四角形に沿って設置し、一方のL字形の光センサモジュールS1 からの出射光Hを他方のL字形の光センサモジュールS2 で受光できるようする。これにより、上記出射光Hが、ディスプレイDの画面上において、その画面と平行に格子状に走るようにすることができる。このため、指でディスプレイDの画面に触れると、その指が出射光Hの一部を遮断し、その遮断された部分を、受光素子8bで感知することにより、上記指が触れた部分の位置を検知することができる。なお、図12では、基板ユニットE2 の突設部Pを省略している。また、コア2を鎖線で示しており、その鎖線の太さがコア2の太さを示しているとともに、コア2の数を略して図示している。
【0052】
つぎに、実施例について従来例と併せて説明する。但し、本発明は、実施例に限定されるわけではない。
【実施例】
【0053】
〔アンダークラッド層,オーバークラッド層(延長部分を含む)の形成材料〕
ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル(成分A)35重量部、脂環式エポキシ樹脂である3’,4’−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート(ダイセル化学工業社製、セロキサイド2021P)(成分B)40重量部、(3’,4’−エポキシシクロヘキサン)メチル−3’,4’−エポキシシクロヘキシル−カルボキシレート(ダイセル化学工業社製、セロキサイド2081)(成分C)25重量部、4,4’−ビス〔ジ(β−ヒドロキシエトキシ)フェニルスルフィニオ〕フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートの50重量%プロピオンカーボネート溶液(成分D)2重量部とを混合することにより、アンダークラッド層およびオーバークラッド層の形成材料を調製した。
【0054】
〔コアの形成材料〕
上記成分A:70重量部、1,3,3−トリス{4−〔2−(3−オキセタニル)〕ブトキシフェニル}ブタン:30重量部、上記成分D:1重量部を乳酸エチルに溶解することにより、コアの形成材料を調製した。
【0055】
〔光導波路ユニットの作製〕
まず、ステンレス製基板の表面に、上記アンダークラッド層の形成材料をアプリケーターにより塗布した後、2000mJ/cm2 の紫外線(波長365nm)照射による露光を行うことにより、アンダークラッド層(厚み25μm)を形成した〔図5(a)参照〕。
【0056】
ついで、上記アンダークラッド層の表面に、上記コアの形成材料をアプリケーターにより塗布した後、100℃×15分間の乾燥処理を行い、感光性樹脂層を形成した〔図5(b)参照〕。つぎに、その上方に、コアのパターンと同形状の開口パターンが形成された合成石英系のクロムマスク(フォトマスク)を配置した。そして、その上方から、プロキシミティ露光法にて4000mJ/cm2 の紫外線(波長365nm)照射による露光を行った後、80℃×15分間の加熱処理を行った。つぎに、γ−ブチロラクトン水溶液を用いて現像することにより、未露光部分を溶解除去した後、120℃×30分間の加熱処理を行うことにより、コア(厚み50μm、幅50μm)を形成した〔図5(c)参照〕。
【0057】
つぎに、オーバークラッド層と、基板ユニット嵌合用の縦溝部(オーバークラッド層の延長部分)とを同時に型成形する石英製の成形型〔図6(a)参照〕を、コアの光透過面を基準として適正位置にセットした〔図6(b)参照〕。そして、上記オーバークラッド層およびその延長部分の形成材料を、成形空間に注入した後、その成形型を通して2000mJ/cm2 の紫外線照射による露光を行った。つづいて、120℃×15分間の加熱処理を行った後、脱型し、オーバークラッド層と、基板ユニット嵌合用の縦溝部とを得た〔図6(c)参照〕。上記オーバークラッド層の厚み(アンダークラッド層の表面からの厚み)は、接触式膜厚計で測定すると、1000μmであった。
【0058】
そして、アンダークラッド層の裏面からステンレス製基板を剥離した〔図6(d)参照〕。このとき、オーバークラッド層の上記縦溝部に対応するアンダークラッド層の部分の、オーバークラッド層が存在しないアンダークラッド層の部分は、ステンレス製基板に付着した状態で(ステンレス製基板とともに)剥離した。その結果、縦溝部は、アンダークラッド層およびオーバークラッド層を厚み方向に貫通して形成された。そして、その剥離した光導波路ユニットをアクリル板上に、接着剤を用いて接着した〔図2(a),(b)参照〕。上記縦溝部の形状は、図1(a)に示す横断面略U字状のものとした。また、対向する上記縦溝部の底面間の距離(Ls)は14.00mmであった。
