【課題】めっき厚を確実に測定することが可能な電着超砥粒工具を提供することを目的とする。
【解決手段】すなわち、ＣＭＰコンディショナ１は、台金１０と、台金１０の表面に形成された超砥粒層２０とを備え、超砥粒層２０ではダイヤモンド砥粒２２がニッケルめっき層２１により台金１０に固定されており、さらに超砥粒層２０のめっき厚を測定するために台金１０の表面に設けられためっき厚測定部３０を備える。めっき厚測定部３０は、ニッケルめっき層３１のみで構成されている。めっき厚測定部３０は、超砥粒層２０から離隔して設けられる。 （もっと読む）

【課題】硬質材料の研磨を効率よく行うことができる研磨方法及び研磨装置を提供する。
【解決手段】多数の砥粒１６を含有した砥石１４と、砥石車１４を回転駆動させる駆動部１７と、を備える研磨装置１０を用いて被研磨部材２３を研磨するに際し、砥石１４の研磨面１５の目つぶしを行う目つぶし部材１８と、目つぶし部材１８を保持固定し、移動可能に備えられた目つぶし部材保持手段２０と、駆動部１７及び目つぶし部材保持手段２０を制御する制御部を備えたものを用い、被研磨部材２３の研磨の際に、制御部によって、目つぶし部材保持手段２０を移動させて目つぶし部材１８を研磨面１５に常時押し当て、砥粒１６の目つぶれの状態が一定になるように制御しながら被研磨部材２３を研磨する。 （もっと読む）

【課題】工具寿命を長くすることが可能な超砥粒工具を提供することを目的とする。
【解決手段】ダイヤモンドロータリードレッサー１は、台金１０と、台金１０に配置された柱状ダイヤモンド２０とを備える。柱状ダイヤモンド２０の表面が露出している先端部２５にはＲ０．０５ｍｍ〜Ｒ１ｍｍの丸みが設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、前述した課題を解決するために、優れたパッド平坦性と高いパット研削力を同時に満たすドレッサーを提供する。
【解決手段】円盤状支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着されたドレッサーであって、円盤状支持材の半径をＲとした場合、砥粒が、０．３Ｒ≦Ｂ＜Ａ≦０．９Ｒ、かつ、Ａ−Ｂ≧４（ｍｍ）を満たす半径Ｂの同心円の外側、かつ、半径Ａの同心円の内側のリング状領域に固着されていることを特徴とする研磨布用ドレッサー。 （もっと読む）

【課題】高硬歯車の面粗さの改善などを目的として加工圧を調節することができる歯面加工装置及び歯車製造方法を提供する。
【解決手段】歯面処置装置１０は、はす歯状砥石２と、はす歯状砥石２の回転軸Ｃと被加工歯車Ｗの回転軸Ｘとの相対位置を移動できる位置調節手段３と、はす歯状砥石２の回転軸Ｃと被加工歯車Ｗの回転軸Ｘとの相対位置を調節して、被加工歯車Ｗの１つの歯を形成する歯面のうち一方の被加工歯面１１のみ、はす歯状砥石２の砥石歯面２１に当接させてはす歯状砥石２及び被加工歯車Ｗを噛み合わせるように位置調節手段３を作動させる相対位置制御部７１と、砥石回転手段４を作動させる砥石回転手段制御部７２と、回転トルクを所定範囲に調節するように回転トルク制御手段５を作動させるトルク制御手段制御部７３と、をもつ制御手段７とを有する。 （もっと読む）

【課題】ダイシングブレードの劣化を防止し、チッピングの発生を防止し、高品質な半導体装置を製造可能とする。
【解決手段】半導体ウエハＷ０の一面にフィラーが含有された樹脂層１４を形成するフィラー含有樹脂層形成工程Ｓ２と、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハと樹脂層とを一括して切削し、半導体ウエハを個片化するダイシング工程Ｓ３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】量産コストを低減させることができる圧粉磁心の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁被覆処理された純鉄粉又は鉄を主成分とする鉄系合金粉末を金型を用いて加圧成形して圧粉磁心を得る工程Ｓ１、得られた圧粉磁心に熱処理を施す工程Ｓ２、及び熱処理された圧粉磁心の少なくとも一部に研削砥石を用いた後加工を施す工程Ｓ３を含んでいる。前記後加工を施す工程において、圧粉磁心及び研削砥石を自転させつつ研削加工を施すことで圧粉磁心の加工面に生じる加工跡を等方性にする。 （もっと読む）

