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Fターム[3C058AC01]の内容

仕上研磨、刃砥ぎ、特定研削機構による研削 (42,632) | 装置の構造(その他) (1,655) | 装置の補助機構 (1,647)

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【課題】ワンパスホーニング盤の運転に伴う振動を減衰する除振装置に関し、優れた減衰性能(除振性能)を有し、しかも、小型で安価に構成できる構造を実現する。
【解決手段】ワンパスホーニング盤を載置する除振台を、空気ばね2a、2b、2c、2dにより支持する。これら各空気ばね2a、2b、2c、2dと圧力源3との間にそれぞれ、補助タンク18、18を設ける。又、上記圧力源3とこれら各補助タンク18、18との間にそれぞれ、逆止弁19、19を設ける。更に、上記各補助タンク18、18と上記各空気ばね2a、2b、2c、2dとの間にそれぞれ、メーターインのスピードコントローラである逆止弁付流量調整弁20、20を設ける。 (もっと読む)


【課題】 工具の切削力によるウェハチャックプレートの撓みや共振(ビビリ振動)を抑え、ウェハチャックプレートの平面度が高精度にし、ウェハチャックプレートの加工精度を向上させる。
【解決手段】 ウェハチャックプレートの裏面側のチャック面を加工する工具の切り込み方向に対向するチャックの裏面に流体を吹き付け、チャック面を工具により加工するウェハチャックプレートの加工方法及びそのための装置において、ウェハチャックプレートは回転しながら、そのチャック表面の周縁部が工具により加工される。工具の切り込み方向に対向するチャックの裏面に流体圧縮空気が吹き付けられる。そのことで、工具の切削力によるウェハチャックプレートの撓みや共振(ビビリ振動)を抑え、ウェハチャックプレートの平面度を高精度にし、ウェハチャックプレートの加工精度も向上する。 (もっと読む)


【課題】 高品質で能率的かつ経済的な両面研磨を可能とする両面研摩装置用ドレッサ収納機構を提供する。
【解決手段】 両面研摩装置の上下の回転定盤の対向面に装着された研摩布を面ならしする複数枚のドレッサ700を、外径が上から下へ段階的に増大する複数の支持ピン193により、厚み方向に隙間をあけて支持する支持台191を具備する。支持台191は、ドレッサ700の搬出毎に1ピッチずつ上昇して、最上段のドレッサ700を搬出位置へ移動させる。ドレッサ700は、上下面に設けられる多数の研削部を外周部に限定的に有することにより、両面研摩装置のキャリア吸着搬送機構により、両面研摩装置に対するドレッサ700の自動搬送、自動排出を可能とする。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハの表面における帯電を取り除いて、例えばプラグ上に吸着するスラリー砥粒等の異物の発生を抑制する。
【解決手段】複数のユニットから構成された、半導体ウェハ1をCMP処理するための半導体製造装置であって、複数のユニットにおける一のユニット7に設けられ、半導体ウェハ1の表面における帯電を除電する除電部9を備えている。 (もっと読む)


【課題】ロータリージョイントの交換時期を判定可能な研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明では、ウェハを研磨可能な研磨部材60と、研磨部材60を保持して回転自在な研磨ヘッド30と、研磨ヘッド30を回転自在に保持する回転保持部材と、回転保持部材に設けられた管路71,72,73と研磨ヘッド30の内部に設けられた管路65,66,67とを繋ぐ第1および第2ロータリージョイント90,100とを備えて構成された研磨装置において、第1および第2ロータリージョイント90,100に純水が外部から供給されるように構成されており、第1および第2ロータリージョイント90,100に供給された純水の一部を取り出して比重を測定する比重計88が設けられる。 (もっと読む)


【課題】保持プレートの熱変形を抑制した研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨装置は、第1および第2ロータリージョイント90,100に、ロータリージョイントの冷却等に用いられる純水が外部から供給されるように構成されており、ヘッドハウジング32の内部に、第2ロータリージョイント100に供給された純水の一部を保持プレート40に導く純水案内管路68が設けられるとともに、保持プレート40の内部に、純水案内管路68に導かれた純水が通過可能な冷却通路50が形成されている。 (もっと読む)


