静電気動作と解放を備えたアナログ光干渉変調器デバイス
【課題】静電気動作と解放を備えたアナログ光干渉変調器デバイスを提供する。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは、第一の電極と、第一の電極から電気的に絶縁された第二の電極と、第一の電極と第二の電極とから電気的に絶縁された第三の電極とを有している。ＭＥＭＳデバイスはまた、第一の電極を第二の電極から分離する支持構造と、第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能な反射素子とを有している。反射素子は、第一の位置にあるときにはデバイスの一部に接触しており、第二の位置にあるときにはデバイスの一部に接触していない。反射素子が第一の位置にあるとき、反射素子と一部との間に接着力が生成される。第一の電極と第二の電極と第三の電極とに印加された電圧が接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは、第一の電極と、第一の電極から電気的に絶縁された第二の電極と、第一の電極と第二の電極とから電気的に絶縁された第三の電極とを有している。ＭＥＭＳデバイスはまた、第一の電極を第二の電極から分離する支持構造と、第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能な反射素子とを有している。反射素子は、第一の位置にあるときにはデバイスの一部に接触しており、第二の位置にあるときにはデバイスの一部に接触していない。反射素子が第一の位置にあるとき、反射素子と一部との間に接着力が生成される。第一の電極と第二の電極と第三の電極とに印加された電圧が接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微小電気機械システムデバイスに関し、特に、微小電気機械システムを利用したアナログ、デジタルおよび／または光学的デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）はマイクロメカニカル素子とアクチュエーターと電子機器とを含んでいる。マイクロメカニカル素子は、基板および／または堆積物質層の一部をエッチング除去するか層を追加して電気デバイスや電気機械デバイスを形成する堆積、エッチングおよびまたはほかのマイクロマシーニングプロセスを用いて作り出し得る。ＭＥＭＳデバイスの一つのタイプは光干渉変調器と呼ばれる。ここに使用する光干渉変調器や光干渉光変調器との用語は、光干渉の法則を使用して光を選択的に吸収および／または反射するデバイスを指す。ある実施形態では、光干渉変調器は一対の伝導プレートを備えていてもよく、その一方または両方は、全体または一部が透明および／または反射的であってもよく、適当な電気信号の印加に対して相対運動可能であってもよい。特定の実施形態では、一方のプレートが基板上に堆積された静止層を備えていてもよく、他方のプレートが空隙によって静止層から分離された金属膜を備えていてもよい。ここに詳細に説明するように、一方のプレートの他方に対する位置は、光干渉変調器への入射光の光干渉を変化させることができる。そのようなデバイスは広範囲の用途を有しており、既存製品を改善してまだ開発されていない新製品を作り出すのにそれらの特徴を利用できるようにこれらのタイプのデバイスの特性を利用および／または修正する技術分野にとって有益であろう。
【発明の概要】
【０００３】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスの一実施形態は、第一の電極と、第一の電極から電気的に絶縁された第二の電極と、第一の電極と第二の電極とから電気的に絶縁された第三の電極とを備えている。ＭＥＭＳデバイスはまた、第一の電極を第二の電極から分離する支持構造を備えている。ＭＥＭＳデバイスはさらに、第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能な反射素子を備えている。反射素子は、第一の位置にあるときにはデバイスの一部に接触しており、第二の位置にあるときにはデバイスの一部に接触していない。反射素子が第一の位置にあるとき、反射素子と一部との間に接着力が生成される。第一の電極と第二の電極と第三の電極とに印加された電圧が接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する。
【０００４】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスの別の実施形態は、電気を伝導するための第一の手段と、電気を伝導するための第二の手段と、電気を伝導するための第三の手段とを備えており、第二の伝導手段は第一の伝導手段から電気的に絶縁されており、第三の伝導手段は、第一の伝導手段と第二の伝導手段とから電気的に絶縁されている。ＭＥＭＳデバイスはさらに、第一の伝導手段を第二の伝導手段から分離するための手段を備えている。ＭＥＭＳデバイスはさらに、光を反射するための手段を備えており、反射手段は第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能である。反射手段は、第一の位置にあるときにはデバイスの一部に接触しており、第二の位置にあるときにはデバイスの一部に接触していない。反射手段が第一の位置にあるとき、反射手段と一部との間に接着力が生成される。第一の伝導手段と第二の伝導手段と第三の伝導手段とに印加された電圧が接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する。
【０００５】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを操作する方法の実施形態は、第一の電極と、第一の電極から電気的に絶縁された第二の電極と、第一の電極と第二の電極とから電気的に絶縁された第三の電極とを備えたＭＥＭＳデバイスを提供することを備えている。ＭＥＭＳデバイスはさらに、第一の電極を第二の電極から分離する支持構造を備えている。ＭＥＭＳデバイスはさらに、第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能な反射素子を備えている。反射素子は、第一の位置にあるときにはデバイスの一部に接触しており、第二の位置にあるときにはデバイスの一部に接触していない。反射素子が第一の位置にあるとき、反射素子と一部との間に接着力が生成される。方法はさらに、第一の電極と第二の電極と第三の電極とに電圧を印加して接着力を少なくとも部分的に低減または相殺することを備えている。
【０００６】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造する方法の実施形態は、基板上に第一の反射層を形成し、第一の反射層の上に犠牲層を形成し、犠牲層の一部を除去して開口を形成し、開口に不伝導物質を充てんしてポストを形成することを備えている。方法はさらに、犠牲層の上に第二の反射層を形成し、第二の反射層の一部とポストの一部とを除去して穴を形成し、穴に伝導物質を充てんして電極を形成し、犠牲層を除去することを備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第一の光干渉変調器の可動反射層が弛緩位置にあり、第二の光干渉変調器の可動反射層が動作位置にある光干渉変調器ディスプレイの一実施形態の一部を描く等角投影図である。
【図２】３×３光干渉変調器ディスプレイを包含している電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図３】図１の光干渉変調器の一つの代表的な実施形態における可動ミラー位置対印加電圧の図である。
【図４】光干渉変調器ディスプレイを駆動するのに使用し得る一組の行および列電圧を示している。
【図５Ａ】図２の３×３光干渉変調器ディスプレイ中の表示データの一つの代表的なフレームを示している。
【図５Ｂ】図５Ａのフレームを書くために使用され得る行および列信号のための一つの代表的なタイミング図を示している。
【図６Ａ】複数の光干渉変調器からなる視覚ディスプレイデバイスの実施形態を示すシステムブロック図である。
【図６Ｂ】複数の光干渉変調器からなる視覚ディスプレイデバイスの実施形態を示すシステムブロック図である。
【図７Ａ】図１のデバイスの断面図である。
【図７Ｂ】光干渉変調器の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｃ】光干渉変調器の別の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｄ】光干渉変調器のまた別の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｅ】光干渉変調器の追加の代替実施形態の断面図である。
【図８Ａ】弛緩すなわち非動作状態にあるＭＥＭＳデバイスの実施形態の側断面図である。
【図８Ｂ】動作すなわち駆動状態にある図８Ａに示されたＭＥＭＳデバイスの側断面図である。
【図９Ａ】弛緩すなわち非動作状態にあるＭＥＭＳデバイスの別の実施形態の側断面図である。
【図９Ｂ】動作すなわち駆動状態にある図９Ａに示されたＭＥＭＳデバイスの側断面図である。
【図１０Ａ】弛緩すなわち非動作状態にあるＭＥＭＳデバイスの追加の実施形態の側断面図である。
【図１０Ｂ】動作すなわち駆動状態にある図１０Ａに示されたＭＥＭＳデバイスの側断面図である。
【図１１Ａ】第三の電極に電圧が印加される前の動作すなわち駆動状態にあるＭＥＭＳデバイスの実施形態の一部の側断面図である。
【図１１Ｂ】第三の電極に電圧が印加された後の図１１Ａに示されたＭＥＭＳデバイスの一部の近接側断面図である。
【図１２Ａ】ＭＥＭＳデバイス中の反射素子の異なる実施形態の側断面図である。
【図１２Ｂ】ＭＥＭＳデバイス中の反射素子の異なる実施形態の側断面図である。
【図１２Ｃ】ＭＥＭＳデバイス中の反射素子の異なる実施形態の側断面図である。
【図１２Ｄ】ＭＥＭＳデバイス中の反射素子の異なる実施形態の側断面図である。
【図１３Ａ】弛緩状態にあるＭＥＭＳデバイスの追加の実施形態の側断面図である。
【図１３Ｂ】弛緩状態にあるＭＥＭＳデバイスの追加の実施形態の側断面図である。
【図１３Ｃ】弛緩状態にあるＭＥＭＳデバイスの追加の実施形態の側断面図である。
【図１３Ｄ】弛緩状態にあるＭＥＭＳデバイスの追加の実施形態の側断面図である。
【図１４】動作すなわち駆動状態にあるＭＥＭＳデバイスの実施形態の側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
続く詳細な説明は、本発明のある特定の実施形態に向けられている。しかしながら、本発明は多くの異なる手法で具体化することができる。この説明では、同様の部材は一貫して同様の符号で示して参照符号を図面に付す。続く説明から明らかように、実施形態は、動画（たとえばビデオ）か静止画（たとえばスチル画像）かを問わず、さらに文字か絵かを問わず、画像を表示するように構成されたあらゆるデバイスにおいて実施し得る。特に、実施形態は、これに限定されないが、移動電話や無線デバイス、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ハンドヘルドまたは携帯型コンピューター、ＧＰＳレシーバー／ナビゲーター、カメラ、ＭＰ３プレーヤー、カムコーダー、ゲーム機、腕時計、時計、計算機、テレビジョンモニター、フラットパネルディスプレイ、コンピューターモニター、自動ディスプレイ（たとえば走行記録計ディスプレイその他）、コックピットのコントロールやディスプレイ、カメラ視のディスプレイ（たとえば乗り物の背面カメラのディスプレイ）、電子写真、電子の広告板や標識、プロジェクター、建築物、パッケージング、美的構造物（たとえば一つの宝石の画像）など、いろいろな電子デバイスにおいて実施し得るか関連し得ることが予想される。ここに説明したものと同様の構造体のＭＥＭＳデバイスは電子スイッチデバイスなどの非ディスプレイ用途において使用することもできる。
【０００９】
ＭＥＭＳデバイスのいくつかの実施形態は、ミラーまたは変形可能な機械的層などの可動素子を備えていてもよい。可動素子は、可動素子がデバイスの一部に接触している第一の位置と、可動素子がデバイスの一部に接触していない第二の位置との間で移動する。第一の位置にあるあいだ、可動素子と接触部分との間に接着力（たとえばスティクション）が生成され得る。したがって、可動素子が第一の位置にある間に接着力が少なくとも部分的に低減または相殺され得るＭＥＭＳデバイスおよび操作方法を提供することに好都合かもしれない。ある実施形態では、ＭＥＭＳデバイスは、可動素子にかかる接着力を少なくとも部分的に低減または相殺するように構成された一つ以上の電極を備えている。一実施形態では、一つ以上の電極に電圧を印加して、接着力を部分的に相殺する静電気力を与えてよい。ほかの実施形態では、接着力が生成される接触領域を低減するように、時変電圧を使用して可動素子を弾性的に変形または振動させてもよい。ある実施形態では、接着力が低減されるように、時変電圧が可動素子を振動または共振させてもよい。
【００１０】
光干渉ＭＥＭＳディスプレイ素子を備えた一つの光干渉変調器ディスプレイ実施形態を図１に示す。これらのデバイスでは、画素は明暗状態のいずれかにある。明（「オン」または「開放」）状態では、ディスプレイ素子は、入射可視光の大部分をユーザーへ反射する。暗（「オフ」または「閉鎖」）状態では、ディスプレイ素子は、入射可視光をユーザーへほとんど反射しない。実施形態によっては、「オン」状態と「オフ」状態の光反射特性は逆であってもよい。ＭＥＭＳ画素は、白黒に加えてカラー表示を考慮し、特定の色で主に反射するように構成することが可能である。
【００１１】
図１は、視覚ディスプレイの一連の画素中の二つの隣接画素を描いた等角投影図であり、各画素はＭＥＭＳ光干渉変調器を備えている。いくつかの実施形態では、光干渉変調器ディスプレイは、これらの光干渉変調器の行／列アレイを備えている。各光干渉変調器は、互いに可変かつ制御可能な距離に位置する一対の反射層を含んでおり、少なくとも一つの可変次元をもつ共振光学キャビティを形成している。一実施形態では、一方の反射層が二つの位置の間で移動され得る。第一の位置（ここでは弛緩位置と呼ぶ）では、可動反射層は、固定部分反射層から比較的大きな距離に位置している。第二の位置（ここでは動作位置と呼ぶ）では、可動反射層は、固定部分反射層に隣接し密接して位置している。二つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置に応じて強め合ってまたは弱め合って干渉し、各画素について全体反射状態または非反射状態のいずれかを作り出す。
【００１２】
図１の画素アレイの図示部分は二つの隣接する光干渉変調器１２ａと１２ｂを含んでいる。左側の光干渉変調器１２ａでは、可動反射層１４ａは光学スタック１６ａからの所定距離の弛緩位置に図示されており、光学スタック１６ａは部分的反射層を含んでいる。右側の光干渉変調器１２ｂでは、可動反射層１４ｂは光学スタック１６ｂに隣接する動作位置に図示されている。
【００１３】
光学スタック１６ａと１６ｂ（光学スタック１６と総称する）は、ここに参照するように、一般にいくつかの融合層からなり、それらは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの電極層、クロムなどの部分的反射層、透明不伝導体を含み得る。したがって、光学スタック１６は、電気的に伝導性で、部分的に透明で、部分的に反射的であり、たとえば透明基板２０上に上記の層の一つ以上を堆積することにより作られ得る。部分的反射層は、さまざまな金属、半導体および不伝導体などの部分的に反射するさまざまな物質から作ることができる。部分的反射層は、一以上の物質の層で作ることができ、層のおのおのは単一の物質または複数の物質の組み合わせで作ることができる。
【００１４】
いくつかの実施形態では、光学スタックの層は平行ストリップにパターニングされ、後述するようにディスプレイデバイス中の行電極を形成し得る。可動反射層１４ａ，１４ｂは、ポスト１８の上面およびポスト１８間に堆積された介在犠牲物質の上に堆積された（行電極１６ａ，１６ｂに直交する）一つまたは複数の堆積金属層の一連の平行ストリップとして形成してもよい。犠牲物質をエッチング除去すると、可動反射層１４ａ，１４ｂが光学スタック１６ａ，１６ｂから規定間隙１９だけ分離される。アルミニウムなどの高伝導反射物質を反射層１４に使用してもよく、これらのストリップがディスプレイデバイスの列電極を形成してもよい。
【００１５】
印加電圧がないとき、図１の画素１２ａに示すように、可動反射層１４ａと光学スタック１６ａとの間にキャビティ１９が残り、可動反射層１４ａは機械的弛緩状態にある。しかしながら、選択した行と列に電位差を印加すると、対応する画素の行電極と列電極の交差により形成されたコンデンサーがチャージされ、静電力が電極同士を引き寄せる。電圧が十分に高ければ、可動反射層１４が変形し、光学スタック１６に押し付けられる。図１の右側の画素１２ｂに示されるように、光学スタック１６内の（この図には示していない）不伝導体層が短絡するのを防止するとともに層１４と層１６との間の分離距離を制御し得る。その振る舞いは印加電位差の極性にかかわらず同じである。このように、反射対非反射画素状態を制御することができる行／列動作は、従来のＬＣＤやほかのディスプレイ技術で使用される行／列動作に多くの点で類似している。
【００１６】
図２〜５Ｂは、表示用途の光干渉変調器のアレイを使用するための一つの代表的なプロセスとシステムを示している。
【００１７】
図２は、本発明の観点を組み込んでよい電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。この代表的な実施形態では、電子デバイスは、ＡＲＭやＰｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＶ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標） Ｐｒｏ、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）などの任意の汎用シングルまたはマルチチップマイクロプロセッサー、またはデジタルシグナルプロセッサーやマイクロコントローラー、プログラマブルゲートアレイなどの任意の専用マイクロプロセッサーであってもよいプロセッサー２１を含んでいる。この分野で一般に行なわれているように、プロセッサー２１は一つ以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成され得る。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサーは、ウェブブラウザや電話アプリケーション、電子メールプログラム、ほかのソフトウェアアプリケーションを含め、一つ以上のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成されてもよい。
【００１８】
一実施形態では、プロセッサー２１もアレイドライバー２２と通信するように構成されている。一実施形態では、アレイドライバー２２は、ディスプレイアレイすなわちパネル３０に信号を供給する行ドライバー回路２４と列ドライバー回路２６を含んでいる。図１に示したアレイの断面は図２の１−１線によって示されている。ＭＥＭＳ光干渉変調器については、行／列動作プロトコルは、図３に示したデバイスのヒステリシス特性を利用してよい。可動層を弛緩状態から動作状態まで変形させるにはたとえば１０ボルトの電位差を必要としてよい。しかしながら、電圧がその値から低下するとき、電圧が１０ボルト未満に降下する際、可動層はその状態を維持する。図３の代表的な実施形態では、電圧が２ボルト未満の降下するまで可動層は完全に弛緩しない。したがって、デバイスが弛緩または動作状態で安定している印加電圧の窓が存在する電圧の範囲（図３に示した例では約３〜７Ｖ）がある。ここでは、これを「ヒステリシス窓」または「安定窓」と呼ぶ。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイは、行ストロービングのあいだ、ストローブされた行中の動作されるべき画素が約１０ボルトの電圧差にさらされ、弛緩されるべき画素が０ボルト近くの電圧差にさらされるように、行／列動作プロトコルを設計することが可能である。ストローブの後、画素は、行ストローブによっておかれた状態のままであるように、約５ボルトの定常状態電圧差にさらされる。書き込み後、各画素は、この例の３−７ボルトの「安定窓」内の電位差にある。この特徴は、図１に示した画素設計を同じ印加電圧状態の下で動作または弛緩の事前状態のいずれかに安定にする。光干渉変調器の各画素は、動作状態であれ弛緩状態であれ、実質的に固定反射層と可動反射層によって形成されるコンデンサーであるので、この安定状態は、ほとんど消費電力を伴わないヒステリシス窓内の電圧で保持することができる。印加電位が固定されていれば、実質的に電流は画素に流れ込まない。
【００１９】
一般的アプリケーションでは、表示フレームは、第一行中の動作画素の所望のセットにしたがって列電極のセットをアサートすることにより作り出してよい。次に行パルスを行１電極に印加し、アサートされた列線に対応する画素を動作させる。次に列電極のアサートされたセットを変更し、第二行中の動作画素の所望のセットに対応させる。次にパルスを行２電極に印加し、行２中の適当な画素をアサートされた列電極にしたがって動作させる。行１画素は行２パルスに影響されず、行１パルスのあいだに設定された状態のままである。これを一連の行の完全にわたり順次に繰り返してフレームを生成してよい。一般に、フレームは、毎秒所望のフレーム数でこのプロセスを絶えず繰り返すことにより、新しい表示データでリフレッシュおよび／またはアップデートされる。表示フレームを生成するために画素アレイの行電極と列電極を駆動するための種々いろいろなプロトコルもまた周知であり、これは本発明と共に使用してよい。
【００２０】
図４と５Ａと５Ｂは、図２の３×３アレイに表示フレームを作り出すための一つの可能な動作プロトコルを示している。図４は、図３のヒステリシス曲線を示す画素に使用してよい列と行の電圧レベルの可能なセットを示している。図４の実施形態において、画素を動作させることは、適当な列を−Ｖｂｉａｓに、適当な行を＋ΔＶにセットすることを含んでおり、それらは、それぞれ、−５ボルトと＋５ボルトに一致していてもよい、
画素を弛緩させることは、適当な列を＋Ｖｂｉａｓに、適当な行を同じ＋ΔＶにセットして、画素の両端にゼロボルト電位差を生成することより実施する。行電圧がゼロボルトに保持される行では、画素は、列が＋Ｖｂｉａｓか−Ｖｂｉａｓかにかかわらず、それらがもとあった状態で安定している。また図４に示すように、上述したほかに逆極性の電圧を使用することができること、たとえば、画素を動作させることが適当な列を＋Ｖｂｉａｓに、適当な行を−ΔＶにセットすることを含み得ることもわかるであろう。本実施形態では、画素を解放することは、適当な列を−Ｖｂｉａｓに、適当な行を−ΔＶにセットして、画素の両端にゼロボルト電位差を生産することにより実施する。
【００２１】
図５Ｂは、図５Ａに示したディスプレイ配列をもたらす図２の３×３アレイに印加する一連の行および列信号を示しているタイミング図であり、ここで動作画素は非反射である。図５Ａに示したフレームを書き込む前に、画素は任意の状態であってもよく、この例では、すべての行が０ボルト、すべての列が＋５ボルトにある。これらの印加電圧では、すべての画素はそれらの既存の動作状態または弛緩状態で安定している。
【００２２】
図５Ａのフレーム中では、画素（１，１）と（１，２）、（２，２）、（３，２）、（３，３）が動作される。これを実施するため、行１の「線時間」のあいだ、列１と列２は−５ボルトにセットし、列３は＋５ボルトにセットする。これは任意の画素の状態を変更しない。なぜなら、すべての画素は３〜７ボルトの安定窓にあるままであるからである。次に行１を、０から５ボルトまで上がってゼロに戻るパルスでストローブする。これは（１，１）と（１，２）画素を動作させ、（１，３）画素を弛緩させる。アレイ内のほかの画素は影響されない。行２を望むようにセットするため、列２を−５ボルトにセットし、列１と列３を＋５ボルトにセットする。次に行２に印加した同じストローブは、画素（２，２）を動作させ、画素（２，１）と（２，３）を弛緩させる。再び、アレイ内のほかの画素は影響されない。列２と列３を−５ボルトに、列１を＋５ボルトにセットすることにより行３を同様にセットする。行３のストローブは図５Ａに示すように行３の画素をセットする。フレームを書き込んだ後、行電位はゼロになり、列電位は＋５または−５ボルトの一方のままとなることが可能であり、ディスプレイは次に図５Ａの配列で安定する。多数すなわち何百もの行と列に対して同じ手順を使用することが可能であることがわかるであろう。行と列の動作を実施するのに使用される電圧のタイミングとシーケンスとレベルは、上に概説した一般的な原理の範囲内で広く変えることが可能であり、上述の例は代表的なだけであり、任意の動作電圧方法もここに説明したシステムと方法で使用することが可能である。
【００２３】
図６Ａと６Ｂは、ディスプレイデバイス４０の実施形態を示すシステムブロック図である。ディスプレイデバイス４０はたとえば携帯（移動）電話とすることができる。しかしながら、ディスプレイデバイス４０またはそれの少しの変形の同じコンポーネントは、テレビやポータブルメディアプレイヤーなどのさまざまなタイプのディスプレイデバイスの例ともなる。
【００２４】
ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１とディスプレイ３０とアンテナ４３とスピーカー４５と入力デバイス４８とマイクロホン４６とを含んでいる。ハウジング４１は一般に、射出成形と真空成形を含む、当業者に周知ないろいろな製造プロセスのいずれかから形成される。さらに、ハウジング４１は、これらに限定されないが、プラスチックや金属、ガラス、ゴム、陶器、またはそれらの組み合わせを含む、いろいろな物質のいずれかから作られ得る。一実施形態では、ハウジング４１は、異なる色のまたは異なるロゴや絵や記号を有しているほかの着脱部と交換されてよい（図示しない）着脱部を含んでいる。
【００２５】
代表的なディスプレイデバイス４０のディスプレイ３０は、ここに説明するように、双安定ディスプレイを含むいろいろなディスプレイのいずれかであってもよい。ほかの実施形態では、ディスプレイ３０は、当業者に周知なように、プラズマやＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ ＬＣＤ、上述したＴＦＴ ＬＣＤなどのフラットパネルディスプレイ、またはＣＲＴやほかのチューブデバイスなどの非フラットパネルディスプレイを含んでいる。しかしながら、本実施形態を説明する目的のため、ディスプレイ３０は、ここに説明するように、光干渉変調器ディスプレイを含んでいる。
【００２６】
代表的なディスプレイデバイス４０の一実施形態のコンポーネントを図６Ｂに概略的に示す。図示の代表的なディスプレイデバイス４０はハウジング４１を含んでおり、その中に少なくとも部分的に囲まれた追加コンポーネントを含むことができる。たとえば、一実施形態では、代表的なディスプレイデバイス４０は、トランシーバー４７に接続されるアンテナ４３を含むネットワークインターフェース２７を含んでいる。トランシーバー４７はプロセッサー２１に連結されており、それはコンディショニングハードウェア５２に連結されている。コンディショニングハードウェア５２は信号を整える（たとえば信号をフィルター処理する）ように構成され得る。コンディショニングハードウェア５２はスピーカー４５とマイクロホン４６に連結されている。プロセッサー２１も入力デバイス４８とドライバーコントローラー２９に連結されている。ドライバーコントローラー２９はフレームバッファ２８とアレイドライバー２２に接続され、これはさらにディスプレイアレイ３０に接続されている。電源５０は、特定の代表的なディスプレイデバイス４０設計によって必要とされるすべてのコンポーネントにパワーを供給する。
