【課題】基板を静電チャックから容易に除去することができる基板除去方法を提供する。
【解決手段】直流電圧が印加される静電電極板２２を内包する静電チャック２３及び該静電チャック２３を内蔵するチャンバ１１を備える基板処理装置１０において、プラズマエッチング処理中に第１の所定の電位へ維持された静電チャック２３の静電電極板２２の電位をプラズマエッチング処理後に接地電位に設定してウエハＷ及びチャンバ１１の間の電位差の絶対値を増大させ、ウエハＷ及びチャンバ１１の間においてＤＣ放電４０を生じさせ、ＤＣ放電４０が生じた後にウエハＷに生じる第２の所定の電位と同じ電位の直流電圧を静電電極板２２へ印加してウエハＷ及びチャンバ１１の間の電位差の絶対値を増大させてＤＣ放電４２を生じさせ、ウエハＷを静電チャック２３から除去する。 （もっと読む）

【課題】セラミック誘電体基板の内部の電極への導通を確実に確保するとともに、穿孔によるセラミック誘電体基板の強度的強度の低下、電気的絶縁の信頼性低下を最小限にすることができる静電チャックを提供することを目的とする。
【解決手段】被吸着物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と前記第２主面とのあいだに介設された電極と、前記セラミック誘電体基板の前記第２主面に形成された凹部の中に設けられた導電性部材と、を備え、前記凹部の先端は、曲面を有し、前記電極は、前記曲面において露出する露出部分を有し、前記導電性部材は、前記露出部分において前記電極と接触していることを特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】静電電極の端面が変形するのを抑制する。
【解決手段】静電チャック１０を製造する方法であって、（ａ）静電電極前駆体２４を内面に着脱可能に取り付けた第１成形型３１に、セラミック粉体、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むセラミックスラリーを流し込み、ゲル化剤を化学反応させてセラミックスラリーをゲル化させたあと離型することにより、第１セラミック成形体４１に静電電極前駆体２４が埋め込まれた埋込電極付きセラミック成形体４１Ｘを作製する工程と、（ｂ）第２セラミック成形体４２を作製する工程と、（ｃ）埋込電極付きセラミック成形体４１Ｘと第２セラミック成形体４２を用いて積層仮焼体５０を作製し、該積層仮焼体５０をホットプレス焼成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】吸着力を確保しつつ優れた吸脱着応答性が発揮される静電チャックを提供する。
【解決手段】板状のシリカガラスに導電性材料からなる電極が埋設され、一主面を吸着面として被吸着物を吸着する静電チャックであって、前記電極と前記吸着面との距離が、前記吸着面の中央部で最大値をとり、前記吸着面の中央部から前記吸着面の外周部にかけて連続して変化し、前記吸着面の外周部で最小値をとる形状であり、さらに、前記吸着面の表面粗さが前記吸着面の中央領域より外周領域のほうが粗いことを特徴とする静電チャック。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にパーティクルが付着するのを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０はチャンバ１１内にウエハＷを載置するサセプタ１２を備え、該サセプタ１２には下部高周波電源２０が接続され、サセプタ１２の上部には電極板２３を内部に有する静電チャック４２が配置され、電極板２３には直流電源２４が接続され、下部高周波電源２０がサセプタ１２に所定の高周波電力を印加した後、直流電源２４が電極板２３に負電圧を印加することによって静電チャック４２がクーロン力等によりウエハＷを吸着する。 （もっと読む）

【課題】フッ素系腐食性ガス、塩素系腐食性ガス等のハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマ中で用いられ、十分な吸着力と機械的強度を有する静電チャック部材を提供する。
【解決手段】酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部を、イットリウムを除く希土類元素（ＲＥ）で置換してなる複合酸化物焼結体からなり、イットリウムの原子数（Ｎ_Y）とイットリウムを除く希土類元素の原子数（Ｎ_RE）との和（Ｎ_Y＋Ｎ_RE）に対する、イットリウムを除く希土類元素の原子数（Ｎ_RE）の比［Ｎ_RE／（Ｎ_Y＋Ｎ_RE）］が０．０１以上０．５未満であり、体積抵抗値が１×１０¹⁰Ω・ｃｍ以上１×１０¹⁵Ω・ｃｍ未満である静電チャック部材である。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された回路の素子の破壊及び基板への汚染物質の付着を防止し、且つ基板裏面の損傷を防止することができると共に、既設の装置に対して容易に適用することができる静電チャックを提案する。
【解決手段】上層４２と、下層４３と、上層４２及び下層４３に挟持された静電電極板４４とを有する静電チャック４０ａの上層４２の基板載置面４１に基板Ｇの裏面の構成材料と同じ材料であるガラスからなり、基板Ｇの裏面に当接する最上層４５ａが形成されており、上層４２及び下層４３はフッ素含有ガスに対する耐性を有する誘電体であるアルミナで形成されている。 （もっと読む）