【課題】研磨シートにて基板表面を研磨しながら洗浄を行う基板の洗浄方法において、研磨シートの送り機構を小型・軽量化、及び簡略化し、小型の液晶パネル等の小型基板に適し、低コストとなる基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】円形ロール状の支持部材47の外周に研磨シート49を密着して巻回したシートユニット41を、基板1の表面に研磨シート49が当接した状態で、小刻みな円運動をさせながら基板1の全面にわたって移動させながら洗浄する作業を複数の基板1に対して繰り返して行い、定期的に支持部材47を所定角度回転させて研磨シート49の基板1への接触部分を変えて作業を続ける基板の洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】ラップ盤装置の研磨面の全面に格子状の溝を切る溝切装置を、ラップ盤装置より小さいスペースで、安価に提供する。
【解決手段】研磨盤12を回転自在に支持するラップ盤装置10の本体部に溝切装置20を固定する。溝切装置は、ラップ盤装置の研磨面14を中心角90°の扇形に区画した4つの範囲に分割して、その1つ1つに順次格子状の溝を入れる。溝切装置は、枠体24と、枠体に支持されて上下に移動可能な矩形状のレール枠26とによって構成される。レール枠に設けられたガイドレール28,30に両端が移動自在に支持され互いに直交状態を維持しながら個別に移動自在な一対のスライドバー32,34と、これらのスライドバーが交差する位置で各々のスライドバーに対して移動自在に支持されたスピンドルユニットを備える。このスピンドルユニット36で支持され前記研磨盤の研磨面に各々のスライドバーと平行に溝を形成するカッターとを備える。 (もっと読む)


【課題】研磨テープの架け替えミスを無くし、不良な研磨テープの早期検出と品質管理を容易に行うことが可能な研磨テープ及び研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨テープを使用して被研磨体を研磨する研磨装置において、研磨テープTが巻かれたリールコア20と、リールコアを両側から挟持するための、リールコアと嵌合するフランジ23を有するリール板21,22と、研磨テープに関するデータを格納するための記憶素子とを含み、記憶素子がリールコアに設けられることを特徴とする研磨装置。 (もっと読む)


【課題】異種の被加工物を、カセットツールのみを交換することで自動段取替えすることができ、段取り換え時間が短いフイルムラップ装置を提供。
【解決手段】共用加工ユニット 50bがカセットツール11を装着する位置に移動されたとき、カセットツール11はシリンダーであるカセットツール上下装置13により、共用加工ユニット上部に配置されたフック62に、カセットツール下降防止ストッパ 6に配置されたフック62に係り合い可能にスプリング63に押された下降防止ストッパ解除爪64が係り合う位置まで降下され、さらに、共用加工ユニット 50bがその位置からわずかに後退するとき、カセットツール下降防止ストッパ 6が後退し解除され、カセットツール11はカセットツール上下装置13により、共用加工ユニット頭部50に設けたカセットツール取付面12まで下降される。 (もっと読む)


【目的】基板上の膜に対し、ディッシングを防止する研磨方法、或いは半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の研磨方法は、ターンテーブル520上に配置された研磨布525を前記ターンテーブル520と共に回転させる回転工程(S202)と、回転する前記研磨布525を用いて、前記研磨布525の表面に対して斜め方向から基板300手前側における前記研磨布525の表面に接液するように薬液540を供給しながら基板300表面を研磨する研磨工程(S206)と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様の研磨方法によれば、薬液540供給量を削減することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の損傷を極力少なくして基板のセンタリングが行えるワークセンタリング装置を提供する。
【解決手段】周壁41を有するトレイ40と、トレイ40の底面中央部の供給口45からトレイ40内に水を供給する水供給部46と、トレイ40の内底面に、供給口45を覆って、トレイ40内底面とは所定距離離反して配設され、供給口45から供給される水が当接して水をトレイ40内に水平方向に導く当て板50と、トレイ40の周壁41に、周方向に一定間隔をおいて、周壁41を切り欠いて3個以上の複数個設けられ、トレイ40内の水を横溢させるオーバーフロー口54とを具備する。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で丸棒状や円筒状の物体を軸線方向に搬送することのできる搬送装置を提供する。
【解決手段】丸棒2を軸線方向へ搬送する搬送装置1であって、丸棒2をほぼ水平に且つ軸線方向へ移動可能に保持する保持台3と、軸線方向に沿って且つ丸棒2の周方向に沿って配置されるとともにその丸棒2の周面に当接する複数のワイヤホイールブラシ4,5,6とを備え、このワイヤホイールブラシ4,5,6は、回転することより丸棒2を軸線回りに回転させてその丸棒2を軸線方向へ搬送させる。 (もっと読む)


【課題】被加工基板および研磨機構を適切に保護しつつ煩雑な微調整作業を排除した研磨装置を提供する。
【解決手段】基板を吸着保持して回転するチャックが複数設けられ回動送りされるインデックステーブルと、このテーブルの停止位置に合わせて形成された複数の研磨室と、加工済基板を搬出し未加工基板を搬入する搬送装置が設けられた搬送室と、各室の制御対象70の作動を制御する制御装置6とを備えた研磨装置において、研磨装置の各部に設けられた異常検出手段50と、入力された異常検出信号が各研磨室ごとに研磨加工を中止させる信号に該当するか否かを判断する判断手段60とを備え、研磨加工を中止させる信号に該当すると判断された研磨室について研磨加工を中止させ、他の研磨室は予め設定された研磨加工を終了するまで実行させた後に停止させるように研磨装置PMを構成する。 (もっと読む)