【００２７】
ネットワークインターフェース２７は、代表的なディスプレイデバイス４０がネットワーク上の一つ以上のデバイスと通信できるように、アンテナ４３とトランシーバー４７を含んでいる。一実施形態では、ネットワークインターフェース２７はまたいくつかの処理容量を有し、プロセッサー２１の要件を取り除いてもよい。アンテナ４３は、信号の送受信用の当業者に周知の任意のアンテナである。一実施形態では、アンテナは、ＩＥＥＥ ８０２．１１（ａ）や（ｂ）や（ｇ）を含むＩＥＥＥ ８０２．１１規格によってＲＦ信号を送受信する。別の実施形態では、アンテナはＢＬＵＥＴＯＯＴＨ（登録商標）規格によりＲＦ信号を送受信する。携帯電話の場合、アンテナは、無線セル電話ネットワーク内で通信するために使用されるＣＤＭＡやＧＳＭ（登録商標）、ＡＭＰＳ、ほかの既知信号を受信するように設計されている。トランシーバー４７はアンテナ４３から受信した信号を、それらがプロセッサー２１によって受信されさらに操作され得るように前処理する。トランシーバー４７はまたプロセッサー２１から受信した信号を、それらがアンテナ４３を介して代表的なディスプレイデバイス４０から送信され得るように処理する。
【００２８】
代替実施形態では、トランシーバー４７はレシーバーと交換することが可能である。また別の代替実施形態では、ネットワークインターフェース２７は像源と取り替えることが可能であり、像源はプロセッサー２１に送る画像データを記憶または生成することができる。たとえば、像源は、画像データを収容したデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）やハードディスクドライブ、または画像データを生成するソフトウェアモジュールとすることができる。
【００２９】
プロセッサー２１は一般に、代表的なディスプレイデバイス４０の動作全体を制御する。プロセッサー２１は、ネットワークインターフェース２７や像源からの圧縮画像データなどのデータを受信し、そのデータを行画像データに、または行画像データへ容易に処理されるフォーマットに処理する。次にプロセッサー２１は処理したデータを記憶のためにドライバーコントローラー２９またはフレームバッファ２８へ送る。生データは、一般に画像内の各位置における画像特性を識別する情報を指す。たとえば、そのような画像特性は、色と彩度とグレースケールレベルを含み得る。
【００３０】
一実施形態では、プロセッサー２１は、マイクロコントローラーまたはＣＰＵ、論理演算装置を含み、代表的なディスプレイデバイス４０の動作を制御する。コンディショニングハードウェア５２は、スピーカー４５に信号を送信するために、またマイクロホン４６から信号を受信するために、一般に増幅器とフィルターを含んでいる。コンディショニングハードウェア５２は代表的なディスプレイデバイス４０内のディスクリートコンポーネントであってもよく、またはプロセッサー２１やほかのコンポーネント内に組み込まれていてもよい。
【００３１】
ドライバーコントローラー２９は、プロセッサー２１によって生成された行画像データをプロセッサー２１から直接またはフレームバッファ２８からとり、アレイドライバー２２への高速伝送のために行画像データを適切に再フォーマットする。具体的には、ドライバーコントローラー２９は行画像データを、ラスター状フォーマットを有するデータ流れに再フォーマットし、それは、ディスプレイアレイ３０を横切って走査するのに適した時間順序を有している。次にドライバーコントローラー２９はフォーマットした情報をアレイドライバー２２に送る。ＬＣＤコントローラーなどのドライバーコントローラー２９はしばしばスタンドアロンの集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサー２１に付随されるが、そのようなコントローラーは多くの手法によって実現されてよい。それらはハードウェアとしてプロセッサー２１に埋め込まれても、ソフトとしてプロセッサー２１に埋め込まれても、アレイドライバー２２にハードウェアに完全に集積されてもよい。
【００３２】
一般に、アレイドライバー２２はドライバーコントローラー２９からフォーマットされた情報を受信し、ビデオデータを、ディスプレイのｘ−ｙマトリックスの画素から来る何百もの時には何千ものリードに毎秒何度も印加される波形の並列セットに再フォーマットする。
【００３３】
一実施形態では、ドライバーコントローラー２９とアレイドライバー２２とディスプレイアレイ３０は、ここに説明したディスプレイのどのタイプにも適切である。たとえば、一実施形態では、ドライバーコントローラー２９は、従来のディスプレイコントローラーや双安定ディスプレイコントローラー（たとえば光干渉変調器コントローラー）である。別の実施形態では、アレイドライバー２２は、従来のドライバーや双安定ディスプレイドライバー（たとえば光干渉変調器ディスプレイ）である。一実施形態では、ドライバーコントローラー２９はアレイドライバー２２に集積されている。そのような実施形態は、携帯電話、時計、ほかの小面積ディスプレイなどの高集積システムに共通している。また別の実施形態では、ディスプレイアレイ３０は、一般的なディスプレイアレイや双安定ディスプレイアレイ（たとえば光干渉変調器のアレイを含むディスプレイ）である。
【００３４】
入力デバイス４８は、ユーザーが代表的なディスプレイデバイス４０の動作を制御するのを可能にする。一実施形態では、入力デバイス４８は、ＱＷＥＲＴＹキーボードや電話キーパッドなどのキーパッドや、ボタン、スイッチ、タッチセンシティブスクリーン、感圧または感熱膜を含んでいる。一実施形態では、マイクロホン４６は代表的なディスプレイデバイス４０用の入力デバイスである。マイクロホン４６を使用してデバイスにデータを入力するとき、代表的なディスプレイデバイス４０の動作を制御するためにユーザーがボイスコマンドを与えてもよい。
【００３５】
この分野で周知なように、電源５０はいろいろなエネルギー蓄積デバイスを含み得る。たとえば、一実施形態では、電源５０は、ニッケル−カドミウム電池やリチウムイオン電池などの充電式電池である。別の実施形態では、電源５０は、再生可能エネルギー源とコンデンサー、プラスチック太陽電池と太陽電池ペイントを含む太陽電池である。別の実施形態では、電源５０は壁付コンセントからパワーを受け取るように構成されている。
【００３６】
いくつかの実施においては、上述したように、電子ディスプレイシステムのいくつかの位置に配置することが可能であるドライバーコントローラーに、制御プログラム化が存在する。いくつかのケースでは、制御プログラム化はアレイドライバー２２に存在する。たくさんのハードウェアおよび／またはソフトウェアコンポーネントおよびさまざまな構成に対して上述した最適化が実現されてよいことは当業者であればわかるであろう。
【００３７】
上述した原理にしたがって動作する光干渉変調器の構造の詳細は広く変更されてよい。たとえば、図７Ａ〜７Ｅは、可動反射層１４をその支持構造の５つの異なる実施形態を示している。図７Ａは図１の実施形態の断面図であり、金属物質１４のストリップが直交して延びている支持体１８上に堆積されている。図７Ｂでは、可動反射層１４がつなぎ３２によってコーナーだけで支持体に取り付けられている。図７Ｃでは、可動反射層１４が変形可能層３４からつるされており、変形可能層３４は可撓性金属で構成され得る。変形可能層３４は、直接または間接的に、変形可能層３４の周囲の周りの基板２０に連結している。これらの接続はここでは支持ポストと呼ぶ。図７Ｄに示した実施形態は、その上に変形可能層３４が横たわる支持ポストプラグ４２を有している。図７Ａ〜７Ｃのように、可動反射層１４はキャビティの上につるされるが、変形可能層３４は、変形可能層３４と光学スタック１６の間の穴を満たすことにより、支持ポストを形成しない。むしろ、支持ポスト１８は平坦化物質で作られ、それは支持ポストプラグ４２を形成するために使用される。図７Ｅに示す実施形態は、図７Ｄに示した実施形態に基づくが、図示しない追加の実施形態と同様に、図７Ａ〜７Ｃに示した実施形態のいずれに適用してもよい。図７Ｅに示した実施形態では、金属またはほかの伝導物質の追加層がバス構造４４を形成するために使用された。これは信号を光干渉変調器の背面に沿って転送するのを可能にし、さもなければ基板２０上に形成されなければならないであろう多くの電極を取り除く。
【００３８】
図７に示した実施形態では、光干渉変調器は直視型デバイスとして機能し、画像は透明基板２０の正面側つまり変調器が配置される側の反対側から見られる。これらの実施形態では、変形可能層３４を含め、反射層１４は、基板２０に対向する反射層の側にある光干渉変調器の部分を光学的に遮へいする。これは、遮へい領域が像品質に悪影響を与えずに構成され動作されることを可能にする。そのような遮へいは、図７Ｅのバス構造４４を可能にし、それは、アドレシングおよびそのアドレシングに起因する動作など、変調器の電気機械の特性から変調器の光学的性質を分離する能力を提供する。この分離可能な変調器アーキテクチャーは、変調器の電気機械的観点と光学的観点のために使用される構造設計と物質が互い独立に選択され機能することを可能にする。さらに、図７Ｃ〜７Ｅに示した実施形態は、機械的特性からの反射層１４の光学的特性の非干渉を得るという追加の利点を有し、それは変形可能層３４によって実現される。これは、反射層１４に使用する構造設計と物質を光学的特性に対して最適化し、また変形可能層３４に使用する構造設計と物質を所望の機械的特性に対して最適化すること可能にする。
【００３９】
いま、本発明の観点のいくつかを包含するＭＥＭＳデバイスの実施形態について図８Ａと８Ｂを参照しながら説明する。ＭＥＭＳデバイス１００は、第一の電極１０１と、第一の電極１０１から電気的に絶縁された第二の電極１０２と、第一の電極１０１と第二の電極１０２とから電気的に絶縁された第三の電極１０３とを備えている。ＭＥＭＳデバイス１００はさらに、第一の電極１０１を第二の電極１０２から分離する支持構造１０５を備えている。ＭＥＭＳデバイス１００はさらに、（図８Ｂによって概略的に示される）第一の位置と（図８Ａによって概略的に示される）第二の位置との間に配置され移動可能な反射素子１０７を備えている。第一の位置では、反射素子１０７がデバイス１００の一部１１３に接触している。第二の位置では、反射素子１０７がデバイス１００の一部１１３に接触していない。反射素子１０７が第一の位置にあるとき、反射素子１０７とデバイス１００の一部１１３との間に接着力が生成される。第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３とに印加された電圧が接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する。
【００４０】
図８Ａは、弛緩すなわち非動作状態にあるＭＥＭＳデバイス１００の実施形態の側断面を示している。図８Ｂは、動作すなわち「駆動」状態にあるＭＥＭＳデバイス１００の側断面を示している。ＭＥＭＳデバイス１００は透明または半透明の基板層１２０上に形成されてよい。それは一実施形態ではガラスであってよい。光学的層１２４は基板層１２０上に堆積されてよい。光学的層１２４は部分的に透明または半透明かつ光に対して部分的に反射的であってよく、たとえば、おのおのがクロムとインジウムスズ酸化物の一つ以上の層を堆積することによって製造されてよい。いくつかの実施形態では、光学的層１２４の少なくとも一部は電気的に伝導性であり、ＭＥＭＳデバイス１００の第一の電極１０１を備えている。光学的層１２４は実質的に平行ストリップにパターニングされてよく、ここに説明するようにディスプレイデバイスの行電極を形成してよい。いくつかの実施形態では、不伝導層１２８は光学的層１２４の上に形成されてよく、酸化物などのさまざまな透明または半透明の物質で構成されてよい。
【００４１】
ある実施形態では、不伝導層１２８の上に支持構造１０５が配置されている。支持構造１０５は、機械的層１３２と、一つ以上の支持ポスト１３６ａ，１３６ｂとを備えていてよい。図８Ａと８Ｂに概略的に示されるように、ある実施形態では、機械的層１３２は反射素子１０７を備えており、支持構造１０５は、反射素子１０７が実質的に面平行かつ間隔を置いた配置で不伝導層１２８に面するように構成されている。反射素子１０７と不伝導層１２８とがそれらの間のキャビティ１４４を規定する。
【００４２】
いくつかの実施形態では、機械的層１３２の少なくとも一部は電気的に伝導性であり、ＭＥＭＳデバイス１００の第二の電極１０２を備えている。機械的層１３２は実質的に平行ストリップにパターニングされてよく、ここに説明するようにディスプレイデバイスの列電極を形成してよい。機械的層１３２は、金属などの変形可能かつ高伝導性かつ反射性物質から製造されてもよい。それはいくつかの実施形態ではアルミニウムであってよい。いくつかの実施形態では、支持ポスト１３６ａ，１３６ｂの一部は電気的に不伝導性であり、機械的層１３２をデバイス１００のほかの部分（たとえば光学的層１２４）から絶縁する。支持ポスト１３６ａ，１３６ｂの不伝導部は、たとえば酸化アルミニウムなどの不伝導物質で構成されてよい。不伝導層１２８はまた、機械的層１３２を光学的層１２４から電気的に絶縁する役目もする。
【００４３】
図８Ａに示されるように、ある実施形態では、支持ポスト１３６ａの少なくとも一つが第三の電極１０３を備えている。第三の電極１０３は、たとえばアルミニウム、ニッケル、インジウムスズ酸化物またはモリブデンなどの電気伝導物質から製造されてよい。支持ポスト１３６ａの電気不伝導部は、第一の電極１０１と第二の電極１０２とから第三の電極１０３を絶縁してよい。支持ポスト１３６ａの電気不伝導部は不伝導物質で構成されてよい。
【００４４】
ある実施形態では、図８Ａと８Ｂに示されるように、機械的層１３２は機械的に変形可能な物質で構成されている。図１を参照しながらここに説明するように、機械的層１３２は、第一の電極１０１（たとえば光学的層１２４）と第二の電極１０２（たとえば機械的層１３２）との間の電圧差を印加することによって弛緩状態から駆動状態に移動されてよい。電圧差がしきい値を超えると、図８Ｂに示されるように、静電気力が機械的層１３２を不伝導層１２８に接触するまで変形させ移動させる。不伝導層１２８は、駆動状態において光学的層１２４と機械的層１３２との間が短絡することを防止し、駆動状態中の接触から光学的層１２４と機械的層１３２への損害を防止してよい。さらに、不伝導層１２８の厚さを使用して、弛緩および駆動状態間で機械的層１３２が移動する距離を制御してよい。
【００４５】
いくつかの実施形態では、機械的層１３２の一部が反射素子１０７を備えるように構成されてよい。たとえば、機械的層１３２の下側表面１４８の一部が高反射に作られてよい。反射素子１０７は、少なくとも弛緩状態（図８Ａ）の第二の位置と駆動状態（図８Ｂ）の第一の位置との間を移動するように構成されている。ある実施形態の駆動状態では、反射素子１０７が、図８Ｂに示されるようにデバイス１００の一部１１３に接触している。
【００４６】
図１を参照ながらここにさらに説明するように、デバイス１００は「光干渉変調器」として動作してよい。非駆動状態では、基板層１２０の表面１５２への入射光は透過されてキャビティ１４４に入る。キャビティ１４４の高さに依存し、機械的層１３２の位置によって決まる、キャビティ１４４内の干渉は、ある波長の光が反射され、ほかの波長の光が吸収されるようにする。反射光が電磁スペクトルの可視部にあれば、基板の表面１５２は反射波長に対応する色を表示する。対照的に、駆動状態では、キャビティ１４４の高さは非駆動状態よりもはるかに小さく（たとえば反射素子１０７は不伝導層１２８に接触しており）、デバイス１００は実質的に入射光のすべてを、または少なくとも実質的に入射可視光のすべてを吸収する。駆動状態では、基板の表面１５２は黒を表示する。キャビティ１４４のサイズと高さを好適に構成することによって、デバイス１００を使用して画像表示デバイス中の画素を形成し得る。
【００４７】
駆動状態では、反射素子１０７がデバイス１００の一部１１３に接触しており、それによって、反射素子１０７と一部１１３との間に接着力を生成する。たとえば、図８Ｂに示された実施形態では、接着力は、機械的層１３２の変形部に不伝導層１２８に接着させようとする。
【００４８】
接着力は、たとえば、毛細管、静電気またはファンデルワールス力またはほかの分子間力などの力によって引き起こされてよい。接着力は、たとえば、使用物質と、デバイス１００中の構造体の形状と配置と構成と、接触面の粗さと、周囲湿度および圧力とを含む一連の要因に依存する。接着力は、たとえば、大きな加速を伴うインパルス運動またはより緩やかな準静的運動を通してデバイス１００内の構造体を動作する手法に依存してもよい。「スティクション」は、ここに説明する接着効果のいくつかを含み得る一般的に使用される用語である。
【００４９】
デバイス１００を動作させまた動作を止めるプロセスについて図３を参照しながらここに説明する。機械的層１３２と光学的層１２４との間に電圧差が印加されてよい。図３に示されるように、電圧差が第一のしきい値を超えて増加したとき、静電気力が機械的層１３２を弛緩状態（図８Ａ）から駆動状態（図８Ｂ）へ変形させる。電圧差が減少されたとき、電圧差が第二のしきい値を下回るまで、デバイス１００は駆動状態のままでいる。第二のしきい値において、機械的層１３２と光学的層１２４との間で引き合う静電気力が、機械的層１３２を弛緩状態に戻そうとする機械的復元力より小さくなる。したがって、電圧が第二のしきい値を下回ったとき、反射素子１０７は、それが接触していた一部１１３から「解放」する。図３の見本実施形態では、第一のしきい値電圧は約８ボルトであり、第二のしきい値電圧は約２ボルトである。図４は、この動作および解放サイクルを通してＭＥＭＳデバイス１００を駆動するのに使用される「動作プロトコル」の一実施形態を示している。
【００５０】
接着力は、この動作および解放サイクルの性質を変え得る。ＭＥＭＳデバイス１００のいくつかの実施形態では、反射素子１０７と、反射素子１０７に接触しているデバイス１００の一部１１３との間の接着力は、電圧差が第二のしきい値を下回ったときに反射素子１０７の解放を接着が抑制またはいくつかの場合に防止するほど十分に大きくてよい。したがって、部分的に低減するか接着力を相殺するアーキテクチャーを提供することに好都合である。
【００５１】
ＭＥＭＳデバイス１００のある実施形態では、第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３とに印加された電圧が、反射素子１０７がデバイス１００の一部１１３に接触している（たとえば図８Ｂに示される第一の位置にある）あいだの接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する。図８Ａと８Ｂに示された実施形態では、支持ポスト１３６ａが第三の電極１０３を備えている。第三の電極１０３は、第一の電極１０１（図８Ａと８Ｂの光学的層１２４）と第二の電極１０２（図８Ａと８Ｂの機械的層１３２）とから電気的に絶縁されている。そのようなある実施形態では、第三の電極１０３に印加された電圧が第二の電極１０２に静電気力１５６（たとえば機械的層１３２を第三の電極１０３の方へ引き寄せる力）を生成する。デバイス１００が（図８Ｂに示された）第一の位置にあるとき、反射素子１０７と一部１１３との間の接着力を静電気力１５６が少なくとも部分的に相殺し得る。
【００５２】
図８Ｂに示されるように、静電気力１５６は平行力成分１６０と垂直力成分１６４とに分解することができる。ここに使用するように、用語「平行力成分」または「平行成分」は、第一の位置にあるあいだの反射素子１０７に接触しているデバイス１００の一部１１３を含む平面にほぼ平行である静電気力１５６の成分を指す。用語「平行方向」または「平行」は平行力成分１６０の方向を指す。ここに使用するように、用語「垂直力成分」または「垂直成分」は、第一の位置にあるあいだの反射素子１０７に接触しているデバイス１００の一部１１３を含む平面にほぼ垂直である静電気力１５６の成分を指す。用語「垂直方向」または「垂直」は垂直力成分１６４の方向を指す。垂直方向は平行方向に九十度の角度にある。
【００５３】
任意の特定の理論を明言することなく、静電気力１５６は少なくともいくつかの理由によって接着力を少なくとも部分的に低減または相殺し得る。たとえば、デバイス１００のいくつかの実施形態では、平行力成分１６０は矢印１６８によって示された方向に機械的層１３２を付勢する。この付勢は、反射素子１０７とデバイス１００の一部１１３との間の接着力の少なくともある程度原因である分子間結合または力を低減するか無力化し得る。これらのまたはほかの実施形態では、垂直力成分１６４は、同様に矢印１７２によって示された方向に機械的層１３２の領域を付勢し、それはまた接着力の少なくともある程度原因である分子間結合または力を低減するか無力化し得る。いくつかの実施形態では、平行力成分１６０は機械的層１３２の少なくとも一部を矢印１６８の方向に滑らせ、それは接着力を低減し、また矢印１７２の方向への機械的層１３２の移動を可能にし得る。さらに、ある実施形態では、垂直力成分１６４は、反射素子１０７の一つ以上の領域が矢印１７２の方向に変位されるようにする。変位されたすなわち「引き離された」領域は、デバイス１００の一部１１３との接触を失い、それは接着力を少なくとも部分的に低減する。ほかの実施形態では、垂直力成分１７２は、機械的層１３２の弾性変形を引き起こし、それは、反射素子１０７が一部１１３に接触している領域を低減し得る。一般に、接着力は接触領域の低減に比例して低減される。またほかの実施形態では、接着力は、上述した物理的効果の任意の一つ以上の組み合わせによって低減または相殺される。ほかの実施形態では、現在知られているまたは発見されるべき追加の理由によって静電気力１５６が接着力を低減または相殺し得、請求する本発明の要旨はここに述べた理由によって限定されるものではないことがわかる。
【００５４】
いくつかの実施形態では、第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３とに印加された電圧の一つ以上が時変電圧を含んでいてよい。時変電圧は、静電気力１５６の大きさおよび／または方向をも時変させてよい。静電気力１５６の時間的な変化は、デバイス１００（図８Ｂ）の一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にし得る。ある実施形態では、時変電圧は、短い一過性持続時間の一つ以上の電圧パルス、たとえば一つ以上のインパルスを含んでいる。ある実施形態のインパルスは反射素子１０７にほぼ平行な成分を有するが、ほかの実施形態では、インパルスは反射素子１０７にほぼ垂直な成分を有する。そのようなある実施形態では、一つ以上のインパルスは、接着力が低減され、反射素子１０７が一部１１３から解放される反射素子１０７の十分に大きな加速を生成してよい。ほかの実施形態では、一つ以上のインパルスは反射素子１０７の一部が弾性変形を受けるようにしてよく、それは、上述したように、一部１１３との接触領域を低減し、それにより接着力を低減し得る。
【００５５】
図８Ａと８Ｂに示されたＭＥＭＳデバイス１００のほかの実施形態では、第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３とに印加された電圧の一つ以上が、周波数を有する時変電圧を含んでいる。たとえば、一実施形態では、時変電圧は、その周波数で振動する正弦波成分を含んでいてよい。ほかの実施形態では、時変電圧は、その周波数に中心を置く周波数帯域を備えた電圧を含んでいてもよい。ある実施形態では、時変電圧は反射素子１０７の一部が弾性振動を受けるようにし、それは、反射素子が第一の位置（図８Ｂ）にあるあいだの接着力を少なくとも部分的に低減し得る。そのようなある実施形態では、弾性振動は、デバイス１００の一部１１３に接触している反射素子１０７の領域を低減し、それにより接着力を低減する。これらのある実施形態のほかでは、反射素子１０７の弾性振動が、一部１１３の加速を振動的に引き起こし、それは、接着力の原因である分子間力をある程度低減し得る。
【００５６】
周知なように、強制周波数で振動する力が機械的システムに印加されたとき、機械的システムは、力の大きさに正比例した振幅を有する弾性振動を受ける。強制周波数が機械的システムの機械的共振周波数と等しいと、弾性振動の振幅は最大になる。ＭＥＭＳデバイス１００のいくつかの実施形態では、電極１０１と１０２と１０３の少なくとも一つに印加された時変電圧の周波数は、反射素子１０７の機械的共振周波数と実質的に等しくなるように選択される。そのような実施形態では、時変電圧は、接着力を低減し図８Ｂに示された第一の位置からの反射素子１０７の解放を容易にするように実質的振幅を有する弾性発振または振動を反射素子１０７に生じさせる。そのようなほかの実施形態では、接着力を低減するのに有効である十分な振幅で反射素子１０７が弾性振動を受けるように、時変電圧の周波数が選択される。これらの実施形態のいくつかでは、接着力を低減するに有効である周波数は反射素子１０７の機械的共振周波数と異なってよい。
【００５７】
さまざまな範囲の大きさと周波数の電圧を、第一の電極１０１、第二の電極１０２および／または第三の電極１０３に印加して、接着力を少なくとも部分的に低減または相殺することができる。この分野の当業者は、ＭＥＭＳデバイス１００の任意の構成に対して電圧の好適な大きさと周波数を計算することができることを認めるであろう。たとえば、ある実施形態では、第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３との少なくとも一つに印加される電圧は、約１０ボルトから約５０ボルトまでの範囲中の大きさと、約１００Ｈｚから約１０ＭＨｚまでの範囲中の周波数とを有する。しかしながら、これらの例示的範囲は、好適な大きさと周波数の可能な範囲についての制限であることは意図しておらず、ほかの実施形態では異なる大きさと周波数が使用される。
【００５８】
ここに述べた原理にしたがって動作するＭＥＭＳデバイスの第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３とに印加される電圧の詳細は広く変更してよい。電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧は、ここに説明した例とは異なっていてもよく、それは、例として役立つように意図されたものであり、請求された本発明の要旨を制限するように意図されたものではない。たとえば、印加電圧の大きさや継続時間、周波数、印加の順序、ほかの特性は広く異なっていてよい。ほかの多くの電圧の組み合わせがＭＥＭＳデバイス２００の異なる実施形態に可能である。
【００５９】
図９Ａと９Ｂは、弛緩状態（図９Ａ）と駆動状態（図９Ｂ）にあるＭＥＭＳデバイス２００の別の実施形態の側断面を示している。ＭＥＭＳデバイス２００は基板層２２０上に製造され、光学的層２２４と不伝導層２２８と機械的層２３２とを備えている。基板層２２０と光学的層２２４と不伝導層２２８は、図８Ａと８Ｂを参照しながら説明したＭＥＭＳデバイス１００のそれぞれの層１２０と１２４と１２８とほぼ同じ特性と特徴を有している。機械的層２３２は一つ以上の支持ポスト２３６ａ，２３６ｂを備えており、特に述べる点を除いては、機械的層１３２とほぼ同じ特性を有している。
