【課題】比較的簡単な方法で、電子デバイスを構成する部材間の接合強度をより高めることが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体２と、半導体基体２を実装する基体１と、半導体基体２を基体１側に接合する接合部３とを備えた電子デバイス１０の製造方法であって、接合部３がＡｕを含む接合材料からなり、半導体基体２の接合部３側が接合材料を構成する元素以外から構成される母材材料からなり、基体１に設けた接合部３を溶融する温度以上に加熱して液相状態にした接合材料と固相状態の母材材料とを接触させる接触工程と、接触工程後に、Ａｕと母材材料を構成する元素との合金の融点の温度以上に加熱して、半導体基体２を基体１側に接合する接合工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体１００は、第１の基板１と、第１の基板１の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層２と、多孔層２において第１の基板１が形成されている側の面と反対側の面に形成された第２の基板３とを備え、多孔層２における各孔２ａの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔２ａを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層２の厚さは、１μｍよりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素を用いたＭＥＭＳの一層の小型化を実現する。
【解決手段】半導体素子１は、半絶縁性の支持基板１１と、支持基板１１の表面における一部の領域に形成されたドープ層１２と、支持基板１１の表面を覆うとともにドープ層１２の一部が露呈されるようにドープ層１２を覆うグラフィン層１３と、グラフィン層１３の支持基板１１が配置される表面の反対の表面に形成された電極層２１，２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】周囲温度が変化しても同入力レベルの入力信号の場合にマイクロホンユニットの出力レベルの変動を抑える。
【解決手段】マイクロホンユニットの反転増幅回路１２は、反転入力端子にＭＥＭＳマイクロホン１５から出力されたアナログ電気信号が入力され、非反転入力端子には直流バイアス電圧が印加される演算増幅器２３と、演算増幅器の出力端子と反転入力端子との間に接続された帰還抵抗１７と、帰還抵抗に並列に演算増幅器の出力端子と反転入力端子との間に直列接続された帰還コンデンサ１８，１９と、帰還コンデンサの間を互いに接続するノードに一方の端子が接続され、他方の端子が基準電位に維持される直流バイアス抵抗２５と、帰還コンデンサの間を互いに接続するノードに一方の電極が接続され、他方の電極には温度センサ１３の電圧信号が印加された可変容量ダイオード２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】より安定して可動部を振動させることができる共振反射装置、それを用いる光学式ガス分析装置、画像スキャナ、及び、共振反射装置の制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】固定部、一方の端部が固定部と連結したトーションバー、トーションバーの他方の端部と連結し、トーションバーとの連結部分を回転軸として固定部に対して回動する板状部材であり、少なくとも一方の面で光を反射する可動部、及び、交流電流が供給されることで可動部を回動させる駆動部を備える反射手段と、反射手段の可動部の温度を非接触で検出する温度検出手段と、温度検出手段で検出した可動部の温度に基づいて、駆動部に供給する交流電流に付加するバイアス電流の大きさを調整する制御手段と、を有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】アクチュエータの位置を正確に制御するアクチュエータ装置。
【解決手段】制御信号に応じて動作するアクチュエータと、アクチュエータを動作させる場合において、アクチュエータの温度を基準温度とする制御信号を供給する制御部と、を備えるアクチュエータ装置、試験装置、およびアクチュエータ制御方法を提供する。アクチュエータの温度を検出する温度検出部を更に備え、温度検出部は、アクチュエータの温度を検出し、制御部は、温度検出部が検出した温度に応じてアクチュエータに供給する制御信号の大きさを制御する。 （もっと読む）

恒温槽に設けられ、予め規定した温度（Ｔｓｅｔ）で、集積電気部品の温度（Ｔｃｏｍｐ）を安定化する方法及びシステム（１）。集積電気部品の温度は、温度感知手段によって感知され、この温度感知手段は、第１及び第２の感知素子（６１，６２）と感知回路（７２）とを備え、第１及び第２の感知素子は、集積電気部品と良好な熱接触にて配置され、第１及び第２の温度依存特性（６３、６４）を有し、第２の温度依存は、第１及び第２の特性（６３，６４）が予め規定した温度（Ｔｓｅｔ）にて交わるように第１の温度依存とは異なる。感知回路は、第１及び第２の感知素子（６１，６２）を感知するため、及び第１及び第２の温度依存特性（６３，６４）を示す第１及び第２の測定信号（８３，８４）を制御回路（７１）に供給するために適合され、これはそこからの加熱手段用の制御信号を決定する。
