【課題】固定電極に対する可動電極（可動部）の形成位置に関わらず、所望の振動特性を発揮することができるアクチュエータおよび電子装置を提供すること。
【解決手段】アクチュエータ１は、基板２と、基板２上に設けられた固定電極３と、可動電極４とを有している。可動電極４は、可動部４２と、可動部４２を支持する支持部４１と、可動部４２と支持部４１とを連結する連結部４３を有している。また、可動部４２は、連結部４３を介して支持部４１に片持ち支持されるとともに、固定電極３と空隙を隔てて対向配置されている。このような可動電極４には、可動電極４から固定電極３の連結部４３側の縁部の少なくとも一部が露出するように、開口５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 小型化可能で、特性のばらつきが少ない高精度なＭＥＭＳを製造する。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の第一の主面の環状領域に複数の凹部を形成し、前記基板を非酸化性雰囲気中で熱処理することによって、前記複数の凹部から前記基板内に環状の空洞を形成するとともに、前記空洞によって隔てられた薄肉部と厚肉部と、前記空洞に囲まれ前記薄肉部と前記厚肉部とを連結している支柱部とを形成し、前記第一の主面の裏面に相当する前記基板の第二の主面から、前記空洞に到達する環状溝を形成することによって、前記環状溝の外側に位置し前記薄肉部と結合する枠部と前記環状溝の内側に位置し前記支柱部に結合する錘部とに前記厚肉部を分割する、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】 小型化可能で、特性のばらつきが少なく高精度なＭＥＭＳを製造する。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の第一の主面から第一の不純物イオンを導入することによって環状の第一不純物拡散部を前記基板に形成し、前記第一の主面に第一の層を形成し、前記第一の主面の裏面に相当する前記基板の第二の主面から前記第一不純物拡散部に到達する環状溝を形成し、前記第一不純物拡散部を選択的に除去することによって環状の空洞を前記基板に形成する、ことを含み、前記環状の空洞と前記環状溝の形成に伴って、前記環状の空洞に囲まれた支柱部と、前記支柱部の一端に結合し前記第一の層によって少なくとも一部が構成される薄肉部と、前記環状溝の内側に位置し前記支柱部を介して前記薄肉部と連結され前記空洞を間に挟んで前記薄肉部と対向する錘部と、前記環状溝および前記薄肉部の外側に位置し前記薄肉部を支持する枠部と、が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いずに製造することができ、かつ、分離層を必要としない、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコン基板２に凹部４が形成されており、その凹部４内に固定電極５および可動電極６が配置されている。固定電極５および可動電極６は、シリコン基板２の材料であるシリコン材料ではなく、タングステンからなり、シリコン基板２のパターニングにより形成されるものではない。そのため、シリコン基板２が高導電性を有している必要がない。したがって、高導電性のシリコン層を備えるＳＯＩ基板を用いなくても、低導電性のシリコン基板２を用いて、加速度センサ１を製造することができる。シリコン基板２が高導電性を有していないので、固定電極５および可動電極６が形成される領域をその周囲から絶縁分離する必要がない。そのため、その絶縁分離のための分離層を必要としない。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのボンディング基板と反応性多層システムとを含むマイクロ構造に関し、ここで反応性多層システムは、互いに離間された垂直配向のナノ構造を備えるボンディング基板の少なくとも１つの表面層と、ナノ構造間に位置し、且つナノ構造の材料に関する反応相手をなす少なくとも１つの材料で充填された領域とを有する。本発明は、さらに、少なくとも１つのボンディング基板及び反応性多層システムの作製方法を含み、ここでは、反応性多層システムを形成するため、ボンディング基板の少なくとも１つの表面層がパターニングされ、又はパターン状に堆積されて、それに伴い互いに離間された垂直配向のナノ構造が形成され、及びナノ構造間の領域が、ナノ構造の材料に関する反応相手をなす少なくとも１つの材料で充填される。