【課題】ＰＡＧ（光酸発生物質）二重層を用い、残留物が無くＬＥＲも僅かな犠牲ポリマー層、及び犠牲ポリマー層の分解方法と、これを使用して改良されたエアキャビティー、又はエアギャップを作製するための方法を提供する。
【解決手段】ＰＡＧ二重層はその中に光酸発生物質を組込み、上部のＰＡＧ濃度は構造物の低部より高い。ＰＡＧが非存在の犠牲層１５が基板１０上に形成される。犠牲層が乾燥された後、ＰＡＧ単層２０が形成され、層１５と層２０はＰＡＧ二重層２５を形成する。次いで二重層２５の像様暴露（光線照射３５）遮蔽物３０を使用して行われる。暴露部分は熱分解法によって除去されて、基板上に残った非暴露部分４０を残す。次いで保護被覆層５０が構造体上に配置され、部分４５の分解及び保護被覆５０を通る分解生成物の浸透のために適当な温度に加熱した後、エアギャップ５５が形成される。 （もっと読む）

【目的】 特に、Ａｌ−Ｇｅ共晶接合を有する接合部の接合強度を従来に比べて向上させることが可能なＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 第１基材２１と、第２基材２２と、第１基材２１と第２基材２２間に位置し、第１基材２１側に形成された第１の接続金属層５４と第２基材２２側に形成された第２の接続金属層５５とを共晶接合してなる接合部５０と、を有して構成され、接合部５０は、第１基材２１側から第２基材２２側にかけて、Ｔａ層５３、ＡｌあるいはＡｌ合金で形成された第１の接続金属層５４、及び、Ｇｅで形成された第２の接続金属層５５の順に積層されており、Ｔａ層５３の膜厚ｔ１は、２００Å以上１５００Å以下の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法に係り、該エネルギー変換素子は、複数のドーピング領域を含むモノリシック単結晶シリコン層、単結晶シリコン層に内在し、複数のドーピング領域のうち１つのドーピング領域３０にのみ連結された振動体３２、３４、振動体３２、３４に印加される入力信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第１ダイオード）、及び振動体３２、３４から出力される信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第２ダイオード）を含み、単結晶シリコン層は、内部に密閉された空間６０を含み、振動体３２、３４は、空間６０に備えられてもよい。 （もっと読む）

【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第１ドーピング領域２０と、該第１ドーピング領域２０と反対の型のドーピング領域であり、第１振動部分３２を含む第２ドーピング領域３０と、該第１ドーピング領域と該第１振動部分３２との間に備えられた、空間６０と、を備えるトランスデューサ。第１及び第２ドーピング領域２０，３０は、一体である。第１振動部分は複数の貫通ホール４０を含み、振動部分上に貫通ホール４０を密封する物質膜５０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された機能素子２０と、機能素子２０が収容された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１に連通する第１貫通孔５２および第１貫通孔５２よりも大きい第２貫通孔５４を有し、かつ空洞部１の上方に配置される第１被覆層５０と、第１被覆層５０の上方に配置され、第１貫通孔５２および第２貫通孔５４を塞ぐ第２被覆層５８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】静電アクチュエータと当該静電アクチュエータを駆動するための駆動集積回路を縦方向に集積することによって実装面積を小さくする。
【解決手段】
第１部材３２には静電アクチュエータ４６を設けている。第２部材３３には、静電アクチュエータ４６を駆動するための駆動用ＩＣ７２を設けている。第１部材３２と第２部材３３は、静電アクチュエータ４６を設けた面と駆動用ＩＣ７２を設けた面を対向させて、外周部の接合部３５と接合部３６で接合されている。第１部材３２、第２部材３３及び接合部３５、３６によって構成された空隙部３４内には、静電アクチュエータ４６と駆動用ＩＣ７２が気密的に封止されている。駆動用ＩＣ７２に用いられているコンデンサ７５は、コンデンサ７５に発生する電界の向きと静電アクチュエータ４６を駆動するための電界の向きとが交差、好ましくは直交するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】サージ耐圧が高く、ＥＳＤ破壊の発生を抑制できる可変容量装置を実現する。
【解決手段】可変容量装置１は、支持板２と、可動梁３と、上側駆動容量電極８Ａ，８Ｂと、下側駆動容量電極５Ａ，５Ｂと、上側ＲＦ容量電極９と、下側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂと、誘電体膜４とを備える。上側ＲＦ容量電極９の端部と可動梁３の端部との間の領域に電極非形成領域３Ｆが設けられており、可動梁３が変形して可動梁３の先端が誘電体膜４に線接触する際に、上側ＲＦ容量電極９と誘電体膜４とは接触しないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】標準的なＣＭＯＳプロセスに適合し、かつゲッタ材料又は反応性ガスに依存しないでキャビティをシールする方法を提供する。
【解決手段】キャビティ９１０は犠牲材料をエッチングにより除去することで形成され、キャビティのシールはキャビティより下側の材料がスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路の上及び中に再堆積されることでシールされる。キャビティに通じる通路の上に堆積された材料９０４も再びスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路内に再堆積される。スパッタエッチングを不活性雰囲気で行うことにより、スパッタエッチングの後にはキャビティ内は不活性ガスで充填される。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された機能素子２０と、機能素子２０が配置された空洞部１を画成する包囲壁４０と、基板１０の上方に形成され、機能素子２０に接続された配線層３０，３２と、を含み、配線層３０，３２は、基板１０と包囲壁４０との間を通って、包囲壁４０の外側まで延出され、包囲壁４０は、窒化シリコン層４２と、金属層およびシリコン層の少なくとも１層である導電層と、を有し、配線層３０，３２と導電層４４との間には、窒化シリコン層４２が配置されている。 （もっと読む）