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【課題】薄膜構造部の膜強度の低下を防止することができると共に、薄膜構造部に覆われた空洞部への汚染物質等の侵入を防止する。
【解決手段】シリコン基板１０は、一面１１側に形成されると共に空洞部１４とシリコン基板１０の外部とを繋ぐための孔部１５を有している。この孔部１５は、一面１１において、薄膜構造部３１の上部を流れるであろう流体の向きに対して直交するように延設されている。これによると、空洞部１４を覆う薄膜構造部３１に開口部を設けていないので、薄膜構造部３１の膜強度の低下を防止することができる。また、孔部１５の開口部がシリコン基板１０の一側面１２に露出し、流体は孔部１５の開口部に直接当たらないので、当該一側面１２の面方向に流れる流体が孔部１５に入りにくくなる。したがって、孔部１５を通じて空洞部１４への汚染物質や水滴の侵入を防止することができる。 （もっと読む）

断熱された能動素子を備えたマイクロ電気機械システムを製造する方法。前記システムはボロメータを具現化でき、前記ボロメータは室温で動作しながら９０ＧＨｚ〜３０ＴＨｚの電磁輻射を検出する上で十分に適している。当該方法では、能動的および受動的なマイクロ電気機械システムをシリコンウエハー内に組み込んだ回路を製造する一般化された工程についても開示している。
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【課題】温度変化に対応しながら効率よく静電型アクチュエータを駆動することが可能な静電型アクチュエータ制御装置を得る。
【解決手段】静電型アクチュエータ２００は、バイアス電圧の値が上昇するに従って、共振周波数が上昇する特性を有する。バイアス電圧は、ピークツーピーク電圧を増減することにより増減される。そのため、ピークツーピーク電圧を増減することにより、静電型アクチュエータ２００の共振周波数を制御できる。言い換えると、交流電圧の振動中心値を増減することにより、静電型アクチュエータ２００の共振周波数を制御できる。つまり、ピークツーピーク電圧を増減すると、従来技術における直流バイアス値を増減させたのと同様の効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】製造時に機能性デバイスの破損等がなく量産性に優れ、性能を向上しえる機能性デバイスの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板（基板）１の一表面側に形成された機能性薄膜２の一部を空間的に分離する空洞５がシリコン基板１に形成された機能性デバイス１０の製造方法であって、基礎となるシリコンウエハ（ウエハ）３の一表面側に機能性デバイス１０を形成し分離するにあたり、シリコンウエハ３の他表面側にダイシングシート７を貼り付けると共に、一表面側に仮固定シート６を直接貼り付け、仮固定シート６側からシリコンウエハ３を切断した後、仮固定シート６を機能性デバイス１０から剥離し、各機能性デバイス１０の表面に存在する有機物をドライ処理により除去する機能性デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 反応や分析のステップ数や量の制限が緩く、製造が容易であるマイクロ流体システム用支持ユニット、さらに、複雑な流体回路を高密度に実装できるマイクロ流体システム用支持ユニットを提供する。
【解決手段】 第一の支持体と、マイクロ流体システムの流路を構成する、少なくとも一本の中空フィラメントとを備え、該中空フィラメントが前記第一の支持体に任意の形状に敷設され、かつ前記中空フィラメントの内側の所定箇所が機能性を有するマイクロ流体システム用支持ユニットに関する。 （もっと読む）

【課題】マイクロデバイス等の微小空間内で物質を反応させる装置においては、反応温度の制御といった目的で、流路を流れる流体の正確な温度測定が必要となるが、温度センサを流路内に配置すると流体の流れを乱し、流路の外に配置すると流路内の温度が正確に測定できないといった課題があった。