【0059】
〔基板ユニットの作製〕
ステンレス製基板〔25mm×30mm×50μm(厚み)〕の表面の一部分に、感光性ポリイミド樹脂からなる絶縁層(厚み10μm)を形成した〔図7(a)参照〕。ついで、セミアディティブ法により、上記絶縁層の表面に、銅/ニッケル/クロム合金からなるシード層と電解銅めっき層(厚み10μm)とからなる積層体を形成した。さらに、その積層体の表面に金/ニッケルめっき処理(厚み金/ニッケル=0.2μm/2.0μm)し、上記積層体と金/ニッケルめっき層とからなる光学素子実装用パッドおよび電気配線ならびに突設部形成用シート層を形成した〔図7(b)参照〕。
【0060】
つぎに、上記光学素子実装用パッドに対して適正な位置に嵌合板部が形成されるよう、ドライフィルムレジストを利用してエッチングすることにより、ステンレス製基板を、嵌合板部を有する整形基板に形成した〔図7(c)参照〕。この整形基板の全幅(Lm)は13.08mmであった。その後、同様にドライフィルムレジストを利用して、余分な絶縁層をエッチングすることにより除去した〔図8(a)参照〕。各工程の上記ドライフィルムレジストは、水酸化ナトリウム水溶液により剥離した。
【0061】
そして、上記光学素子実装用パッドの表面に、銀ペーストを塗布した後、高精度ダイボンダ(実装装置)を用いて、上記銀ペースト上に、ワイヤーボンディングタイプの発光素子(Optwell社製、SM85−1N001)を実装した。ついで、キュア処理し、上記銀ペーストを硬化させた。その後、上記発光素子およびその周辺部を、透明樹脂(日東電工社製、NT−8038)によりポッティング封止した〔図8(b)参照〕。このようにして、基板ユニットを作製した。この基板ユニットの嵌合板部の寸法は、縦の長さが2.0mm、横の長さが2.0mmであり、全幅(Lc)は14.05mmであった。
【0062】
〔光センサモジュールの製造〕
上記光導波路ユニットに形成した基板ユニット嵌合用の縦溝部の一方に、上記基板ユニットに形成した嵌合板部の一方を突設部ごと嵌合させ、つづいて、他方の縦溝部に、他方の嵌合板部を突設部ごと嵌合させ、一対の嵌合板部の下端縁をアクリル板の表面に当接させた。このとき、上記基板ユニットの突設部は、上記縦溝部の底面と当接した状態で変形した。その後、その嵌合部を接着剤で固定した。このようにして、光センサモジュールを製造した〔図1(a),(b)参照〕。
【0063】
〔従来例〕
上記実施例において、基板ユニットとして、突設部を形成しないものを作製した。その基板ユニットの全幅は、対向する上記縦溝部の底面間の距離(Ls)と同じとなるようにしたが、部品公差により、全て上記距離(Ls)より大きく形成された。それ以外の部分は、上記実施例と同様とした。この従来例では、基板ユニットが、上記発光素子がコアの光透過面から遠ざかる方向に撓んだ。
【0064】
〔光結合損失〕
上記実施例および従来例の光センサモジュールを、それぞれ5個(サンプル数N=5)準備した。そして、それぞれの光センサモジュールの発光素子に電流を流し、発光素子から光を出射させ、光センサモジュールの先端部から出射された光の強度を測定し、光結合損失を算出した。また、その平均値および偏差も算出した。その結果を下記の表1に示した。
【0065】
【表1】
【0066】
上記表1に示す光結合損失の平均値から、上記実施例は、従来例と比較して、光結合損失が小さくなることがわかる。さらに、上記表1に示す光結合損失の偏差から、上記実施例は、従来例と比較して、光結合損失のばらつきも小さくなることがわかる。
【0067】
なお、上記実施例では、基板ユニットの両側に突設部を形成したが、片側のみに突設部を形成したもの(図10参照)であっても、上記実施例と同様の結果が得られた。また、突設部を、発光素子と反対側の面に形成したもの〔図11(a),(b)参照〕であっても、上記実施例と同様の結果が得られた。さらに、光導波路ユニットの縦溝部の形状を、図1(a)に示す横断面略U字状のものとしたが、図9(a),(b)に示す、底面の幅が狭い縦溝部としても、上記実施例と同様の結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【0068】
本発明の光センサモジュールは、タッチパネルにおける指等の触れ位置の検知手段、または音声や画像等のデジタル信号を高速で伝送,処理する情報通信機器,信号処理装置等に用いることができる。
【符号の説明】