【００６０】
図９Ａと９Ｂに示された実施形態では、反射素子１０７は、機械的層２３２と不伝導層２２８との間に配置されたミラー２７５を備えている。ある実施形態では、ミラー２７５は、機械的層２３２にほぼ平行に間隔を置いて配置されている。反射素子１０７は、ミラー２７５を機械的層２３２に機械的に接続するとともにミラー２７５への電気的接続を提供する支持体接続２７７を備えている。図９Ａと９Ｂに示された実施形態では、ミラー２７５と支持体接続２７７は、たとえばアルミニウムやニッケル、インジウムスズ酸化物、モリブデンなどの電気伝導物質で構成されている。機械的層２３２の一部２７９は電気不伝導物質で構成されており、それは、ミラー２７５と機械的層２３２との間に電気的絶縁を提供するように構成されている。この実施形態では、ミラー２７５は機械的層２３２に機械的に接続されているが、電気的に絶縁されている。
【００６１】
図９Ａと９Ｂに示されたＭＥＭＳデバイスの実施形態では、ミラー２７５は反射素子１０７の反射面を備えており、それは、電気的に伝導性かつ高反射性であり、たとえばアルミニウムなどの高伝導性反射性金属から製造されてよい。この実施形態では、機械的層２３２の下側表面は反射性であるように構成されていない。図９Ａと９Ｂの実施形態では、光学的層２２４は第一の電極１０１を備えている。支持構造１０５は機械的層２３２と支持ポスト２３６ａと２３６ｂとを備えており、機械的層２３２は第二の電極１０２を備えている。ミラー２７５は第三の電極１０３を備えている。
【００６２】
図８Ａと８Ｂを参照しながら説明したように、機械的層２３２と光学的層２２４との間に印加される電圧差は、機械的層２３２を弛緩状態（図９Ａ）から駆動状態（図９Ｂ）に変形させることができる。反射素子１０７は、弛緩状態（図９Ａ）にある第二の位置から駆動状態（図９Ｂ）にある第一の位置に移動する。駆動状態では、反射素子１０７がデバイス２００の一部１１３に接触しており、それらの間に接着力が生成されている。
【００６３】
ＭＥＭＳデバイス２００のいくつかの実施形態では、第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３とに印加された電圧が、反射素子が第一の位置（図９Ｂ）にあるあいだの接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する。さらに図８Ａと８Ｂを参照しながら説明したように、印加電圧は、接着力を少なくとも部分的に低減する弾性変形または弾性振動を反射素子１０７に生じさせ得る。ＭＥＭＳデバイス２００のある実施形態では、電圧の一つ以上が時変である。これらの実施形態のうちのいくつかでは、時変電圧は、一つ以上の周波数を有する電圧を含んでいてよい。時変電圧の周波数は、反射素子１０７の機械的共振周波数となるかまたは反射素子１０７に生じる弾性振動の振幅を増大させるように選択されてよい。ほかの実施形態では、一つ以上の短い持続時間電圧インパルスが、電極１０１と１０２と１０３の少なくとも一つに印加されてよい。たとえば、一実施形態では、デバイス２００の一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にする発振、振動または加速を生じさせるように、第一の位置にあるあいだ、ミラー２７５に一つ以上の電圧インパルスが印加される。またほかの実施形態では、電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧は前述の電圧の組み合わせを含むように選択されてよい。たとえば、一実施形態では、一つ以上の電圧インパルスが三つの電極のいずれかまたはすべてに印加されているあいだ、発振電圧が電極の一つに印加される。電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧は、ここに述べた例から異なっていてよく、ＭＥＭＳデバイス２００のほかの実施形態では多くのほかの変更および組み合わせが可能である。
【００６４】
図１０Ａと１０Ｂは、弛緩状態（図１０Ａ）と駆動状態（図１０Ｂ）にあるＭＥＭＳデバイス３００の別の実施形態の側断面を示している。ＭＥＭＳデバイス３００は基板層３２０上に製造され、光学的層３２４と不伝導層３２８と機械的層３３２とを備えている。基板層３２０と光学的層３２４と不伝導層３２８は、図８Ａと８Ｂを参照しながら説明したＭＥＭＳデバイス１００のそれぞれの層１２０と１２４と１２８とほぼ同じ特性と特徴を有している。機械的層３３２は一つ以上の支持ポスト３３６ａと３３６ｂを備えており、特に述べる点を除いては、機械的層１３２とほぼ同じ特性を有している。
【００６５】
図１０Ａと１０Ｂに示された実施形態では、反射素子１０７は、機械的層３３２と不伝導層３２８との間に配置されたミラー３７５を備えている。ある実施形態では、ミラー３７５は、機械的層３３２にほぼ平行に間隔を置いて配置されている。反射素子１０７は、ミラー３７５を機械的層３３２に機械的に接続している支持体接続３７７を備えている。図１０Ａと１０Ｂに示された実施形態では、ミラー３７５と支持体接続３７７は、たとえばアルミニウムやニッケル、インジウムスズ酸化物、モリブデンなどの電気伝導物質で構成されている。ＭＥＭＳデバイス２００（図９Ａと９Ｂ）とは対照的に、伝導支持ポスト３７７はミラー３７５を機械的層３３２に電気的に接続している。したがって、この実施形態では、ミラー３７５は機械的層３３２に機械的のみならずまた電気的に接続されている。
【００６６】
ＭＥＭＳデバイスのこの実施形態では、ミラー３７５は電気的に伝導性かつ高反射性であり、それは、たとえばアルミニウムなどの高伝導性反射性金属から製造されてよい。この実施形態では、機械的層３３２の下側表面は反射性であるように構成されていない。図１０Ａと１０Ｂの実施形態では、光学的層３２４は第一の電極１０１を備えている。支持構造１０５は機械的層３３２と支持ポスト３３６ａと３３６ｂとを備えている。機械的層３３２とミラー３７５は第二の電極１０２を備えている。図１０Ａと１０Ｂに示されるように、支持ポスト３３６ａ，３３６ｂのおのおのは電気伝導部を有している。デバイス３００の第三の電極１０３は、これらの電気伝導部を備えている。この実施形態では、また図８Ａと８Ｂに示されたデバイス１００とは対照的に、支持ポスト３３６ａ，３３６ｂの伝導部はミラー３７５に対して実質的に対称的に配置されており、反射素子１０７に対して実質的に対称的に配置された第三の電極１０３を提供する。
【００６７】
図８Ａ〜９Ｂを参照しながら上述したように、機械的層３３２と光学的層２２４との間に印加される電圧差は、機械的層２３２を弛緩状態（図１０Ａ）から駆動状態（図１０Ｂ）に変形させることができる。反射素子１０７は、弛緩状態（図１０Ａ）にある第二の位置から駆動状態（図１０Ｂ）にある第一の位置に移動する。駆動状態では、反射素子１０７がデバイス２００の一部１１３に接触しており、それらの間に接着力が生成されている。
【００６８】
電極１０１と１０２と１０３に電圧を印加することにより、ＭＥＭＳデバイス３００は反射素子１０７とデバイス３００の一部１１３との間の接着力を少なくとも部分的に低減または相殺することができる。接着力の低減を達成するようにＭＥＭＳデバイス１００と２００に関して説明したのと実質的に同じ手法で電圧がデバイス３００に印加されてよい。
【００６９】
図１０Ｂは、支持ポスト３３６ａ，３３６ｂの伝導部が互いに同じ電位に維持されているＭＥＭＳデバイス３００の実施形態を示している。この実施形態では、一対の静電気力３５６ａと３５６ｂが、それぞれ、ミラー３７５と支持ポスト３３６ａと３３６ｂの電気伝導部との間に生成される。静電気力３５６ａの大きさは、電気伝導部３３６ａ，３３６ｂの実質的に対称的な配置のために、またそれらが同じ電位に維持されるために、静電気力３５６ｂの大きさと実質的に等しい。静電気力３５６ａ，３５６ｂのおのおのは、それぞれ平行力成分３６０ａ，３６０ｂと、それぞれ垂直力成分３６４ａ，３６４ｂとに分解することができる。静電気力３５６ａ，３５６ｂ（すなわちそれらの成分３６０ａ，３６０ｂおよび３６４ａ，３６４ｂ）はベクトル的に一緒に加えられてミラー３７５に作用する正味の力を生成することができる。デバイス３００の支持ポスト３３６ａ，３３６ｂの電気伝導部が同じ電位に維持されるとともにミラー３７５に対して実質的に対称的に配置されているので、平行力成分３６０ａと３６０ｂは大きさが実質的に等しく、方向が反対である。したがって、ミラー３７５に作用する正味の平行力成分は実質的にゼロである。この実施形態では、垂直力成分３６４ａ，３６４ｂは大きさが実質的に等しく、しかしながら、それらは方向が同じである。したがって、反射素子１０７に作用する正味の静電気力は、デバイス３００の一部１１３を含む平面に実質的に垂直である。
【００７０】
ＭＥＭＳデバイス３００のいくつかの実施形態では、反射素子１０７にかかる正味の静電気力が少なくとも反射素子１０７とデバイス３００の一部１１３との間の接着力の部分的低減を生じさせるように電極１０１と１０２と１０３に電圧が印加される。図８Ａ〜９Ｂを参照しながらここに説明したように、印加電圧は、接着力を少なくとも低減する弾性変形または弾性発振を反射素子１０７に生じさせ得る。ＭＥＭＳデバイス３００のある実施形態では、電圧の一つ以上が時変であり、一つ以上の周波数を有する電圧を含んでいてよい。時変電圧の周波数は、デバイス３００の機械的共振周波数となるかまたはデバイス３００に生じる弾性振動の振幅を増大させるように選択されてよい。ほかの実施形態では、一つ以上の短い持続時間電圧インパルスが、電極１０１と１０２と１０３の少なくとも一つに印加されてよい。一実施形態では、たとえば、デバイス３００の一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にする発振または加速を生じさせるように、反射素子１０７が第一の位置（図１０Ｂ）にあるあいだ、一つ以上の電圧インパルスが第三の電極に印加される。別の実施形態では、矢印３８０によって示されたほぼ垂直方向に反射素子１０７の振動を生じさせるように電圧が印加される。またほかの実施形態では、前述の発振または加速の組み合わせを生じさせるように、電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧が選択されてもよい。たとえば、一実施形態では、一つ以上の電圧インパルスが三つの電極のいずれかまたはすべてに印加されているあいだ、電極の一つに発振電圧が印加される。電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧は、ここに説明した例とは異なっていてもよく、ＭＥＭＳデバイス３００の異なる実施形態では多くのほかの変更および組み合わせが可能である。
【００７１】
ＭＥＭＳデバイス３００のほかの実施形態では、支持ポスト３３６ａの電気伝導部が、支持ポスト３３６ｂの電気伝導部とは異なる電位に維持されてもよい。これらの実施形態では、静電気力３５６ａと３５６ｂは実質的に等しい大きさにならない。したがって、反射素子１０７にかかる正味の静電気力は正味の平行力成分を含む。支持ポスト３３６ａ，３３６ｂの伝導部のおのおのに印加される電位の値を適切に選択することによって、正味の平行力成分を、双頭の矢印３８４によって示された方向の少なくとも一つに生成することができる。したがって、反射素子１０７が矢印３８４の二方向に沿って発振または振動するようにされ得る。印加電圧は、反射素子１０７の弾性変形または弾性振動を生じさせるように選択された周波数を有する時変成分を有してもよい。いくつかの実施形態では、周波数は、反射素子１０７の機械的共振周波数に実質的に一致するかまたは増大した振幅発振を生じさせるように選択されてよい。ある実施形態では、支持ポスト３３６ａと３３６ｂの電気伝導部と反射素子１０７との間の電圧は、双頭の矢印３８４の二方向に反射素子１０７の周期的変位を生じさせるように循環される。周期的変位は、接着力を少なくとも部分的に低減し、デバイス３００の一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にし得る。
【００７２】
図１０Ａと１０Ｂは、二つの支持ポスト３３６ａと３３６ｂの電気伝導部を備えた第三の電極１０３を示しているが、ほかの実施形態では、第三の電極１０３が、追加的支援ポスト（および／またはほかの好適な構造素子）の電気伝導部を備えることができることが予想される。ある実施形態では、第三の電極１０３は、ミラー３７５のまわりに実質的に対称的に配置された四つの支持ポスト（たとえば、二つの支持ポスト３３６ａと３３６ｂと、図１０Ａと１０Ｂに示された断面の平面に垂直な平面に配置された二つの実質的に同様の支持ポスト）の電気伝導部を備えている。支持ポストのおのおのの電気伝導部に印加される電圧を使用して、（上述したような）矢印３８０と３８４の方向だけでなく互いに垂直な方向（たとえば図１０Ａと１０Ｂの平面の中へまたは外へ）にも、変位、発振および／または振動を生じさせることができる。この分野の当業者は、（時変およびインパルス電圧を含んでいる）ここに説明したような好適な電圧を印加することによって、反射素子１０７が駆動状態（たとえば図１０Ｂ）であるあいだ、弛緩状態（たとえば図１０Ａ）への移動を支援するように、接着力を少なくとも部分的に低減または相殺することができることを認めるであろう。第三の電極１０３の構成およびそれに印加される電圧は多くの変更が可能であり、また、ここに説明した実例実施形態は、請求する発明の要旨に対する限定として意図されていない。
【００７３】
ＭＥＭＳデバイス３００のまたほかの実施形態では、支持ポスト３３６ａ，３３６ｂの電気伝導部が反射素子に対して実質的に対称的に配置されていない。これらの実施形態では、伝導部が同じ電位に維持されたとしても、静電気力３５６ａ，３５６ｂは一般に大きさが実質的に等しくならない。いくつかの実施形態では、非対称な配置は、伝導部の一つ以上が支持ポスト３３６ａ，３３６ｂ内に実質的に中央に位置しないようにデバイス３００を製造することによって提供される。
【００７４】
ある好ましい実施形態では、ＭＥＭＳデバイス３００に印加される電圧は、矢印３８４と３８０によって示されるような平行および垂直方向の両方への反射素子１０７の変位、変形、発振または振動をそれぞれ生じさせるように選択されてよい。これらの実施形態のいくつかでは、平行および垂直方向の両方への共振または増大した振幅発振を生じさせるために、時変電圧が、一つを超える周波数を有する電圧を含んでいてよい。ほかの実施形態では、一方向に変位または加速を生じさせるために短い持続時間電圧インパルスが印加される一方、ほかの方向に共振または振動を生じさせるために発振電圧が印加される。またほかの実施形態では、印加電圧が循環されてこれらの効果の組み合わせを生成する。多くのほかの変更が可能である。
【００７５】
図１１Ａと１１Ｂは、弾性変形可能反射素子１０７を有している駆動状態にあるＭＥＭＳデバイス４００の一実施形態の一部の側断面図である。反射素子１０７は、デバイス４００の一部１１３に接触している第一の位置にある。図１１Ａでは、第三の電極１０３と反射素子１０７との間に電位差が印加されていない。反射素子１０７のミラー４７５は、デバイス４００の一部１１３に実質的に平行である実質的平坦形態に順応されている。図１１Ａに示されるように、反射素子１０７に接触しているデバイスの一部１１３は、接触領域４１３を規定している。
【００７６】
図１１Ｂは、第三の電極１０３と反射素子１０７との間に電位差が確立された後の図１１ＡのＭＥＭＳデバイス４００の構成を示している。第三の電極１０３と反射素子１０７との間の静電気力は、反射素子１０７の端部４９０を、一部１１３にほぼ垂直である方向に弾性的に変形させる。反射素子１０７の端部４９０は、もはやデバイスの一部１１３に接触していない。反射素子１０７と一部１１３との間の接触領域４１３が低減される；
したがって、反射素子１０７と一部１１３との間の接着力が低減される。接着力の低減は、一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にし、デバイス４００の動作を容易にする。デバイス４００のある実施形態では、反射素子１０７が、接触していたデバイスの一部１１３から解放された後、
第三の電極１０３と反射素子１０７との間の電位差がゼロに低減される。一部１１３からの解放の後、反射素子１０７の端部４９０が、光学的層４２４を包含する平面に実質的に平行である状態に徐々に戻って、キャビティ４４４がデバイス４００への入射光に対して好適な光干渉を提供する。
【００７７】
ＭＥＭＳデバイスのほかの実施形態では、図１１Ｂに示された変形に加えてまたはその代わりに、ここに説明したような第一の位置にあるあいだ、電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧が、反射素子１０７の弾性的発振、振動、共振またはほかのタイプの変位を引き起こしてよい。これらの運動は、平行方向、垂直方向または両方の組み合わせであってよい。電圧によって引き起こされた運動は、たとえば、反射素子１０７と一部１１３との間の接触領域を低減することによって、接着力またはほかの物理的効果のある程度原因である分子間力の大きさを低減することによって、反射素子１０７と一部１１３との間の接着力を少なくとも部分的に低減することができる。
【００７８】
ある実施形態では、第三の電極１０３は、（たとえば図１０Ａと１０Ｂに示されるように）反射素子１０７に対して実質的に対称的に配置されてよいが、ほかの実施形態では、第三の電極１０３は、（たとえば図８Ａと８Ｂに示されるように）反射素子１０７に対して非対称的に配置されてよい。対称的な位置は、一部１１３にほぼ平行な方向への反射素子１０７の変位を低減することに好都合であるＭＥＭＳデバイスの実施形態に選択されてよい。あるいは、非対称の位置は、平行移動か振動を提供することが好都合である実施形態に選ばれてもよい。第三の電極１０３の対称的または非対称の配置は、さまざまなＭＥＭＳアーキテクチャーに異なる方法で達成することができる。たとえば、第三の電極１０３が一つ以上の支持ポスト（たとえば図１０Ａ〜１０Ｂのポスト３３６ａ，３３６ｂ）の電気伝導部を備えている実施形態では、支持ポストの位置は、反射素子１０７に対して対称的または非対称であるように選択することができる。ほかの実施形態では、支持ポストは対称的に配置することができるが、一つ以上の伝導部を支持ポストの中心軸から離して配置することによって、ポスト内の電気伝導部の位置は非対称にすることができる。
【００７９】
図１１Ａ〜１１Ｂによって概略的に示された実施形態では、支持ポスト４３６ａの電気伝導部はポスト４３６ａの中心軸に実質的に沿って配置されている。伝導部は、ほかの実施形態では、中心軸から離して配置されてもよい。図１１Ａ〜１１Ｂに示されるように、伝導部はポスト４３６ａの全長を実質的に延長する。いくつかの実施形態では、支持ポスト４３６ａの天井端４９２は機械的層４３２を越えて延出している。図１１Ａと１１Ｂに示されたデバイス４００では、第三の電極１０３の伝導部の下端４９４は不伝導層４２８の方へ延出している。下端４９４の位置はほかの実施形態では異なっていてもよい。下端４９４の位置は、異なる量の反射素子１０７の変形を提供するように、反射素子１０７に及ぼされる静電気力の異なる大きさおよび／または方向を提供するように選択されてもよい。
【００８０】
第三の電極１０３は図８Ａ〜１１Ｂに示されたものとは異なった形態であってもよい。たとえば、異なるＭＥＭＳアーキテクチャーでは、第三の電極１０３は、たとえば、支持ポスト、機械的層、ミラーまたはデバイスのほかの部分の一部を有しているＭＥＭＳデバイスの一つ、二つ、三つ、四つまたはそれ以上の電気伝導部を備えていてよい。いくつかの実施形態では、一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にするために使用される静電気力は、電極１０１と１０２と１０３によってもほかの電極によっても提供されてよい。一実施形態では、たとえば、第三の電極１０３は複数の電極を備えており、各電極は反射素子１０７の各サイドの近くに配置されている。これらの電極に電圧を好適に印加することによって、反射素子１０７を多方向に、一部１１３に垂直な第一の方向（図１０Ｂに矢印３８０によって示される）にも、一部１１３に実質的に平行な第二および第三の方向（たとえば図１０Ｂに矢印３８４によって示された第二の方向および図１０Ｂの平面の中へまたは外へ向かっている第三の相互に垂直な方向）にも、発振または振動するようにすることができる。
【００８１】
図１２Ａ〜１２Ｄは、ここに説明したさまざまな実施形態にしたがった反射素子１０７のさまざまな構成の側断面図である。ある実施形態では、反射素子１０７が一つを超える層を備えている。図１２Ａに示された反射素子１０７は、第一の層５１０の上に配置された第二の層５１４を備えている。層は、異なる物質で構成されてよく、また異なる機械的および電気的特性を有していてよい。いくつかの実施形態では、第一の層５１０が光干渉キャビティの高反射部であるように構成されており、第二の層５１４が反射素子１０７に構造剛性を提供するように構成されている。これらの実施形態では、第一の層５１０は、アルミニウムなどの高反射率金属で構成されており、第二の層５１４は、第一の層５１０の少なくとも一部の上に堆積されてよいアルミニウム合金またはニッケルなどの不伝導物質および／または剛性物質で構成されている。ある実施形態では、層の一つ以上の少なくとも一部が電気的に伝導性であってよい。そのような実施形態では、電極１０１と１０２と１０３の一つ以上が、層の電気伝導部の少なくとも一部を備えていてよい。いくつかの実施形態では、第一の層５１０は、第二の層５１４とは異なる厚さを有するように構成されてよい。たとえば、図１２Ａに概略的に示されるように、第一の層５１０は第二の層５１４より薄い。第一の層５１０の少なくとも一部が、弾性的可撓性であるように構成されてよい。たとえば、図１２Ａの反射素子１０７の第一の層５１０の端部５９０が、第二の層５１４に比べて高められた弾性的可撓性を有するように構成されてよい。第一の層５１０の可撓性は、たとえば図１１Ａと１１Ｂに示されたＭＥＭＳデバイス４００などの実施形態に好都合であり、それでは、静電気力が反射層１０７の端部５９０の弾性変形を引き起こす。図１２Ａに示された実施形態では、第一の層５１０の端部５９０の厚さは、第二の層５１４の厚さとほぼ等しい。ほかの実施形態では、異なる層厚が使用されてよい。ある実施形態では、第一の層５１０が第二の層５１４よりも薄い。ほかの実施形態では、少なくとも第一の層５１０の端部５９０が第二の層５１４よりも薄い。たとえば、あるそのようなある実施形態では、端部５９０の厚さが、反射素子１０７の中央部の厚さの約１／３から約１／２までの範囲にある。
【００８２】
いくつかの実施形態では、反射素子１０７の厚さが不均一である。図１２Ｂは、端部５９０が中央部５９１よりも薄く構成された反射素子１０７の側断面図である。上述したように、より薄い端部５９０は、反射素子１０７の弾性変形を容易にし得る。いくつかの実施形態では、中心部５９１から端部５９０への反射素子１０７の先細りが、電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧によって励振することが可能である好適な機械的共振周波数を提供するように選択されてよい。ある実施形態では、端部５９０の厚さは、反射素子１０７の中央部の厚さ約１／３から約１／２までの範囲にある。しかしながら、ほかの厚さおよびほかの先細りを使用することも可能である。
【００８３】
図１２Ｃは、一つ以上の延出部５９２が反射素子１０７に配置された反射素子１０７の側断面図である。図１２Ｃに示されるように、延出部５９２は、反射素子１０７の端部５９０にまたはその近くに配置されているが、ほかの実施形態では、延出部５９２はほかの位置に配置されてもよい。いくつかの実施形態では、延出部５９２は電気的に伝導性であり、延出部５９２とＭＥＭＳデバイスのほかの部分（たとえば第一および第二の電極１０１，１０２）との間に電圧差が印加されたときにＭＥＭＳデバイスのほかの部分に増大した静電引力を提供し得る。いくつかの実施形態では、反射素子１０７の上側表面の上方の延出部５９２の高さは、反射素子１０７の中央部の厚さの約１／３から約１／２までの範囲にあるが、ほかの高さが使用されてもよい。
【００８４】
図１２Ｄは、二つの層５１０と５１４と延出部５９２とを備えている反射素子１０７の側断面図である。この実施形態では、延出部５９２は第一の層５１０の上に配置されているが、それらはほかの実施形態では第二の層５１４に配置されてもよい。層５１０と５１４の厚さと延出部５９２の高さは、接着力を少なくとも部分的に低減することを支援する好適な電気的および／または構造的特性を提供するように選択することができる。
【００８５】
図１２Ａ〜１２Ｄに示された構成と配置は、限定であるようには意図されていない。反射素子１０７のほかの実施形態は、図１２Ａ〜１２Ｄに示された特徴の一つ以上を組み合わせてもよいし、異なるように構成されてもよい。多くの変更が可能である。
【００８６】
ここに述べた原理にしたがって動作する光干渉変調器の構造の詳細は広く変更してもよい。たとえば、図１３Ａ〜１３Ｃは、弛緩状態にあるＭＥＭＳデバイスの三つの異なる実施形態を示している。図１３Ａは、基板層６２０上に製造された、光学的層６２４と不伝導層６２８と機械的層６３２とを備えているＭＥＭＳデバイス６００ａを示している。基板層６２０、光学的層６２４と不伝導層６２８は、図８Ａと８Ｂを参照しながら説明したＭＥＭＳデバイス１００のそれぞれの層１２０と１２４と１２８とほぼ同じ特性および特徴を有している。機械的層６３２は一つ以上の支持ポスト６３６ａと６３６ｂを備えており、特に述べる点を除いては、機械的層１３２（図８Ａと８Ｂ）とほぼ同じ特性を有している。
【００８７】
図１３Ａに示された実施形態では、反射素子１０７は、機械的層６３２と不伝導層６２８にほぼ平行に間隔を置いて配置されたミラー６７５を備えている。反射素子１０７は、ミラー６７５を機械的層６３２に機械的に接続している支持体接続６７７を備えている。図１３Ａに示された実施形態では、ミラー６７５と支持体接続６７７は、たとえばアルミニウム、ニッケル、インジウムスズ酸化物またはモリブデンなどの電気伝導物質で構成されている。機械的層６３２の一部６７９は電気不伝導物質で構成されており、ミラー６７５と機械的層６３２の間の電気的絶縁を提供するように構成されている。この実施形態では、ミラー６７５は、機械的層６３２に機械的に接続されているが、電気的に絶縁されている。
【００８８】
ＭＥＭＳデバイスのこの実施形態では、反射素子１０７のミラー６７５は電気的に伝導性かつ高反射性であり、たとえばアルミニウムなどの高伝導性反射性金属から製造されてよい。この実施形態では、機械的層６３２の下側表面６４８は反射性であるように構成されていない。光学的層６２４は第一の電極１０１を備えている。支持構造１０５は機械的層６３２と支持ポスト６３６ａと６３６ｂとを備えている。機械的層６３２は第二の電極１０２を備えている。図１３Ａに示されるように、デバイス６００の第三の電極１０３は支持ポスト６３６ａ，６３６ｂの電気伝導部を備えている。
【００８９】
図１３Ａ〜１３Ｄに示されたＭＥＭＳデバイスのある実施形態では、ミラー６７５は電気的に伝導性であり、三つの電極１０１と１０２と１０３に依存しない電圧または電流源に連結されている。これらの実施形態では、異なる電圧が光学的層６２４と機械的層６３２とミラー６７５とに印加されて、ミラー面（たとえば反射素子１０７）の動作がこれらの印加電圧と調整可能な関係を有する調整可能な光干渉キャビティ６４４を提供する。調整可能なＭＥＭＳアーキテクチャーに関するさらなる詳細は、２００５年６月３日に提出された「ＡＮＡＬＯＧ ＩＮＴＥＲＦＥＲＯＭＥＴＲＩＣ ＭＯＤＵＬＡＴＯＲ ＤＥＶＩＣＥ」と題する米国特許出願１１／１４４，５４６号に提供されており、それは参照によってその全体がここに組み込まれる。
