マイクロメカニカルデバイスを製造する方法であって、一方の部分（１２）がシリコン製であり、他方の部分が半導体材料、セラミック材料又は酸化物材料で作られている２つの部分を直接接合により合わせ、当該２つの部分間の結合が、当該デバイス（１１）の機能素子、補助素子及びゲッター材蒸着（１３）を含むキャビティ（１４）を形成することで形成されるデバイスを製造する方法、を説明する。
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不揮発性メモリデバイス、及び不揮発性マイクロエレクトロメカニカルメモリセルを製造する方法。この方法は、原子層堆積法を用いて犠牲材料第１層を基板上に堆積させる第１の工程を有する。この方法の第２の工程は、犠牲材料第１層の少なくとも一部分上にカンチレバー（１０１）を設けることである。第３の工程は、原子層堆積法を用いて犠牲材料第２層を犠牲材料第１層上に、またカンチレバーの一部が犠牲材料によって囲まれるようにカンチレバーの一部の上に堆積させることである。第４の工程は、犠牲材料第２層の少なくとも一部分を覆う別材料層（１０７）を設けることである。最後に、最終工程は、カンチレバーを囲む犠牲材料をエッチングによって除去し、カンチレバーが内部に懸設されるキャビティ（１０２）を規定する工程である。 （もっと読む）

本発明は、構造の表面上に蒸気を凝縮させて固体凝縮物層とし、次に凝縮物層の選択領域にエネルギーのビームを照射することでその選択領域の局所除去を行うことによって、構造上にパターニング材料層を形成する方法を提供する。その構造を、構造表面上のパターニング固体凝縮物層の少なくとも一部について加工し、次に固体凝縮物層を除去することができる。さらに、凝縮物層の少なくとも一つの選択領域でエネルギーのビームを照射することによって、固体凝縮物層と構造との間に誘導局所反応を起こさせることができる。 （もっと読む）

異方性の湿潤面を備えた流体取扱装置であり、基板を含み、基板の上には非常に多くの非対称で実質的には均一形状の凹凸が備わっている。各凹凸には、基板に対して第１の凹凸立ち上がり角度と第２の凹凸立ち上がり角度とがある。凹凸群は、第１の凹凸立ち上がり角度と第２の凹凸立ち上がり角度との非対称により引き起こされる１より大きい又は１未満の所望の維持力比（ｆ_１／ｆ_２）を呈する構造を持ち、次の公式に従う。
ｆ_３／ｆ_２＝sin （ω_３＋1/2 Δθ_０）／sin （ω_２＋1/2 Δθ_０）
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【課題】 微小空洞ＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 微小空洞（４０）内部で、少なくとも１つの誘導要素により導かれて自由に移動する要素（１４０）を有するＭＥＭスイッチを説明する。スイッチは、それぞれが好ましくはパーマロイ製の金属磁心（１８０、２００）を有する上部誘導コイル（１７０）及び随意の下部誘導コイル（１９０）と、微小空洞（４０）と、やはり磁性材料製であることが好ましい自由移動スイッチング要素（１４０）とから成る。スイッチングは、上部コイルに電流を流してコイル要素内に磁場を誘起することにより達成される。磁場は、自由移動磁気要素を上方に引き寄せて２つの開いた配線（Ｍ＿１、Ｍ＿ｒ）を短絡させて、スイッチを閉じる。電流の流れが停止するか又は逆向きになると、自由移動磁気要素は重力により微小空洞の底に落下して戻り、配線を開く。チップが正しい方位で取り付けられないときは、重力は利用できない。その場合には、自由移動スイッチング要素を元の位置に引き戻して保持するために、下部コイルが必要になる。 （もっと読む）

【解決手段】 加速度計（１０）は、基板（１２）表面に堅く取り付けられている一対の導電性プレート（３６、３８）、基板の表面に連結され、導電性プレートの上方に掛けられている構造体、及び、基板の表面に取り付けられている少なくとも１つの保護シールド（４４、４６）を含んでいる。構造体は、総モーメントが異なり、それぞれの導電性プレートの上方に配置されており、可撓軸（２６）によって分離されている２つの領域（２８、３０）を含んでおり、基板に垂直に加速度が掛かっている間は、構造体が可撓軸周りに回転するようになっており、各領域（２８、３０）は、実質的に平らな外側表面と、第１の起伏（３２、３４）が形成されている内側表面を有している。２つの領域それぞれにおいて、内側の間隙は、第１の起伏と、相対する導電性プレートの間に存在し、外側の間隙は、実質的に平らな外側表面と、相対する導電性プレートの間に存在しており、外側の間隙は、内側の間隙よりも大きい。少なくとも１つの保護シールド（４４、４６）が、導電性プレート（３６、３８）の何れかから離して配置されている。 （もっと読む）

