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【課題】電流リークの発生を抑制するのに適したマイクロ構造体およびマイクロ構造体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ構造体X1は、第1導体層と、第2導体層と、両導体層間の中間絶縁層とからなる積層構造を含む材料基板に加工を施すことによって得られたものであって、中間絶縁層が部分的に露出するように第1導体層に対して異方性エッチング処理が施されることによって当該第1導体層において成形された導体部11と、異方性エッチング処理を経ることによって中間絶縁層において露出した部分からエッチングが進行するように当該中間絶縁層に対して等方性エッチング処理が施されることによって当該中間絶縁層において成形された中間絶縁部13と、第2導体層において成形された導体部12と、導体部11のエッジ部11dの少なくとも一部および/または側面11cの少なくとも一部を覆う領域を有する絶縁膜14とを備える。 (もっと読む)


【課題】電気機械共振器の共振周波数は、構造の振動モードで決定し、最適な入出力電極の配置が必要となる。必要に応じて電極の高さを可変でき、かつ電極強度を維持することのできる平行駆動型の電気機械共振器を提供することを目的とする。
【解決手段】振動子の側面に同一レイヤで構成される複数の固定電極と、振動子と前記固定電極の間で構成されるギャップを有し、前記ギャップ間の幅の一部が広がる領域を有するようにしたことを特徴とする。すなわち本発明の電気機械共振器は、固定電極と、前記固定電極とギャップを介して形成された振動子とを具備した共振部を備え、前記固定電極の厚さ方向で、前記ギャップ幅が異なる領域を有する。 (もっと読む)


【課題】基板上のコンポーネントを保護するためのカバーを調製する方法を提供する。
【解決手段】基板2の表面上または中に収容されたコンポーネント5を保護するためのカバー1を調製する方法であって、コンポーネント5を覆う、単層または複数の積み重ねられたサブ層6.1、6.2を有し、コンポーネント5の上に位置する領域では、基板に対する接着力よりも低い接着力を有する座屈層6を基板2の上に形成する工程と、座屈層6がコンポーネント5の上に位置する領域において空洞7の境界を画定するように座屈層を座屈する工程と、を含み、画定する工程は、形成する工程の前に、間に、または後に、しかし座屈する工程の前に実行可能であり、座屈する工程は、形成する工程の間にまたは後に実行可能である。 (もっと読む)


【課題】 分圧理論に基づき、本発明は、基板として超低抵抗シリコンウエハーを用いて微細スクラッチ駆動アクチュエータ(SDA)の駆動電圧を下げる新しい方法を提案する。
【解決手段】 本発明では、同一レイアウト、同一製造プロセスを用いるが異なった抵抗の基板を用いて、2つのSDAアクチュエータを比較した。超低抵抗シリコンウエハー上に製造されたSDAは、わずか約4〜12 Vo-pという低い駆動電圧を実現した。しかし、通常のシリコンウエハーを用いた従来のSDAは、より高い駆動電圧(30〜75 Vo-p)を必要とし、このため実用化への可能性は低い。これに対して、本発明は、従来のマスクアライナに固有の線幅限界2μmを4360Åの紫外線光源(g線)を用いて克服し、また、さらにSDAの駆動電圧を下げるための新しいSDAプロセスを提供する。 (もっと読む)


【課題】マイクロマシニング型のセンサの適用時の費用を公知先行技術に比べて一層減少させ、場合により新たな組付けスペースを提供するために、必要となる組付けスペースを減少させる可能性を提供する。
【解決手段】基板2が設けられており、該基板2に少なくとも1つの層列が配置されており、該層列が、少なくとも1つのマイクロマシニング型の機能素子を有しており、基板2に少なくとも1つの層列が配置されており、該層列が、少なくとも1つのマクロ電子的な受動的な構成素子として作用するようになっているようにした。 (もっと読む)


本発明は、マイクロミラーアクチュエータ及び対応するアクチュエータに関する。この方法によると、アクチュエータは、中間層102、104、106によって互いから少なくとも部分的に電気的に絶縁される少なくとも3つの主要層101、103、107の層構造から製造される。層は、マイクロミラー素子及び電極を形成するように構造化され、この構造化は、少なくとも上側の主要層107から成る閉鎖フレーム310をアクチュエータの内側領域の周りに形成することによって達成され、このフレームにカバープレートを適用することによって内側領域を気密封入することを可能にする。導体経路平面105が、層のうちの少なくとも2つの間に生成され、中間層によって当該層から電気的に絶縁され、且つ、導体トラックを形成するように構造化され、この導体トラックによって、中間層102、104、106のうちの1つ又は複数に接触開口を形成した後で、電極のうちの1つ又は複数に、フレーム310の外側から電気的に接触することができる。上記方法によって、アクチュエータの内側領域の気密封止された封入を、ウェハレベルでさえも簡単に達成することができる。 (もっと読む)