【００９０】
電極１０１と１０２と１０３に電圧を印加することによって、ＭＥＭＳデバイス６００ａは、第一の位置にあるときの反射素子１０７とデバイスの一部１１３との間の接着力を少なくとも部分的に低減または相殺することができる。電圧は、デバイス６００ａに中へ実質的に印加されてもよい、接着力の部分的低減を少なくとも達成して一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にするようにＭＥＭＳデバイス１００と２００と３００と４００に関してここに説明したのと実質的に同じ手法によって印加されてよい。
【００９１】
図１３Ｂは、後述する点を除いては図１３Ａに示されたデバイス６００ａとほぼ同様のＭＥＭＳデバイス６００ｂの別の実施形態の側断面図である。この実施形態では、反射素子１０７が、第二の電極１０２の方へ延出している一つ以上の延出部６９２を備えている。延出部６９２はミラー６７５の上側表面に配置されてよい。いくつかの実施形態では、ミラー６７５の形は、図１２Ｃと１２Ｄに示した形状とほぼ同様である。延出部６９２は第二の電極１０２（たとえば機械的層６３２）の方へ突出している。延出部６９２が第二の電極１０２に接近しているので、第二の電極１０２によって延出部６９２に及ぼされる静電気力がミラー６７５のほかの部分よりも大きく、第一の位置にあるときの反射素子１０７の解放を容易にし得る。
【００９２】
図１３Ｃは、後述する点を除いては図１３Ａと１３Ｂに示されたデバイス６００ａと６００ｂとほぼ同様のＭＥＭＳデバイス６００ｃの別の実施形態の側断面図である。この実施形態では、第二の電極１０２が、反射素子１０７の方へ延出している一つ以上の延出部６９３を有するように構成されてよい。ある実施形態では、延出部６９３は機械的層６３２の表面６４８に配置されている。第二の電極１０２の延出部６９３が反射素子１０７に接近しているので、第二の電極１０２によって反射素子１０７に及ぼされる静電気力がより大きく、第一の位置にあるときの反射素子１０７の解放を容易にし得る。いくつかの実施形態では、第二の電極１０２と反射素子１０７の両方がそれぞれ延出部６９３と６９２を備えるように構成されている。
【００９３】
図１３Ｂと１３Ｃに示されたデバイス６００ｂと６００ｃのいくつかの実施形態では、延出部６９２および／または６９３が、たとえば機械的層６３２の表面６４８などのデバイス６００ｂ，６００ｃのほかの部分との接触からそれらを電気的に絶縁するように不伝導物質で被覆されている。
【００９４】
図１３Ｄは、後述する点を除いては図１３Ａ〜１３Ｃに示されたデバイス６００ａと６００ｂと６００ｃとほぼ同様のＭＥＭＳデバイス６００ｄの別の実施形態の側断面図である。デバイス６００ｄでは、第三の電極１０３は、機械的層６３２の表面６４８に配置された延出部を備えている。第三の電極１０３は、たとえば、第三の電極１０３と第二の電極１０２との間に不伝導物質の薄い層を設けることによって、第二の電極１０２（たとえば機械的層６３２）から電気的に絶縁されている。これらの実施形態では、第三の電極１０３は、反射素子１０７により接近して突出しており、それは、第三の電極１０３によって反射素子１０７に及ぼされる静電気力を増大させ、反射素子１０７が第一の位置にあるときの一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にし得る。
【００９５】
図１４は、駆動すなわち動作状態に示されたＭＥＭＳデバイス７００の別の実施形態の側断面を示している。ＭＥＭＳデバイス７００は基板層７２０上に製造されており、光学的層７２４と不伝導層７２８と機械的層７３２とを備えている。基板層７２０と光学的層７２４と不伝導層７２８は、図８Ａと８Ｂを参照しながら説明したＭＥＭＳデバイス１００のそれぞれの層１２０と１２４と１２８とほぼ同じ特性と特徴を有している。機械的層７３２は一つ以上の支持ポスト７３６ａと７３６ｂを備えており、特に述べる点を除いては、機械的層１３２とほぼ同じ特性を有している。
【００９６】
図１４に示された実施形態では、たとえば、機械的層７３２の下側表面７４８の一部を高反射にすることによって、反射素子１０７が機械的層７３２の反射部で構成されている。この実施形態では、第一の電極１０１は光学的層７２４を備えている。支持構造１０５は機械的層７３２と支持ポスト７３６ａと７３６ｂとを備えている。いくつかの実施形態では、機械的層７３２の少なくとも一部が電気的に伝導性であり、ＭＥＭＳデバイス７００の第二の電極を備えている。ある実施形態では、支持ポスト７３６ａと７３６ｂの一部は電気的に不伝導性であり、機械的層７３２の一部をデバイス７００のほかの部分（たとえば光学的層７２４）から絶縁している。
【００９７】
図１４に示されたＭＥＭＳデバイス７００は、支持ポスト７３６ａと７３６ｂの上方に配置され、かつ電気不伝導性領域７５８ａと７５８ｂによってデバイス７００のほかの部分から電気的に絶縁された電極７５６ａと７５６ｂを備えている。いくつかの実施形態では、電気不伝導性領域７５８ａ，７５８ｂは、たとえば不伝導性膜などの不伝導物質で構成されている。図１４に示された実施形態では、第三の電極１０３は電極７５６ａと７５６ｂを備えている。ほかの実施形態の電極７５６ａと７５６ｂは、図１４に示されたものとは異なる形状とサイズを有することができる。たとえば、電極７５６ａと７５６ｂは、いくつかの実施形態に比較的短くてよい。必要でないが、電極７５６ａと７５６ｂのおのおのの少なくとも一部が反射素子１０７の少なくとも一部の上方に配置されていると好ましい。
【００９８】
図１４は、反射素子１０７がデバイス７００の一部１１３に接触している反射素子１０７が第一の位置（動作すなわち駆動状態）にあるときのＭＥＭＳデバイス７００を概略的に示している。さらに上述したように、反射素子１０７は、一部１１３に接触していない第二の位置（非動作すなわち弛緩状態）へ移動することができる。たとえば、機械的層７３２は、第一および第二の位置間に移動することができる金属（たとえばアルミニウム）などの機械的に変形可能な物質から製造されてよい。デバイス７００が駆動状態にあるとき、機械的層７３２は変形され、曲げ領域７６０ａと７６０ｂを備え、それらはそれぞれ一部１１３と支持ポスト７３６ａと７３６ｂとの間に配置される。ある実施形態では、（駆動状態にある）反射素子１０７もまた変形され、曲げる領域７６０ａと７６０ｂをも備えている。
【００９９】
デバイス７００のいくつかの実施形態では、反射素子１０７が第一の位置にあるとき、電極７５６ａと７５６ｂの少なくとも一部が反射素子１０７より高く配置される。ある実施形態では、電極７５６ａと７５６ｂのおのおのの少なくとも一部が支持ポスト７３６ａと７３６ｂから突出して離れており、それらの部分は、反射素子１０７が第一の位置（図１４）にあるとき、反射素子１０７の少なくとも一部の上方（たとえば、それよりも高く）に配置される。ある好ましい実施形態では、電極７５６ａと７５６ｂは、電極７５６ａと７５６ｂの少なくとも一部が曲げ領域７６０ａと７６０ｂの少なくとも一部のまさに上方にそれぞれ配置されるように構成されている。
【０１００】
ＭＥＭＳデバイス７００のいくつかの実施形態では、反射素子１０７にかかる正味の静電気力が第一の位置の反射素子１０７にかかる接着力を少なくとも部分的に低減または相殺するように、電極１０１と１０２と１０３に電圧が印加される。さらに上述したように、電圧は、さまざまな範囲の大きさと周波数を有していてよく、また、変位、発振および／または振動を生じさせて、第一の位置から第二の位置へ反射素子１０７を移動させるのを支援するように印加されてよい。ある実施形態では、電圧差は、第三の電極１０３（たとえば電極７５６ａ，７５６ｂ）と第二の電極１０２（たとえば機械的層７３２の電気伝導部）との間に印加される。電圧差は、さまざまな範囲の大きさと周波数を有することが可能であり、一つ以上の比較的短い持続時間インパルスで構成することができる。さまざまな実施形態では、第三の電極１０３は、ディスプレイアレイ３０のをアレイドライバー２２（図２を参照）に導くトレースまたは線によって一つ以上の電源に電気的に接続されている。デバイス７００の一実施形態では、アレイドライバー２２は、行および列ドライバー回路２４および２６とほぼ同様のドライバー回路を使用して、好適な電気的信号を第三の電極１０３に通信してよい。
【０１０１】
第二および第三の電極１０２および１０３の間に印加された電圧差は、矢印７６４ａと７６４ｂによって示された正味の静電気力を反射素子１０７に作用させる。ある好ましい実施形態では、正味の静電気力７６４ａと７６４ｂが曲げ領域７６０ａと７６０ｂにおいて反射素子１０７を一部１１３から引き離そうとする合理的に大きい垂直成分を有するように、電極７５６ａと７５６ｂの一部が曲げ領域７６０ａと７６０ｂの少なくとも一部のまさに上方に突出している。そのような実施形態では、静電気力７６４ａと７６４ｂが接着力を少なくとも部分的に低減または相殺し得、そして、反射素子１０７を第一の位置から第二の位置に移動させるのを支援し得る。任意の特定の理論を明言することなく、曲げ領域７６０ａにかかる正味の静電気力７６４ａは、反射素子１０７と一部１１３との間の接触境界面の端の割れ目を開かせ得る。割れ目は接触境界面を横切って伝搬し得、反射素子１０７が一部１１３からはがれて、第一の位置から第二の位置に移動するのを支援する。曲げ領域７６０ｂにかかる正味の静電気力７６４ｂは同様の仕方で作用し得、ある実施形態では割れ目は接触境界面の両端において開いて広がり、境界面を横切って伝搬し得る。反射素子１０７にかかる接着力を低減または相殺するために少なくとも二つの電極７５６ａと７５６ｂが使用されることが好ましいけれども、ほかの実施形態では、異なる構成や配置や個数（たとえば一つ）の電極が、たとえば、割れ目を開き始め、反射素子１０７の解放を容易にするために使用することが可能である。
【０１０２】
ＭＥＭＳデバイス７００の実施形態はある利点を提供することができる。たとえば、駆動から非駆動状態への解放を容易にするために必要な曲げ領域７６０ａ，７６０ｂにおける静電気力７６４ａ，７６４ｂの大きさは一般的に、力が反射素子１０７の中央領域にかけられる場合よりもはるかに小さい。したがって、（たとえば第二および第三の電極１０２および１０３間の）より小さな電圧差をデバイス７００に印加することができる。さらに、いくつかの実施形態では、電極７５６ａと７５６ｂは、機械的層７３２の静電気不安定と不伝導層７２８上への崩壊を低減する。それらは、いくつかの閉鎖ギャップデバイスの問題でありえる。さらに、ある実施形態では、駆動状態から非駆動状態への反射素子１０７の動作を容易にするために、デバイス７００の一般的な解放時間よりも短い持続時間を有する電圧インパルスを使用することができる。
【０１０３】
ここに示したＭＥＭＳデバイスは、たとえば先に組み込んだ米国特許出願１１／１４４，５４６号において説明されているような選択的な堆積とエッチングなどの好適なマイクロマシーニングプロセスを使用して製造され得る。たとえば、図８Ａに示されたデバイス１００などのＭＥＭＳデバイスのある実施形態は、透明または半透明の基板１２０上に部分的反射性かつ電気伝導層を堆積して光学的層１２４を設けることによって製造され得る。光学的層１２４の上に不伝導層１２８が堆積される。次に、不伝導層１２８の上に（図８Ａに図示しない）犠牲層が堆積される。不伝導層１２８を露出させる複数の穴を形成するために犠牲層が選択的にエッチングされる。穴は、支持ポスト１３６ａと１３６ｂを形成するために、たとえば酸化アルミニウムなどの不伝導物質で充てんされる。ほかの好適な不伝導物質は、ポリマーおよびほかの有機または無機化合物を含んでいる。
【０１０４】
たとえばアルミニウムなどの伝導性かつ反射性物質が、機械的層１３２を形成するために、支持ポスト１３６ａ，１３６ｂと犠牲層との上に堆積される。第三の電極１０３の電気伝導部を形成するため、ある実施形態では支持ポスト１３６ａの上に開口を形成するために機械的層１３２が選択的にエッチングされる。穴を形成するために支持ポスト１３６ａの一部が選択的にエッチングされる。穴はいくつかの実施形態では不伝導層１２８まで延びていてもよい。穴は、第三の電極１０３の電気伝導部を形成するために、たとえばアルミニウム、ニッケル、インジウムスズ酸化物またはモリブデンなどの伝導物質で充てんされる。
【０１０５】
その後、犠牲層にエッチング液が与えられ、犠牲層と反応して除去する。その結果、犠牲物質で充てんされた空間は光干渉キャビティ１４４になり、図８ＡのＭＥＭＳデバイス１００が形成される。ＭＥＭＳデバイス製造の分野では知られているように、追加または別の処理ステップと物質が、ここに示した実施形態にしたがったＭＥＭＳデバイスを製造するために使用されてもよい。
【０１０６】
ある好ましい実施形態と例を上に説明したけれども、発明主題は、具体的に示した実施形態を超えてほかの代替実施形態および／または発明の使用および明白な変更およびそれらの等価物にまで及ぶことが理解される。ここに示した本発明の要旨は具体的に示した実施形態によって限定されるべきものではないことが意図されている。したがって、たとえば、ここに示したあらゆる方法またはプロセスにおいて、方法／プロセスを構築する作用または動作は、任意の好適なシーケンスで行なわれてよく、特定の示したシーケンスに必ずしも限定されない。実施形態のさまざまな観点と利点が、ここに適切に説明された。そのような観点または利点のすべてが、任意の特定の実施形態にしたがって必ずしも達成され得るものではないことを理解すべきである。したがって、たとえば、ここに教示された一つの利点または一群の利点を達成または最適化するが、ここに教示または示唆されたほかの観点または利点を必ずしも達成しない手法で、さまざまな実施形態が実行されてもよいことを認識すべきである。
【０１０７】
適当な分野の当業者は、本発明の好適な結果を達成しながら、ここに説明した本発明を修正し得ると理解されるべきである。したがって、先の説明は、適当な分野の当業者に向けた広い教示開示であって、本発明を限定するようなものでないと理解されるべきである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微小電気機械システムデバイスに関し、特に、微小電気機械システムを利用したアナログ、デジタルおよび／または光学的デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）はマイクロメカニカル素子とアクチュエーターと電子機器とを含んでいる。マイクロメカニカル素子は、基板および／または堆積物質層の一部をエッチング除去するか層を追加して電気デバイスや電気機械デバイスを形成する堆積、エッチングおよびまたはほかのマイクロマシーニングプロセスを用いて作り出し得る。ＭＥＭＳデバイスの一つのタイプは光干渉変調器と呼ばれる。ここに使用する光干渉変調器や光干渉光変調器との用語は、光干渉の法則を使用して光を選択的に吸収および／または反射するデバイスを指す。ある実施形態では、光干渉変調器は一対の伝導プレートを備えていてもよく、その一方または両方は、全体または一部が透明および／または反射的であってもよく、適当な電気信号の印加に対して相対運動可能であってもよい。特定の実施形態では、一方のプレートが基板上に堆積された静止層を備えていてもよく、他方のプレートが空隙によって静止層から分離された金属膜を備えていてもよい。ここに詳細に説明するように、一方のプレートの他方に対する位置は、光干渉変調器への入射光の光干渉を変化させることができる。そのようなデバイスは広範囲の用途を有しており、既存製品を改善してまだ開発されていない新製品を作り出すのにそれらの特徴を利用できるようにこれらのタイプのデバイスの特性を利用および／または修正する技術分野にとって有益であろう。
【発明の概要】
【０００３】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスの一実施形態は、第一の電極と、第一の電極から電気的に絶縁された第二の電極と、第一の電極と第二の電極とから電気的に絶縁された第三の電極とを備えている。ＭＥＭＳデバイスはまた、第一の電極を第二の電極から分離する支持構造を備えている。ＭＥＭＳデバイスはさらに、第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能な反射素子を備えている。反射素子は、第一の位置にあるときにはデバイスの一部に接触しており、第二の位置にあるときにはデバイスの一部に接触していない。反射素子が第一の位置にあるとき、反射素子と一部との間に接着力が生成される。第一の電極と第二の電極と第三の電極とに印加された電圧が接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する。
【０００４】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスの別の実施形態は、電気を伝導するための第一の手段と、電気を伝導するための第二の手段と、電気を伝導するための第三の手段とを備えており、第二の伝導手段は第一の伝導手段から電気的に絶縁されており、第三の伝導手段は、第一の伝導手段と第二の伝導手段とから電気的に絶縁されている。ＭＥＭＳデバイスはさらに、第一の伝導手段を第二の伝導手段から分離するための手段を備えている。ＭＥＭＳデバイスはさらに、光を反射するための手段を備えており、反射手段は第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能である。反射手段は、第一の位置にあるときにはデバイスの一部に接触しており、第二の位置にあるときにはデバイスの一部に接触していない。反射手段が第一の位置にあるとき、反射手段と一部との間に接着力が生成される。第一の伝導手段と第二の伝導手段と第三の伝導手段とに印加された電圧が接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する。
【０００５】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを操作する方法の実施形態は、第一の電極と、第一の電極から電気的に絶縁された第二の電極と、第一の電極と第二の電極とから電気的に絶縁された第三の電極とを備えたＭＥＭＳデバイスを提供することを備えている。ＭＥＭＳデバイスはさらに、第一の電極を第二の電極から分離する支持構造を備えている。ＭＥＭＳデバイスはさらに、第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能な反射素子を備えている。反射素子は、第一の位置にあるときにはデバイスの一部に接触しており、第二の位置にあるときにはデバイスの一部に接触していない。反射素子が第一の位置にあるとき、反射素子と一部との間に接着力が生成される。方法はさらに、第一の電極と第二の電極と第三の電極とに電圧を印加して接着力を少なくとも部分的に低減または相殺することを備えている。
【０００６】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造する方法の実施形態は、基板上に第一の反射層を形成し、第一の反射層の上に犠牲層を形成し、犠牲層の一部を除去して開口を形成し、開口に不伝導物質を充てんしてポストを形成することを備えている。方法はさらに、犠牲層の上に第二の反射層を形成し、第二の反射層の一部とポストの一部とを除去して穴を形成し、穴に伝導物質を充てんして電極を形成し、犠牲層を除去することを備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第一の光干渉変調器の可動反射層が弛緩位置にあり、第二の光干渉変調器の可動反射層が動作位置にある光干渉変調器ディスプレイの一実施形態の一部を描く等角投影図である。
【図２】３×３光干渉変調器ディスプレイを包含している電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図３】図１の光干渉変調器の一つの代表的な実施形態における可動ミラー位置対印加電圧の図である。
【図４】光干渉変調器ディスプレイを駆動するのに使用し得る一組の行および列電圧を示している。
【図５Ａ】図２の３×３光干渉変調器ディスプレイ中の表示データの一つの代表的なフレームを示している。
【図５Ｂ】図５Ａのフレームを書くために使用され得る行および列信号のための一つの代表的なタイミング図を示している。
【図６Ａ】複数の光干渉変調器からなる視覚ディスプレイデバイスの実施形態を示すシステムブロック図である。
【図６Ｂ】複数の光干渉変調器からなる視覚ディスプレイデバイスの実施形態を示すシステムブロック図である。
【図７Ａ】図１のデバイスの断面図である。
【図７Ｂ】光干渉変調器の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｃ】光干渉変調器の別の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｄ】光干渉変調器のまた別の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｅ】光干渉変調器の追加の代替実施形態の断面図である。
【図８Ａ】弛緩すなわち非動作状態にあるＭＥＭＳデバイスの実施形態の側断面図である。
【図８Ｂ】動作すなわち駆動状態にある図８Ａに示されたＭＥＭＳデバイスの側断面図である。
【図９Ａ】弛緩すなわち非動作状態にあるＭＥＭＳデバイスの別の実施形態の側断面図である。
【図９Ｂ】動作すなわち駆動状態にある図９Ａに示されたＭＥＭＳデバイスの側断面図である。
【図１０Ａ】弛緩すなわち非動作状態にあるＭＥＭＳデバイスの追加の実施形態の側断面図である。
【図１０Ｂ】動作すなわち駆動状態にある図１０Ａに示されたＭＥＭＳデバイスの側断面図である。
【図１１Ａ】第三の電極に電圧が印加される前の動作すなわち駆動状態にあるＭＥＭＳデバイスの実施形態の一部の側断面図である。
【図１１Ｂ】第三の電極に電圧が印加された後の図１１Ａに示されたＭＥＭＳデバイスの一部の近接側断面図である。
【図１２Ａ】ＭＥＭＳデバイス中の反射素子の異なる実施形態の側断面図である。
【図１２Ｂ】ＭＥＭＳデバイス中の反射素子の異なる実施形態の側断面図である。
【図１２Ｃ】ＭＥＭＳデバイス中の反射素子の異なる実施形態の側断面図である。
【図１２Ｄ】ＭＥＭＳデバイス中の反射素子の異なる実施形態の側断面図である。
【図１３Ａ】弛緩状態にあるＭＥＭＳデバイスの追加の実施形態の側断面図である。
【図１３Ｂ】弛緩状態にあるＭＥＭＳデバイスの追加の実施形態の側断面図である。
【図１３Ｃ】弛緩状態にあるＭＥＭＳデバイスの追加の実施形態の側断面図である。
【図１３Ｄ】弛緩状態にあるＭＥＭＳデバイスの追加の実施形態の側断面図である。
【図１４】動作すなわち駆動状態にあるＭＥＭＳデバイスの実施形態の側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
続く詳細な説明は、本発明のある特定の実施形態に向けられている。しかしながら、本発明は多くの異なる手法で具体化することができる。この説明では、同様の部材は一貫して同様の符号で示して参照符号を図面に付す。続く説明から明らかように、実施形態は、動画（たとえばビデオ）か静止画（たとえばスチル画像）かを問わず、さらに文字か絵かを問わず、画像を表示するように構成されたあらゆるデバイスにおいて実施し得る。特に、実施形態は、これに限定されないが、移動電話や無線デバイス、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ハンドヘルドまたは携帯型コンピューター、ＧＰＳレシーバー／ナビゲーター、カメラ、ＭＰ３プレーヤー、カムコーダー、ゲーム機、腕時計、時計、計算機、テレビジョンモニター、フラットパネルディスプレイ、コンピューターモニター、自動ディスプレイ（たとえば走行記録計ディスプレイその他）、コックピットのコントロールやディスプレイ、カメラ視のディスプレイ（たとえば乗り物の背面カメラのディスプレイ）、電子写真、電子の広告板や標識、プロジェクター、建築物、パッケージング、美的構造物（たとえば一つの宝石の画像）など、いろいろな電子デバイスにおいて実施し得るか関連し得ることが予想される。ここに説明したものと同様の構造体のＭＥＭＳデバイスは電子スイッチデバイスなどの非ディスプレイ用途において使用することもできる。
【０００９】
ＭＥＭＳデバイスのいくつかの実施形態は、ミラーまたは変形可能な機械的層などの可動素子を備えていてもよい。可動素子は、可動素子がデバイスの一部に接触している第一の位置と、可動素子がデバイスの一部に接触していない第二の位置との間で移動する。第一の位置にあるあいだ、可動素子と接触部分との間に接着力（たとえばスティクション）が生成され得る。したがって、可動素子が第一の位置にある間に接着力が少なくとも部分的に低減または相殺され得るＭＥＭＳデバイスおよび操作方法を提供することに好都合かもしれない。ある実施形態では、ＭＥＭＳデバイスは、可動素子にかかる接着力を少なくとも部分的に低減または相殺するように構成された一つ以上の電極を備えている。一実施形態では、一つ以上の電極に電圧を印加して、接着力を部分的に相殺する静電気力を与えてよい。ほかの実施形態では、接着力が生成される接触領域を低減するように、時変電圧を使用して可動素子を弾性的に変形または振動させてもよい。ある実施形態では、接着力が低減されるように、時変電圧が可動素子を振動または共振させてもよい。
【００１０】
光干渉ＭＥＭＳディスプレイ素子を備えた一つの光干渉変調器ディスプレイ実施形態を図１に示す。これらのデバイスでは、画素は明暗状態のいずれかにある。明（「オン」または「開放」）状態では、ディスプレイ素子は、入射可視光の大部分をユーザーへ反射する。暗（「オフ」または「閉鎖」）状態では、ディスプレイ素子は、入射可視光をユーザーへほとんど反射しない。実施形態によっては、「オン」状態と「オフ」状態の光反射特性は逆であってもよい。ＭＥＭＳ画素は、白黒に加えてカラー表示を考慮し、特定の色で主に反射するように構成することが可能である。
【００１１】
図１は、視覚ディスプレイの一連の画素中の二つの隣接画素を描いた等角投影図であり、各画素はＭＥＭＳ光干渉変調器を備えている。いくつかの実施形態では、光干渉変調器ディスプレイは、これらの光干渉変調器の行／列アレイを備えている。各光干渉変調器は、互いに可変かつ制御可能な距離に位置する一対の反射層を含んでおり、少なくとも一つの可変次元をもつ共振光学キャビティを形成している。一実施形態では、一方の反射層が二つの位置の間で移動され得る。第一の位置（ここでは弛緩位置と呼ぶ）では、可動反射層は、固定部分反射層から比較的大きな距離に位置している。第二の位置（ここでは動作位置と呼ぶ）では、可動反射層は、固定部分反射層に隣接し密接して位置している。二つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置に応じて強め合ってまたは弱め合って干渉し、各画素について全体反射状態または非反射状態のいずれかを作り出す。
【００１２】
図１の画素アレイの図示部分は二つの隣接する光干渉変調器１２ａと１２ｂを含んでいる。左側の光干渉変調器１２ａでは、可動反射層１４ａは光学スタック１６ａからの所定距離の弛緩位置に図示されており、光学スタック１６ａは部分的反射層を含んでいる。右側の光干渉変調器１２ｂでは、可動反射層１４ｂは光学スタック１６ｂに隣接する動作位置に図示されている。
