【課題】機械式のシャッタが配置されたセルを満たすオイルを注入するときにシャッタに与えるダメージを減らすことを目的とする。
【解決手段】表示装置は、切れ目４６を有して空間を囲むシール材４４と、シール材４４の切れ目４６を塞いで封止空間を形成するエンドシール５０と、封止空間に満たされたオイル５２と、一対の光透過性基板１０，１２間の間隔を保持するスペーサ５４と、シャッタ１４と、シャッタ１４を機械的に駆動するための、オイル５２内に配置された駆動部３８と、一対の光透過性基板１０，１２の対向面の少なくとも一方上に形成された壁部６０と、を有する。壁部６０は、シール材４４の切れ目４６と表示領域４８との最短経路を遮る位置に配置された部分を有し、スペーサ５４、シャッタ１４及び駆動部３８を構成する材料から形成されている。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体１００は、第１の基板１と、第１の基板１の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層２と、多孔層２において第１の基板１が形成されている側の面と反対側の面に形成された第２の基板３とを備え、多孔層２における各孔２ａの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔２ａを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層２の厚さは、１μｍよりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】撓み部に発生する浅いクラックを感知する感知基板およびそれを用いた加速度センサを提供する。
【解決手段】フレーム部１１と、フレーム部１１の内側に設けられた錘部１２と、フレーム部１１と錘部１２との間をつなぎ錘部１２が変位することで撓む撓み部１３と、撓み部１３に形成され錘部１２の揺動に応じて抵抗値が変化するピエゾ抵抗１４と、フレーム部１１に配置されピエゾ抵抗１４からの信号を取り出すピエゾ抵抗用電極パッド１５ａと、ピエゾ抵抗１４とピエゾ抵抗用電極パッド１５ａとの間をつなぐ拡散配線による拡散配線部１６と、を備える感知基板２０である。撓み部１３の表面には、金属でなる金属配線部１７を備え、金属配線部１７は、フレーム部１１に配置され金属配線部１７からの信号を取り出す金属配線部用電極パッドにつながっている。 （もっと読む）

【課題】素子に不具合が生じることが抑制された電子デバイス、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】接合された２つの基板（１０，５０）に素子（２０，６０）と貫通電極（３０）とが形成されて成る電子デバイスであって、素子（２０，６０）は、２つの基板（１０，５０）の少なくとも一方に形成され、貫通電極（３０）は、２つの基板（１０，５０）の少なくとも一方に形成されており、貫通電極（３０）は、一方の基板（１０）における他方の基板（５０）との接合面（１０ａ）側から、その裏面（１０ｂ）まで除去されて成るトレンチ（３１）と、該トレンチ（３１）を構成する壁面の一部に形成された導電膜（３５）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】可動部を有するＭＥＭＳ素子に対する外部からの静電気の影響を低減して信頼性を向上することができるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】固定部及び可動部を有するＭＥＭＳ素子と、所定の間隔をもって可動部を覆い、固定部でＭＥＭＳ素子と固定された第１キャップと、第１キャップと導電部材により電気的に接続され、固定部上に配置され、且つグランド電位が供給される第１グランドパッドとを備えたＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】 電子装置の特性の劣化を抑制することが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】 電子素子22を有するチップ部品２と、電子素子22を収容する空間Ｓを介してチップ部品２が搭載される配線基板３と、空間Ｓを囲むようにしてチップ部品２の上面及び側面から配線基板３の表面にかけて設けられる樹脂層４と、樹脂層４における配線基板３及びチップ部品２の側面との接着部分のみを覆うようにして設けられた封止補強用樹脂５とを有する電子装置１である。 （もっと読む）

【課題】 特に、動作空間を囲む枠体と対向基板とを接合する金属接合部の腐食を防止しやすい構造のＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層１０には、動作領域１５と外部領域１６とを区画する枠体１４とが形成される。前記枠体１４と支持基板１間は第１の絶縁層３ａを介して接合される。枠体と配線基板との間には、枠体の外周側面から内側に向けて延出する横方向溝部１８が形成される。また横方向溝部よりも内側では傾斜側面１４ｆを介して前記横方向溝部１８での間隔よりも近接する前記枠体と前記第２の部材との対向面間が動作領域の全周を囲む金属接合部３０ａを介して接合されている。傾斜側面１４ｆの傾き角度θ１は、鈍角である。そして横方向溝部１８内にて現れる金属接合部３０ａの外周表面が保護絶縁層４１により覆われている。 （もっと読む）