【解決課題】特殊な技術や装置を必要とせず、接合の際に電気的な接続を歩留まりよく確立可能な、パッケージされたデバイス及びパッケージング方法並びにそれに用いられるパッケージ材の製造方法を提供する。
【解決手段】電子回路、ＭＥＭＳその他のデバイスを搭載したデバイス基板１０と、ビア配線２１を配設してかつキャビティ２２を有するパッケージ材２０とを接合して成る。ビア配線２１と一体化した接続用バンプ２４がキャビティ２２内に突出しており、かつデバイスに接続された配線接続用パッド１２が接続用バンプ２４と対向して接続していることにより、接続用バンプ２４を経由してデバイスがビア配線２１に配線接続している。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板と絶縁基板とを接合した時に形成される密閉空間部の圧力を調整することの可能なＭＥＭＳセンサを得る。
【解決手段】シリコン基板４と、シリコン基板４の上下両面４ａ、４ｂに接合される一対の絶縁基板２、３と、シリコン基板４と絶縁基板２、３とを接合した時に形成される密閉空間部６とを備えたＭＥＭＳセンサ１において、絶縁基板２、３またはシリコン基板４の露出した外表面３ｂに、密閉空間部６と連通する貫通孔７を設ける。 （もっと読む）

【課題】マイクロシステムおよび／またはナノシステムタイプの新規作製方法、ならびに新規構造体を提供すること。
【解決手段】下部電極と呼ばれる少なくとも１つの電極（１０２）、および少なくとも１つの誘電体層（１０３）を含む第１の基板（１００）と、
可動部分（２１０）を含めた、デバイスのメイン平面と呼ばれる平面全体に延在する中間基板（２００’）と、
中間基板（２００’）に付着された上部基板（３００）であって、前記可動部分が下部電極と上部基板との間を移動することができる、上部基板と
を含む、マイクロシステムおよび／またはナノシステムタイプのデバイスについて記載されている。 （もっと読む）

【課題】変位の保持特性と繰り返し耐久性に優れたアクチュエータの創出。
【解決手段】イオン液体とポリマーからなる電解質膜の表面に、炭素含有導電性ナノ材料とイオン液体、およびポリマーとのゲル状組成物から構成されるアクチュエータ用導電性薄膜が相互に絶縁状態で少なくとも２個形成され、該層に電位差を与えることにより湾曲および変形を生じさせ得るアクチュエータ素子の駆動方法であって、前記アクチュエータ素子の作製及び／又は駆動を低水分及び／又は低酸素雰囲気中で行うことを特徴とするアクチュエータ素子の駆動方法。 （もっと読む）