【００１３】
光学スタック１６ａと１６ｂ（光学スタック１６と総称する）は、ここに参照するように、一般にいくつかの融合層からなり、それらは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの電極層、クロムなどの部分的反射層、透明不伝導体を含み得る。したがって、光学スタック１６は、電気的に伝導性で、部分的に透明で、部分的に反射的であり、たとえば透明基板２０上に上記の層の一つ以上を堆積することにより作られ得る。部分的反射層は、さまざまな金属、半導体および不伝導体などの部分的に反射するさまざまな物質から作ることができる。部分的反射層は、一以上の物質の層で作ることができ、層のおのおのは単一の物質または複数の物質の組み合わせで作ることができる。
【００１４】
いくつかの実施形態では、光学スタックの層は平行ストリップにパターニングされ、後述するようにディスプレイデバイス中の行電極を形成し得る。可動反射層１４ａ，１４ｂは、ポスト１８の上面およびポスト１８間に堆積された介在犠牲物質の上に堆積された（行電極１６ａ，１６ｂに直交する）一つまたは複数の堆積金属層の一連の平行ストリップとして形成してもよい。犠牲物質をエッチング除去すると、可動反射層１４ａ，１４ｂが光学スタック１６ａ，１６ｂから規定間隙１９だけ分離される。アルミニウムなどの高伝導反射物質を反射層１４に使用してもよく、これらのストリップがディスプレイデバイスの列電極を形成してもよい。
【００１５】
印加電圧がないとき、図１の画素１２ａに示すように、可動反射層１４ａと光学スタック１６ａとの間にキャビティ１９が残り、可動反射層１４ａは機械的弛緩状態にある。しかしながら、選択した行と列に電位差を印加すると、対応する画素の行電極と列電極の交差により形成されたコンデンサーがチャージされ、静電力が電極同士を引き寄せる。電圧が十分に高ければ、可動反射層１４が変形し、光学スタック１６に押し付けられる。図１の右側の画素１２ｂに示されるように、光学スタック１６内の（この図には示していない）不伝導体層が短絡するのを防止するとともに層１４と層１６との間の分離距離を制御し得る。その振る舞いは印加電位差の極性にかかわらず同じである。このように、反射対非反射画素状態を制御することができる行／列動作は、従来のＬＣＤやほかのディスプレイ技術で使用される行／列動作に多くの点で類似している。
【００１６】
図２〜５Ｂは、表示用途の光干渉変調器のアレイを使用するための一つの代表的なプロセスとシステムを示している。
【００１７】
図２は、本発明の観点を組み込んでよい電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。この代表的な実施形態では、電子デバイスは、ＡＲＭやＰｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＶ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標） Ｐｒｏ、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）などの任意の汎用シングルまたはマルチチップマイクロプロセッサー、またはデジタルシグナルプロセッサーやマイクロコントローラー、プログラマブルゲートアレイなどの任意の専用マイクロプロセッサーであってもよいプロセッサー２１を含んでいる。この分野で一般に行なわれているように、プロセッサー２１は一つ以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成され得る。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサーは、ウェブブラウザや電話アプリケーション、電子メールプログラム、ほかのソフトウェアアプリケーションを含め、一つ以上のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成されてもよい。
【００１８】
一実施形態では、プロセッサー２１もアレイドライバー２２と通信するように構成されている。一実施形態では、アレイドライバー２２は、ディスプレイアレイすなわちパネル３０に信号を供給する行ドライバー回路２４と列ドライバー回路２６を含んでいる。図１に示したアレイの断面は図２の１−１線によって示されている。ＭＥＭＳ光干渉変調器については、行／列動作プロトコルは、図３に示したデバイスのヒステリシス特性を利用してよい。可動層を弛緩状態から動作状態まで変形させるにはたとえば１０ボルトの電位差を必要としてよい。しかしながら、電圧がその値から低下するとき、電圧が１０ボルト未満に降下する際、可動層はその状態を維持する。図３の代表的な実施形態では、電圧が２ボルト未満の降下するまで可動層は完全に弛緩しない。したがって、デバイスが弛緩または動作状態で安定している印加電圧の窓が存在する電圧の範囲（図３に示した例では約３〜７Ｖ）がある。ここでは、これを「ヒステリシス窓」または「安定窓」と呼ぶ。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイは、行ストロービングのあいだ、ストローブされた行中の動作されるべき画素が約１０ボルトの電圧差にさらされ、弛緩されるべき画素が０ボルト近くの電圧差にさらされるように、行／列動作プロトコルを設計することが可能である。ストローブの後、画素は、行ストローブによっておかれた状態のままであるように、約５ボルトの定常状態電圧差にさらされる。書き込み後、各画素は、この例の３−７ボルトの「安定窓」内の電位差にある。この特徴は、図１に示した画素設計を同じ印加電圧状態の下で動作または弛緩の事前状態のいずれかに安定にする。光干渉変調器の各画素は、動作状態であれ弛緩状態であれ、実質的に固定反射層と可動反射層によって形成されるコンデンサーであるので、この安定状態は、ほとんど消費電力を伴わないヒステリシス窓内の電圧で保持することができる。印加電位が固定されていれば、実質的に電流は画素に流れ込まない。
【００１９】
一般的アプリケーションでは、表示フレームは、第一行中の動作画素の所望のセットにしたがって列電極のセットをアサートすることにより作り出してよい。次に行パルスを行１電極に印加し、アサートされた列線に対応する画素を動作させる。次に列電極のアサートされたセットを変更し、第二行中の動作画素の所望のセットに対応させる。次にパルスを行２電極に印加し、行２中の適当な画素をアサートされた列電極にしたがって動作させる。行１画素は行２パルスに影響されず、行１パルスのあいだに設定された状態のままである。これを一連の行の完全にわたり順次に繰り返してフレームを生成してよい。一般に、フレームは、毎秒所望のフレーム数でこのプロセスを絶えず繰り返すことにより、新しい表示データでリフレッシュおよび／またはアップデートされる。表示フレームを生成するために画素アレイの行電極と列電極を駆動するための種々いろいろなプロトコルもまた周知であり、これは本発明と共に使用してよい。
【００２０】
図４と５Ａと５Ｂは、図２の３×３アレイに表示フレームを作り出すための一つの可能な動作プロトコルを示している。図４は、図３のヒステリシス曲線を示す画素に使用してよい列と行の電圧レベルの可能なセットを示している。図４の実施形態において、画素を動作させることは、適当な列を−Ｖｂｉａｓに、適当な行を＋ΔＶにセットすることを含んでおり、それらは、それぞれ、−５ボルトと＋５ボルトに一致していてもよい、
画素を弛緩させることは、適当な列を＋Ｖｂｉａｓに、適当な行を同じ＋ΔＶにセットして、画素の両端にゼロボルト電位差を生成することより実施する。行電圧がゼロボルトに保持される行では、画素は、列が＋Ｖｂｉａｓか−Ｖｂｉａｓかにかかわらず、それらがもとあった状態で安定している。また図４に示すように、上述したほかに逆極性の電圧を使用することができること、たとえば、画素を動作させることが適当な列を＋Ｖｂｉａｓに、適当な行を−ΔＶにセットすることを含み得ることもわかるであろう。本実施形態では、画素を解放することは、適当な列を−Ｖｂｉａｓに、適当な行を−ΔＶにセットして、画素の両端にゼロボルト電位差を生産することにより実施する。
【００２１】
図５Ｂは、図５Ａに示したディスプレイ配列をもたらす図２の３×３アレイに印加する一連の行および列信号を示しているタイミング図であり、ここで動作画素は非反射である。図５Ａに示したフレームを書き込む前に、画素は任意の状態であってもよく、この例では、すべての行が０ボルト、すべての列が＋５ボルトにある。これらの印加電圧では、すべての画素はそれらの既存の動作状態または弛緩状態で安定している。
【００２２】
図５Ａのフレーム中では、画素（１，１）と（１，２）、（２，２）、（３，２）、（３，３）が動作される。これを実施するため、行１の「線時間」のあいだ、列１と列２は−５ボルトにセットし、列３は＋５ボルトにセットする。これは任意の画素の状態を変更しない。なぜなら、すべての画素は３〜７ボルトの安定窓にあるままであるからである。次に行１を、０から５ボルトまで上がってゼロに戻るパルスでストローブする。これは（１，１）と（１，２）画素を動作させ、（１，３）画素を弛緩させる。アレイ内のほかの画素は影響されない。行２を望むようにセットするため、列２を−５ボルトにセットし、列１と列３を＋５ボルトにセットする。次に行２に印加した同じストローブは、画素（２，２）を動作させ、画素（２，１）と（２，３）を弛緩させる。再び、アレイ内のほかの画素は影響されない。列２と列３を−５ボルトに、列１を＋５ボルトにセットすることにより行３を同様にセットする。行３のストローブは図５Ａに示すように行３の画素をセットする。フレームを書き込んだ後、行電位はゼロになり、列電位は＋５または−５ボルトの一方のままとなることが可能であり、ディスプレイは次に図５Ａの配列で安定する。多数すなわち何百もの行と列に対して同じ手順を使用することが可能であることがわかるであろう。行と列の動作を実施するのに使用される電圧のタイミングとシーケンスとレベルは、上に概説した一般的な原理の範囲内で広く変えることが可能であり、上述の例は代表的なだけであり、任意の動作電圧方法もここに説明したシステムと方法で使用することが可能である。
【００２３】
図６Ａと６Ｂは、ディスプレイデバイス４０の実施形態を示すシステムブロック図である。ディスプレイデバイス４０はたとえば携帯（移動）電話とすることができる。しかしながら、ディスプレイデバイス４０またはそれの少しの変形の同じコンポーネントは、テレビやポータブルメディアプレイヤーなどのさまざまなタイプのディスプレイデバイスの例ともなる。
【００２４】
ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１とディスプレイ３０とアンテナ４３とスピーカー４５と入力デバイス４８とマイクロホン４６とを含んでいる。ハウジング４１は一般に、射出成形と真空成形を含む、当業者に周知ないろいろな製造プロセスのいずれかから形成される。さらに、ハウジング４１は、これらに限定されないが、プラスチックや金属、ガラス、ゴム、陶器、またはそれらの組み合わせを含む、いろいろな物質のいずれかから作られ得る。一実施形態では、ハウジング４１は、異なる色のまたは異なるロゴや絵や記号を有しているほかの着脱部と交換されてよい（図示しない）着脱部を含んでいる。
【００２５】
代表的なディスプレイデバイス４０のディスプレイ３０は、ここに説明するように、双安定ディスプレイを含むいろいろなディスプレイのいずれかであってもよい。ほかの実施形態では、ディスプレイ３０は、当業者に周知なように、プラズマやＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ ＬＣＤ、上述したＴＦＴ ＬＣＤなどのフラットパネルディスプレイ、またはＣＲＴやほかのチューブデバイスなどの非フラットパネルディスプレイを含んでいる。しかしながら、本実施形態を説明する目的のため、ディスプレイ３０は、ここに説明するように、光干渉変調器ディスプレイを含んでいる。
【００２６】
代表的なディスプレイデバイス４０の一実施形態のコンポーネントを図６Ｂに概略的に示す。図示の代表的なディスプレイデバイス４０はハウジング４１を含んでおり、その中に少なくとも部分的に囲まれた追加コンポーネントを含むことができる。たとえば、一実施形態では、代表的なディスプレイデバイス４０は、トランシーバー４７に接続されるアンテナ４３を含むネットワークインターフェース２７を含んでいる。トランシーバー４７はプロセッサー２１に連結されており、それはコンディショニングハードウェア５２に連結されている。コンディショニングハードウェア５２は信号を整える（たとえば信号をフィルター処理する）ように構成され得る。コンディショニングハードウェア５２はスピーカー４５とマイクロホン４６に連結されている。プロセッサー２１も入力デバイス４８とドライバーコントローラー２９に連結されている。ドライバーコントローラー２９はフレームバッファ２８とアレイドライバー２２に接続され、これはさらにディスプレイアレイ３０に接続されている。電源５０は、特定の代表的なディスプレイデバイス４０設計によって必要とされるすべてのコンポーネントにパワーを供給する。
【００２７】
ネットワークインターフェース２７は、代表的なディスプレイデバイス４０がネットワーク上の一つ以上のデバイスと通信できるように、アンテナ４３とトランシーバー４７を含んでいる。一実施形態では、ネットワークインターフェース２７はまたいくつかの処理容量を有し、プロセッサー２１の要件を取り除いてもよい。アンテナ４３は、信号の送受信用の当業者に周知の任意のアンテナである。一実施形態では、アンテナは、ＩＥＥＥ ８０２．１１（ａ）や（ｂ）や（ｇ）を含むＩＥＥＥ ８０２．１１規格によってＲＦ信号を送受信する。別の実施形態では、アンテナはＢＬＵＥＴＯＯＴＨ（登録商標）規格によりＲＦ信号を送受信する。携帯電話の場合、アンテナは、無線セル電話ネットワーク内で通信するために使用されるＣＤＭＡやＧＳＭ（登録商標）、ＡＭＰＳ、ほかの既知信号を受信するように設計されている。トランシーバー４７はアンテナ４３から受信した信号を、それらがプロセッサー２１によって受信されさらに操作され得るように前処理する。トランシーバー４７はまたプロセッサー２１から受信した信号を、それらがアンテナ４３を介して代表的なディスプレイデバイス４０から送信され得るように処理する。
【００２８】
代替実施形態では、トランシーバー４７はレシーバーと交換することが可能である。また別の代替実施形態では、ネットワークインターフェース２７は像源と取り替えることが可能であり、像源はプロセッサー２１に送る画像データを記憶または生成することができる。たとえば、像源は、画像データを収容したデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）やハードディスクドライブ、または画像データを生成するソフトウェアモジュールとすることができる。
【００２９】
プロセッサー２１は一般に、代表的なディスプレイデバイス４０の動作全体を制御する。プロセッサー２１は、ネットワークインターフェース２７や像源からの圧縮画像データなどのデータを受信し、そのデータを行画像データに、または行画像データへ容易に処理されるフォーマットに処理する。次にプロセッサー２１は処理したデータを記憶のためにドライバーコントローラー２９またはフレームバッファ２８へ送る。生データは、一般に画像内の各位置における画像特性を識別する情報を指す。たとえば、そのような画像特性は、色と彩度とグレースケールレベルを含み得る。
【００３０】
一実施形態では、プロセッサー２１は、マイクロコントローラーまたはＣＰＵ、論理演算装置を含み、代表的なディスプレイデバイス４０の動作を制御する。コンディショニングハードウェア５２は、スピーカー４５に信号を送信するために、またマイクロホン４６から信号を受信するために、一般に増幅器とフィルターを含んでいる。コンディショニングハードウェア５２は代表的なディスプレイデバイス４０内のディスクリートコンポーネントであってもよく、またはプロセッサー２１やほかのコンポーネント内に組み込まれていてもよい。
【００３１】
ドライバーコントローラー２９は、プロセッサー２１によって生成された行画像データをプロセッサー２１から直接またはフレームバッファ２８からとり、アレイドライバー２２への高速伝送のために行画像データを適切に再フォーマットする。具体的には、ドライバーコントローラー２９は行画像データを、ラスター状フォーマットを有するデータ流れに再フォーマットし、それは、ディスプレイアレイ３０を横切って走査するのに適した時間順序を有している。次にドライバーコントローラー２９はフォーマットした情報をアレイドライバー２２に送る。ＬＣＤコントローラーなどのドライバーコントローラー２９はしばしばスタンドアロンの集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサー２１に付随されるが、そのようなコントローラーは多くの手法によって実現されてよい。それらはハードウェアとしてプロセッサー２１に埋め込まれても、ソフトとしてプロセッサー２１に埋め込まれても、アレイドライバー２２にハードウェアに完全に集積されてもよい。
【００３２】
一般に、アレイドライバー２２はドライバーコントローラー２９からフォーマットされた情報を受信し、ビデオデータを、ディスプレイのｘ−ｙマトリックスの画素から来る何百もの時には何千ものリードに毎秒何度も印加される波形の並列セットに再フォーマットする。
【００３３】
一実施形態では、ドライバーコントローラー２９とアレイドライバー２２とディスプレイアレイ３０は、ここに説明したディスプレイのどのタイプにも適切である。たとえば、一実施形態では、ドライバーコントローラー２９は、従来のディスプレイコントローラーや双安定ディスプレイコントローラー（たとえば光干渉変調器コントローラー）である。別の実施形態では、アレイドライバー２２は、従来のドライバーや双安定ディスプレイドライバー（たとえば光干渉変調器ディスプレイ）である。一実施形態では、ドライバーコントローラー２９はアレイドライバー２２に集積されている。そのような実施形態は、携帯電話、時計、ほかの小面積ディスプレイなどの高集積システムに共通している。また別の実施形態では、ディスプレイアレイ３０は、一般的なディスプレイアレイや双安定ディスプレイアレイ（たとえば光干渉変調器のアレイを含むディスプレイ）である。
【００３４】
入力デバイス４８は、ユーザーが代表的なディスプレイデバイス４０の動作を制御するのを可能にする。一実施形態では、入力デバイス４８は、ＱＷＥＲＴＹキーボードや電話キーパッドなどのキーパッドや、ボタン、スイッチ、タッチセンシティブスクリーン、感圧または感熱膜を含んでいる。一実施形態では、マイクロホン４６は代表的なディスプレイデバイス４０用の入力デバイスである。マイクロホン４６を使用してデバイスにデータを入力するとき、代表的なディスプレイデバイス４０の動作を制御するためにユーザーがボイスコマンドを与えてもよい。
【００３５】
この分野で周知なように、電源５０はいろいろなエネルギー蓄積デバイスを含み得る。たとえば、一実施形態では、電源５０は、ニッケル−カドミウム電池やリチウムイオン電池などの充電式電池である。別の実施形態では、電源５０は、再生可能エネルギー源とコンデンサー、プラスチック太陽電池と太陽電池ペイントを含む太陽電池である。別の実施形態では、電源５０は壁付コンセントからパワーを受け取るように構成されている。
【００３６】
いくつかの実施においては、上述したように、電子ディスプレイシステムのいくつかの位置に配置することが可能であるドライバーコントローラーに、制御プログラム化が存在する。いくつかのケースでは、制御プログラム化はアレイドライバー２２に存在する。たくさんのハードウェアおよび／またはソフトウェアコンポーネントおよびさまざまな構成に対して上述した最適化が実現されてよいことは当業者であればわかるであろう。
【００３７】
上述した原理にしたがって動作する光干渉変調器の構造の詳細は広く変更されてよい。たとえば、図７Ａ〜７Ｅは、可動反射層１４をその支持構造の５つの異なる実施形態を示している。図７Ａは図１の実施形態の断面図であり、金属物質１４のストリップが直交して延びている支持体１８上に堆積されている。図７Ｂでは、可動反射層１４がつなぎ３２によってコーナーだけで支持体に取り付けられている。図７Ｃでは、可動反射層１４が変形可能層３４からつるされており、変形可能層３４は可撓性金属で構成され得る。変形可能層３４は、直接または間接的に、変形可能層３４の周囲の周りの基板２０に連結している。これらの接続はここでは支持ポストと呼ぶ。図７Ｄに示した実施形態は、その上に変形可能層３４が横たわる支持ポストプラグ４２を有している。図７Ａ〜７Ｃのように、可動反射層１４はキャビティの上につるされるが、変形可能層３４は、変形可能層３４と光学スタック１６の間の穴を満たすことにより、支持ポストを形成しない。むしろ、支持ポスト１８は平坦化物質で作られ、それは支持ポストプラグ４２を形成するために使用される。図７Ｅに示す実施形態は、図７Ｄに示した実施形態に基づくが、図示しない追加の実施形態と同様に、図７Ａ〜７Ｃに示した実施形態のいずれに適用してもよい。図７Ｅに示した実施形態では、金属またはほかの伝導物質の追加層がバス構造４４を形成するために使用された。これは信号を光干渉変調器の背面に沿って転送するのを可能にし、さもなければ基板２０上に形成されなければならないであろう多くの電極を取り除く。
【００３８】
図７に示した実施形態では、光干渉変調器は直視型デバイスとして機能し、画像は透明基板２０の正面側つまり変調器が配置される側の反対側から見られる。これらの実施形態では、変形可能層３４を含め、反射層１４は、基板２０に対向する反射層の側にある光干渉変調器の部分を光学的に遮へいする。これは、遮へい領域が像品質に悪影響を与えずに構成され動作されることを可能にする。そのような遮へいは、図７Ｅのバス構造４４を可能にし、それは、アドレシングおよびそのアドレシングに起因する動作など、変調器の電気機械の特性から変調器の光学的性質を分離する能力を提供する。この分離可能な変調器アーキテクチャーは、変調器の電気機械的観点と光学的観点のために使用される構造設計と物質が互い独立に選択され機能することを可能にする。さらに、図７Ｃ〜７Ｅに示した実施形態は、機械的特性からの反射層１４の光学的特性の非干渉を得るという追加の利点を有し、それは変形可能層３４によって実現される。これは、反射層１４に使用する構造設計と物質を光学的特性に対して最適化し、また変形可能層３４に使用する構造設計と物質を所望の機械的特性に対して最適化すること可能にする。
【００３９】
いま、本発明の観点のいくつかを包含するＭＥＭＳデバイスの実施形態について図８Ａと８Ｂを参照しながら説明する。ＭＥＭＳデバイス１００は、第一の電極１０１と、第一の電極１０１から電気的に絶縁された第二の電極１０２と、第一の電極１０１と第二の電極１０２とから電気的に絶縁された第三の電極１０３とを備えている。ＭＥＭＳデバイス１００はさらに、第一の電極１０１を第二の電極１０２から分離する支持構造１０５を備えている。ＭＥＭＳデバイス１００はさらに、（図８Ｂによって概略的に示される）第一の位置と（図８Ａによって概略的に示される）第二の位置との間に配置され移動可能な反射素子１０７を備えている。第一の位置では、反射素子１０７がデバイス１００の一部１１３に接触している。第二の位置では、反射素子１０７がデバイス１００の一部１１３に接触していない。反射素子１０７が第一の位置にあるとき、反射素子１０７とデバイス１００の一部１１３との間に接着力が生成される。第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３とに印加された電圧が接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する。
【００４０】
図８Ａは、弛緩すなわち非動作状態にあるＭＥＭＳデバイス１００の実施形態の側断面を示している。図８Ｂは、動作すなわち「駆動」状態にあるＭＥＭＳデバイス１００の側断面を示している。ＭＥＭＳデバイス１００は透明または半透明の基板層１２０上に形成されてよい。それは一実施形態ではガラスであってよい。光学的層１２４は基板層１２０上に堆積されてよい。光学的層１２４は部分的に透明または半透明かつ光に対して部分的に反射的であってよく、たとえば、おのおのがクロムとインジウムスズ酸化物の一つ以上の層を堆積することによって製造されてよい。いくつかの実施形態では、光学的層１２４の少なくとも一部は電気的に伝導性であり、ＭＥＭＳデバイス１００の第一の電極１０１を備えている。光学的層１２４は実質的に平行ストリップにパターニングされてよく、ここに説明するようにディスプレイデバイスの行電極を形成してよい。いくつかの実施形態では、不伝導層１２８は光学的層１２４の上に形成されてよく、酸化物などのさまざまな透明または半透明の物質で構成されてよい。
【００４１】
ある実施形態では、不伝導層１２８の上に支持構造１０５が配置されている。支持構造１０５は、機械的層１３２と、一つ以上の支持ポスト１３６ａ，１３６ｂとを備えていてよい。図８Ａと８Ｂに概略的に示されるように、ある実施形態では、機械的層１３２は反射素子１０７を備えており、支持構造１０５は、反射素子１０７が実質的に面平行かつ間隔を置いた配置で不伝導層１２８に面するように構成されている。反射素子１０７と不伝導層１２８とがそれらの間のキャビティ１４４を規定する。
【００４２】
いくつかの実施形態では、機械的層１３２の少なくとも一部は電気的に伝導性であり、ＭＥＭＳデバイス１００の第二の電極１０２を備えている。機械的層１３２は実質的に平行ストリップにパターニングされてよく、ここに説明するようにディスプレイデバイスの列電極を形成してよい。機械的層１３２は、金属などの変形可能かつ高伝導性かつ反射性物質から製造されてもよい。それはいくつかの実施形態ではアルミニウムであってよい。いくつかの実施形態では、支持ポスト１３６ａ，１３６ｂの一部は電気的に不伝導性であり、機械的層１３２をデバイス１００のほかの部分（たとえば光学的層１２４）から絶縁する。支持ポスト１３６ａ，１３６ｂの不伝導部は、たとえば酸化アルミニウムなどの不伝導物質で構成されてよい。不伝導層１２８はまた、機械的層１３２を光学的層１２４から電気的に絶縁する役目もする。
【００４３】
図８Ａに示されるように、ある実施形態では、支持ポスト１３６ａの少なくとも一つが第三の電極１０３を備えている。第三の電極１０３は、たとえばアルミニウム、ニッケル、インジウムスズ酸化物またはモリブデンなどの電気伝導物質から製造されてよい。支持ポスト１３６ａの電気不伝導部は、第一の電極１０１と第二の電極１０２とから第三の電極１０３を絶縁してよい。支持ポスト１３６ａの電気不伝導部は不伝導物質で構成されてよい。
【００４４】
ある実施形態では、図８Ａと８Ｂに示されるように、機械的層１３２は機械的に変形可能な物質で構成されている。図１を参照しながらここに説明するように、機械的層１３２は、第一の電極１０１（たとえば光学的層１２４）と第二の電極１０２（たとえば機械的層１３２）との間の電圧差を印加することによって弛緩状態から駆動状態に移動されてよい。電圧差がしきい値を超えると、図８Ｂに示されるように、静電気力が機械的層１３２を不伝導層１２８に接触するまで変形させ移動させる。不伝導層１２８は、駆動状態において光学的層１２４と機械的層１３２との間が短絡することを防止し、駆動状態中の接触から光学的層１２４と機械的層１３２への損害を防止してよい。さらに、不伝導層１２８の厚さを使用して、弛緩および駆動状態間で機械的層１３２が移動する距離を制御してよい。
【００４５】