【課題】この発明は、段差などを設けて勘合部保護を行い、気密封止性能が得られるセンサー素子を提供するものである。
【解決手段】主面上にダイヤフラムが構成される第１の基材と、前記第１の基材の反ダイヤフラム面側に配設される第２の基材と、前記第１の基材の前記ダイヤフラム直下に設けられるキャビティと、前記キャビティを気密封止するため前記第１の基材と前記第２の基材との接合位置に設けられる勘合部と、前記勘合部に設けられ、前記第１の基材と前記第２の基材との勘合状態を保護する段差部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 金属結合部の接合界面に作用する応力の均一性を向上させるＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層１０には、動作領域１５と外部領域１６とを区画する枠体１４とが形成される。前記枠体１４と支持基板１間は第１の絶縁層３ａを介して接合される。枠体１４と配線基板２間は、金属結合部３０ａを介して接合されている。金属結合部３０ａでは、配線基板２の表面に第１の金属層３１ａが形成され、枠体１４の表面に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが加熱され加圧されて互いに接合されている。第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃは、枠体１４の外周側面１４ａよりも前記動作領域の方向に後退している。第１の金属層と前記第２の金属層との接合界面Ａの外周端部Ｂは、前記第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 （もっと読む）

【課題】 センサデバイスに関する装置及び関連する作成方法が提供される。
【解決手段】 センサデバイスは、第１部分に形成された検出装置を有する第１部分及び第２構造を含むセンサ構造を含む。封止構造は、前記センサ構造と前記第２構造との間に挿入され、ここで、封止構造は、センサ構造の第１部分を囲む。封止構造は、第１部分の第１側に固定基準圧力を設け、第１部分の対向側は周囲圧力にさらされる。 （もっと読む）

【課題】加速度、角速度、を測定する、または駆動のためのマイクロ−電子機械システム（ＭＥＭＳ）が、少なくとも２つの基板（５，６）、およびＭＥＭＳ−層内の少なくとも１つの可動構造体（３．１，３．２）を備える。
【解決手段】前記可動構造体が、少なくとも２つの基板（５，６，７）の間に封止されたキャビティ（８．１，８．２）内に配置される。前記可動構造体（３．１，３．２）を囲む導電性フレーム（１）が、２つの基板（５，６）の接合面に配置される。フレーム（１）が、前記可動構造体（３．１，３．２）から電気的に分離され、少なくとも第一および第二導電性接続部（１３．１，１３．２，１３．３；１４）によって、前記第一基板（５）および第二基板（６）に、各々、電気的に接続される。フレーム（１）が、最大で１５０μｍ（マイクロメートル）、好ましくは、最大で５０μｍ（マイクロメートル）の幅（ｗ）を有してよい。 （もっと読む）

【課題】パッケージに封止された後においても発振周波数を調整できる発振器を提供すること。
【解決手段】それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、入力端子２１及び出力端子２２を有する増幅回路２０と、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路２０とを接続する接続回路３０と、接続回路３０の状態を切り替えるための切替信号を受け付ける信号受付端子４０と、接続回路３０に対して、増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子を切替信号に基づいて切り替えさせる切替回路５０とを含む。また、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、空洞の内部に収容されており、信号受付端子４０は、空洞の外部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】キャビティ、好ましくはＭＥＭＳ又はＮＥＭＳデバイスが位置するキャビティを簡単な工程で封止するための方法を提供する。
【解決手段】薄膜層を犠牲層２上に堆積し、その後放出孔を薄膜層内でエッチングし放出工程を実施する。その際、少なくとも犠牲層の一部を放出孔を通じて除去し、キャビティを形成する。前記放出工程の前に狭窄層を放出孔の側壁に形成する。狭窄層を封止層５とする場合は封止層のリフローにより放出孔を閉鎖し、狭窄層が封止層でない場合には薄膜層上部に封止層を堆積し、直接封止層をリフローすることで放出孔を閉鎖する。 （もっと読む）