【課題】吸着方法を改善することにより、特定の環境下で使用が可能で、固定用の土台との着脱が容易な静電チャックを提供する。
【解決手段】板状の絶縁材料の中に導電性材料からなる吸着用電極が埋設されている静電チャックであって、前記吸着用電極が、前記板状の絶縁材料の表面側と裏面側の双方に、それぞれ独立して形成されており、好ましくは、前記表面側の吸着用電極は双極型構造、前記裏面側の吸着用電極は単極型構造であること、さらに好ましくは、前記静電チャック裏面の主面方向に対して、前記裏面中心から前記裏面外周に向かって、前記静電チャック裏面の主面全面積の５％以上４０％以下を占める範囲内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いることなく製造することができる静電吸着装置、露光装置、デバイスの製造方法及び静電吸着装置の製造方法を提供する。
【解決手段】静電吸着装置２２は、レチクルＲを吸着する吸着面６０を有する第１面５９と、第１面５９の裏面に形成された第２面５６とを有する誘電部材５１と、誘電部材５１の第２面５６に対して接合される接合面５４を有する基台５０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】強い腐食性環境下で、プラズマエッチング加工が行われる半導体加工用装置内に配設される静電チャックの耐久性を向上させること。
【解決手段】電極層と電気絶縁層とからなる静電チャック部材において、この部材最外層に、元素の周期律表の３Ａ族元素の酸化物の溶射被覆層を設けるとともに、前記溶射被覆層の表面に、高エネルギー照射処理によって形成された、孔率が５％未満で、かつ、その表面の平均粗さ（Ｒａ）が０．８〜３．０μｍになる緻密化再溶融層を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】絶縁体層とこの絶縁体層内に設けられた電極とを有する静電チャックの被吸着体と接触する表面に、
(A)オルガノポリシロキサン、
(B)Ｒ₃ＳｉＯ_1/2単位（Ｒは一価炭化水素基）とＳｉＯ₂単位を主成分とし、Ｒ₃ＳｉＯ_1/2単位とＳｉＯ₂単位とのモル比［Ｒ₃ＳｉＯ_1/2／ＳｉＯ₂］が０．５〜１．５で、かつ１×１０^-4〜５×１０^-3ｍｏｌ／ｇのビニル基を含有するシリコーン樹脂質共重合体、
(C)オルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(D)有機過酸化物
を含有してなるシリコーンゴム組成物の硬化物からなるシリコーンゴム層を形成してなる静電チャック。
【効果】本発明はウエハとの密着性がよく、冷却性能に優れるため、半導体集積回路の製造においてウエハの保持が必要となる工程、特に、プラズマエッチング工程やイオン注入工程、スパッタリング工程において、ウエハの温度を精度よく均一かつ一定に保つことができるため、高精度の加工を行うのに有用である。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマ中で用いられ、十分な吸着力を有し、しかも該吸着力が面内で均一であり機械的強度に優れ、残留吸着力の低い静電チャック及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化イットリウムアルミニウム結晶相（Ａ）又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部をイットリウムでない希土類元素で置換してなる結晶相（Ｂ）と、イットリウムを除く希土類元素−アルミニウム酸化物結晶相（Ｃ）とを含む複合酸化物焼結体を含み、Ｘ線回折プロファイルに基づき所定の式で算出される結晶相（Ｃ）の含有率が０．０５％以上１０％以下である静電チャック及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板を複数の区画に区分けしたとき、各区画を区画毎に異なる大きさの力で静電吸着できる静電吸着装置を提供する。
【解決手段】
表面が平面状にされた誘電体から成るステージ１１と、ステージ１１の内部に互いに離間して配置された三個以上の静電吸着電極１２と、各静電吸着電極１２に直流電圧を印加する静電吸着電源とを有している。ステージ１１の表面を、一の区画が他の区画に含まれることがなく、かつ各区画がそれぞれ複数個の静電吸着電極１２を含むように、複数の区画Ａ〜Ｄに区分けしたとき、各区画内に位置する静電吸着電極１２には区画毎に同一の値の電圧が印加され、隣り合う二つの区画内に位置する静電吸着電極１２には区画毎に互いに異なる値の電圧が印加されるように構成されている。各静電吸着電極１２のステージ１１の表面に平行な断面積は１ｃｍ²以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、パーティクルの発生を抑制することができる静電チャック及び静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】被吸着物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板を備えた静電チャックであって、前記誘電体基板は、多結晶セラミックス焼結体から形成され、レーザ顕微鏡を用いて求められた前記主面における干渉縞占有面積率が１％未満とされたこと、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、パーティクルの発生を抑制することができるとともに、静電チャック表面の清浄状態を容易に回復させることができる静電チャックを提供する。
【解決手段】被吸着物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板を備えた静電チャックであって、前記誘電体基板は、多結晶セラミックス焼結体から形成され、前記突起部の頂面は曲面とされ、前記頂面には第１の凹部が形成され、前記平面部は、平坦部を有し、前記平坦部には第２の凹部が形成され、前記第１の凹部の深さ寸法は、前記第２の凹部の深さ寸法よりも大きいこと、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】
給電端子付近での電極および誘電層におけるクラック発生がない静電チャックの給電端子形成方法を提供する。
【解決手段】
金属層からなる電極が板状の絶縁材料の中に埋設され、その一表面は吸着面であり、その裏面には前記電極に達する端子を挿入するための端子孔が形成されており、前記端子孔には前記電極に接する給電端子Ａと、給電端子Ａと空間部を設けて位置する給電端子Ｂが配置されており、給電端子ＡおよびＢの外周面を一体の導電性ペーストで囲繞し端子孔との間を満たしており、給電端子Ｂの給電端子Ａと対向しない側の面の面積が、給電端子Ａの給電端子Ｂに対向した側の面積よりも大きい静電チャック。 （もっと読む）