いくつかの実施形態では、機械的層１３２の一部が反射素子１０７を備えるように構成されてよい。たとえば、機械的層１３２の下側表面１４８の一部が高反射に作られてよい。反射素子１０７は、少なくとも弛緩状態（図８Ａ）の第二の位置と駆動状態（図８Ｂ）の第一の位置との間を移動するように構成されている。ある実施形態の駆動状態では、反射素子１０７が、図８Ｂに示されるようにデバイス１００の一部１１３に接触している。
【００４６】
図１を参照ながらここにさらに説明するように、デバイス１００は「光干渉変調器」として動作してよい。非駆動状態では、基板層１２０の表面１５２への入射光は透過されてキャビティ１４４に入る。キャビティ１４４の高さに依存し、機械的層１３２の位置によって決まる、キャビティ１４４内の干渉は、ある波長の光が反射され、ほかの波長の光が吸収されるようにする。反射光が電磁スペクトルの可視部にあれば、基板の表面１５２は反射波長に対応する色を表示する。対照的に、駆動状態では、キャビティ１４４の高さは非駆動状態よりもはるかに小さく（たとえば反射素子１０７は不伝導層１２８に接触しており）、デバイス１００は実質的に入射光のすべてを、または少なくとも実質的に入射可視光のすべてを吸収する。駆動状態では、基板の表面１５２は黒を表示する。キャビティ１４４のサイズと高さを好適に構成することによって、デバイス１００を使用して画像表示デバイス中の画素を形成し得る。
【００４７】
駆動状態では、反射素子１０７がデバイス１００の一部１１３に接触しており、それによって、反射素子１０７と一部１１３との間に接着力を生成する。たとえば、図８Ｂに示された実施形態では、接着力は、機械的層１３２の変形部に不伝導層１２８に接着させようとする。
【００４８】
接着力は、たとえば、毛細管、静電気またはファンデルワールス力またはほかの分子間力などの力によって引き起こされてよい。接着力は、たとえば、使用物質と、デバイス１００中の構造体の形状と配置と構成と、接触面の粗さと、周囲湿度および圧力とを含む一連の要因に依存する。接着力は、たとえば、大きな加速を伴うインパルス運動またはより緩やかな準静的運動を通してデバイス１００内の構造体を動作する手法に依存してもよい。「スティクション」は、ここに説明する接着効果のいくつかを含み得る一般的に使用される用語である。
【００４９】
デバイス１００を動作させまた動作を止めるプロセスについて図３を参照しながらここに説明する。機械的層１３２と光学的層１２４との間に電圧差が印加されてよい。図３に示されるように、電圧差が第一のしきい値を超えて増加したとき、静電気力が機械的層１３２を弛緩状態（図８Ａ）から駆動状態（図８Ｂ）へ変形させる。電圧差が減少されたとき、電圧差が第二のしきい値を下回るまで、デバイス１００は駆動状態のままでいる。第二のしきい値において、機械的層１３２と光学的層１２４との間で引き合う静電気力が、機械的層１３２を弛緩状態に戻そうとする機械的復元力より小さくなる。したがって、電圧が第二のしきい値を下回ったとき、反射素子１０７は、それが接触していた一部１１３から「解放」する。図３の見本実施形態では、第一のしきい値電圧は約８ボルトであり、第二のしきい値電圧は約２ボルトである。図４は、この動作および解放サイクルを通してＭＥＭＳデバイス１００を駆動するのに使用される「動作プロトコル」の一実施形態を示している。
【００５０】
接着力は、この動作および解放サイクルの性質を変え得る。ＭＥＭＳデバイス１００のいくつかの実施形態では、反射素子１０７と、反射素子１０７に接触しているデバイス１００の一部１１３との間の接着力は、電圧差が第二のしきい値を下回ったときに反射素子１０７の解放を接着が抑制またはいくつかの場合に防止するほど十分に大きくてよい。したがって、部分的に低減するか接着力を相殺するアーキテクチャーを提供することに好都合である。
【００５１】
ＭＥＭＳデバイス１００のある実施形態では、第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３とに印加された電圧が、反射素子１０７がデバイス１００の一部１１３に接触している（たとえば図８Ｂに示される第一の位置にある）あいだの接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する。図８Ａと８Ｂに示された実施形態では、支持ポスト１３６ａが第三の電極１０３を備えている。第三の電極１０３は、第一の電極１０１（図８Ａと８Ｂの光学的層１２４）と第二の電極１０２（図８Ａと８Ｂの機械的層１３２）とから電気的に絶縁されている。そのようなある実施形態では、第三の電極１０３に印加された電圧が第二の電極１０２に静電気力１５６（たとえば機械的層１３２を第三の電極１０３の方へ引き寄せる力）を生成する。デバイス１００が（図８Ｂに示された）第一の位置にあるとき、反射素子１０７と一部１１３との間の接着力を静電気力１５６が少なくとも部分的に相殺し得る。
【００５２】
図８Ｂに示されるように、静電気力１５６は平行力成分１６０と垂直力成分１６４とに分解することができる。ここに使用するように、用語「平行力成分」または「平行成分」は、第一の位置にあるあいだの反射素子１０７に接触しているデバイス１００の一部１１３を含む平面にほぼ平行である静電気力１５６の成分を指す。用語「平行方向」または「平行」は平行力成分１６０の方向を指す。ここに使用するように、用語「垂直力成分」または「垂直成分」は、第一の位置にあるあいだの反射素子１０７に接触しているデバイス１００の一部１１３を含む平面にほぼ垂直である静電気力１５６の成分を指す。用語「垂直方向」または「垂直」は垂直力成分１６４の方向を指す。垂直方向は平行方向に九十度の角度にある。
【００５３】
任意の特定の理論を明言することなく、静電気力１５６は少なくともいくつかの理由によって接着力を少なくとも部分的に低減または相殺し得る。たとえば、デバイス１００のいくつかの実施形態では、平行力成分１６０は矢印１６８によって示された方向に機械的層１３２を付勢する。この付勢は、反射素子１０７とデバイス１００の一部１１３との間の接着力の少なくともある程度原因である分子間結合または力を低減するか無力化し得る。これらのまたはほかの実施形態では、垂直力成分１６４は、同様に矢印１７２によって示された方向に機械的層１３２の領域を付勢し、それはまた接着力の少なくともある程度原因である分子間結合または力を低減するか無力化し得る。いくつかの実施形態では、平行力成分１６０は機械的層１３２の少なくとも一部を矢印１６８の方向に滑らせ、それは接着力を低減し、また矢印１７２の方向への機械的層１３２の移動を可能にし得る。さらに、ある実施形態では、垂直力成分１６４は、反射素子１０７の一つ以上の領域が矢印１７２の方向に変位されるようにする。変位されたすなわち「引き離された」領域は、デバイス１００の一部１１３との接触を失い、それは接着力を少なくとも部分的に低減する。ほかの実施形態では、垂直力成分１７２は、機械的層１３２の弾性変形を引き起こし、それは、反射素子１０７が一部１１３に接触している領域を低減し得る。一般に、接着力は接触領域の低減に比例して低減される。またほかの実施形態では、接着力は、上述した物理的効果の任意の一つ以上の組み合わせによって低減または相殺される。ほかの実施形態では、現在知られているまたは発見されるべき追加の理由によって静電気力１５６が接着力を低減または相殺し得、請求する本発明の要旨はここに述べた理由によって限定されるものではないことがわかる。
【００５４】
いくつかの実施形態では、第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３とに印加された電圧の一つ以上が時変電圧を含んでいてよい。時変電圧は、静電気力１５６の大きさおよび／または方向をも時変させてよい。静電気力１５６の時間的な変化は、デバイス１００（図８Ｂ）の一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にし得る。ある実施形態では、時変電圧は、短い一過性持続時間の一つ以上の電圧パルス、たとえば一つ以上のインパルスを含んでいる。ある実施形態のインパルスは反射素子１０７にほぼ平行な成分を有するが、ほかの実施形態では、インパルスは反射素子１０７にほぼ垂直な成分を有する。そのようなある実施形態では、一つ以上のインパルスは、接着力が低減され、反射素子１０７が一部１１３から解放される反射素子１０７の十分に大きな加速を生成してよい。ほかの実施形態では、一つ以上のインパルスは反射素子１０７の一部が弾性変形を受けるようにしてよく、それは、上述したように、一部１１３との接触領域を低減し、それにより接着力を低減し得る。
【００５５】
図８Ａと８Ｂに示されたＭＥＭＳデバイス１００のほかの実施形態では、第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３とに印加された電圧の一つ以上が、周波数を有する時変電圧を含んでいる。たとえば、一実施形態では、時変電圧は、その周波数で振動する正弦波成分を含んでいてよい。ほかの実施形態では、時変電圧は、その周波数に中心を置く周波数帯域を備えた電圧を含んでいてもよい。ある実施形態では、時変電圧は反射素子１０７の一部が弾性振動を受けるようにし、それは、反射素子が第一の位置（図８Ｂ）にあるあいだの接着力を少なくとも部分的に低減し得る。そのようなある実施形態では、弾性振動は、デバイス１００の一部１１３に接触している反射素子１０７の領域を低減し、それにより接着力を低減する。これらのある実施形態のほかでは、反射素子１０７の弾性振動が、一部１１３の加速を振動的に引き起こし、それは、接着力の原因である分子間力をある程度低減し得る。
【００５６】
周知なように、強制周波数で振動する力が機械的システムに印加されたとき、機械的システムは、力の大きさに正比例した振幅を有する弾性振動を受ける。強制周波数が機械的システムの機械的共振周波数と等しいと、弾性振動の振幅は最大になる。ＭＥＭＳデバイス１００のいくつかの実施形態では、電極１０１と１０２と１０３の少なくとも一つに印加された時変電圧の周波数は、反射素子１０７の機械的共振周波数と実質的に等しくなるように選択される。そのような実施形態では、時変電圧は、接着力を低減し図８Ｂに示された第一の位置からの反射素子１０７の解放を容易にするように実質的振幅を有する弾性発振または振動を反射素子１０７に生じさせる。そのようなほかの実施形態では、接着力を低減するのに有効である十分な振幅で反射素子１０７が弾性振動を受けるように、時変電圧の周波数が選択される。これらの実施形態のいくつかでは、接着力を低減するに有効である周波数は反射素子１０７の機械的共振周波数と異なってよい。
【００５７】
さまざまな範囲の大きさと周波数の電圧を、第一の電極１０１、第二の電極１０２および／または第三の電極１０３に印加して、接着力を少なくとも部分的に低減または相殺することができる。この分野の当業者は、ＭＥＭＳデバイス１００の任意の構成に対して電圧の好適な大きさと周波数を計算することができることを認めるであろう。たとえば、ある実施形態では、第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３との少なくとも一つに印加される電圧は、約１０ボルトから約５０ボルトまでの範囲中の大きさと、約１００Ｈｚから約１０ＭＨｚまでの範囲中の周波数とを有する。しかしながら、これらの例示的範囲は、好適な大きさと周波数の可能な範囲についての制限であることは意図しておらず、ほかの実施形態では異なる大きさと周波数が使用される。
【００５８】
ここに述べた原理にしたがって動作するＭＥＭＳデバイスの第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３とに印加される電圧の詳細は広く変更してよい。電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧は、ここに説明した例とは異なっていてもよく、それは、例として役立つように意図されたものであり、請求された本発明の要旨を制限するように意図されたものではない。たとえば、印加電圧の大きさや継続時間、周波数、印加の順序、ほかの特性は広く異なっていてよい。ほかの多くの電圧の組み合わせがＭＥＭＳデバイス２００の異なる実施形態に可能である。
【００５９】
図９Ａと９Ｂは、弛緩状態（図９Ａ）と駆動状態（図９Ｂ）にあるＭＥＭＳデバイス２００の別の実施形態の側断面を示している。ＭＥＭＳデバイス２００は基板層２２０上に製造され、光学的層２２４と不伝導層２２８と機械的層２３２とを備えている。基板層２２０と光学的層２２４と不伝導層２２８は、図８Ａと８Ｂを参照しながら説明したＭＥＭＳデバイス１００のそれぞれの層１２０と１２４と１２８とほぼ同じ特性と特徴を有している。機械的層２３２は一つ以上の支持ポスト２３６ａ，２３６ｂを備えており、特に述べる点を除いては、機械的層１３２とほぼ同じ特性を有している。
【００６０】
図９Ａと９Ｂに示された実施形態では、反射素子１０７は、機械的層２３２と不伝導層２２８との間に配置されたミラー２７５を備えている。ある実施形態では、ミラー２７５は、機械的層２３２にほぼ平行に間隔を置いて配置されている。反射素子１０７は、ミラー２７５を機械的層２３２に機械的に接続するとともにミラー２７５への電気的接続を提供する支持体接続２７７を備えている。図９Ａと９Ｂに示された実施形態では、ミラー２７５と支持体接続２７７は、たとえばアルミニウムやニッケル、インジウムスズ酸化物、モリブデンなどの電気伝導物質で構成されている。機械的層２３２の一部２７９は電気不伝導物質で構成されており、それは、ミラー２７５と機械的層２３２との間に電気的絶縁を提供するように構成されている。この実施形態では、ミラー２７５は機械的層２３２に機械的に接続されているが、電気的に絶縁されている。
【００６１】
図９Ａと９Ｂに示されたＭＥＭＳデバイスの実施形態では、ミラー２７５は反射素子１０７の反射面を備えており、それは、電気的に伝導性かつ高反射性であり、たとえばアルミニウムなどの高伝導性反射性金属から製造されてよい。この実施形態では、機械的層２３２の下側表面は反射性であるように構成されていない。図９Ａと９Ｂの実施形態では、光学的層２２４は第一の電極１０１を備えている。支持構造１０５は機械的層２３２と支持ポスト２３６ａと２３６ｂとを備えており、機械的層２３２は第二の電極１０２を備えている。ミラー２７５は第三の電極１０３を備えている。
【００６２】
図８Ａと８Ｂを参照しながら説明したように、機械的層２３２と光学的層２２４との間に印加される電圧差は、機械的層２３２を弛緩状態（図９Ａ）から駆動状態（図９Ｂ）に変形させることができる。反射素子１０７は、弛緩状態（図９Ａ）にある第二の位置から駆動状態（図９Ｂ）にある第一の位置に移動する。駆動状態では、反射素子１０７がデバイス２００の一部１１３に接触しており、それらの間に接着力が生成されている。
【００６３】
ＭＥＭＳデバイス２００のいくつかの実施形態では、第一の電極１０１と第二の電極１０２と第三の電極１０３とに印加された電圧が、反射素子が第一の位置（図９Ｂ）にあるあいだの接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する。さらに図８Ａと８Ｂを参照しながら説明したように、印加電圧は、接着力を少なくとも部分的に低減する弾性変形または弾性振動を反射素子１０７に生じさせ得る。ＭＥＭＳデバイス２００のある実施形態では、電圧の一つ以上が時変である。これらの実施形態のうちのいくつかでは、時変電圧は、一つ以上の周波数を有する電圧を含んでいてよい。時変電圧の周波数は、反射素子１０７の機械的共振周波数となるかまたは反射素子１０７に生じる弾性振動の振幅を増大させるように選択されてよい。ほかの実施形態では、一つ以上の短い持続時間電圧インパルスが、電極１０１と１０２と１０３の少なくとも一つに印加されてよい。たとえば、一実施形態では、デバイス２００の一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にする発振、振動または加速を生じさせるように、第一の位置にあるあいだ、ミラー２７５に一つ以上の電圧インパルスが印加される。またほかの実施形態では、電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧は前述の電圧の組み合わせを含むように選択されてよい。たとえば、一実施形態では、一つ以上の電圧インパルスが三つの電極のいずれかまたはすべてに印加されているあいだ、発振電圧が電極の一つに印加される。電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧は、ここに述べた例から異なっていてよく、ＭＥＭＳデバイス２００のほかの実施形態では多くのほかの変更および組み合わせが可能である。
【００６４】
図１０Ａと１０Ｂは、弛緩状態（図１０Ａ）と駆動状態（図１０Ｂ）にあるＭＥＭＳデバイス３００の別の実施形態の側断面を示している。ＭＥＭＳデバイス３００は基板層３２０上に製造され、光学的層３２４と不伝導層３２８と機械的層３３２とを備えている。基板層３２０と光学的層３２４と不伝導層３２８は、図８Ａと８Ｂを参照しながら説明したＭＥＭＳデバイス１００のそれぞれの層１２０と１２４と１２８とほぼ同じ特性と特徴を有している。機械的層３３２は一つ以上の支持ポスト３３６ａと３３６ｂを備えており、特に述べる点を除いては、機械的層１３２とほぼ同じ特性を有している。
【００６５】
図１０Ａと１０Ｂに示された実施形態では、反射素子１０７は、機械的層３３２と不伝導層３２８との間に配置されたミラー３７５を備えている。ある実施形態では、ミラー３７５は、機械的層３３２にほぼ平行に間隔を置いて配置されている。反射素子１０７は、ミラー３７５を機械的層３３２に機械的に接続している支持体接続３７７を備えている。図１０Ａと１０Ｂに示された実施形態では、ミラー３７５と支持体接続３７７は、たとえばアルミニウムやニッケル、インジウムスズ酸化物、モリブデンなどの電気伝導物質で構成されている。ＭＥＭＳデバイス２００（図９Ａと９Ｂ）とは対照的に、伝導支持ポスト３７７はミラー３７５を機械的層３３２に電気的に接続している。したがって、この実施形態では、ミラー３７５は機械的層３３２に機械的のみならずまた電気的に接続されている。
【００６６】
ＭＥＭＳデバイスのこの実施形態では、ミラー３７５は電気的に伝導性かつ高反射性であり、それは、たとえばアルミニウムなどの高伝導性反射性金属から製造されてよい。この実施形態では、機械的層３３２の下側表面は反射性であるように構成されていない。図１０Ａと１０Ｂの実施形態では、光学的層３２４は第一の電極１０１を備えている。支持構造１０５は機械的層３３２と支持ポスト３３６ａと３３６ｂとを備えている。機械的層３３２とミラー３７５は第二の電極１０２を備えている。図１０Ａと１０Ｂに示されるように、支持ポスト３３６ａ，３３６ｂのおのおのは電気伝導部を有している。デバイス３００の第三の電極１０３は、これらの電気伝導部を備えている。この実施形態では、また図８Ａと８Ｂに示されたデバイス１００とは対照的に、支持ポスト３３６ａ，３３６ｂの伝導部はミラー３７５に対して実質的に対称的に配置されており、反射素子１０７に対して実質的に対称的に配置された第三の電極１０３を提供する。
【００６７】
図８Ａ〜９Ｂを参照しながら上述したように、機械的層３３２と光学的層２２４との間に印加される電圧差は、機械的層２３２を弛緩状態（図１０Ａ）から駆動状態（図１０Ｂ）に変形させることができる。反射素子１０７は、弛緩状態（図１０Ａ）にある第二の位置から駆動状態（図１０Ｂ）にある第一の位置に移動する。駆動状態では、反射素子１０７がデバイス２００の一部１１３に接触しており、それらの間に接着力が生成されている。
【００６８】
電極１０１と１０２と１０３に電圧を印加することにより、ＭＥＭＳデバイス３００は反射素子１０７とデバイス３００の一部１１３との間の接着力を少なくとも部分的に低減または相殺することができる。接着力の低減を達成するようにＭＥＭＳデバイス１００と２００に関して説明したのと実質的に同じ手法で電圧がデバイス３００に印加されてよい。
【００６９】
図１０Ｂは、支持ポスト３３６ａ，３３６ｂの伝導部が互いに同じ電位に維持されているＭＥＭＳデバイス３００の実施形態を示している。この実施形態では、一対の静電気力３５６ａと３５６ｂが、それぞれ、ミラー３７５と支持ポスト３３６ａと３３６ｂの電気伝導部との間に生成される。静電気力３５６ａの大きさは、電気伝導部３３６ａ，３３６ｂの実質的に対称的な配置のために、またそれらが同じ電位に維持されるために、静電気力３５６ｂの大きさと実質的に等しい。静電気力３５６ａ，３５６ｂのおのおのは、それぞれ平行力成分３６０ａ，３６０ｂと、それぞれ垂直力成分３６４ａ，３６４ｂとに分解することができる。静電気力３５６ａ，３５６ｂ（すなわちそれらの成分３６０ａ，３６０ｂおよび３６４ａ，３６４ｂ）はベクトル的に一緒に加えられてミラー３７５に作用する正味の力を生成することができる。デバイス３００の支持ポスト３３６ａ，３３６ｂの電気伝導部が同じ電位に維持されるとともにミラー３７５に対して実質的に対称的に配置されているので、平行力成分３６０ａと３６０ｂは大きさが実質的に等しく、方向が反対である。したがって、ミラー３７５に作用する正味の平行力成分は実質的にゼロである。この実施形態では、垂直力成分３６４ａ，３６４ｂは大きさが実質的に等しく、しかしながら、それらは方向が同じである。したがって、反射素子１０７に作用する正味の静電気力は、デバイス３００の一部１１３を含む平面に実質的に垂直である。
【００７０】
ＭＥＭＳデバイス３００のいくつかの実施形態では、反射素子１０７にかかる正味の静電気力が少なくとも反射素子１０７とデバイス３００の一部１１３との間の接着力の部分的低減を生じさせるように電極１０１と１０２と１０３に電圧が印加される。図８Ａ〜９Ｂを参照しながらここに説明したように、印加電圧は、接着力を少なくとも低減する弾性変形または弾性発振を反射素子１０７に生じさせ得る。ＭＥＭＳデバイス３００のある実施形態では、電圧の一つ以上が時変であり、一つ以上の周波数を有する電圧を含んでいてよい。時変電圧の周波数は、デバイス３００の機械的共振周波数となるかまたはデバイス３００に生じる弾性振動の振幅を増大させるように選択されてよい。ほかの実施形態では、一つ以上の短い持続時間電圧インパルスが、電極１０１と１０２と１０３の少なくとも一つに印加されてよい。一実施形態では、たとえば、デバイス３００の一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にする発振または加速を生じさせるように、反射素子１０７が第一の位置（図１０Ｂ）にあるあいだ、一つ以上の電圧インパルスが第三の電極に印加される。別の実施形態では、矢印３８０によって示されたほぼ垂直方向に反射素子１０７の振動を生じさせるように電圧が印加される。またほかの実施形態では、前述の発振または加速の組み合わせを生じさせるように、電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧が選択されてもよい。たとえば、一実施形態では、一つ以上の電圧インパルスが三つの電極のいずれかまたはすべてに印加されているあいだ、電極の一つに発振電圧が印加される。電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧は、ここに説明した例とは異なっていてもよく、ＭＥＭＳデバイス３００の異なる実施形態では多くのほかの変更および組み合わせが可能である。
【００７１】
ＭＥＭＳデバイス３００のほかの実施形態では、支持ポスト３３６ａの電気伝導部が、支持ポスト３３６ｂの電気伝導部とは異なる電位に維持されてもよい。これらの実施形態では、静電気力３５６ａと３５６ｂは実質的に等しい大きさにならない。したがって、反射素子１０７にかかる正味の静電気力は正味の平行力成分を含む。支持ポスト３３６ａ，３３６ｂの伝導部のおのおのに印加される電位の値を適切に選択することによって、正味の平行力成分を、双頭の矢印３８４によって示された方向の少なくとも一つに生成することができる。したがって、反射素子１０７が矢印３８４の二方向に沿って発振または振動するようにされ得る。印加電圧は、反射素子１０７の弾性変形または弾性振動を生じさせるように選択された周波数を有する時変成分を有してもよい。いくつかの実施形態では、周波数は、反射素子１０７の機械的共振周波数に実質的に一致するかまたは増大した振幅発振を生じさせるように選択されてよい。ある実施形態では、支持ポスト３３６ａと３３６ｂの電気伝導部と反射素子１０７との間の電圧は、双頭の矢印３８４の二方向に反射素子１０７の周期的変位を生じさせるように循環される。周期的変位は、接着力を少なくとも部分的に低減し、デバイス３００の一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にし得る。
【００７２】
図１０Ａと１０Ｂは、二つの支持ポスト３３６ａと３３６ｂの電気伝導部を備えた第三の電極１０３を示しているが、ほかの実施形態では、第三の電極１０３が、追加的支援ポスト（および／またはほかの好適な構造素子）の電気伝導部を備えることができることが予想される。ある実施形態では、第三の電極１０３は、ミラー３７５のまわりに実質的に対称的に配置された四つの支持ポスト（たとえば、二つの支持ポスト３３６ａと３３６ｂと、図１０Ａと１０Ｂに示された断面の平面に垂直な平面に配置された二つの実質的に同様の支持ポスト）の電気伝導部を備えている。支持ポストのおのおのの電気伝導部に印加される電圧を使用して、（上述したような）矢印３８０と３８４の方向だけでなく互いに垂直な方向（たとえば図１０Ａと１０Ｂの平面の中へまたは外へ）にも、変位、発振および／または振動を生じさせることができる。この分野の当業者は、（時変およびインパルス電圧を含んでいる）ここに説明したような好適な電圧を印加することによって、反射素子１０７が駆動状態（たとえば図１０Ｂ）であるあいだ、弛緩状態（たとえば図１０Ａ）への移動を支援するように、接着力を少なくとも部分的に低減または相殺することができることを認めるであろう。第三の電極１０３の構成およびそれに印加される電圧は多くの変更が可能であり、また、ここに説明した実例実施形態は、請求する発明の要旨に対する限定として意図されていない。
【００７３】
ＭＥＭＳデバイス３００のまたほかの実施形態では、支持ポスト３３６ａ，３３６ｂの電気伝導部が反射素子に対して実質的に対称的に配置されていない。これらの実施形態では、伝導部が同じ電位に維持されたとしても、静電気力３５６ａ，３５６ｂは一般に大きさが実質的に等しくならない。いくつかの実施形態では、非対称な配置は、伝導部の一つ以上が支持ポスト３３６ａ，３３６ｂ内に実質的に中央に位置しないようにデバイス３００を製造することによって提供される。
【００７４】
ある好ましい実施形態では、ＭＥＭＳデバイス３００に印加される電圧は、矢印３８４と３８０によって示されるような平行および垂直方向の両方への反射素子１０７の変位、変形、発振または振動をそれぞれ生じさせるように選択されてよい。これらの実施形態のいくつかでは、平行および垂直方向の両方への共振または増大した振幅発振を生じさせるために、時変電圧が、一つを超える周波数を有する電圧を含んでいてよい。ほかの実施形態では、一方向に変位または加速を生じさせるために短い持続時間電圧インパルスが印加される一方、ほかの方向に共振または振動を生じさせるために発振電圧が印加される。またほかの実施形態では、印加電圧が循環されてこれらの効果の組み合わせを生成する。多くのほかの変更が可能である。
【００７５】