本発明は、マイクロマシニング型の構成エレメントに関する。本発明によれば、伝導性の基板（１；１’，１７，１９）が設けられており；該基板（１；１’，１７，１９）の表面（Ｖ）の上方に設けられた少なくとも１つの伝導性の層（９；９ａ）を備えた弾性的に変位可能なダイヤフラム（Ｍ；Ｍ’）が設けられており、伝導性の層（９；９ａ）が、基板（１；１’，１７，１９）に対して電気的に絶縁されており；媒体で充填された中空室（Ｈ；Ｈ’）が設けられており、該中空室（Ｈ；Ｈ’）が、基板（１；１’，１７，１９）とダイヤフラム（Ｍ；Ｍ’）との間に設けられており；該ダイヤフラム（Ｍ；Ｍ’）の下方で基板（１；１’，１７，１９）を通って延びる複数のパーフォレーション開口（１５；１５’’；１５’’’）が設けられており；該パーフォレーション開口（１５；１５’’；１５’’’）が、基板（１；１’，１７，１９）の裏面（Ｒ）から中空室（Ｈ；Ｈ’）への出入口を提供しており、これによって、媒体の、中空室（Ｈ；Ｈ’）内に位置する体積が、ダイヤフラム（Ｍ）の変位時に可変であることが提案されている。さらに、本発明は、相応の製作法に関する。
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本発明は、流体注入用の開口部（４０）を備えた第一基板（４２）と、多数の電極を備えた第二基板（４６）とを含む液体分配装置に関する。多数の電極は、前記開口部（４０）に少なくとも部分的に対向して配置された移送用電極と称される少なくとも一つの電極（４４）と、少なくとも二つの小滴形成用電極（５０、５２）と、前記移送用電極（４４）及び前記小滴形成用電極（５０、５２）に対応していて、前記小滴形成用電極のそれぞれの面積の少なくとも三倍に等しい面積を有する、リザーバ電極と称される少なくとも一つの電極（４８）とを含む。
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本発明は、モノリシックに集積された構造形式で形成され、物理的な値を容量式に検出する、マイクロマシニングによるセンサエレメントを製造するための方法に関する。また本発明は、前記製造方法と共に、例えば圧力センサ又は加速度センサのようなセンサエレメントを有するマイクロマシニングによる装置に関するものである。
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本発明は、構造上にパターン化された材料層を形成する方法であって、構造の表面上に蒸気を凝縮させて固体凝縮物層とし、次に選択領域でエネルギーのビームを当てることで凝縮物層の選択領域を局所除去することで選択領域の構造を露出させることによる方法を提供する。次に、固体凝縮物層の上面および選択領域での露出構造上に材料層を成膜する。次に、固体凝縮物層および固体凝縮物層上に成膜された材料層の領域を除去して、構造上にパターン化された材料層を残す。 （もっと読む）

離間した突き当て型コンポーネント構造体であって、このものは、第１のプレートと、第１の間隙によって第１のプレートから離間させられた第２のプレートと、これらプレート同士を相互接続すると共に第１の間隙を形成している複数のハンダバンプとを具備してなり、上記プレートの少なくとも一方は、上記第１の間隙とは異なるサイズを有する第２の間隙を形成するために、隆起したプラットホームおよび凹部のうちの一方を含む特異セクションを有している。
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【解決手段】ＭＥＭＳディスプレイ素子をアクチュエートする装置及び方法。実施形態は、ビデオデータのフレームを表示する素子を制御する装置である。アレイ（３０）を備える素子は、素子を第１のディスプレイ状態にするため、フレームディスプレイ書込処理の第１の部分（１００）の間、素子に電位差をアサートし、素子を第２のディスプレイ状態にしてビデオデータのフレームを表示するために、フレームディスプレイ書込処理の第２の部分（１０１）の間、素子上に電位差をアサートするアレイコントローラ（２２）を含む。第１のディスプレイ状態は、第２のディスプレイ状態とは異なる。別の実施形態では、アレイコントローラ（２２）は、電荷蓄積及びオフセット電圧レベルに対して影響を与える素子に大きな電位差をアサートする。別の実施形態では、アレイコントローラ（２２）は、素子の動作に影響を与える逆境条件に打ち勝つため状態間で素子を迅速に切り替えるためパルスをアサートする。 （もっと読む）