静電チャックは静電層及び発熱層を含む。静電層は、上部に置かれる基板を固定するために静電力を発生する静電電極を配置しながら第１熱伝達係数を有する。発熱層は、静電層の下部に配置され、基板を加熱するための発熱電極を配置しながら第１熱伝達係数より高い第２熱伝達係数を有する。
（もっと読む）

【課題】導電層内での空洞発生、高抵抗化、及び電気的不導通の発生を防止することができ、かつ接合強度を向上させることができ、かつ装置全体の長期信頼性を向上させることのできる静電チャックを提供する。
【解決手段】イットリアを主成分とするセラミックからなる板状の基体２Ａと、この基体の一主面に開口する凹部３Ａと、前記凹部の底面９Ａに露出した、白金とイットリアを主成分とするセラミックとで形成された導電層４Ａと、前記凹部内に立設して配置され、前記導電層と電気的に接続された電極端子５Ａとを有する静電チャック１Ａ装置であって、前記導電層の表面１０Ａと前記電極端子との間に形成された、９３体積％以上の白金を含む接続中間層６Ａを有することを特徴とする静電チャック。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ処理装置内の静電チャック上に半導体ウェーハ等の基板を保持する方法、および装置を提供する。
【解決手段】任意の極性の出力電圧レベルにおいて、電流をソーシング及びシンキング両方に実施できる高圧直流電源１０４を、静電チャック１１４の少なくとも１つの埋込み電極１１８に結合し、漏れ電流、チャック対ウェーハ電位、後部ガス漏れレート等を含む最適チャッキングの任意の指標に応じて、チャッキング電圧を動的に制御する。 （もっと読む）

【課題】セラミック板のクラック発生を抑制しつつ、被処理基板の急速な加熱冷却が可能な静電チャックを提供する。
【解決手段】主面に凹部が設けられ、内部に電極が設けられたセラミック板と、セラミック板に接合された温調プレートと、セラミック板と温調プレートとの間に設けられた第１の接合剤と、セラミック板の凹部内に設けられたヒータと、を備え、第１の接合剤は、主剤と、無定形フィラーと、球形フィラーと、を有し、球形フィラーの平均直径は、全ての無定形フィラーの短径の最大値よりも大きく、第１の接合剤の厚さは、球形フィラーの平均直径と同じか、もしくは大きく、凹部の幅は、ヒータの幅より広く、凹部の深さは、ヒータの厚さより深く、凹部内にヒータが第２の接合剤により接着され、ヒータの温調プレート側の主面と、温調プレートの主面と、の間の第１の距離が、セラミック板の主面と、温調プレートの主面と、の間の第２の距離よりも長い。 （もっと読む）