【課題】本発明は、他軸感度を発生せず、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸からなる３軸方向の加速度を正確に検出できる３軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の３軸加速度センサは、基板２１の略中央部に設けられた錘部２３と、梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′と、歪抵抗素子Ｒx21，Ｒx22等とを備え、前記歪抵抗素子Ｒx21，Ｒx22等を形成した梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′と錘部２３との連結端部の幅寸法よりも幅寸法の小さいくびれ部２７，２７′，２８，２８′を前記梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′内に設けたものである。 （もっと読む）

【課題】１次および２次温度補償型水晶共振子を提供する。
【解決手段】温度補償共振子の本体３、５、７のコアが、１次および２次の温度係数（α、β、α’、β’）を決定する水晶においてカット角度（θ’）で形成されたプレートから形成され、本体３、５、７は、コア上に少なくとも部分的に堆積され、共振子の１次および２次の温度係数（α、β、α’、β’）をほぼゼロにするために、共振子の１次および２次の温度係数（α、β、α’、β’）それぞれに対して反対の符号の、温度による１次および２次ヤング率変動（ＣＴＥ１、ＣＴＥ２、ＣＴＥ１’、ＣＴＥ２’）を有するコーティングを含む。 （もっと読む）

【課題】 ２以上のセンサー素子を含む素子構造体の製造を容易化すること。
【解決手段】 素子構造体は、第１支持層１００と、第１支持層１００の上方に設けられる第１センサー素子ＳＥ１と、を有する第１基板ＢＳ１と、第２支持層２００と、第２支持層２００の上方に設けられる第２センサー素子ＳＥ２と、を有する第２基板ＢＳ２と、を含み、第２基板ＢＳ２は、第１センサー素子ＳＥ１と第２センサー素子ＳＥ２とが互いに対向した状態で、第１基板ＢＳ１上にスペーサー３００を介して配置されている。 （もっと読む）

【課題】 容量素子を含む素子構造体の製造を容易化すること。
【解決手段】 素子構造体は、第１支持層１００と、該第１支持層の上方に一端部が支持され他端部の周囲に空隙部が形成された第１可動梁８００ａと、を有する第１基板ＢＳ１と、第２支持層２００と、該第２支持層に形成された第１固定電極９００ａと、を有し、且つ、前記第１基板に対向して配置された第２基板ＢＳ２と、を含み、前記第１可動梁８０ａには、第１可動電極が形成され、前記第１固定電極と前記第１可動電極とが間隙を介して対向して配置されて構成される。 （もっと読む）

【課題】接続構造に接続されたマイクロ振動装置の現在の姿勢を雑音なしに高い正確度で検知することができるようにする。
【解決手段】マイクロ振動装置のための接続構造において、接続構造の一端はマイクロ振動構造に、他端はバネ部材に少なくとも間接的に接続可能であり、接続構造はマイクロ振動構造の回転軸に対して平行に配置された少なくとも１つの脚部と、回転軸に対して垂直に配置された少なくとも１つの別の脚部と、接続構造の捩れを測定する少なくとも１つの抵抗素子とを含んでおり、回転軸に平行な方向における接続構造の広がりは、回転軸に対して垂直な方向における接続構造の広がりの少なくとも２．５倍であり、抵抗素子は接続構造が捩れたときに比較的大きな機械的応力が生じる領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】可動部の反りが大きく、かつ検知感度の低下が抑制された半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成された基板１０と、凹部１００内に配置された可動電極２１を有し、可動電極２１から離間した位置において基板１０に固定された梁型の可動部２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、可動電極２１と電気的に分離されて基板１０に固定された梁型の固定電極３０とを備え、可動電極２１と基板１０との間に、線膨張熱係数が互いに異なる半導体層２２１とキャップ層２２２とが積層された反り部２２を有する。 （もっと読む）