図１１Ａと１１Ｂは、弾性変形可能反射素子１０７を有している駆動状態にあるＭＥＭＳデバイス４００の一実施形態の一部の側断面図である。反射素子１０７は、デバイス４００の一部１１３に接触している第一の位置にある。図１１Ａでは、第三の電極１０３と反射素子１０７との間に電位差が印加されていない。反射素子１０７のミラー４７５は、デバイス４００の一部１１３に実質的に平行である実質的平坦形態に順応されている。図１１Ａに示されるように、反射素子１０７に接触しているデバイスの一部１１３は、接触領域４１３を規定している。
【００７６】
図１１Ｂは、第三の電極１０３と反射素子１０７との間に電位差が確立された後の図１１ＡのＭＥＭＳデバイス４００の構成を示している。第三の電極１０３と反射素子１０７との間の静電気力は、反射素子１０７の端部４９０を、一部１１３にほぼ垂直である方向に弾性的に変形させる。反射素子１０７の端部４９０は、もはやデバイスの一部１１３に接触していない。反射素子１０７と一部１１３との間の接触領域４１３が低減される；
したがって、反射素子１０７と一部１１３との間の接着力が低減される。接着力の低減は、一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にし、デバイス４００の動作を容易にする。デバイス４００のある実施形態では、反射素子１０７が、接触していたデバイスの一部１１３から解放された後、
第三の電極１０３と反射素子１０７との間の電位差がゼロに低減される。一部１１３からの解放の後、反射素子１０７の端部４９０が、光学的層４２４を包含する平面に実質的に平行である状態に徐々に戻って、キャビティ４４４がデバイス４００への入射光に対して好適な光干渉を提供する。
【００７７】
ＭＥＭＳデバイスのほかの実施形態では、図１１Ｂに示された変形に加えてまたはその代わりに、ここに説明したような第一の位置にあるあいだ、電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧が、反射素子１０７の弾性的発振、振動、共振またはほかのタイプの変位を引き起こしてよい。これらの運動は、平行方向、垂直方向または両方の組み合わせであってよい。電圧によって引き起こされた運動は、たとえば、反射素子１０７と一部１１３との間の接触領域を低減することによって、接着力またはほかの物理的効果のある程度原因である分子間力の大きさを低減することによって、反射素子１０７と一部１１３との間の接着力を少なくとも部分的に低減することができる。
【００７８】
ある実施形態では、第三の電極１０３は、（たとえば図１０Ａと１０Ｂに示されるように）反射素子１０７に対して実質的に対称的に配置されてよいが、ほかの実施形態では、第三の電極１０３は、（たとえば図８Ａと８Ｂに示されるように）反射素子１０７に対して非対称的に配置されてよい。対称的な位置は、一部１１３にほぼ平行な方向への反射素子１０７の変位を低減することに好都合であるＭＥＭＳデバイスの実施形態に選択されてよい。あるいは、非対称の位置は、平行移動か振動を提供することが好都合である実施形態に選ばれてもよい。第三の電極１０３の対称的または非対称の配置は、さまざまなＭＥＭＳアーキテクチャーに異なる方法で達成することができる。たとえば、第三の電極１０３が一つ以上の支持ポスト（たとえば図１０Ａ〜１０Ｂのポスト３３６ａ，３３６ｂ）の電気伝導部を備えている実施形態では、支持ポストの位置は、反射素子１０７に対して対称的または非対称であるように選択することができる。ほかの実施形態では、支持ポストは対称的に配置することができるが、一つ以上の伝導部を支持ポストの中心軸から離して配置することによって、ポスト内の電気伝導部の位置は非対称にすることができる。
【００７９】
図１１Ａ〜１１Ｂによって概略的に示された実施形態では、支持ポスト４３６ａの電気伝導部はポスト４３６ａの中心軸に実質的に沿って配置されている。伝導部は、ほかの実施形態では、中心軸から離して配置されてもよい。図１１Ａ〜１１Ｂに示されるように、伝導部はポスト４３６ａの全長を実質的に延長する。いくつかの実施形態では、支持ポスト４３６ａの天井端４９２は機械的層４３２を越えて延出している。図１１Ａと１１Ｂに示されたデバイス４００では、第三の電極１０３の伝導部の下端４９４は不伝導層４２８の方へ延出している。下端４９４の位置はほかの実施形態では異なっていてもよい。下端４９４の位置は、異なる量の反射素子１０７の変形を提供するように、反射素子１０７に及ぼされる静電気力の異なる大きさおよび／または方向を提供するように選択されてもよい。
【００８０】
第三の電極１０３は図８Ａ〜１１Ｂに示されたものとは異なった形態であってもよい。たとえば、異なるＭＥＭＳアーキテクチャーでは、第三の電極１０３は、たとえば、支持ポスト、機械的層、ミラーまたはデバイスのほかの部分の一部を有しているＭＥＭＳデバイスの一つ、二つ、三つ、四つまたはそれ以上の電気伝導部を備えていてよい。いくつかの実施形態では、一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にするために使用される静電気力は、電極１０１と１０２と１０３によってもほかの電極によっても提供されてよい。一実施形態では、たとえば、第三の電極１０３は複数の電極を備えており、各電極は反射素子１０７の各サイドの近くに配置されている。これらの電極に電圧を好適に印加することによって、反射素子１０７を多方向に、一部１１３に垂直な第一の方向（図１０Ｂに矢印３８０によって示される）にも、一部１１３に実質的に平行な第二および第三の方向（たとえば図１０Ｂに矢印３８４によって示された第二の方向および図１０Ｂの平面の中へまたは外へ向かっている第三の相互に垂直な方向）にも、発振または振動するようにすることができる。
【００８１】
図１２Ａ〜１２Ｄは、ここに説明したさまざまな実施形態にしたがった反射素子１０７のさまざまな構成の側断面図である。ある実施形態では、反射素子１０７が一つを超える層を備えている。図１２Ａに示された反射素子１０７は、第一の層５１０の上に配置された第二の層５１４を備えている。層は、異なる物質で構成されてよく、また異なる機械的および電気的特性を有していてよい。いくつかの実施形態では、第一の層５１０が光干渉キャビティの高反射部であるように構成されており、第二の層５１４が反射素子１０７に構造剛性を提供するように構成されている。これらの実施形態では、第一の層５１０は、アルミニウムなどの高反射率金属で構成されており、第二の層５１４は、第一の層５１０の少なくとも一部の上に堆積されてよいアルミニウム合金またはニッケルなどの不伝導物質および／または剛性物質で構成されている。ある実施形態では、層の一つ以上の少なくとも一部が電気的に伝導性であってよい。そのような実施形態では、電極１０１と１０２と１０３の一つ以上が、層の電気伝導部の少なくとも一部を備えていてよい。いくつかの実施形態では、第一の層５１０は、第二の層５１４とは異なる厚さを有するように構成されてよい。たとえば、図１２Ａに概略的に示されるように、第一の層５１０は第二の層５１４より薄い。第一の層５１０の少なくとも一部が、弾性的可撓性であるように構成されてよい。たとえば、図１２Ａの反射素子１０７の第一の層５１０の端部５９０が、第二の層５１４に比べて高められた弾性的可撓性を有するように構成されてよい。第一の層５１０の可撓性は、たとえば図１１Ａと１１Ｂに示されたＭＥＭＳデバイス４００などの実施形態に好都合であり、それでは、静電気力が反射層１０７の端部５９０の弾性変形を引き起こす。図１２Ａに示された実施形態では、第一の層５１０の端部５９０の厚さは、第二の層５１４の厚さとほぼ等しい。ほかの実施形態では、異なる層厚が使用されてよい。ある実施形態では、第一の層５１０が第二の層５１４よりも薄い。ほかの実施形態では、少なくとも第一の層５１０の端部５９０が第二の層５１４よりも薄い。たとえば、あるそのようなある実施形態では、端部５９０の厚さが、反射素子１０７の中央部の厚さの約１／３から約１／２までの範囲にある。
【００８２】
いくつかの実施形態では、反射素子１０７の厚さが不均一である。図１２Ｂは、端部５９０が中央部５９１よりも薄く構成された反射素子１０７の側断面図である。上述したように、より薄い端部５９０は、反射素子１０７の弾性変形を容易にし得る。いくつかの実施形態では、中心部５９１から端部５９０への反射素子１０７の先細りが、電極１０１と１０２と１０３に印加される電圧によって励振することが可能である好適な機械的共振周波数を提供するように選択されてよい。ある実施形態では、端部５９０の厚さは、反射素子１０７の中央部の厚さ約１／３から約１／２までの範囲にある。しかしながら、ほかの厚さおよびほかの先細りを使用することも可能である。
【００８３】
図１２Ｃは、一つ以上の延出部５９２が反射素子１０７に配置された反射素子１０７の側断面図である。図１２Ｃに示されるように、延出部５９２は、反射素子１０７の端部５９０にまたはその近くに配置されているが、ほかの実施形態では、延出部５９２はほかの位置に配置されてもよい。いくつかの実施形態では、延出部５９２は電気的に伝導性であり、延出部５９２とＭＥＭＳデバイスのほかの部分（たとえば第一および第二の電極１０１，１０２）との間に電圧差が印加されたときにＭＥＭＳデバイスのほかの部分に増大した静電引力を提供し得る。いくつかの実施形態では、反射素子１０７の上側表面の上方の延出部５９２の高さは、反射素子１０７の中央部の厚さの約１／３から約１／２までの範囲にあるが、ほかの高さが使用されてもよい。
【００８４】
図１２Ｄは、二つの層５１０と５１４と延出部５９２とを備えている反射素子１０７の側断面図である。この実施形態では、延出部５９２は第一の層５１０の上に配置されているが、それらはほかの実施形態では第二の層５１４に配置されてもよい。層５１０と５１４の厚さと延出部５９２の高さは、接着力を少なくとも部分的に低減することを支援する好適な電気的および／または構造的特性を提供するように選択することができる。
【００８５】
図１２Ａ〜１２Ｄに示された構成と配置は、限定であるようには意図されていない。反射素子１０７のほかの実施形態は、図１２Ａ〜１２Ｄに示された特徴の一つ以上を組み合わせてもよいし、異なるように構成されてもよい。多くの変更が可能である。
【００８６】
ここに述べた原理にしたがって動作する光干渉変調器の構造の詳細は広く変更してもよい。たとえば、図１３Ａ〜１３Ｃは、弛緩状態にあるＭＥＭＳデバイスの三つの異なる実施形態を示している。図１３Ａは、基板層６２０上に製造された、光学的層６２４と不伝導層６２８と機械的層６３２とを備えているＭＥＭＳデバイス６００ａを示している。基板層６２０、光学的層６２４と不伝導層６２８は、図８Ａと８Ｂを参照しながら説明したＭＥＭＳデバイス１００のそれぞれの層１２０と１２４と１２８とほぼ同じ特性および特徴を有している。機械的層６３２は一つ以上の支持ポスト６３６ａと６３６ｂを備えており、特に述べる点を除いては、機械的層１３２（図８Ａと８Ｂ）とほぼ同じ特性を有している。
【００８７】
図１３Ａに示された実施形態では、反射素子１０７は、機械的層６３２と不伝導層６２８にほぼ平行に間隔を置いて配置されたミラー６７５を備えている。反射素子１０７は、ミラー６７５を機械的層６３２に機械的に接続している支持体接続６７７を備えている。図１３Ａに示された実施形態では、ミラー６７５と支持体接続６７７は、たとえばアルミニウム、ニッケル、インジウムスズ酸化物またはモリブデンなどの電気伝導物質で構成されている。機械的層６３２の一部６７９は電気不伝導物質で構成されており、ミラー６７５と機械的層６３２の間の電気的絶縁を提供するように構成されている。この実施形態では、ミラー６７５は、機械的層６３２に機械的に接続されているが、電気的に絶縁されている。
【００８８】
ＭＥＭＳデバイスのこの実施形態では、反射素子１０７のミラー６７５は電気的に伝導性かつ高反射性であり、たとえばアルミニウムなどの高伝導性反射性金属から製造されてよい。この実施形態では、機械的層６３２の下側表面６４８は反射性であるように構成されていない。光学的層６２４は第一の電極１０１を備えている。支持構造１０５は機械的層６３２と支持ポスト６３６ａと６３６ｂとを備えている。機械的層６３２は第二の電極１０２を備えている。図１３Ａに示されるように、デバイス６００の第三の電極１０３は支持ポスト６３６ａ，６３６ｂの電気伝導部を備えている。
【００８９】
図１３Ａ〜１３Ｄに示されたＭＥＭＳデバイスのある実施形態では、ミラー６７５は電気的に伝導性であり、三つの電極１０１と１０２と１０３に依存しない電圧または電流源に連結されている。これらの実施形態では、異なる電圧が光学的層６２４と機械的層６３２とミラー６７５とに印加されて、ミラー面（たとえば反射素子１０７）の動作がこれらの印加電圧と調整可能な関係を有する調整可能な光干渉キャビティ６４４を提供する。調整可能なＭＥＭＳアーキテクチャーに関するさらなる詳細は、２００５年６月３日に提出された「ＡＮＡＬＯＧ ＩＮＴＥＲＦＥＲＯＭＥＴＲＩＣ ＭＯＤＵＬＡＴＯＲ ＤＥＶＩＣＥ」と題する米国特許出願１１／１４４，５４６号に提供されており、それは参照によってその全体がここに組み込まれる。
【００９０】
電極１０１と１０２と１０３に電圧を印加することによって、ＭＥＭＳデバイス６００ａは、第一の位置にあるときの反射素子１０７とデバイスの一部１１３との間の接着力を少なくとも部分的に低減または相殺することができる。電圧は、デバイス６００ａに中へ実質的に印加されてもよい、接着力の部分的低減を少なくとも達成して一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にするようにＭＥＭＳデバイス１００と２００と３００と４００に関してここに説明したのと実質的に同じ手法によって印加されてよい。
【００９１】
図１３Ｂは、後述する点を除いては図１３Ａに示されたデバイス６００ａとほぼ同様のＭＥＭＳデバイス６００ｂの別の実施形態の側断面図である。この実施形態では、反射素子１０７が、第二の電極１０２の方へ延出している一つ以上の延出部６９２を備えている。延出部６９２はミラー６７５の上側表面に配置されてよい。いくつかの実施形態では、ミラー６７５の形は、図１２Ｃと１２Ｄに示した形状とほぼ同様である。延出部６９２は第二の電極１０２（たとえば機械的層６３２）の方へ突出している。延出部６９２が第二の電極１０２に接近しているので、第二の電極１０２によって延出部６９２に及ぼされる静電気力がミラー６７５のほかの部分よりも大きく、第一の位置にあるときの反射素子１０７の解放を容易にし得る。
【００９２】
図１３Ｃは、後述する点を除いては図１３Ａと１３Ｂに示されたデバイス６００ａと６００ｂとほぼ同様のＭＥＭＳデバイス６００ｃの別の実施形態の側断面図である。この実施形態では、第二の電極１０２が、反射素子１０７の方へ延出している一つ以上の延出部６９３を有するように構成されてよい。ある実施形態では、延出部６９３は機械的層６３２の表面６４８に配置されている。第二の電極１０２の延出部６９３が反射素子１０７に接近しているので、第二の電極１０２によって反射素子１０７に及ぼされる静電気力がより大きく、第一の位置にあるときの反射素子１０７の解放を容易にし得る。いくつかの実施形態では、第二の電極１０２と反射素子１０７の両方がそれぞれ延出部６９３と６９２を備えるように構成されている。
【００９３】
図１３Ｂと１３Ｃに示されたデバイス６００ｂと６００ｃのいくつかの実施形態では、延出部６９２および／または６９３が、たとえば機械的層６３２の表面６４８などのデバイス６００ｂ，６００ｃのほかの部分との接触からそれらを電気的に絶縁するように不伝導物質で被覆されている。
【００９４】
図１３Ｄは、後述する点を除いては図１３Ａ〜１３Ｃに示されたデバイス６００ａと６００ｂと６００ｃとほぼ同様のＭＥＭＳデバイス６００ｄの別の実施形態の側断面図である。デバイス６００ｄでは、第三の電極１０３は、機械的層６３２の表面６４８に配置された延出部を備えている。第三の電極１０３は、たとえば、第三の電極１０３と第二の電極１０２との間に不伝導物質の薄い層を設けることによって、第二の電極１０２（たとえば機械的層６３２）から電気的に絶縁されている。これらの実施形態では、第三の電極１０３は、反射素子１０７により接近して突出しており、それは、第三の電極１０３によって反射素子１０７に及ぼされる静電気力を増大させ、反射素子１０７が第一の位置にあるときの一部１１３からの反射素子１０７の解放を容易にし得る。
【００９５】
図１４は、駆動すなわち動作状態に示されたＭＥＭＳデバイス７００の別の実施形態の側断面を示している。ＭＥＭＳデバイス７００は基板層７２０上に製造されており、光学的層７２４と不伝導層７２８と機械的層７３２とを備えている。基板層７２０と光学的層７２４と不伝導層７２８は、図８Ａと８Ｂを参照しながら説明したＭＥＭＳデバイス１００のそれぞれの層１２０と１２４と１２８とほぼ同じ特性と特徴を有している。機械的層７３２は一つ以上の支持ポスト７３６ａと７３６ｂを備えており、特に述べる点を除いては、機械的層１３２とほぼ同じ特性を有している。
【００９６】
図１４に示された実施形態では、たとえば、機械的層７３２の下側表面７４８の一部を高反射にすることによって、反射素子１０７が機械的層７３２の反射部で構成されている。この実施形態では、第一の電極１０１は光学的層７２４を備えている。支持構造１０５は機械的層７３２と支持ポスト７３６ａと７３６ｂとを備えている。いくつかの実施形態では、機械的層７３２の少なくとも一部が電気的に伝導性であり、ＭＥＭＳデバイス７００の第二の電極を備えている。ある実施形態では、支持ポスト７３６ａと７３６ｂの一部は電気的に不伝導性であり、機械的層７３２の一部をデバイス７００のほかの部分（たとえば光学的層７２４）から絶縁している。
【００９７】
図１４に示されたＭＥＭＳデバイス７００は、支持ポスト７３６ａと７３６ｂの上方に配置され、かつ電気不伝導性領域７５８ａと７５８ｂによってデバイス７００のほかの部分から電気的に絶縁された電極７５６ａと７５６ｂを備えている。いくつかの実施形態では、電気不伝導性領域７５８ａ，７５８ｂは、たとえば不伝導性膜などの不伝導物質で構成されている。図１４に示された実施形態では、第三の電極１０３は電極７５６ａと７５６ｂを備えている。ほかの実施形態の電極７５６ａと７５６ｂは、図１４に示されたものとは異なる形状とサイズを有することができる。たとえば、電極７５６ａと７５６ｂは、いくつかの実施形態に比較的短くてよい。必要でないが、電極７５６ａと７５６ｂのおのおのの少なくとも一部が反射素子１０７の少なくとも一部の上方に配置されていると好ましい。
【００９８】
図１４は、反射素子１０７がデバイス７００の一部１１３に接触している反射素子１０７が第一の位置（動作すなわち駆動状態）にあるときのＭＥＭＳデバイス７００を概略的に示している。さらに上述したように、反射素子１０７は、一部１１３に接触していない第二の位置（非動作すなわち弛緩状態）へ移動することができる。たとえば、機械的層７３２は、第一および第二の位置間に移動することができる金属（たとえばアルミニウム）などの機械的に変形可能な物質から製造されてよい。デバイス７００が駆動状態にあるとき、機械的層７３２は変形され、曲げ領域７６０ａと７６０ｂを備え、それらはそれぞれ一部１１３と支持ポスト７３６ａと７３６ｂとの間に配置される。ある実施形態では、（駆動状態にある）反射素子１０７もまた変形され、曲げる領域７６０ａと７６０ｂをも備えている。
【００９９】
デバイス７００のいくつかの実施形態では、反射素子１０７が第一の位置にあるとき、電極７５６ａと７５６ｂの少なくとも一部が反射素子１０７より高く配置される。ある実施形態では、電極７５６ａと７５６ｂのおのおのの少なくとも一部が支持ポスト７３６ａと７３６ｂから突出して離れており、それらの部分は、反射素子１０７が第一の位置（図１４）にあるとき、反射素子１０７の少なくとも一部の上方（たとえば、それよりも高く）に配置される。ある好ましい実施形態では、電極７５６ａと７５６ｂは、電極７５６ａと７５６ｂの少なくとも一部が曲げ領域７６０ａと７６０ｂの少なくとも一部のまさに上方にそれぞれ配置されるように構成されている。
【０１００】
ＭＥＭＳデバイス７００のいくつかの実施形態では、反射素子１０７にかかる正味の静電気力が第一の位置の反射素子１０７にかかる接着力を少なくとも部分的に低減または相殺するように、電極１０１と１０２と１０３に電圧が印加される。さらに上述したように、電圧は、さまざまな範囲の大きさと周波数を有していてよく、また、変位、発振および／または振動を生じさせて、第一の位置から第二の位置へ反射素子１０７を移動させるのを支援するように印加されてよい。ある実施形態では、電圧差は、第三の電極１０３（たとえば電極７５６ａ，７５６ｂ）と第二の電極１０２（たとえば機械的層７３２の電気伝導部）との間に印加される。電圧差は、さまざまな範囲の大きさと周波数を有することが可能であり、一つ以上の比較的短い持続時間インパルスで構成することができる。さまざまな実施形態では、第三の電極１０３は、ディスプレイアレイ３０のをアレイドライバー２２（図２を参照）に導くトレースまたは線によって一つ以上の電源に電気的に接続されている。デバイス７００の一実施形態では、アレイドライバー２２は、行および列ドライバー回路２４および２６とほぼ同様のドライバー回路を使用して、好適な電気的信号を第三の電極１０３に通信してよい。
【０１０１】
第二および第三の電極１０２および１０３の間に印加された電圧差は、矢印７６４ａと７６４ｂによって示された正味の静電気力を反射素子１０７に作用させる。ある好ましい実施形態では、正味の静電気力７６４ａと７６４ｂが曲げ領域７６０ａと７６０ｂにおいて反射素子１０７を一部１１３から引き離そうとする合理的に大きい垂直成分を有するように、電極７５６ａと７５６ｂの一部が曲げ領域７６０ａと７６０ｂの少なくとも一部のまさに上方に突出している。そのような実施形態では、静電気力７６４ａと７６４ｂが接着力を少なくとも部分的に低減または相殺し得、そして、反射素子１０７を第一の位置から第二の位置に移動させるのを支援し得る。任意の特定の理論を明言することなく、曲げ領域７６０ａにかかる正味の静電気力７６４ａは、反射素子１０７と一部１１３との間の接触境界面の端の割れ目を開かせ得る。割れ目は接触境界面を横切って伝搬し得、反射素子１０７が一部１１３からはがれて、第一の位置から第二の位置に移動するのを支援する。曲げ領域７６０ｂにかかる正味の静電気力７６４ｂは同様の仕方で作用し得、ある実施形態では割れ目は接触境界面の両端において開いて広がり、境界面を横切って伝搬し得る。反射素子１０７にかかる接着力を低減または相殺するために少なくとも二つの電極７５６ａと７５６ｂが使用されることが好ましいけれども、ほかの実施形態では、異なる構成や配置や個数（たとえば一つ）の電極が、たとえば、割れ目を開き始め、反射素子１０７の解放を容易にするために使用することが可能である。
【０１０２】
ＭＥＭＳデバイス７００の実施形態はある利点を提供することができる。たとえば、駆動から非駆動状態への解放を容易にするために必要な曲げ領域７６０ａ，７６０ｂにおける静電気力７６４ａ，７６４ｂの大きさは一般的に、力が反射素子１０７の中央領域にかけられる場合よりもはるかに小さい。したがって、（たとえば第二および第三の電極１０２および１０３間の）より小さな電圧差をデバイス７００に印加することができる。さらに、いくつかの実施形態では、電極７５６ａと７５６ｂは、機械的層７３２の静電気不安定と不伝導層７２８上への崩壊を低減する。それらは、いくつかの閉鎖ギャップデバイスの問題でありえる。さらに、ある実施形態では、駆動状態から非駆動状態への反射素子１０７の動作を容易にするために、デバイス７００の一般的な解放時間よりも短い持続時間を有する電圧インパルスを使用することができる。
【０１０３】
ここに示したＭＥＭＳデバイスは、たとえば先に組み込んだ米国特許出願１１／１４４，５４６号において説明されているような選択的な堆積とエッチングなどの好適なマイクロマシーニングプロセスを使用して製造され得る。たとえば、図８Ａに示されたデバイス１００などのＭＥＭＳデバイスのある実施形態は、透明または半透明の基板１２０上に部分的反射性かつ電気伝導層を堆積して光学的層１２４を設けることによって製造され得る。光学的層１２４の上に不伝導層１２８が堆積される。次に、不伝導層１２８の上に（図８Ａに図示しない）犠牲層が堆積される。不伝導層１２８を露出させる複数の穴を形成するために犠牲層が選択的にエッチングされる。穴は、支持ポスト１３６ａと１３６ｂを形成するために、たとえば酸化アルミニウムなどの不伝導物質で充てんされる。ほかの好適な不伝導物質は、ポリマーおよびほかの有機または無機化合物を含んでいる。
【０１０４】
たとえばアルミニウムなどの伝導性かつ反射性物質が、機械的層１３２を形成するために、支持ポスト１３６ａ，１３６ｂと犠牲層との上に堆積される。第三の電極１０３の電気伝導部を形成するため、ある実施形態では支持ポスト１３６ａの上に開口を形成するために機械的層１３２が選択的にエッチングされる。穴を形成するために支持ポスト１３６ａの一部が選択的にエッチングされる。穴はいくつかの実施形態では不伝導層１２８まで延びていてもよい。穴は、第三の電極１０３の電気伝導部を形成するために、たとえばアルミニウム、ニッケル、インジウムスズ酸化物またはモリブデンなどの伝導物質で充てんされる。
【０１０５】
その後、犠牲層にエッチング液が与えられ、犠牲層と反応して除去する。その結果、犠牲物質で充てんされた空間は光干渉キャビティ１４４になり、図８ＡのＭＥＭＳデバイス１００が形成される。ＭＥＭＳデバイス製造の分野では知られているように、追加または別の処理ステップと物質が、ここに示した実施形態にしたがったＭＥＭＳデバイスを製造するために使用されてもよい。
【０１０６】
ある好ましい実施形態と例を上に説明したけれども、発明主題は、具体的に示した実施形態を超えてほかの代替実施形態および／または発明の使用および明白な変更およびそれらの等価物にまで及ぶことが理解される。ここに示した本発明の要旨は具体的に示した実施形態によって限定されるべきものではないことが意図されている。したがって、たとえば、ここに示したあらゆる方法またはプロセスにおいて、方法／プロセスを構築する作用または動作は、任意の好適なシーケンスで行なわれてよく、特定の示したシーケンスに必ずしも限定されない。実施形態のさまざまな観点と利点が、ここに適切に説明された。そのような観点または利点のすべてが、任意の特定の実施形態にしたがって必ずしも達成され得るものではないことを理解すべきである。したがって、たとえば、ここに教示された一つの利点または一群の利点を達成または最適化するが、ここに教示または示唆されたほかの観点または利点を必ずしも達成しない手法で、さまざまな実施形態が実行されてもよいことを認識すべきである。
【０１０７】
適当な分野の当業者は、本発明の好適な結果を達成しながら、ここに説明した本発明を修正し得ると理解されるべきである。したがって、先の説明は、適当な分野の当業者に向けた広い教示開示であって、本発明を限定するようなものでないと理解されるべきである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の電極と、
前記第一の電極から電気的に絶縁された第二の電極と、
前記第一の電極と前記第二の電極とから電気的に絶縁された第三の電極と、
前記第一の電極を前記第二の電極から分離する支持構造と、
第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能な反射素子であって、前記第一の位置にあるときには前記デバイスの一部に接触しており、前記第二の位置にあるときには前記デバイスの前記一部に接触していない前記反射素子とを備え、
前記反射素子が前記第一の位置にあるとき、前記反射素子と前記一部との間に接着力が生成され、前記第一の電極と前記第二の電極と前記第三の電極とに印加された電圧が前記接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２】