【解決手段】２つの表示面を有する干渉光変調デバイスが提供される。いくつかの実施形態では、このデバイスは、デバイスの各側に１つ、すなわち２つの別個のイメージを同時に生成することができる。 （もっと読む）

【課題】インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター
【解決手段】
ＭＥＭＳデバイス１０８の製造に用いられるプロセスステップと同じプロセスステップの少なくとも一部を用いて製造されるプロセスコントロールモニター１００、１０２、及び１０４が開示される。プロセスコントロールモニター１００、１０２、及び１０４の分析は、ＭＥＭＳデバイス１０８の性質及び前記デバイス内の構成要素又は副構成要素に関する情報を提供することができる。この情報は、加工の際の誤りを識別するために又はＭＥＭＳデバイス１０８を最適化するために用いることができる。幾つかの実施形態においては、プロセスコントロールモニター１００、１０２、及び１０４の分析は、光学的測定値を利用することができる。 （もっと読む）

【解決手段】統合ポストおよび変形可能層８７０を備えるＭＥＭＳデバイス８００が提供される。いくつかの実施形態では、ポストと変形可能層との間の移行部は、実質的に単一の弓形又は凸形状の表面を備えており、これによって、機械的にロバストな構造を提供する。いくつかの実施形態は、その上に比較的一様な変形可能層を形成することに役立つ面を提供する自己平坦化犠牲材料の使用を含むＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）

本発明の側面によると、プロセスは、ボンディングされた、エッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法は、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハを含み、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハは、（ｉ）ハンドル・レイヤ、（ｉｉ）二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ、及び（iii）装置レイヤを有する。最初、装置レイヤは、メサ・エッチングによってパターン形成される。装置レイヤがパターン形成された後、ＳＯＩウェハは、基板に面する、パターン形成された装置レイヤを有する基板にボンディングされる。ＳＯＩウェハのハンドル・レイヤ、及び誘電体レイヤは、エッチングによって除去される。更に、装置レイヤが、ＭＥＭＳ装置を定めるためにエッチングされる。ＢＥＳＯＩ方法では、誘電体ＳｉＯ₂レイヤが除去された後に構造エッチングが実行される。 （もっと読む）

本発明は、堆積すべき物質または前駆物質を、溶剤または移送媒体中で構造体（５ａ、７ａ）に供給することにより、基板（Ｓｕｂ）上のマイクロメカニック構造体（５ａ、７ａ）の表面上に付着防止層を堆積する方法に関する。使用される溶剤および移送媒体は超臨界ＣＯ_２流体である。前記物質または前駆物質の堆積はＣＯ_２流体の状態の物理的変化によりまたは表面と前駆物質の表面反応により行う。本発明の方法は、接続通路（１５）または穿孔ホールにより堆積すべき材料を供給することにより、構造体のカプセル化後に、空洞（１４）またはキャビティ中でマイクロメカニック構造体（５ａ、７ａ）を被覆することを可能にする。
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【課題】 真空下で密封した装置受け入れキャビティ即ちチャンバ（１２、１４）の内側表面に付着した薄膜ゲッター（３０）を含む、装置パッケージ（１０）を提供する。
【解決手段】 薄膜ゲッターは、例えば、スパッタリング、抵抗加熱蒸着、電子ビーム加熱蒸着、又は任意の他の適当な付着技術を使用して付着される。 （もっと読む）

一般に、１態様では、本発明は、第１の材料を含む層を提供すること；レジストのような処理層を必要とせずに層の表面を露出しながら層をパターン化すること；パターン化された層に前駆体を浸透させること；およびパターン化された層の中の前駆体を反応させて構造化材料を形成すること；を含む構造化材料の形成方法をその特徴とする。 （もっと読む）