【課題】高精度で超砥粒の脱落が起こらない長寿命のロータリードレッサを提供することを目的とする。
【解決手段】ダイヤモンドロータリードレッサ１は、溶射により形成されて、気孔率が３％以下である溶射層２３と、溶射層２３上に形成されて、１層の超砥粒２１が結合材２２により保持されている超砥粒層２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、従来の研磨工具では実現できない、より精密な研磨を実現する研磨工具を提供することである。
【解決手段】 本発明は、研磨工具用チップの製造方法であって、超砥粒層と超硬合金層とが焼結一体化された複合材からチップ材料を切り出す工程、および、切り出されたチップ材料の超硬合金層を、該チップ材料の超硬合金層側の下端面を含む平面と超砥粒層側の上端面を含む平面とのなす角αが０°＜α＜９０°になるように加工する工程を含む、前記製造方法、該製造方法によって製造された研磨工具用チップ、および該研磨工具用チップを含む研磨工具に関する。 （もっと読む）

【課題】ドレッシングしたときに、金属成分の溶出が少なく、かつ砥粒の脱落が抑制されたドレッサーを提供する。
【解決手段】樹脂製支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着された研磨布用ドレッサーであって、前記樹脂製支持材と前記砥粒との間には金属層が存在し、前記樹脂製支持材に接する側の前記金属層の表面は凹凸部を有することを特徴とする研磨布用ドレッサーを提供する。好ましくは、金属層は前記樹脂製支持材と前記砥粒との間のみに存在している。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、パッドコンディショニング用焼結体等の、超砥粒焼結体からなる研磨パッチであって、円形の焼結体素材から、最も無駄なく切り出すことの出来る研磨パッチを提供することである。
【解決手段】 本発明の研磨パッチは、円形の超砥粒焼結体素材を、円形中心に位置する正６角形から２枚、その正六角形の外側に位置する６枚の合同な素材片から６枚の研磨パッチを切り出した、研磨パッチである。
都合８枚の研磨パッチ素材は合同であり、パッチ角部は研磨時に被研磨材に損傷を与えないように、輪郭が丸められている。
合同なパッチはさらに円弧状辺と同心円をなす線に沿って分割した、複数組の８枚の合同なパッチとしてもよい。
さらに本発明は、そのような研磨パッチの製造方法、およびそれらを用いた研磨工具を含む。 （もっと読む）

【課題】０．３５μｍルール以下の調高精細配線ルールのＬＳＩ等用の半導体材料表面を研磨するＣＭＰ研磨パッドをコンディショニングするための研磨工具を実現できる、パッドコンディショニング用焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】超砥粒焼結体の研磨面に並んだ研磨単位を有する研磨用焼結体は、超砥粒焼結体表面の加工をレーザーカットにより行うため、研磨単位を緻密に、鋭いエッジを保ったままで形成することが可能であり、その高密度研磨単位列によって、ＬＳＩ等用の半導体材料表面を研磨するＣＭＰ研磨パッドをコンディショニングするための研磨工具を提供することができる。また、円形超砥粒焼結体の素材から、円形中心に位置する正６角形から２枚、その正六角形の外側に位置する６枚の合同な素材片から６枚の研磨パッチを切り出した、研磨パッチである。パッチ角部は研磨時に被研磨材に損傷を与えないように、輪郭が丸められている。 （もっと読む）

【課題】ガラス板に孔加工を施すドリルが細い場合であっても、ドリルに曲げなどの破損を生じさせることなく、ドリルの研削部に対して確実にツルーイングを施すことが可能なドレッサーを提供する。
【解決手段】結合材に砥粒を分散保持してなる研削部７でガラス板に孔加工を施すドリル６に対して、ツルーイングを施すツルーイング部２を有するドリル用ドレッサー１であって、ツルーイング部２が、ドリル６の研削部７の砥粒よりも弱い結合力で、結合材に砥粒を分散保持してなる。 （もっと読む）