【課題】電子部品と実装基板の電気的な接続信頼性を低下させることなく実装基板上の電子部品に加わる熱応力の影響を低減する。
【解決手段】本実施形態の電子部品は、ＭＥＭＳチップの一種である加速度センサチップである。この加速度センサチップは、ガラス基板を用いて形成された底板部４、シリコン半導体基板を用いて形成された枠体部５、ガラス基板を用いて形成された蓋板部６からなるチップ本体２と半田実装パッド３とからなる。
本実施形態によれば方形の底面部を有する電子部品を半田実装する場合においても、熱膨張、熱集収縮が生じた際に対角線方向に加わる熱応力由来のストレスを減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】貫通電極が設けられた電子部品用パッケージにおいて、キャビティを設けても貫通電極の十分なコプラナリティが得られるパッケージを提供する。
【解決手段】スルーホールＴＨが設けられた第１シリコン基板１０ａと、第１シリコン基板１０ａの上下面及びスルーホールＴＨの内面に形成された絶縁層１４と、スルーホールＴＨ内に充填された貫通電極１８とを含み、貫通電極１８の上面と絶縁層１４の上面とが面一であるパッケージ基板部１１と、中央部に上面から下面まで貫通する開口部ＴＰを備えた第２シリコン基板２０ａから形成され、パッケージ基板部１１の周縁部に絶縁層１４を介して積層されて、第１シリコン基板１０ａの上にキャビティＣを構成する枠部２３とを含み、貫通電極１８は枠部２３の開口部ＴＰ内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】低コストのマイクロ電気機械システムセンサを提供する。
【解決手段】マイクロ電気機械システムセンサ２０は、基板２１、基板２１に位置するマイクロ電気機械システム部品エリア２７、薄膜層２９、接着層２２、および、複数のＳｉ貫通電極２６を備える。基板２１は、第一表面２１１および第二表面２１２、ならびにマイクロ電気機械システム部品エリア２７を有する。薄膜層２９は、マイクロ電気機械システム部品エリア２７に被さってチャンバを密閉することによって密閉空間を形成する。キャップ２４は、接着層２２によってマイクロ電気機械システム部品エリア２７に固着する。複数のＳｉ貫通電極２６は、第二表面２１２まで伸びるようにマイクロ電気機械システム部品エリア２７に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】接合ガラスの一方の面に溝を精度よく、かつ効率よく形成する。
【解決手段】接合ガラス６０の一方の面５０ｂ側から接合材２３を撮像することで、一方の面５０ｂ側から接合ガラス６０に照射可能なレーザー光Ｒ２を接合材２３に合焦させる第１焦点調整工程と、第１焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２の焦点を、接合ガラス６０の厚さ方向に沿った接合ガラス６０の一方の面５０ｂ側に向けて、照射がなされるガラス基板５０の推定厚さ分、移動させる第２焦点調整工程と、第２焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２を照射して一方の面５０ｂに被検出部Ｄを形成する被検出部形成工程と、一方の面５０ｂ側から被検出部Ｄを撮像することで、レーザー光Ｒ２を被検出部Ｄに合焦し直す第３焦点調整工程と、第３焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２を切断予定線に沿って照射して、一方の面５０ｂに溝Ｍ’を形成する溝形成工程とを有する接合ガラスの切断方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】機械構造及びこれらの機械構造を基板に固定するためのアンカーを含むＭＥＭＳ装置及びその製造技術を提供する。
【解決手段】アンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃの解放プロセスによる影響を比較的受け難い材料で形成される。エッチング解放プロセスは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃをアンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃを構成する材料に固定する材料に対し、選択的又は優先的である。更に、アンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、絶縁層の除去が機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃの基板１４に対する固定にほとんど又は全く影響を及ぼさないように基板１４に固定される。 （もっと読む）

【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】真空室３３内に設けられ基板３１に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有し基板に平行に且つ互いに平行に設けられた第１，第２のシリコン単結晶の振動梁３２ａ、３２ｂと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の一端に接続される板状の第１の電極板３４ａと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の間に設けられた第２の電極板３４ｂと、第１，第２の振動梁の両側に第１，第２の振動梁を挟んで且つ第１，第２の振動梁と第１，第２の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第３，第４の電極板３４ｃ、３４ｄと、振動梁と第２、第３，第４の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部３７とを具備した。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止型の半導体装置の信頼性低下を抑制する。
【解決手段】キャップ（部材）２とキャビティ部（空間形成部）５ｄを備えるキャップ（部材）５を重ね合わせて接合することで、密封された空間８が形成され、空間８内にセンサチップ（半導体チップ）１および複数のワイヤ４を配置する半導体装置を以下のように製造する。キャップ２とキャップ５の接合部を封止する封止工程において、キャップ５の上面５ａ全体と、キャップ２の下面２ｂ全体がそれぞれ露出するように樹脂から成る封止体９を形成する。これにより、封止工程において、キャップ５を押し潰す方向に作用する圧力を低減することができる。 （もっと読む）