加えて、本発明は、少なくとも１つのボンディング基板と反応性多層システムとを有するマイクロ構造を、ボンディング基板を有する別の構造とボンディングする装置を含み、ここでこの装置は、開閉及び排気を行うことのできるボンディングチャンバであって、そこにマイクロ構造及び別の構造を導入して互いに位置合わせすることのできるボンディングチャンバを有し、また、ボンディングチャンバに連結される活性化機構であって、それによって、マイクロ構造の反応性多層システムであって、ナノ構造の材料に関する反応相手をなす材料を−ナノ構造間に位置して−備える反応性ナノ構造から形成される反応性多層システムを、ナノ構造とナノ構造の材料に関する反応相手をなす材料との間に自己伝播発熱反応が起こるような方法で機械的に、電気的に、電磁的に、光学的に及び／又は熱的に活性化することのできる活性化機構も有する。さらに、本発明は、２つのボンディング基板とボンディング基板の間に位置する構成体とから形成されたマイクロシステムに関し、前記構成体は既反応の反応性層システムを有し、ここで既反応の反応性層システムは、互いに離間された垂直配向のナノ構造を備える−ボンディング基板上に提供された−少なくとも１つの表面層と、ナノ構造の材料に関する反応相手をなす少なくとも１つの材料でナノ構造間が充填された領域とから構成される既反応の構造配列であり、ここでこのマイクロシステムは、バイオマテリアルで被覆されたセンサであり、及び／又はポリマー材料から構成される素子及び／又は少なくとも１つの磁性及び／又は圧電性及び／又はピエゾ抵抗性部品を有する。
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【課題】 機能素子の外周にメタライズを設けたＳｉ基板と、メタライズを設けたＳｉ基
板とを、メタライズ間に設けたはんだを熔融・接合して、気密封止する機能素子パッケー
ジにおいて、Ｓｉ基板どうしをはんだ接合しても、メタライズがＳｉ基板から剥離するこ
となく、封止気密性に優れた機能素子パッケージ構造を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ基板とメタライズとの間にアルミナ層を設けることで、メタライズと
Ｓｉ基板との間の密着力が改善し、封止気密性に優れた機能素子パッケージを得ることが
できる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの可撓部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、錘部と、前記支持部と前記錘部とを連結し前記錘部の運動にともなって変形する可撓部と、が形成されている積層構造体を備え、前記積層構造体は、前記可撓部を構成し下面が平坦である単結晶シリコン層１０と、前記単結晶シリコン層上に積層され前記単結晶シリコン層と異質のＣＭＰストッパ層３０と、を含み、前記ストッパ層の下面と前記単結晶シリコン層の下面とは同一平面に含まれるか、前記ストッパ層の下面は前記単結晶シリコン層の下面から突出している、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術を利用した光学装置において、可動ミラーの沈み込みを抑制し、かつ、可動ミラーの正常動作を阻害しないようにする。
【解決手段】可動ミラーを支持する可撓梁の下方の基板上に下限規制部を設置する。下限規制部によって可撓梁を下方から支持することによって、可動ミラーの沈み込みを抑止する。下限規制部は、可撓梁と接離可能に設置されており、可動ミラーに沈み込みが無い場合には、可撓梁と下限規制部は離反しているため、可動ミラーの正常動作を阻害しない。可撓梁が下方へ変位し、下限規制部と接触しながら揺動する場合においても、可動ミラーと比較して細長くて弾性がある可撓梁を支持するため、可撓梁と下限規制部との接触による負荷が可撓梁の弾性によって緩和され、可動ミラーの正常動作を阻害しない。さらに、製造工程において、可動ミラー上面側から下限規制部の設置位置を確認し易い。 （もっと読む）

【課題】可撓部が変形する際に破断しにくく耐衝撃性能に優れたＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部に結合している可撓性を有する膜であって、厚肉部と前記厚肉部との境界を区間端とし前記厚肉部から離れるにつれて厚さが漸減している漸減区間を有する薄肉部とが前記一端から離れる方向に配列されている可撓部と、前記薄肉部に形成され前記薄肉部に生ずる歪みを検出するための歪み検出手段と、を備えるＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】圧電素子をＭＥＭＳに配置できる領域を拡大する。
