【課題】樹脂封止型の半導体装置の信頼性低下を抑制する。
【解決手段】キャップ（部材）２とキャビティ部（空間形成部）５ｄを備えるキャップ（部材）５を重ね合わせて接合することで、密封された空間８が形成され、空間８内にセンサチップ（半導体チップ）１および複数のワイヤ４を配置する半導体装置を以下のように製造する。キャップ２とキャップ５の接合部を封止する封止工程において、キャップ５の上面５ａ全体と、キャップ２の下面２ｂ全体がそれぞれ露出するように樹脂から成る封止体９を形成する。これにより、封止工程において、キャップ５を押し潰す方向に作用する圧力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの製造方法において、封止用のキャビティ内の真空度を高めることを目的とする。
【解決手段】シリコンを含む第１の基板１１の一方の主面１１ａ側に可動部１４ａを形成する工程と、シリコンを含む第２の基板２０の一方の主面２０ｃ側にキャビティ２０ｂを形成する工程と、第１の基板１１と第２の基板２０の少なくとも一方の主面に、酸素及び窒素のいずれかの原子を含むプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した後、キャビティ２０ｂを可動部１４ａに対向させた状態で、第１の基板１１と第２の基板２０の各々の主面同士を真空中で接合することにより、キャビティ２０ｂ内を真空に保ちつつ、可動部１４ａを第２の基板２０で封止する工程と、封止の後、シリコンと上記原子とが反応する温度以上の温度に第１の基板１１と第２の基板２０をアニールする工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ，Ｃｅｋ，Ｃｅｌに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Ｃｅａ〜Ｃｅｄの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、トレンチ３１ａに絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ２０とする。 （もっと読む）

【課題】機能部を有する機能性素子が配線基板上に搭載されるとともに、少なくとも配線基板と機能性素子との接合部を保護するための封止層が設けられている電子部品において、封止層の機能部への侵入を防止し、当該機能部が動作できるような空間を、電子部品のサイズを大型化させることなく、また工程数を増大させることなく形成する。
【解決方法】配線基板の導電層における非接続領域を保護するための保護層を、前記配線基板の主面上において、前記配線基板上に搭載した機能性素子と相対向する位置であって、その機能部と相対向する位置を除く領域にまで延在させ、封止層を配線基板と機能性素子との接合部から前記機能性素子の前記機能部にまで延在させることなく、前記配線基板の前記主面と前記機能部との間に空隙を形成するようにして、電子部品を構成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板１は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部１ａと、他方の面において、絶縁体層２における基板１の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部１ｂと、を有したものである。絶縁体層２は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板１の凹部１ａの内部に形成されているものである。また、絶縁体層２の厚さは、２μｍより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止による気密性を高めること。
【解決手段】SOI基板１にカンチレバー（可動部分）４ｘを形成する工程と、カンチレバー４ｘの上方に、隙間gにより互いに分離された複数の電極膜２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｇ、２５を形成する工程と、電極膜２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｇ、２５の上に第１の保護膜３１を形成する工程と、第１の保護膜３１の上に、該第１の保護膜３１よりも段差被覆性の良い第２の保護膜３２を形成することにより、第２の保護膜３２で隙間ｇを塞ぐ工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】 基板とシート部材とによって構成される試料操作素子に対し、その操作構造での所望の領域を選択的に親水化処理することが可能な試料操作素子の表面処理方法、及び処理装置を提供する。
【解決手段】 下部基板１２と、上部シート部材１４とを有する試料操作素子１０を載置するステージ２０と、素子１０にレーザ光Ｌを供給するレーザ光源３０と、素子１０に対し、シート部材１４側からまたは基板１２側から所定の照射光軸Ａｘに沿って、シート部材と基板との間に形成された操作構造内にビームウエストが位置する集光条件でレーザ光Ｌを照射する集光光学系３５とによって表面処理装置１Ａを構成する。そして、試料操作素子１０の操作構造内において、レーザ発生プラズマにより、シート部材１４で操作構造を構成している凹状構造部の内側表面を親水化処理する。 （もっと読む）