【課題】高分子駆動器を含む微小バルブ構造体及びラボオンチップモジュールを提供する。
【解決手段】微小バルブ構造体は基板１０上に配置される柔軟構造物２０及び柔軟構造物２０内に挿入される高分子駆動器４０を含むことができる。この時、柔軟構造物２０は微小流路３５を定義するバルブ部２５を有し、高分子駆動器４０は柔軟構造物２０によって微小流路３５から分離される。さらに、高分子駆動器４０はバルブ部２５の変位を制御することによって、微小流路３５の幅を変化させるように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳディスプレイアーキテクチャ用の低範囲ビット深度拡張のための方法および装置を提供する。
【解決手段】光変調器装置は、第1の電気導管、第1の導管から電気的に絶縁された第2の電気導管、第1の表示素子、および第2の表示素子を備える。第1の表示素子は、第1の導管と第2の導管との間の電圧差の大きさが第1の動作電圧よりも大きいときには動作状態にあり、この電圧差の大きさが第1の解放電圧よりも小さいときには解放状態にある。第2の表示素子は、この電圧差の大きさが第2の動作電圧よりも大きいときには動作状態にあり、この電圧差の大きさが第2の解放電圧よりも小さいときには解放状態にある。各動作電圧が実質上等しく、各解放電圧が異なるか、または各動作電圧が異なり、各解放電圧が実質上等しいかのいずれかである。 （もっと読む）

【課題】カンチレバーの配置効率を高めて、より一層小型化、低コスト化を図ることができる光走査装置を提供する。
【解決手段】光走査装置は、入射光を反射する反射面５５ａを有する可動板５５と、可動板を回動可能に支持しかつ可動板から互いに反対方向に延びるトーション梁５６，５７と、一端が固定端とされかつ他端が可動端とされて可動端にトーション梁の終端がそれぞれ連結されしかも曲げ振動により可動板を往復回転させるカンチレバー５１，５２と、このカンチレバーの固定端が接続されかつ内側に前記カンチレバーとトーション梁と可動板とが配設されて、カンチレバーとトーション梁と可動板とを支持する支持枠５０とを備え、カンチレバーの少なくとも一部がトーション梁の延びる方向を長手方向としてこの長手方向に対して略平行でかつトーション梁に隣接して配置された長手方向部とされている。 （もっと読む）

【課題】梁部の強度やダイアフラムの支持強度を低下させることなく、梁部のアンカーで固定されていない部分の長さを長くすることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板３２の上面において、ポリシリコンからなる第１犠牲層４８の延出部４８ａの上に、シリコン酸化膜からなる第２犠牲層４７を介してポリシリコンからなるダイアフラム３３の梁部３６ａを形成する。延出部４８ａは、梁部３６ａの先端部を除く領域の下に形成されている。シリコン基板３２に設けたバックチャンバ３５から延出部４８ａをエッチング除去して梁部３６ａの下面の先端部を除く領域に空洞部５０を形成した後、さらに第２犠牲層４７をエッチングにより除去する。このとき、梁部３６ａの先端部下面に第２犠牲層４７を残してアンカー３７とする。 （もっと読む）