【解決手段】複数のコンタクトホールが形成された絶縁層と前記絶縁層に接する半導体層とを含み可撓性を有する可撓部と、前記半導体層に形成された複数の不純物拡散領域からなり互いに分離している複数の導線と、前記絶縁層の表面に積層され前記コンタクトホールを通じて前記導線に接している下部電極層と前記下部電極層の表面に積層された圧電層と前記圧電層の表面に積層された上部電極層とを含み前記可撓部上に位置する圧電素子と、前記可撓部に形成された前記コンタクトホールを通じて前記上部電極層と前記導線とを接続する導電層からなる接続手段と、を備えるＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【課題】錘部となるウエハが損傷しにくいＭＥＭＳセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記異質領域を除去する、ことを含む （もっと読む）

【課題】短時間で容易かつ確実に不要部分を除去することができるＭＥＭＳの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳの可動部１１１が形成される第１基板１１０と、第１基板と貼り合わせられ可動部に隣接する領域がエッチングにより除去される第２基板１２０とを半導体製造工程によって製造するＭＥＭＳの製造方法であって、第１基板と第２基板とを貼り合わせる前に、第２基板のうちエッチングによって除去したい領域の一部にトレンチ１２３を形成する工程と、トレンチを形成した部分を含みエッチングにより除去したい領域を熱酸化することにより犠牲酸化膜１２１を形成する工程と、犠牲酸化膜が形成された第２基板１２０に第１基板１１０を貼り合わせる工程と、貼り合わせた後に第１基板のうち可動部を形成するために不要な領域と第２基板に形成した犠牲酸化膜１２１とを同時にエッチングにより除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 特に、センサ部と第２の基板（支持基板）間の空間構造を改良したＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 第１の基板１と、第２の基板２と、第１の基板１と第２の基板２の間に介在する絶縁層３と、を有する。前記第１の基板１には、可動電極部及び固定電極部を備えて成るセンサ部４と、前記可動電極部及び前記固定電極部の夫々のアンカ部１２，１４，１７，１９が形成されている。前記アンカ部は、第２の基板２の表面に前記絶縁層３を介して固定支持されている。前記センサ部４と対面する前記第２の基板２の表面には凹部５が形成され、前記センサ部４と前記第２の基板２との間に空間が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 特に、スティッキング防止構造を従来に比べて簡単且つ高精度に形成できるＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 図１（ａ）に示したように、第１の基板１と第２の基板２とを別々に単体で用意し、第１の基板１の下面１ａに、予め、凸状のスティッキング防止部４を形成する。続いて、図１（ｂ）の工程で酸化絶縁層３の形成、図１（ｃ）工程で、第１の基板１と第２の基板２の接合を行う。その後は、従来の工程と同様である。本実施形態では、第１の基板１と第２の基板２を夫々、別々に用意し、これらを接合する前に、単体の前記第１の基板１に対してスティッキング防止部４を形成するから、従来に比べて簡単且つ高精度にスティッキング防止部４を形成することが可能になっている。また、本実施形態では、ＭＥＭＳセンサの小型化に寄与することが出来る製造方法となっている。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ量産性に優れたマイクロ流路／ナノ流路などの微細流路の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にナノワイヤの成長核となる金属ナノ微粒子をパターン蒸着した後、プラズマＣＶＤ若しくは熱ＣＶＤを用いて、基板上にパターン配置された金属ナノ微粒子を成長核として、ナノワイヤを垂直成長させて、マイクロ流路やナノ流路の微細流路を製造する。親水性基板上に形成させた触媒パターン位置に、撥水性を有するナノワイヤを垂直成長させて、微細流路を製造する。撥水性ナノワイヤを成長させた部分を微細流路の（溝部の）側壁とし、親水性基板が露出した部分を微細流路の（溝部の）底部とする。或は、撥水性基板上に形成させた触媒パターン位置に、親水性を有するナノワイヤを垂直成長させて、微細流路を製造し、親水性ナノワイヤを成長させた部分を微細流路における流路空間（溝部自体）とする。 （もっと読む）