【課題】上方から見た平面積を小さくすることができ、しかも、音響センサのバックチャンバの容積をより大きくすることのできるマイクロフォンを提供する。
【解決手段】回路基板４３の上面にインターポーザ５２を実装し、その上面に音響センサ５１を実装する。信号処理回路５３は、インターポーザ５２に設けられた空間７０に納められて回路基板４３に実装される。音響センサ５１は、インターポーザ５２に設けた配線構造を通じて回路基板４３に接続される。音響センサ５１やインターポーザ５２などは、回路基板４３の上面に被せたカバー４２によって覆われる。カバー４２には、音響センサ５１のフロントチャンバと対向する位置に音導入孔４８が開口されている。インターポーザ５２には、音響センサ５１のダイアフラム５６よりも下方の空間を、カバー４２内でインターポーザ５２よりも外の空間とを音響的に連通させるための通気用切欠７１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】支持部材の上に半導体素子を実装した半導体装置において、半導体素子の高さを小さくでき、ひいては半導体装置を低背化することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉウエハの上に複数個の音響センサ５１を設ける。Ｓｉウエハ７４を用いて空洞７０や貫通電極６５、６６などを有する複数個のインターポーザ５２を一体に形成する。複数個の音響センサ５１の、Ｓｉウエハと反対側の面を複数個のインターポーザ５２に接合一体化する。この後、音響センサ５１とインターポーザ５２が接合一体化された状態において、音響センサ５１のＳｉウエハを研磨してＳｉウエハの厚みを薄くする。この後、接合されたままで１個１個に分割された単体の音響センサ５１及びＳｉウエハを、信号処理回路とともにパッケージ内に実装する。 （もっと読む）

【課題】電位差によって生じる静電力の影響を抑え、Ｓ／Ｎ比の低下やセンサ感度の変動を防止できる複合センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る複合センサは、第１可動部および第２可動部と、これらの周辺に配置されている第１ダミー部および第２ダミー部を、積層基板の層内に形成して備えている。第１ダミー部と第２ダミー部は電気的に分離されており、第１可動部と第１ダミー部には第１電位が印加され、第２可動部と第２ダミー部には第２電位が印加される。 （もっと読む）

【課題】小型化を図りながらも高出力化を図ることが可能な発電デバイスおよびそれを用いた発電モジュールを提供する。
【解決手段】発電デバイス１は、支持部１１、支持部１１に揺動自在に支持されたカンチレバー部１２、およびカンチレバー部１２における支持部１１側とは反対の先端部に設けられた錘部１３を有するデバイス基板１０と、カンチレバー部１２に設けられカンチレバー部１２の振動に応じて交流電圧を発生する発電部２０とを備えている。発電部２０は、カンチレバー部１２の厚み方向の一面側に形成された圧電体２１と、圧電体２１における錘部１３側の側面に形成された電極２３と、圧電体２１における支持部１１側の側面に形成された電極２２とを備えている。要するに、発電部２０は、互いに対向する２つ１組の電極２２，２３を有している。また、発電部２０は、圧電体２１の分極の向きが上記両側面のうちの一方から他方へ向う向きである。 （もっと読む）

【課題】端面実装センサを提供すること。
【解決手段】回路基板上に側面実装するためのセンサデバイス・パッケージを作るセンサパッケージおよび方法。シリコンの機械層（２５）中のセンサデバイスは、第１と第２のガラス層（２４、２６）の間にサンドイッチ状に挟まれてウェーハを作る。シリコンの機械層の予め定められた領域を露出させるために、第１のビア（３０）が第１または第２の層に作られる。第２のビア（１０２）が、第１または第２の層に作られる。少なくとも１つの第２のビアは、第１のビアの深さ寸法よりも小さな深さ寸法を有する。機械層の露出領域と第２のビアの一部の間に金属トレース（７０、７２）が付けられる。ウェーハは、第２のビアが２つの部分に分けられるようにスライスされ、それによってセンサダイが作られる。次に、センサダイは、スライスされた第２のビアのところで回路基板に電気的かつ機械的に結合される。 （もっと読む）

【課題】加熱接合法を利用しても、梁構造体に歪みや変形が生じることを防ぐことができる、梁構造デバイスの製造方法の提供を図る。
【解決手段】犠牲層１７を介して支持基板１１に梁構造体１６を積層して底面側積層体１０を形成する。そして、予熱処理によって梁構造体１６の結晶構造を安定化させる。その後、犠牲層１７を除去して梁構造体１６を支持基板１１からリリースする。そして、天面側積層体２０を底面側積層体１０に対して加熱接合法により接合し、梁構造体１６を底面側積層体１０と天面側積層体２０とによるパッケージ構造に内装する。 （もっと読む）

【課題】高感度でありながら小型であり、かつ、製造コストも削減できる静電容量型ＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】静電容量型ＭＥＭＳセンサの一例としての静電容量型マイクロフォン１は、互いに対向する第１電極部Ｘおよび第２電極部Ｙを有している。静電容量型マイクロフォン１は、第１電極部Ｘとしての側壁１２を有する凹所９が厚さ方向に掘り込まれた半導体基板２と、凹所９の深さ方向に沿う姿勢で第１電極部Ｘに対向するように凹所９内に配置され、凹所９の底面から離隔した底面２０Ｃを有し、半導体基板２の材料からなる第２電極部Ｙとしての膜２０と、膜２０を半導体基板２に結合する絶縁膜２１とを含む。 （もっと読む）

