説明

Fターム[3C058BB02]の内容

仕上研磨、刃砥ぎ、特定研削機構による研削 (42,632) | 制御 (755) | 制御手段 (548) | 電気的制御 (418)

Fターム[3C058BB02]に分類される特許

161 - 180 / 418


本発明は、半仕上げ部品(10)を精密鍛造によって生産し、この部品(10)を研磨ストリップによって研磨することを含む、鍛造によって部品(10)を製造するための方法であって、得られる部品(10)の適合させるべき形状的特性が、理論モデルにおいて予め決定される、方法に関する。方法は、以下のステップを含むことを特徴とする:鍛造作業後に半仕上げ部品(10)の形状的特性を測定し、前記特性を理論モデルと比較するステップ、部品(10)の表面上で非適合領域を決定するステップ、前記領域を適合させるために各々の非適合領域から除去されるべき材料の量を決定するステップ、および研磨ストリップを用い、各々の非適合領域から材料の前記量を除去するように前記ストリップを制御して部品(10)を研磨するステップ。方法は、特にタービンエンジンのファンブレードを研磨するために使用され得る。

(もっと読む)


本発明は、両面機械加工ツールの内で平坦なワークを機械加工する方法に関し、上下定盤を有し、少なくとも1個の定盤が回転駆動され、当該定盤のそれぞれは円形の加工面を有し、それら加工面は、円形の加工間隔を制限し、少なくとも1個のキャリアが当該加工間隔内に位置決めされ、当該キャリアは、少なくとも1個のワークが加工面の間で両面機械加工されるよう加工間隔に少なくとも1個のワークを案内する。本発明によれば、定盤間の距離は、加工間隔の少なくとも2つの半径方向に離間された測定位置で測定され、測定された当該距離から、前記定盤間の距離が、加工間隔で機械加工される少なくとも1個のワーク厚みを示す加工間隔の位置を測定位置から次第に半径方向に離間された位置として求め、当該加工間隔内で機械加工された少なくとも1個のワーク厚みが、この方法で求められた距離から求められる。 (もっと読む)


【課題】微小突起除去作業に要する時間を短くすることができる微小突起除去装置および微小突起除去方法、交換頻度が少ない微小突起除去テープを提供する。
【解決手段】ポリイミドからなるテープ基体1の幅方向の一方端部に微小突起34よりも硬質な硬質材料からなる複数の研削突起2を設けた微小突起除去テープ10を観察装置の移動装置により移動し、研削突起2を液晶カラーフィルタ基板31に付着した微小突起34の近傍に位置させたのち、移動装置により研削突起2を移動させて、研削突起2により微小突起34を研削除去する。 (もっと読む)


【課題】ワイヤおよびガイドローラに生じる振動を抑制することで切断面品位を高めてワークを切削することを可能にする。
【解決手段】ワイヤ鋸装置1は、ワイヤ2、ガイドローラ3A〜3C、フレーム4、モータ6、ワーク送り部5、センサ7A,7B、および、制御部8を備える。ガイドローラ3A〜3Cは、ワイヤ2が張架される。フレーム4は、ガイドローラ3A〜3Cを回転自在に保持する。モータ6は、設定された速度でワイヤ2を走行させる。ワーク送り部5は、ワイヤ2の側面に対して垂直な方向から、ワイヤ2の側面に向けてワーク50を送る。センサ7A,7Bは、ガイドローラ3B,3Cの位置に関する検出瞬時値を出力する。制御部8は、センサ7A,7Bから入力される検出瞬時値を解析し、検出瞬時値に生じる振動の振幅代表値を検知し、その振幅代表値を低減するようにワイヤ2が走行する速度を設定する。 (もっと読む)


研磨システムは、研磨パッドのすべての層を貫通して延びるアパーチャを具備する研磨パッドおよび光学モニタリングシステムの光発生素子または光案内素子の上面上に設置された光透過性膜を含む。
(もっと読む)


【課題】ブラシの押し付け力を常に適正とした研磨加工を容易に可能なブラシ装置及びブラシ加工方法を提供する。
【解決手段】ブラシ回転用モータ5により回転したカップ型ブラシ4を押し付けてワークWを研磨するブラシ装置1において、上下動用モータ8及びボールネジ9によりカップ型ブラシ4を支持したブラシ支持部材6を移動させてカップ型ブラシ4をワークWに対して押し付け、ブラシ回転用モータ5の電流値から演算したトルクが所定範囲内になるように上下動用モータ8を駆動制御するコントロールユニット10を備える。 (もっと読む)