【課題】 信号の減衰を抑制することができると共に、生産性を向上できるようにする。
【解決手段】 可変容量素子１を、第１，第２の基板２，３に挟まれたシリコン基板４を用いて形成する。シリコン基板４には、支持部５、可動部６、支持梁７および傾斜部８を形成する。また、シリコン基板４の両面には、第１，第２の可動側金属電極９，１０を全面に亘って形成する。第１の可動側金属電極９のうち可動部６に設けた部位は可動側信号電極１３となり、基板２に設けた固定側信号電極１５と対向する。一方、第２の可動側金属電極１０のうち可動部６に設けた部位は可動側駆動電極１４となり、基板３に設けた固定側駆動電極１６と対向する。そして、第１，第２の可動側金属電極９，１０は基板２，３に設けた固定側金属電極１９，２０と圧着接合する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ溶液を用いたエッチングを行なうことなくダイヤフラム構造を形成でき、微細化を実現できる半導体センサ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上にＬＯＣＯＳ酸化膜３が形成され、さらにその上にゲート−メタル層間膜５が形成されている。ゲート−メタル層間膜５の上面からシリコン基板１に到達して、ＬＯＣＯＳ酸化膜３と比べてエッチング選択比の大きい材料からなる枠状部材９が形成されている。枠状部材９の内側に位置するゲート−メタル層間膜５及びその上の絶縁膜１７，２３に枠状部材９よりも小さい平面寸法で開口部２５が形成されている。枠状部材９の内側に位置するＬＯＣＯＳ酸化膜３が除去されて空洞９が形成されている。空洞９は開口部２５と連通している。枠状部材９の内側に位置するゲート−メタル層間膜５の下面に検出部１１が設けられている。検出部１１の一部分は開口部２５に露出している。 （もっと読む）

【課題】デバイス本体の一表面側に設けられた外部接続用電極と気密封止される機能部とを電気的に接続でき、且つ、デバイス特性に悪影響を与える寄生容量を低減できる気密構造体デバイスを提供する。
【解決手段】第１のカバー基板２が、デバイス本体１の上記一表面側に設けられた複数の外部接続用電極１８が露出するようにデバイス本体１に接合され、デバイス本体１が、当該デバイス本体１の一部と各カバー基板２，３とで囲まれる空間に配置された機能部である固定電極２４と外部接続用電極１８とを電気的に接続する配線の少なくとも一部を構成する島部１７と、島部１７を全周に亘って囲む分離溝１１ｃに埋設された絶縁材料からなり上記空間を気密封止し且つ島部１７をデバイス本体１における分離溝１１ｃの外側の支持部１１と電気的に絶縁する絶縁分離部１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】径方向空隙型の微小電気機械に適した４極以上の多極化へ対応可能で、かつ高速回転下での渦電流遮断性を備えたロータ磁石において、残留磁化Ｍｒが０．４２Ｔ〜０．７Ｔであり、さらにＭｒを高めること。
【解決手段】ロータ磁石５をＲ-ＴＭ-Ｂの結晶化により、磁気的に等方性であり、かつ残留磁化Ｍｒが０．９５Ｔ以上の着磁性に優れたナノ複合多結晶集合組織の厚膜積層体とし、必要に応じて、磁界中冷却による面内多極磁化を施す。特に、パルスレーザディポジッション(ＰＬＤ)を用いたナノ構造のマニュピュレーション技術によって、人工的に制御されたαＦｅとＲ-ＴＭ-Ｂとを１０^３層以上、交互に積み上げたナノ複合組織を有する厚膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３次元構造を有するマイクロ電子機械的部品に関する。
【解決手段】３次元構造を有するマイクロ電子機械的部品の製造方法は、導体基板を設ける段階と、上記導体基板を選択的に電気的絶縁化させるか、除去し所望の電子機械的機能を行うための機能性構造物を形成する段階と、上記機能性構造物の少なくとも１面に電気的接続部として提供されるメッキ構造物を形成する段階と、上記電気接続部が回路基板の回路パターンに連結されるように上記回路基板上に上記機能性構造物を装着させる段階を含む。 （もっと読む）