【課題】マイクロミラーの簡略化された製造方法、ならびに簡略化された製造方法によって製造されたマイクロミラーを提供すること。
【解決手段】基板150によって支持されているヒンジ接続支柱122aであって、ヒンジ接続支柱は、底層312、およびヒンジ接続支柱の中央においてキャビティ125aを取り囲んでいる側面層315を含んでいる、ヒンジ接続支柱と、ヒンジ接続支柱の側面層に接続されたヒンジコンポーネント120aと、ヒンジコンポーネントの回りで傾斜するように構成されたミラープレートとを備えている、マイクロミラー。 (もっと読む)


【課題】MEMS構造体と半導体基板との間の寄生容量を低減させるMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板10上に絶縁層を介して形成された固定電極20と可動電極26とを有するMEMS構造体30が備えられたMEMSデバイス1であって、固定電極20の下方の半導体基板10にウェル13が形成されており、固定電極20に正の電圧が印加されウェル13がp型ウェルである。そして、ウェル13が空乏状態となるようにウェル13には電圧が印加されている。この電圧はウェル13が空乏状態を維持する電圧となっている。 (もっと読む)


【課題】製造が容易で費用が安く特に動作特性の点で最適な性能を有する電気機械部品を製造する。
【解決手段】少なくとも(a)2つの絶縁領域によって部分的に覆われる1つのシリコン領域を有する基板15を形成する段階と(b)シリコン領域の覆われていない部分から開始する選択的エピタキシーによってシリコンゲルマニウム合金犠牲層を形成する段階と(c)犠牲層上に配置される1つの単結晶領域と絶縁領域上に配置される2つの多結晶領域とを有し、エピタキシーによって高濃度にドーピングされたシリコン層を形成する段階と(d)電極23と振動構造体22との間に空間を形成するように単結晶領域内に所定のパターンをエッチングすることによって振動構造体と作動電極とを同時形成する段階と(e)シリコンゲルマニウム合金の犠牲層を選択的エッチングによって除去する段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】 揺動部の揺動動作のための駆動力を確保しつつ小型化を図るのに適したマイクロ揺動素子を提供する。
【解決手段】 本発明のマイクロ揺動素子X1は、揺動部10、フレーム21、および捩れ連結部22を備える。揺動部10は、可動機能部11と、可動機能部11から延出するアーム部12と、アーム部12の延び方向と交差する方向にアーム部12から各々が延出し且つ当該延び方向に互いに離隔する複数の電極歯13a,13bからなる櫛歯電極13A,13Bとを有する。捩れ連結部22は、揺動部10とフレーム21を連結し、揺動部10の揺動動作の、アーム部12の延び方向と交差する揺動軸心A1を規定する。また、本素子X1は、フレーム21から各々が延出し且つアーム部12の延び方向に互いに離隔する複数の電極歯23a,23bからなる、櫛歯電極13A,13Bと協働して揺動動作の駆動力を発生させるための櫛歯電極23A,23Bを更に備える。 (もっと読む)


【課題】ゲッターを備える密閉超小型部品の、ゲッターのサイズ、飽和、封止などに関する不都合を克服する手段を提供する。
【解決手段】密閉超小型部品は、基板2によって支持されたパッシブ部分1と、パッシブ部分を覆いパッシブ部分が収容される空洞4を画定するカバー3を有する。カバー3は基板2と接触していて、少なくとも1つの孔5を備えている。この孔5は空洞4の内側に露出されるゲッター材料からなる部分を有するプラグ6によってふさがれている。 (もっと読む)


【課題】レンズアレイとスペーサと回転駆動鏡アレイと、駆動電極アレイを集積化して小型化を図る。
【解決手段】入力用光ファイバ群31と、出力用光ファイバ群32と、サーキュレータ34と、スペーサ37,38と、レンズアレイ35と、MEMSミラーアレイ36と、MEMS電極39を一体化してアレイ化した構成とする。 (もっと読む)