【課題】バックプレートが当該バックプレートの内面側に製作した電子回路を含むインターフェロメトリックモジュレータベースディスプレイ。
【解決手段】インターフェロメトリックモジュレータのアレイ１０２が透明基板１０４を通して光を反射するよう構成されたＭＥＭＳベースのディスプレイデバイス１００が記載されている。上記透明基板１０４は、バックプレート１０８に対し封じられ、該バックプレートは、そのバックプレーン１０８上に製作された電子回路１１４を含むことができる。上記電子回路１１４は、上記インターフェロメトリックモジュレータのアレイ１０２と電気的に通信しており、上記インターフェロメトリックモジュレータのアレイの状態を制御するように構成される。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な圧力センサを提供する。
【解決手段】センサチップ１０と、センサチップ１０の中央部に設けられた差圧用ダイアフラム４と、差圧用ダイアフラム４に設けられた差圧用ゲージ５と、差圧用ダイアフラム４の外周部に設けられた静圧用ダイアフラム１７と、静圧用ダイアフラム１７の端部に形成された第１の静圧用ゲージ１６ｄと、静圧用ダイアフラム１７の中央部に形成された第２の静圧用ゲージ１５ｂと、を備えた圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な圧力センサを提供する。
【解決手段】センサチップ１０と、センサチップ１０の中央部に設けられた差圧用ダイアフラム４と、差圧用ダイアフラム４の第１の端辺上に設けられ差圧用ダイアフラム４の中心に対する径方向に沿って形成された第１の差圧用ゲージ５ｃと、差圧用ダイアフラム４の第１の端辺上において第１の差圧用ゲージ５ｃの近傍に設けられ径方向と垂直な周方向に沿って形成された第２の差圧用ゲージ５ａと、差圧用ダイアフラム４の外側に設けられ差圧用ダイアフラム４の第１の端辺を除く他の端辺の何れかとセンサチップ１０の端部との間に配置された静圧用ダイアフラム１７と、を備える圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３４１、３４２を含む中空筒状の第１壁部３４０と第１壁部３４０の開口部３４６を閉じる第１蓋部３２１とを有する第１電極３０１を設ける。また、絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３５１、３５２を含む中空筒状の第２壁部３５０と第２壁部３５０の開口部３５６を閉じる第２蓋部３２２とを有する第２電極３０２を設ける。そして、第１壁部３４０の一方のダイヤフラム３４１と第２壁部３５０の一方のダイヤフラム３５１とを対向配置させる。これにより、各電極３０１、３０２が絶縁層２００の上で電気的に分離されるので、各壁部３４０、３５０の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 （もっと読む）

【課題】振動ミラーの共振周波数のばらつきを防止し、個別に共振周波数を高精度に調整することが可能な光走査装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウエイト量決定装置のカメラにより金属構造体２０を平面視で撮影して、画像から所定の画像処理により捩り梁１１の画像を切り出し、ウエイト量決定装置のＣＰＵが所定の画像処理プログラムを実行することにより梁幅を測定する。ウエイト量決定装置のＣＰＵがＨＤＤのウエイト量テーブル記憶エリアに記憶されているウエイト量テーブルを参照して、測定した捩り梁の梁幅から塗布するウエイトの量を決定する。ウエイト量決定装置のＣＰＵが、測定された梁幅に基づいて、ウエイト量テーブルを各々参照して、ディスプレイに一例として、「梁結合部：０．１mm^３」や「ミラー裏：０．０１mm^３ 」と表示する。その後、ウエイト４０が梁結合部６又はミラー５の裏面に塗布される。 （もっと読む）

【課題】パッケージングの前及び／又は後の何れかに関わらず、出力周波数が調整され、整調され、設定され、画定され、及び／又は選択されるマイクロ電気機械共振器を製作する方法の提供。
【解決手段】機械的構造１２の１つ又は複数の要素及び／又は梁１４ａ、１４ｂ（例えば、移動可能又は拡張可能な電極及び／又は周波数調整構造）を（選択又は非選択的方法で）抵抗加熱することによって、共振器の機械的構造１２の材料を変化させ、及び／又は共振器の機械的構造から材料を除去することにより、マイクロ電気機械共振器１０の周波数を調整し、整調し、設定し、画定し、及び／又は選択する。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電気動作と解放を備えたアナログ光干渉変調器デバイスを提供する。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは、第一の電極と、第一の電極から電気的に絶縁された第二の電極と、第一の電極と第二の電極とから電気的に絶縁された第三の電極とを有している。ＭＥＭＳデバイスはまた、第一の電極を第二の電極から分離する支持構造と、第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能な反射素子とを有している。反射素子は、第一の位置にあるときにはデバイスの一部に接触しており、第二の位置にあるときにはデバイスの一部に接触していない。反射素子が第一の位置にあるとき、反射素子と一部との間に接着力が生成される。第一の電極と第二の電極と第三の電極とに印加された電圧が接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された渦巻き状の可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）