【課題】 切削ブレードに不具合を生じさせることなく、切削ブレードの側面をドレッシングできるドレス材を提供することである。
【解決手段】 被加工物を切削する切削ブレードをドレッシングするドレス材であって、該切削ブレードの厚みより広い幅を有する該切削ブレードの逃げ溝が複数形成された基台と、該基台上に形成された砥粒と該砥粒を結合する結合材とからなるドレス層とを具備し、該ドレス層の厚みは、該切削ブレードが被加工物に切り込む切り込み深さより小さい値を有し、該ドレス層の厚みと該逃げ溝の深さの合計は、該切り込み深さより大きい値を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 切削ブレードに不具合を生じさせることなく、切削ブレードの側面をドレッシングできるドレス材を提供することである。
【解決手段】 被加工物を切削する切削ブレードをドレッシングするドレス材であって、該切削ブレードで容易に切削可能な材質からなる基台と、該基台の上面に形成された砥粒と該砥粒を結合する結合材とからなるドレス層とを具備し、該ドレス層の厚みと該基台の厚みの合計は、少なくとも該切削ブレードで被加工物に切り込む切り込み深さより大きい値を有し、該ドレス層の厚みは該切り込み深さより小さい値を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ光学基材用での成膜面における凹欠点の発生が抑制されたＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法の提供。
【解決手段】両面研磨装置１０の上下定盤１２，１４の研磨面でキャリア２０に保持されたガラス基板２２を挟持し、上定盤１２に設けられた供給孔から研磨粒子を含む流体を供給しつつ、上下定盤１２，１４と、キャリア２０に保持されたガラス基板２２と、を相対的に移動させてガラス基板２２の両主表面を研磨するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）光学基材用ガラス基板２２の研磨方法であって、ＥＵＶＬ光学基材での成膜面が、下定盤１４の研磨面と対面するようにガラス基板２２を挟持ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの表面を基準にドレッシングするための適度な弾性を有しつつ、長期に亘って交換することなく使用することができるようにする。
【解決手段】支持部３２の下端には、束線バンド３５で束ねられた弾性部材３１が取り付けられている。弾性部材３１は、線径が０．１５ｍｍで長さ２５ｍｍのタングステン線が３０本ずつ１束に束ねられて構成されている。また、弾性部材３１の各素線の先端部は丸切りのまま研磨パッド２０に接触して研磨パッド２０のドレッシングを行うようになっている。弾性部材３１の各素線の先端部の線径を細くして研磨パッド２０の切削幅を小さくすると共に、弾性部材３１の各素線を束線バンド３５で束ねることによって弾性部材３１の剛性を高め、各素線の細い先端部に大きな圧力がかかるようにしている。従って、弾性部材３１の先端部は研磨パッド２０に有効な切り込み深さを与えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は被研磨体の平面の表面うねりを抑制することを課題とする。
【解決手段】研磨装置を用いて台座１０の上・下平面１４、１５を平滑に加工する。台座１０の上平面１４に微細なダイヤモンド砥粒を電着し、上平面１４上に砥粒層１８を所定パターンで形成し、本発明の研磨パッド用ドレッサー２０が完成する。台座１０の上・下平面１４、１５を平滑に加工しているため、ダイヤモンド砥粒が電着される平面精度が極めて高く、電着量を均一に制御することで砥粒層１８の平面精度が高められる。台座１０の上・下平面１４、１５の表面粗さは、Ｒａが０．２３μｍ以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】工程制御が容易でかつ工具寿命の向上も達成可能なコンディショニングのための工具を提供する。
【解決手段】剛性基板が平面状の円形表面を有し、該基板に、該円形表面に関して一定レベル内に位置する有限面積の平坦な頂面を持つ切れ刃３１の集合を交差する二組の平行線群４１，４２からなる格子状に整列配置した研磨工具であって、各切れ刃３１は頂部における該工具の軸に垂直な断面(水平断面)が四辺形でありかつ上記軸方向に延びた縦稜線を有する焼結ダイヤモンドで構成され、かかる切れ刃３１は集団として限定された面積を持つ複数個の研磨島に形成され、該研磨島の複数個が一定間隔ごとに、工具の回転中心に関する同心円上に規則的に配置されていることを特徴とする、ＣＭＰパッドのドレッシングに適した研磨工具。 （もっと読む）

【課題】金属を研削することでドレッシングする方法において、砥粒の突出し量を研削能率に関わらずに設定できる安価なドレッシング方法およびドレッシング工具。
【解決手段】所定の間隔を設けて鉄合金板を複数積層するドレッシング工具８１、８２、８３を備え、各ドレッシング工具の鉄合金板の厚さに差を設け、薄い鉄合金板を備えたドレッシング工具８１を最初に砥石車７で研削し、順次厚さの厚い鉄合金板を備えたドレッシング工具８２、８３を研削する。 （もっと読む）