【解決手段】本発明の温度センサ付流路形成体（１）は、シール金具（１１）と、前記シール金具に測温部（３７）が接合された温度センサ（１２）と、前記シール金具と前記温度センサ（１２）を被覆する断熱部材（１３）を有することで、流路（２１）内で生じた熱を流体の流れを乱すことなく正確に検知することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスに温度補償用の温度センサを組み込む。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスは、シリコンサブアセンブリに接続されたシリコンピン１０８上に形成されたＰ−Ｎデバイス１１６を含み、このＰ−Ｎデバイスは、シリコンピンが第１ガラスウェーハの中に埋め込まれる前に、シリコンピンを製作するために使用されるシリコン基板の上に形成される。１つの実施形態では、Ｐ−Ｎデバイスを形成するステップは、不純物をシリコンピンの内部に選択的に拡散させるステップと、Ｐ−Ｎデバイスを温度センサとして動作するように構成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】温度特性のあるセンサでも、安定して光スキャナの駆動状態検出を行うことができる光スキャナ装置を提供する。
【解決手段】回動可能に構成された光スキャナ部１と、光スキャナ部１を回動駆動させるための駆動部４とを備え、光スキャナ部１を回動させることにより、光スキャナ部１で反射した光を対象物に走査する光スキャナ装置１０であって、光スキャナ部１の駆動状態を検出する駆動検出部５と、光スキャナ部１周辺の温度を測定する温度測定部８と、光スキャナ部１に照射される光の照射量を出力する照射量提供部９と、測定された周辺温度と光の照射量に基づいて、駆動検出部５の検出結果を補正する検出結果補正部７と、駆動検出部５の補正後の検出結果に基づいて、駆動部４が光スキャナ部１を自己の共振周波数で捩り変形させるよう制御する駆動制御部６を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】温度補償用ひずみセンサを組み込むマイクロカンチレバーホットプレートデバイスを提供すること。
【解決手段】本発明のマイクロカンチレバーホットプレートデバイスは、温度補償用ひずみセンサと、抵抗ヒータとを有するマイクロカンチレバーを備える。また、本発明は、温度補償された表面応力測定、化学的／生化学的検知、マイクロカンチレバーホットプレート表面に固着された化合物の様々な特性の測定に、又は温度補償されたたわみ測定にマイクロカンチレバーホットプレートを使用するための方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】構成の簡素化を計った上で、温度特性の補正を高精度かつ効率的に行うことができること。
【解決手段】Ｘ方向に延びるように形成され、Ｘ方向に直交するＹ方向に振動する振動片３６と、振動片３６からＹ方向に分岐してそれぞれ同じ長さだけ延出する延出部３７と、振動片３６を片持ち状に支持する振動子アイランド３４とを有する振動子３２と、振動片３６に対して所定距離を空けた状態で振動片３６を間に挟むように配置され、駆動電圧が印加された時に静電引力を発生させて振動片３６を振動させる駆動電極３３ａと、一対の延出部３７に対してギャップｇを空けた状態でそれぞれ対向配置され、補正電圧が印加されたときに静電引力を発生させて各延出部３７を引き寄せ、振動片３６に対してＸ方向の圧縮応力を作用させる補正電極３８ａ、３８ｂと、を備えた発振子３０を提供する。 （もっと読む）

本発明は、干渉変調器の可動反射層の弛緩情報に基づいて、駆動電圧を調整するためのシステムおよび方法を含む。1つの例では、可動反射層を有するMEMSデバイスを駆動するためのデバイスが、1つまたは複数の時間、環境暴露、および少なくとも1つのMEMSデバイスの可動反射層のフレームレートに関する情報を生成するように構成されている感知ユニットと、電圧(該電圧は、該情報に少なくとも部分的に基づいている)を印加して、該少なくとも1つのMEMSデバイスを駆動するように構成されているドライバ回路とを備える。
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【課題】温度による光変調器の誤作動を除去でき、かつ光変調器モジュールに電源印加直後に光変調器の動作を速やかに安定化することができる、マイクロヒータを備えた光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】本発明による光変調器モジュールは、光源から入射された光を変調して出射する光変調器と、前記光変調器に設けられるマイクロヒータと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロリアクタデバイスの入力側または／及び出力側で流体の複数種類の状態量を計測する場合において、正確に流体の状態量を計測することが可能なセンサユニットを提供する。
【解決手段】マイクロリアクタデバイス用のセンサユニットであって、内部に流路を有し、当該流路内の流体計測位置における流路壁面の周方向に、前記流路に連通する複数のセンサ設置孔と、前記流路壁面の周方向において互いに対向する位置に配置された光入力孔及び光出力孔とが設けられた流路形成部材と、前記複数のセンサ設置孔の各々に、感応部を前記流路側に向けて設置され、前記流体計測位置における流体の状態量を検出する複数種類のセンサと、光出射端を前記光入力孔の流路側に向けて設置された第１の光伝送手段と、光入射端を前記光出力孔の流路側に向けて設置された第２の光伝送手段とを具備する。 （もっと読む）