化学機械研磨装置は、研磨表面を持つパッドを保持するプラテンと、研磨工程中、基板と研磨表面を共に保持するサブシステムと、研磨表面の温度を測定するために方向付けられた温度センサとを含み、ここで、サブシステムは、センサによって測定された温度を受信し、測定された温度に応じて研磨プロセスのパラメータを変えるようにプログラムされている。1つの態様において、化学機械研磨装置は、研磨表面を持つパッドを保持するプラテンと、流体を流体源から研磨表面まで輸送する流体配送システムと、作業中配送システムによって輸送される流体の温度を制御する温度制御装置を持つ。
(もっと読む)


【課題】比較的高い研磨レートを維持したまま、研磨液の消費量をより削減することができるようにする。
【解決手段】研磨面52aを有する研磨テーブル22と、研磨対象物Wを保持し該研磨対象物Wを研磨面52aに押圧するトップリング24と、研磨液供給ライン72に接続されて研磨面52aに研磨液Qを供給する研磨液供給ノズル26と、研磨面52a上の研磨液量を研磨中に監視する研磨液量監視手段60と、研磨液量監視手段60の出力に応じて研磨液供給ノズル26から研磨面52aに供給する研磨液Qの液量を調整する液量調整部74とを備えた。 (もっと読む)


本発明は、切断プロセスの前、その間、または、その後にワイヤソーの各構成要素を洗浄すべく、または、自浄式ワイヤソー切断装置の切断領域を湿潤すべく適合された洗浄機構を含むという自浄式ワイヤソー切断装置を提供する。本自浄式ワイヤソー切断装置は、ワイヤソーの種々の構成要素上へと水性流体を供与すべく適合された少なくとも一個の供与器を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】 研削部(砥石)が軸方向に複数設けられる場合でも、各研削部の拡径量が等しくなる内径研削方法を提供する。
【解決手段】 スラストモータ13を駆動してドローバー12を引張して研削部8を拡径せしめる場合、ドローバー12の基端側の伸びは少なく先端側で大きくなる。そして、伸びが大きくなると、先端側の研削部8の拡径量が少なくなる。そこで、ドローバー12を引張すると同時にシリンダ26を駆動してツールホルダ7をドローバー12と反対方向に引張する。ツールホルダ7の基端側は主軸5に固着されているので、ツールホルダ7を引張すると先端側が伸びる。この伸び量と前記ドローバー12の先端側の伸び量が等しくなるようにシリンダ26による引張力を調整することで、各研削部8の拡径量が等しくなる。 (もっと読む)


【課題】研磨速度を上げながら半導体基板に加わるせん断応力を低くして、基板の被研磨材またはその下地膜に損傷を与えずに研磨効率を向上させる。
【解決手段】このCMP装置においては、研磨布または研磨パッド30を貼った回転テーブル32に対して、半導体ウエハ10を固定保持する回転ヘッドまたはキャリア34を押し付けて、キャリア34および回転テーブル32をそれぞれ回転させながら、ノズル36より研磨パッド30上に液状のスラリを供給して、化学的作用と機械的研磨により半導体ウエハ10の下面(被処理面)の膜を削って平坦化する。本発明の化学的機械研磨方法は、半導体ウエハ10の回転数fWと研磨パッド30の回転数fPとの大小関係に関して、3fP<fWを下限条件とし、4fP<fW<8fPを最適条件とする。 (もっと読む)


【課題】等方的かつ制御された凹面形状を持つ半導体用ウエハー、特にサファイアウエハーを安定して供給する製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】ウエハーの目標とする研磨仕上げ表面形状と、各ウエハーが略同一形状の両面研削されたウエハー群から抽出したウエハーAの裏面を平板に密着固定し、その表面を鏡面研磨した後に取り外して測定した無加圧状態での面形状との差から求めた面形状を表面とする矯正板の表面上にウエハーAの裏面を密着して搭載した時に、ウエハーAの外周が接する矯正板の表面上の閉曲線の上の各点からの距離が最も近い平面が、鏡面研磨装置の鏡面研磨面に対して略平行となるように、鏡面研磨装置における矯正板の姿勢を調整して固定した後、ウエハーAと同じウエハー群から抽出したウエハーBの裏面を矯正板の表面上に密着固定して、ウエハーBの表面を平坦に研磨する半導体用ウエハーの研磨方法。 (もっと読む)


【課題】ワイヤの巻きピッチの大きな変化にも追従できるトラバース制御技術を提供し、ワイヤの外れや断線を未然に防止できるようにする。
【解決手段】
ワイヤソー(2)用のリール(4)のワイヤ(3)をトラバースローラ(5)およびテンションローラ(14)に巻き掛け、トラバースローラ(5)をリール(4)の軸方向に往復移動させる過程で、リール(4)とトラバースローラ(5)との間でワイヤ(3)の目標位置をリール(4)の軸方向に対して直角方向とするトラバース装置(1)において、テンションローラ(14)の位置でワイヤ(3)の基準合力(F1)を検出すると共に、トラバースローラ(5)の位置でワイヤ(3)の目標位置からの変位に基づく変動合力(F2)を検出し、基準合力(F1)と変動合力(F2)との差(ΔF)の変動に基づいてトラバースローラ(5)の往復移動の速度(V)を制御する。 (もっと読む)