駆動軸(13)を介してチャック装置(16)を担持する作動装置に駆動接続した回転モーター(11)を備えた携帯型動力工具であり、回転ロック機構(19)は、“順方向”ロック用フリーホイール継手(21)と、“逆方向” ロック用フリーホイール継手(22)との二つのフリーホイール継手(21、22)を介して交互の方向において駆動軸(13)をロックするように構成される。両継手(21、22)は軸方向に変位できるカップリングスリーブ(23)に支持され、カップリングスリーブ(23)は、作動位置と非作動位置との間で“順方向”ロック用フリーホイール継手(21)と“逆方向” ロック用フリーホイール継手(22)をシフトさせるためにハウジング(10)の外側で外部操作リング要素(24)に接続され、それによりチャック(16)を緩めたり締め付けたりするために“順方向”か又は“逆方向”において駆動軸(13)のロックを行う。 (もっと読む)


【課題】鋼素材、特にスラブなどの研削作業に伴って発生する高温の研削屑の処理を、特段の動力源を使用せず、かつ、長期間に亘って使用し得る鋼素材研削装置を提供する。
【解決手段】鋼素材Sの表面SAを研削可能に構成してなる鋼材研削装置本体20の走行通路11に沿って延在し、該鋼素材研削装置本体による研削作業に伴って発生する研削屑を落とし込む研削屑落し込み溝30内に、鋼素材研削装置本体の後退時においてのみ、前記落し込み溝内に堆積した研削屑を移動可能とする研削屑移動用スクレーパ50を配置する。 (もっと読む)


【課題】
今までサンドブラスト加工によってのみ可能である工作材表面上の比較できる粗さ深さがブラシ集合体によって達成されるように、ブラシ集合体をさらに発展させること。
【解決手段】
この発明の対象は、外方に突き出す剛毛(5)を備える剛毛リム(8)をもつ回転駆動可能なブラシホルダー(10、11)とリングブラシ(4、5)とを有するブラシ集合体(3)である。この発明によると、回転する剛毛リム(8)に貫通する停止手段(14)が追加的に設けられ、この停止手段がブラシを所定時間の間にブレーキをかけるので、ブレーキの開放後にこれによって蓄積された運動エネルギーが工作材(19)の表面の補助的衝撃加工に対して剛毛(5)によって利用される。 (もっと読む)


【課題】固定堰や逆流防止堰、または研磨管路の上昇角度変更箇所の手前で研磨水が滞留する問題を解決する。
【解決手段】基台1と、この基台に取り付けられた弾性体2と、この弾性体2に支持されてマスを研磨する上昇勾配を有したバレル槽3と、このバレル槽3に取り付けられてバレル槽3を振動させる振動モータ4とからなり、さらに前記バレル槽3には、マスをワークと研磨石に選別する選別スクリーン8と、前記バレル槽3の上昇端に設けた固定堰7と、この固定堰7と前記選別スクリーン8とを連絡する開閉可能なフラップ9とを備えた振動バレル研磨機において、前記固定堰7手前のバレル槽上端には研磨水の排水孔14を設けた振動バレル研磨機である。 (もっと読む)


【課題】ワークが微小であっても静電気の影響を受けない傾斜式選別機を提供する。
【解決手段】球状物を下方へ転がり落とし、非球状物を上方へ振動搬送する搬送面15aを備えた傾斜板15と、この傾斜板15を振動させるための振動発生器14とからなる傾斜式選別機であって、この傾斜式選別機は、搬送面15aが金属材質となっているとともに表面が凹凸形状となっている。そしてこの凹凸形状は、ブラスト加工により形成したものである。また前記搬送面の上方には、球状物と非球状物に向けてイオン化エアを送風するイオン化エア発生器32が設けられている。 (もっと読む)


【課題】 配線層や絶縁膜表面の付着物質を効率よく除去することができるポストCMP処理液を提供する。
【解決手段】 水と、0.01wt%以上1wt%以下の濃度で配合され、表面にカルボキシル基およびスルホニル基を有し、一次粒子径が10nm以上60nm以下の樹脂粒子と、カルボキシル基を有する第一の界面活性剤と、スルホニル基を有する第二の界面活性剤と、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドとを含有するポストCMP処理液である。pHは4以上9以下であり、絶縁膜および導電膜の研磨速度は10nm/min以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


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