前記第三の電極が、前記反射素子の伝導部を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３】
前記第三の電極が、前記支持構造の伝導部を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項４】
前記反射素子が第一の位置にあるとき、前記第三の電極の少なくとも一部が前記反射素子よりも高い、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項５】
前記反射素子が第一の位置にあるとき、前記第三の電極の少なくとも一部が前記反射素子の少なくとも一部のまさに上方にある、請求項４のＭＥＭＳデバイス。
【請求項６】
前記第三の電極が前記支持構造によって支持されている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項７】
前記支持構造が一つ以上のポストを備えており、前記第三の電極が前記ポストの少なくとも一つの伝導部を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項８】
前記支持構造が複数のポストを備えており、各ポストが伝導部を有しており、前記第三の電極が前記伝導部を備えている、請求項７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項９】
前記複数のポストが、前記反射素子に対して実質的に対称的に位置している、請求項８のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１０】
前記反射素子が、第一の層と、前記第一の層をおおう第二の層とを備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１１】
前記第一の層が、前記第二の層よりも可撓性である、請求項１０のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１２】
前記第一の層が前記第二の層よりも薄い、請求項１０のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１３】
前記第二の層が、前記第一の層の中央部をおおっており、前記第一の層の一つ以上のエッジ部をおおっていない、請求項１０のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１４】
前記第一の層と前記第二の層との少なくとも一つが伝導性である、請求項１０のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１５】
前記反射素子が、中心部よりも薄い端部を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１６】
前記反射素子の少なくとも一部が伝導性である、請求項１５のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１７】
前記反射素子が、前記反射素子の上側表面の上方にあり前記第二の電極の方へ延出している延出部を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１８】
前記一つ以上の延出部は、前記反射素子の一つ以上のエッジ部の上または近くにあり、前記反射素子の上側表面からの高さが前記反射素子の中央部の厚さの約１／２ないし約１／３である、請求項１７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１９】
前記第二の電極が、前記反射素子の方へ延出している１つ一つ以上の部分を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２０】
前記第三の電極が、前記反射素子の方へ延出している一つ以上の部分を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２１】
ディスプレイと、
前記ディスプレイと通信するように構成されたプロセッサーであって、画像データを処理するように構成された前記プロセッサーと、
前記プロセッサーと通信するように構成されたメモリーデバイスとをさらに備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２２】
前記ディスプレイに少なくとも一つの信号を送るように構成されたドライバー回路をさらに備えている、請求項２１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２３】
前記ドライバー回路に前記画像データの少なくとも一部を送るように構成されたコントローラーをさらに備えていること、請求項２２のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２４】
前記プロセッサーに前記画像データを送るように構成された像源モジュールをさらに備えていること、請求項２１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２５】
前記像源モジュールがレシーバーとトランシーバーとトランスミッターとの少なくとも一つを備えている、請求項２４のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２６】
入力データを受け取り、前記入力データを前記プロセッサーに通信するように構成された入力デバイスをさらに備えている、請求項２１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２７】
電気を伝導するための第一の手段と、
電気を伝導するための第二の手段であって、前記第一の伝導手段から電気的に絶縁された前記第二の伝導手段と、
電気を伝導するための第三の手段であって、第一の伝導手段と第二の伝導手段とから電気的に絶縁された前記第三の伝導手段と、
前記第一の伝導手段を前記第二の伝導手段から分離するための手段と、
光を反射するための手段であって、第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能な前記反射手段であって、前記第一の位置にあるときには前記デバイスの一部に接触しており、前記第二の位置にあるときには前記デバイスの前記一部に接触していない前記反射手段とを備え、
前記反射手段が前記第一の位置にあるとき、前記反射手段と前記一部との間に接着力が生成され、前記反射手段が前記第一の位置にあるあいだ、前記第一の伝導手段と前記第二の伝導手段と前記第三の伝導手段とに印加された電圧が前記接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２８】
前記第一の伝導手段が電極を備えている、請求項２７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２９】
前記第二の伝導手段が電極を備えている、請求項２７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３０】
前記第三の伝導手段が電極を備えている、請求項２７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３１】
前記反射手段が第一の位置にあるとき、前記電極の少なくとも一部が前記反射手段よりも高い、請求項３０のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３２】
前記反射手段が第一の位置にあるとき、前記電極の少なくとも一部が前記反射手段の少なくとも一部のまさに上方にある、請求項３１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３３】
前記電極が前記分離手段によって支持されている、請求項３０のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３４】
前記分離手段が機械的層と一つ以上の支持ポストとを備えている、請求項２７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３５】
前記反射手段が、前記第一の伝導手段と前記第二の伝導手段との間に配置された反射素子を備えている、請求項２７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３６】
第一の電極と、
前記第一の電極から電気的に絶縁された第二の電極と、
前記第一の電極と前記第二の電極とから電気的に絶縁された第三の電極と、
前記第一の電極を前記第二の電極から分離する支持構造と、
第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能な反射素子であって、前記第一の位置にあるときには前記デバイスの一部に接触しており、前記第二の位置にあるときには前記デバイスの前記一部に接触していない前記反射素子とを備え、前記反射素子が前記第一の位置にあるとき、前記反射素子と前記一部との間に接着力が生成されるＭＥＭＳデバイスを準備し、
第一の電極と第二の電極と第三の電極とに電圧を印加して接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを操作する方法。
【請求項３７】
前記電圧が約１０ボルトと約５０ボルトとの間の大きさを有している、請求項３６の方法。
【請求項３８】
前記第一の電極と前記第二の電極と前記第三の電極とに印加された電圧は前記反射素子の一部が弾性変形を受けるようにする、請求項３６の方法。
【請求項３９】
前記第一の電極と前記第二の電極と前記第三の電極とに印加された前記電圧の少なくとも一つが、周波数を有する時変電圧を備えている、請求項３６の方法。
【請求項４０】
前記周波数が約１００Ｈｚから約５０ＭＨｚまでの範囲にある、請求項３９の方法。
【請求項４１】
前記周波数が前記反射素子の機械的共振周波数と実質的に等しい、請求項３９の方法。
【請求項４２】
前記時変電圧は前記反射素子の一部が弾性振動を受けるようにする、請求項３９の方法。
【請求項４３】
前記周波数が、前記弾性振動の増大した振幅を提供するように選択されている、請求項４２の方法。
【請求項４４】
前記反射素子を弾性的に変形することによって前記第一の位置にあるとき、前記第一の電極と前記第二の電極と前記第三の電極とに印加された前記電圧が、前記デバイスの前記一部に接触している前記反射素子の領域を減少させる、請求項３６の方法。
【請求項４５】
前記第一の電極と前記第二の電極と前記第三の電極とに印加された前記電圧の少なくとも一つが、前記反射素子にインパルスを与える時変電圧を備えている、請求項３６の方法。
【請求項４６】
基板上に第一の反射層を形成し、
前記第一の反射層の上の犠牲層の形成し、
前記犠牲層の一部を除去して開口を形成し、
前記開口に不伝導物質を充てんしてポストを形成し、
前記犠牲層の上に第二の反射層を形成し、
前記第二の反射層の一部と前記ポストの一部とを除去して穴を形成し、
前記穴に伝導物質を充てんして電極を形成し、
犠牲層を除去して、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造する方法。
【請求項４７】
前記第二の反射層は、第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能であり、前記第二の反射層は、前記第一の位置にあるときには前記デバイスの一部に接触しており、前記第二の位置にあるときには前記デバイスの前記一部に接触しておらず、前記第二の反射層が前記第一の位置にあるとき、前記電極の少なくとも一部が前記第二の反射層よりも高い、請求項４６の方法。
【請求項４８】
前記第二の反射層が第一の位置にあるとき、前記電極の少なくとも一部が前記第二の反射層の少なくとも一部のまさに上方にある、請求項４７の方法。
【請求項４９】
前記電極が前記ポストによって少なくとも部分的に支持されている、請求項４６の方法。
【請求項５０】
請求項４６の方法で製造されたＭＥＭＳデバイス。
【請求項１】
第一の電極と、
前記第一の電極から電気的に絶縁された第二の電極と、
前記第一の電極と前記第二の電極とから電気的に絶縁された第三の電極と、
前記第一の電極を前記第二の電極から分離する支持構造と、
第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能な反射素子であって、前記第一の位置にあるときには前記デバイスの一部に接触しており、前記第二の位置にあるときには前記デバイスの前記一部に接触していない前記反射素子とを備え、
前記反射素子が前記第一の位置にあるとき、前記反射素子と前記一部との間に接着力が生成され、前記第一の電極と前記第二の電極と前記第三の電極とに印加された電圧が前記接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２】
前記第三の電極が、前記反射素子の伝導部を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３】
前記第三の電極が、前記支持構造の伝導部を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項４】
前記反射素子が第一の位置にあるとき、前記第三の電極の少なくとも一部が前記反射素子よりも高い、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項５】
前記反射素子が第一の位置にあるとき、前記第三の電極の少なくとも一部が前記反射素子の少なくとも一部のまさに上方にある、請求項４のＭＥＭＳデバイス。
【請求項６】
前記第三の電極が前記支持構造によって支持されている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項７】
前記支持構造が一つ以上のポストを備えており、前記第三の電極が前記ポストの少なくとも一つの伝導部を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項８】
前記支持構造が複数のポストを備えており、各ポストが伝導部を有しており、前記第三の電極が前記伝導部を備えている、請求項７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項９】
前記複数のポストが、前記反射素子に対して実質的に対称的に位置している、請求項８のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１０】
前記反射素子が、第一の層と、前記第一の層をおおう第二の層とを備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１１】
前記第一の層が、前記第二の層よりも可撓性である、請求項１０のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１２】
前記第一の層が前記第二の層よりも薄い、請求項１０のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１３】
前記第二の層が、前記第一の層の中央部をおおっており、前記第一の層の一つ以上のエッジ部をおおっていない、請求項１０のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１４】
前記第一の層と前記第二の層との少なくとも一つが伝導性である、請求項１０のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１５】
前記反射素子が、中心部よりも薄い端部を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１６】
前記反射素子の少なくとも一部が伝導性である、請求項１５のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１７】
前記反射素子が、前記反射素子の上側表面の上方にあり前記第二の電極の方へ延出している延出部を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１８】
前記一つ以上の延出部は、前記反射素子の一つ以上のエッジ部の上または近くにあり、前記反射素子の上側表面からの高さが前記反射素子の中央部の厚さの約１／２ないし約１／３である、請求項１７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１９】
前記第二の電極が、前記反射素子の方へ延出している１つ一つ以上の部分を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２０】
前記第三の電極が、前記反射素子の方へ延出している一つ以上の部分を備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２１】
ディスプレイと、
前記ディスプレイと通信するように構成されたプロセッサーであって、画像データを処理するように構成された前記プロセッサーと、
前記プロセッサーと通信するように構成されたメモリーデバイスとをさらに備えている、請求項１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２２】
前記ディスプレイに少なくとも一つの信号を送るように構成されたドライバー回路をさらに備えている、請求項２１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２３】
前記ドライバー回路に前記画像データの少なくとも一部を送るように構成されたコントローラーをさらに備えていること、請求項２２のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２４】
前記プロセッサーに前記画像データを送るように構成された像源モジュールをさらに備えていること、請求項２１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２５】
前記像源モジュールがレシーバーとトランシーバーとトランスミッターとの少なくとも一つを備えている、請求項２４のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２６】
入力データを受け取り、前記入力データを前記プロセッサーに通信するように構成された入力デバイスをさらに備えている、請求項２１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２７】
電気を伝導するための第一の手段と、
電気を伝導するための第二の手段であって、前記第一の伝導手段から電気的に絶縁された前記第二の伝導手段と、
電気を伝導するための第三の手段であって、第一の伝導手段と第二の伝導手段とから電気的に絶縁された前記第三の伝導手段と、
前記第一の伝導手段を前記第二の伝導手段から分離するための手段と、
光を反射するための手段であって、第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能な前記反射手段であって、前記第一の位置にあるときには前記デバイスの一部に接触しており、前記第二の位置にあるときには前記デバイスの前記一部に接触していない前記反射手段とを備え、
前記反射手段が前記第一の位置にあるとき、前記反射手段と前記一部との間に接着力が生成され、前記反射手段が前記第一の位置にあるあいだ、前記第一の伝導手段と前記第二の伝導手段と前記第三の伝導手段とに印加された電圧が前記接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２８】
前記第一の伝導手段が電極を備えている、請求項２７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２９】
前記第二の伝導手段が電極を備えている、請求項２７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３０】
前記第三の伝導手段が電極を備えている、請求項２７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３１】
前記反射手段が第一の位置にあるとき、前記電極の少なくとも一部が前記反射手段よりも高い、請求項３０のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３２】
前記反射手段が第一の位置にあるとき、前記電極の少なくとも一部が前記反射手段の少なくとも一部のまさに上方にある、請求項３１のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３３】
前記電極が前記分離手段によって支持されている、請求項３０のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３４】
前記分離手段が機械的層と一つ以上の支持ポストとを備えている、請求項２７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３５】
前記反射手段が、前記第一の伝導手段と前記第二の伝導手段との間に配置された反射素子を備えている、請求項２７のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３６】
第一の電極と、
前記第一の電極から電気的に絶縁された第二の電極と、
前記第一の電極と前記第二の電極とから電気的に絶縁された第三の電極と、
前記第一の電極を前記第二の電極から分離する支持構造と、
第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能な反射素子であって、前記第一の位置にあるときには前記デバイスの一部に接触しており、前記第二の位置にあるときには前記デバイスの前記一部に接触していない前記反射素子とを備え、前記反射素子が前記第一の位置にあるとき、前記反射素子と前記一部との間に接着力が生成されるＭＥＭＳデバイスを準備し、
第一の電極と第二の電極と第三の電極とに電圧を印加して接着力を少なくとも部分的に低減または相殺する、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを操作する方法。
【請求項３７】
前記電圧が約１０ボルトと約５０ボルトとの間の大きさを有している、請求項３６の方法。
【請求項３８】
前記第一の電極と前記第二の電極と前記第三の電極とに印加された電圧は前記反射素子の一部が弾性変形を受けるようにする、請求項３６の方法。
【請求項３９】
前記第一の電極と前記第二の電極と前記第三の電極とに印加された前記電圧の少なくとも一つが、周波数を有する時変電圧を備えている、請求項３６の方法。
【請求項４０】
前記周波数が約１００Ｈｚから約５０ＭＨｚまでの範囲にある、請求項３９の方法。
【請求項４１】
前記周波数が前記反射素子の機械的共振周波数と実質的に等しい、請求項３９の方法。
【請求項４２】
前記時変電圧は前記反射素子の一部が弾性振動を受けるようにする、請求項３９の方法。
【請求項４３】
前記周波数が、前記弾性振動の増大した振幅を提供するように選択されている、請求項４２の方法。
【請求項４４】
前記反射素子を弾性的に変形することによって前記第一の位置にあるとき、前記第一の電極と前記第二の電極と前記第三の電極とに印加された前記電圧が、前記デバイスの前記一部に接触している前記反射素子の領域を減少させる、請求項３６の方法。
【請求項４５】
前記第一の電極と前記第二の電極と前記第三の電極とに印加された前記電圧の少なくとも一つが、前記反射素子にインパルスを与える時変電圧を備えている、請求項３６の方法。
【請求項４６】
基板上に第一の反射層を形成し、
前記第一の反射層の上の犠牲層の形成し、
前記犠牲層の一部を除去して開口を形成し、
前記開口に不伝導物質を充てんしてポストを形成し、
前記犠牲層の上に第二の反射層を形成し、
前記第二の反射層の一部と前記ポストの一部とを除去して穴を形成し、
前記穴に伝導物質を充てんして電極を形成し、
犠牲層を除去して、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造する方法。
【請求項４７】
前記第二の反射層は、第一の位置と第二の位置との間に配置され移動可能であり、前記第二の反射層は、前記第一の位置にあるときには前記デバイスの一部に接触しており、前記第二の位置にあるときには前記デバイスの前記一部に接触しておらず、前記第二の反射層が前記第一の位置にあるとき、前記電極の少なくとも一部が前記第二の反射層よりも高い、請求項４６の方法。
【請求項４８】
前記第二の反射層が第一の位置にあるとき、前記電極の少なくとも一部が前記第二の反射層の少なくとも一部のまさに上方にある、請求項４７の方法。
【請求項４９】
前記電極が前記ポストによって少なくとも部分的に支持されている、請求項４６の方法。
【請求項５０】
請求項４６の方法で製造されたＭＥＭＳデバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１２Ｄ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１３Ｃ】
【図１３Ｄ】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１２Ｄ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１３Ｃ】
【図１３Ｄ】
【図１４】
【公開番号】特開２０１１−２０９７５１（Ｐ２０１１−２０９７５１Ａ）
【公開日】平成２３年１０月２０日（２０１１．１０．２０）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１１−１３８３２７（Ｐ２０１１−１３８３２７）
【出願日】平成２３年６月２２日（２０１１．６．２２）
【分割の表示】特願２００９−５１３１８４（Ｐ２００９−５１３１８４）の分割
【原出願日】平成１９年５月２２日（２００７．５．２２）
【出願人】（５０６１０９８５６）クゥアルコム・メムス・テクノロジーズ・インコーポレイテッド (27)
【氏名又は名称原語表記】ＱＵＡＬＣＯＭＭ ＭＥＭＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ．
【住所又は居所原語表記】５７７５ Ｍｏｒｅｈｏｕｓｅ Ｄｒｉｖｅ， Ｓａｎ Ｄｉｅｇｏ， ＣＡ ９２１２１−１７１４，Ｕ．Ｓ．Ａ．
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月２０日（２０１１．１０．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３８３２７（Ｐ２０１１−１３８３２７）
【出願日】平成２３年６月２２日（２０１１．６．２２）
【分割の表示】特願２００９−５１３１８４（Ｐ２００９−５１３１８４）の分割
【原出願日】平成１９年５月２２日（２００７．５．２２）
【出願人】（５０６１０９８５６）クゥアルコム・メムス・テクノロジーズ・インコーポレイテッド (27)
【氏名又は名称原語表記】ＱＵＡＬＣＯＭＭ ＭＥＭＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ．
【住所又は居所原語表記】５７７５ Ｍｏｒｅｈｏｕｓｅ Ｄｒｉｖｅ， Ｓａｎ Ｄｉｅｇｏ， ＣＡ ９２１２１−１７１４，Ｕ．Ｓ．Ａ．
【Ｆターム（参考）】
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