【課題】ワークに反りや撓み等が形成されていても、突起欠陥を高精度に修正できる欠陥修正装置及び方法を実現する。
【解決手段】欠陥修正装置は、研磨ユニットの昇降機構と、基準座標系に対する位置を検出し、時間的に連続する情報として出力する位置検出手段と、駆動を制御する信号処理装置とを具える。研磨ユニットは、テープ走行装置を有する研磨ヘッドと、ワーク表面までの距離を計測し、時間的に連続する情報として出力する距離センサとを有し、信号処理装置は、距離センサから出力される情報の時間変化に基づき、又は当該情報の時間変化と位置検出手段から出力される情報の時間変化に基づいて、研磨テープが突起欠陥との接触点を検出する接触点検出手段55と、距離センサから出力される情報を用いて、接触点が検出された後研磨ユニットがワーク面に対して相対降下量だけ降下したか否かを判定する研磨終点判定手段46とを有する。 (もっと読む)


基板の磁気流動学的研磨システム。磁気流動学的研磨流体を運ぶ球状のホイールは磁場変動の永久磁石システムを収容している。磁場変動の永久磁石システムは、中央を貫く円筒状の空洞を有し、第1および第2の空間により離隔されたN、S極の鉄の極片を有している。円筒の軸に対して垂直に磁気化された円筒状の永久磁石は、空洞内に回転可能に取り付けられる。アクチュエータは任意の角度での永久磁石の回転を可能とし、極片を通る磁気回路における磁気流束の分布を変化させる。これにより、永久磁石をある角度に位置づけることができ、所望の磁場強度が供給され、空間内において制御することが可能となる。磁場は極片の上方にも広がっており、ホイール表面の外側の周囲の磁場を決めていて、変動可能な磁場はホイール上のMR流体層を通って広がっており、研磨制御のために所望するMR流体の硬度を変化させる。 (もっと読む)


【解決手段】回転型小型加工ツールの研磨加工部を半導体用合成石英ガラス基板表面に1〜500mm2の接触面積で接触させ、基板表面上を前記研磨加工部を回転させながら走査させて、基板表面を研磨することを特徴とする半導体用合成石英ガラス基板の加工方法。
【効果】本発明によれば、IC等の製造に重要な光リソグラフィー法において使用されるフォトマスク基板用合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、比較的簡便でかつ安価な方法でEUVリソグラフィーにも対応可能な平坦度の極めて高い基板を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 基板の厚み精度が向上された基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ブロック1と、ブロック1の下部にブロック1を切断するワイヤー3と、ワイヤー3の下部にワイヤー3と接触しない位置まで加工液11を有するディップ槽6とを準備する工程と、ブロック1の下面を走行するワイヤー3に進め、ブロック1の切断を開始する工程と、ブロック1の切断された領域を加工液11に浸漬させながらブロック1を切断する工程と、を有する基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】研磨作業が煩雑化することがなく、低コストで生産性に優れ、活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる接合ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、接合体を形成する工程(S1)と、接合体の活性層用ウェーハ側を加工して、第1の厚さの活性層を形成する工程(S2)と、活性層を形成した接合体を研磨用プレートに複数枚貼り付け、活性層を第2の厚さまで研磨する工程(S3)と、研磨した接合体を研磨用プレートに貼り付けた状態で、第2の厚さを光学的に測定する工程(S4)と、測定した第2の厚さに基づいて、活性層を第3の厚さまで再研磨する工程(S5)と、を備える。 (もっと読む)


ワイヤスライス機におけるワイヤ領域の自動的な巻き付けが開示される。一実施形態では、少なくとも1つのワイヤスプールからワイヤを巻き戻し、1つ以上のワイヤガイドの周りにワイヤを巻き付けて、ワイヤ領域を形成することにより、ワイヤ領域がワイヤスライス機に自動的に形成される。
(もっと読む)


【課題】半導体ウェーハ、例えば、貼り合わせウェーハの半導体ウェーハにおいて、ウェーハ面内での膜厚のバラツキを小さくし、好ましくは平均研磨代±5%以下とすることができる研磨技術を提供する。
【解決手段】表面の研磨代が均一な半導体ウェーハの製造方法であって、被処理半導体ウェーハ表面に研磨布4を接触させながら、前記研磨布4に対して前記被処理半導体ウェーハ2を相対移動させ、研磨布4と前記被処理半導体ウェーハ4の表面とを摺擦させる際に、前記研磨布4の表面における前記被処理半導体ウェーハ2と摺擦する領域のうち、少なくとも一部の領域に光および/または流体を直接作用させることよりなる半導体ウェーハの製造方法である。 (もっと読む)


161 - 180 / 418