本発明は、シリコン製の少なくとも1つの機能層を有するMEMS構造体を作製する方法に関し、この機能層は、犠牲層を除去することによって開放される構造を有する。ここでは少なくとも1つの犠牲層および少なくとも1つの機能層をデポジットして、これらの層を単結晶で成長させ、また上記の犠牲層をシリコン−ゲルマニウム−混合層から構成する。
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本発明は、基板(11)によって支持された動作部分(10)を囲むキャップ(12)によって仕切られたキャビティ(13)を備えた超小型構成体から成る。キャップ(13)は、少なくとも1つの突出した補剛部材(12b)を有する帆号手段を備えている。突出した補剛部材(12b)は、頂部壁(12a)の2つの凹状領域(12c)の間に配置されており、基板(11)に接触することなく、凹状領域(12c)から離隔した端部(14)を有している。
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【課題】微小電子機械システム(MEMS)デバイスのための垂直コーム構造体に要求される狭い歯の間隔の許容精度を達成する製造方法を提供する。
【解決手段】歯の構造体16,18が第1のウェハ12上に形成される。次いで、第2のウェハ14が、第1のウェハ12の歯の構造体16,18と接合される。歯の構造体16,18は、次いで、コーム構造体を形成するためにリリースされる。第1のウェハ12上に歯の構造体16,18を形成することは、第1のウェハ12上に歯の構造体16,18を生成するための酸化、フォトリソグラフィー、エッチング、エピタキシー、および、化学機械的研磨を使用することを含む。 (もっと読む)


【課題】非常に低い位置感度を有する静電気MEMS駆動装置を提供する。
【解決手段】微小電気機械システム(MEMS)閉ループ慣性デバイス38は振動下で改善された性能を示す垂直櫛形駆動部を有する。このデバイスは、ハウジング48からハウジングによって形成された空洞内に拡張する1つまたは複数のステータ歯46を含む。ロータ歯44は空洞に配置されたプルーフマス42から拡張する。プルーフマスは垂直方向に移動することができるフレキシャによってハウジングに接合される。ロータ歯は移動の方向に第1の長さの値を有し、ステータ歯は移動の方向に第2の長さの値を有する。第2の長さの値は第1の長さの値よりも大きい。ステータ歯は2つの電気的に隔てられた部分を含む。ステータ歯に対してロータ歯は長さが短いので、ロータ歯とステータ歯の上半部または下半部との間の引力がロータ垂直位置に依存しない。振動環境でより良好な加速度計精度が生成される。 (もっと読む)


本発明は、可撓ホイル(10)のパターン形成したスタックによって作製したマイクロシステム内に導電層間接合を製造する方法に関する。はんだ材料、スパッタリングもしくは蒸着した材料、または可撓ホイル(10)の絶縁層(30)をなすプラスチック材料の炭化処理によって形成した導電層間接合(210,300,400)は、少なくとも1個の絶縁層(30)によって分離したパターン形成導電層(40、50)を導電接続し、マイクロシステムにおける異なるパーツを簡単に相互接続する。
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本発明は、表面層(20’)と、少なくとも1つの埋込み層(36、46)と、支持体(30)とを備える半導体構造を製造する方法に関し、この方法は、第1の支持体上に、第1の材料でパターン(23)を形成するステップと、前記パターン間及び前記パターン上に半導体層を形成するステップと、前記半導体層と第2の支持体(30)とを組み合わせるステップとを備える。 (もっと読む)


本発明は、可動素子(48)を有するMEMS共振器に関し、可動素子(48)は、第1ヤング率および第1ヤング率の第1温度係数を持つ第1部分(A)を有し、さらに可動素子(48)は、第2ヤング率および第2ヤング率の第2温度係数を持つ第2部分(B)を有し、少なくともMEMS共振器の動作条件下では、第2温度係数の符号は第1温度係数の符号と反対であり、第1部分(A)の断面積および第2部分(B)の断面積は、第1部分(A)のヤング率の絶対温度係数に第1部分(A)の断面積をかけた値が、第2部分(B)のヤング率の絶対温度係数に第2部分(B)の断面積をかけた値から、20%以上逸脱することなく、これら断面積は局部的におよび可動素子(48)に対して直交する断面で測定したものとする。
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以下の方法ステップを包含する、半導体基板(1)上にダイヤフラム(100)を作製するための方法が記載される:a)半導体基板(1)を用意し;b)該半導体基板(1)に溝(2)を形成し、ただしこの場合、各溝(2)の間に半導体基板(1)から成るウェブ(3)を残しておき;c)前記溝(2)の壁(21)に沿って熱酸化法によって酸化物層(61)を形成し;d)先行した方法ステップにおいて半導体基板(1)に形成されたカバー層(7)に進入開口(7)を形成して、半導体基板(1)を前記ウェブ(3)の範囲で露出させ;e)方法ステップd)で露出された半導体基板(1)を、前記酸化物層(61)と前記カバー層(7)とに対して選択的な方法によって等方性エッチングし、この場合、前記ウェブ(3)に前記カバー層(7)の下で、少なくとも1つの溝(2)の酸化物層(61)によって側方で画定される少なくとも1つの中空室(4)を形成し;f)前記カバー層(7)に設けられた前記進入開口(71)を閉鎖するために閉鎖層(100)を析出させる。
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