【0069】
W2 光導波路ユニット
E2 基板ユニット
P 突設部
2 コア
2a 光透過面
5a 嵌合板部
8 光学素子
60 縦溝部
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光導波路ユニットと、光学素子が実装された基板ユニットとを結合させてなる光センサモジュールであって、上記光導波路ユニットが、アンダークラッド層と,このアンダークラッド層の表面に形成された光路用の線状のコアと,このコアを被覆するオーバークラッド層と,上記コアの光透過面に対して適正位置となる上記オーバークラッド層の部分に形成された基板ユニット嵌合用の左右一対の嵌合部とを備え、上記基板ユニットが、基板と,この基板上の所定部分に実装された光学素子と,この光学素子に対して適正位置となる上記基板の部分に形成された,上記基板ユニット嵌合用の嵌合部に嵌合する一対の被嵌合部と,これら一対の被嵌合部の少なくとも一方に側方に突設された,上記基板より剛性の低い突設部とを備え、上記光導波路ユニットと上記基板ユニットとの結合が、上記光導波路ユニットに形成された上記嵌合部に、上記基板ユニットに形成された上記被嵌合部を上記突設部ごと嵌合させ、上記突設部が上記嵌合部との当接により変形した状態で、かつ、上記基板ユニットが撓んでいない状態でなされていることを特徴とする光センサモジュール。
【請求項2】
上記光導波路ユニットに形成されている上記左右一対の嵌合部が、上記光導波路ユニットの厚み方向に延びる縦溝部であって、上記縦溝部の底面の幅が、上記被嵌合部の厚みの2倍の値以下に設定され、上記基板ユニットに形成されている上記突設部が、上記縦溝部の底面に位置決めされている請求項1記載の光センサモジュール。
【請求項3】
上記基板ユニットの上記突設部が、銅製である請求項1または2記載の光センサモジュール。
【請求項1】
光導波路ユニットと、光学素子が実装された基板ユニットとを結合させてなる光センサモジュールであって、上記光導波路ユニットが、アンダークラッド層と,このアンダークラッド層の表面に形成された光路用の線状のコアと,このコアを被覆するオーバークラッド層と,上記コアの光透過面に対して適正位置となる上記オーバークラッド層の部分に形成された基板ユニット嵌合用の左右一対の嵌合部とを備え、上記基板ユニットが、基板と,この基板上の所定部分に実装された光学素子と,この光学素子に対して適正位置となる上記基板の部分に形成された,上記基板ユニット嵌合用の嵌合部に嵌合する一対の被嵌合部と,これら一対の被嵌合部の少なくとも一方に側方に突設された,上記基板より剛性の低い突設部とを備え、上記光導波路ユニットと上記基板ユニットとの結合が、上記光導波路ユニットに形成された上記嵌合部に、上記基板ユニットに形成された上記被嵌合部を上記突設部ごと嵌合させ、上記突設部が上記嵌合部との当接により変形した状態で、かつ、上記基板ユニットが撓んでいない状態でなされていることを特徴とする光センサモジュール。
【請求項2】
上記光導波路ユニットに形成されている上記左右一対の嵌合部が、上記光導波路ユニットの厚み方向に延びる縦溝部であって、上記縦溝部の底面の幅が、上記被嵌合部の厚みの2倍の値以下に設定され、上記基板ユニットに形成されている上記突設部が、上記縦溝部の底面に位置決めされている請求項1記載の光センサモジュール。
【請求項3】
上記基板ユニットの上記突設部が、銅製である請求項1または2記載の光センサモジュール。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【公開番号】特開2012−53186(P2012−53186A)
【公開日】平成24年3月15日(2012.3.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−194397(P2010−194397)
【出願日】平成22年8月31日(2010.8.31)
【出願人】(000003964)日東電工株式会社 (5,557)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年3月15日(2012.3.15)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年8月31日(2010.8.31)
【出願人】(000003964)日東電工株式会社 (5,557)
【Fターム(参考)】
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