【課題】封止基板の接合での気密封止パッケージで発生する内部応力による振動デバイスの共振周波数の変化やばらつきを低減し、安定した特性の機能素子パッケージを提供するものである。
【解決手段】第１の材料基板に対し、支持フレーム２０、梁３３及び振動部３０を含む複数の機能素子１０と、各支持フレーム２０を連結する連結部と、を有する機能素子ウエハを形成し、第２の材料基板に対し機能素子ウエハにおける機能素子１０に対応する凹部を形成し、第３の材料基板に対し、機能素子ウエハを、剛性の低い部材を介して接合し、機能素子ウエハにおける連結部を除去し、第３の材料基板の機能素子ウエハを接合した側の主面に、第２の材料基板の凹部を形成した側の主面を、機能素子が、凹部内に封止されるように接合し、第１の材料基板、第２の材料基板及び第３の材料基板の接合体にダイシングを行う。 （もっと読む）

【課題】３層チップスケールＭＥＭＳデバイスのためのシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスのためのシステムおよび方法が提供される。一実施形態では、システムは、第１の外側層と、第１の組のＭＥＭＳデバイスを含む第１のデバイス層とを備え、第１のデバイス層は第１の外側層に接合される。システムは、第２の外側層と、第２の組のＭＥＭＳデバイスを含む第２のデバイス層とをさらに備え、第２のデバイス層は第２の外側層に接合される。さらに、システムは、第１の側と、第１の側と反対側の第２の側とを有する中央層を備え、第１の側は第１のデバイス層に接合され、第２の側は第２のデバイス層に接合される。 （もっと読む）

【課題】部品を合わせて封止するための冷間圧接法、ジョイント構造、及び気密封止された封じ込め装置を提供する。
【解決手段】第１の金属を含む第１の接合面１８を含む少なくとも１つの第１のジョイント構造１６を有する第１の基材１２を提供すること、第２の金属を含む第２の接合面２２を含む少なくとも１つの第２のジョイント構造を有する第２の基材１４を提供すること、及び前記接合面を、一以上の界面で、前記接合面の前記第１の金属と前記第２の金属の間に金属−金属結合を形成するのに有効な量だけ、局所的に変形させ、剪断するために、前記少なくとも１つの第１のジョイント構造と前記少なくとも１つの第２のジョイント構造とを合わせて圧縮することを含む。接合面のオーバラップ部分は、表面汚染物を置換し、接合面間の密接を入熱なしに促進するのに有効である。気密封止された装置は、薬物製剤、バイオセンサ又はＭＥＭＳ装置を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】機械的構造体の適切な、向上した及び／又は最適な動作のための制御された又は制御可能な環境を含むＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】機械的構造体の少なくとも一部の上に犠牲層を堆積させ、該犠牲層の上に第１の封止層を堆積させ、犠牲層の少なくとも一部を露出させるように第１の封止層を貫通して少なくとも１つのベントを形成し、犠牲層の少なくとも一部を除去してチャンバを形成し、少なくとも１つの比較的安定したガスをチャンバに導入し、少なくとも１つのベント上又は少なくとも１つのベント内に第２の封止層を堆積させ、これにより、チャンバをシールし、この場合、前記第２の封止層が、半導体材料である。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置のためのシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、第１の基層と、第１の基層に接合される第１のデバイス層であり、第１の組のＭＥＭＳデバイスを含む、第１のデバイス層と、第１のデバイス層に接合される第１の上部層であり、第１の組のＭＥＭＳデバイスが密閉して分離される、第１の上部層とを含む第１の二重チップをシステムは備える。第２の基層と、第２の基層に接合される第２のデバイス層であり、第２の組のＭＥＭＳデバイスを含む、第２のデバイス層と、第２のデバイス層に接合される第２の上部層であり、第２の組のＭＥＭＳデバイスが密閉して分離され、第１の上部層の第１の上部表面が第２の上部層の第２の上部表面に接合される、第２の上部層とを含む第２の二重チップをシステムはさらに備える。 （もっと読む）

【課題】製造効率の低下を抑制した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１基板１２と、前記第１基板１２上に設けられ、且つ、素子部を有する第２基板５０と、を備え、前記第１基板１２と前記第２基板５０との間には内部空間６８が設けられ、前記第１基板１２および前記第２基板５０の互いに対向する面の少なくとも一方には、前記内部空間６８と外部とを連通する排気溝２４が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）