【課題】密閉キャビティ形成のためのフリップチップハイブリダイゼーション方法、およびこのような方法によって得られるシステムを提供する。
【解決手段】一方が他方の上に置かれ、その間に充填材料に埋め込まれた少なくとも１つの密閉キャビティが形成される、少なくとも１つの第１および第２マイクロ電子部品を含むマイクロ電子アセンブリの製造方法であって、側壁を用いてキャビティを規定する段階と、側壁と共同して充填材料に対するバイパスダクトを形成できる妨害物を形成する段階と、前記第１部品および前記第２部品のフリップチップハイブリダイゼーションを実施する段階と、前記２つのハイブリッド化部品の間に液体形態の充填材料を注入する段階と、を含む、マイクロ電子アセンブリの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】最適化された感度を有するＭＥＭＳおよび／またはＮＥＭＳ圧力測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上で懸架された変形可能な膜４であって、膜の面の１つが測定される圧力を受けるように意図された膜と、歪みゲージを備え、膜４の変形を検出する手段であって、基板２上に形成される検出手段６と、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達する変形不能なアーム１４とを備え、アーム１４が、膜４の面にほぼ平行な軸線Ｙの周りで回転可能に基板２にヒンジ留めされ、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達するように膜と一体である。 （もっと読む）

【課題】サイズが縮小され、熱検知性能が改善された検知装置パッケージ（２０）を提供すること。
【解決手段】例示的パッケージは、複数のパターン、特定用途向け集積回路（アナログＡＳＩＣ）チップ（２６）、および微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）のダイ上に形成された微細機械加工されたセンサ（２８）を有するプリント回路板（２４）を含む。アナログＡＳＩＣチップは、プリント回路板に電気的かつ機械的に取り付けられる。ＭＥＭＳのダイは、プリント回路板のパターンの一部分とのみ直接的に電気通信し、アナログＡＳＩＣチップに機械的かつ熱的に直接取り付けられる。ＭＥＭＳのダイとアナログＡＳＩＣチップの間に熱伝導化合物（３６）が配置される。１つまたは複数のはんだボール（３２）が、アナログＡＳＩＣチップをプリント回路板に電気的に取り付け、１つまたは複数のはんだパターンが、ＭＥＭＳのダイをプリント回路板に電気的に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な方法で、電子デバイスを構成する部材間の接合強度をより高めることが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体２と、半導体基体２を実装する基体１と、半導体基体２を基体１側に接合する接合部３とを備えた電子デバイス１０の製造方法であって、接合部３がＡｕを含む接合材料からなり、半導体基体２の接合部３側が接合材料を構成する元素以外から構成される母材材料からなり、基体１に設けた接合部３を溶融する温度以上に加熱して液相状態にした接合材料と固相状態の母材材料とを接触させる接触工程と、接触工程後に、Ａｕと母材材料を構成する元素との合金の融点の温度以上に加熱して、半導体基体２を基体１側に接合する接合工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減できる微細構造体の液体封入パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された微細構造体２の少なくとも一部を液体３で被覆し、この少なくとも液体３の表面を被覆する封止膜４を形成することによって、微細構造体２の液体封入パッケージを製造する。これにより、低圧環境下において液体３のハンドリングする必要がなくなり、結果として、製造工程が簡便となるために製造コストを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】リサージュ走査であっても効果的な画像重複や走査解像度を有するスキャナ用偏向装置を提供する。
【解決手段】少なくとも２つの偏向軸において振動すると共に、フレームと、懸架搭載部によって可動式に配置したミラープレート４とを有するマイクロミラー１と、少なくとも２つの偏向軸においてマイクロミラーの共鳴動作に対する制御信号を生成する制御装置と、を含み、ミラープレートの懸架搭載部が少なくとも１つのバネを有し、バネの一端をミラープレートに接続し、バネの他端を固定したフレームに接続し、マイクロミラーの共鳴動作に対する制御信号の周波数が、少なくとも２つの偏向軸において実質的に等しく、そのレベルを、所定の走査解像度と所定の走査反復率によって決定するが、それらが少なくとも所定の走査反復率に関して異なること、を特徴とするリサージュ走査を行うスキャナ用偏向装置。 （もっと読む）

【課題】低減した周波数ドリフトを達成することができる、実質的に安定した周波数で出力信号を発生するためのＭＥＭＳにシステムを提供する。
【解決手段】所定周波数は、温度依存性及び少なくとも一つの所定の特性に基づく。さらに、所定周波数で発振するためにＭＥＭＳ発振器を励振するよう構成された励振機構、及び、抵抗感知を用いてＭＥＭＳ発振器の温度を検出し、周波数ドリフトを最小限にするために温度依存性及び少なくとも一つの特性に基づいて、ＭＥＭＳ発振器の温度が所定温度の所定範囲内にあるか否かを決定し、ＭＥＭＳ発振器の温度を所定範囲内に留めるように適合させるように構成された温度制御ループを含む。さらに、ＭＥＭＳ発振器の所定周波数を出力するように構成された周波数出力を含んでいる。 （もっと読む）