【課題】性能の向上したアクチュエータを提供する。
【解決手段】アスペクト比が10⁴以上のカーボンナノチューブ、イオン液体から構成される導電性フィルムと導電性ポリマーを複合化したアクチュエータ用複合導電性薄膜。 （もっと読む）

【課題】シリコン（Ｓｉ）基板を用い電鋳法で格子の金属部分をより緻密に形成し得る金属格子の製造方法および前記金属格子ならびにこれを用いたＸ線撮像装置を提供する。
【解決手段】金属格子ＤＧは、第１Ｓｉ層１１とこの上に形成され第２Ｓｉ部分１２ａおよび金属部分１２ｂを交互に平行に配設した格子１２とを備え、第２Ｓｉ部分１２ａは、第１Ｓｉ層１１との間に第１絶縁層１２ｃを有し、金属部分１２ｂとの間に第２絶縁層１２ｄを有する。金属格子ＤＧは、第１Ｓｉ層に第１絶縁層を介して付けられた第２Ｓｉ層を備える基板の第２Ｓｉ層上にレジスト層を形成し、これをリソグラフィー法でパターニングして除去し、ドライエッチング法で除去部分に対応する第２Ｓｉ層を第１Ｓｉ層に到達するまでエッチングしてスリット溝を形成し、その側面に陽極酸化法で第２絶縁層を形成し、電鋳法でスリット溝を金属で埋めることで製造される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスを構成する絶縁構造体において応力による強度低下を回避する技術を提供する。
【解決手段】母材１００（ａ）に設けた絶縁部形成領域に平行配列する複数の溝を形成する（ｂ）。この溝は、絶縁部形成領域の上端側では溝２００が溝２０１よりも上端側に突出し、下端側では溝２０１が溝２００よりも下端側に突出する。溝を形成した絶縁部形成領域を熱酸化処理する。熱酸化処理で母材表面に成長した酸化膜により溝が完全に埋められた場合（ｃ）、酸化領域３００は、接続する導電性領域１０１，１０２に対して十分な幅を持つ板状の支持構造になり、構造体にかかる応力に対して高い強度をもつ。熱酸化処理で溝が完全に埋められなかった場合（ｄ）、酸化領域３０１の両側に接続する導電性領域１０１，１０２は、つづら折れ形状の梁からなるばねにより支持される状態となる。ばね形状の構造による緩衝作用により構造体にかかる応力を緩和する。 （もっと読む）

【課題】静電容量型トランスデューサーの製造コストを抑制しつつ感度を高める。
【解決手段】基板層（１０１）と、基板層に積層された絶縁層（１０２）と、絶縁層に積層されたシリコン層（１０３）とを含むダイを備え、支持部１１ａと、支持部に少なくとも一辺が結合し基板層の主面と垂直である厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極１１ｂと、基板層の主面と平行な方向において可撓電極と対向し基板層の主面と垂直な側面を有する固定電極１０ａ、１０ｂとがシリコン層によって形成され、支持部と固定電極とが絶縁層によって前記基板層に結合され、可撓電極と基板層との間には絶縁層に対応する空隙（Ｇ）が形成されている、ナノシートトランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】歩留りの向上が可能で、内部の平坦性の良好なキャビティを得ることが可能な電気機械変換装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置の製造において、支持基板２０１上に、熱酸化による絶縁層２０５を介して表面が平坦化処理された活性層２１０を備えたSOI基板２０９を用意し、活性層をキャビティ形状にパターニングする。パターニングされた活性層上に絶縁膜２０６、２０７を形成し、絶縁膜を貫通して活性層に連通するエッチング孔２０３を形成する。エッチング孔を利用して活性層をエッチング除去してキャビティ２０２を形成する。 （もっと読む）

【課題】可動電極構造体に安定した状態で接点電極が形成できるようにする。
【解決手段】第２電極１０３の上部の後述する接点部が形成される接点部形成領域において、第２開口部１０５ａを有する密着膜１０５を犠牲膜１０４の上に形成し、次に、第２開口部１０５ａを覆って密着膜１０５の上に接点電極膜１０６を形成する。密着膜１０５は、例えば、チタン、クロム、ジルコニウム、タンタルなどの遷移金属、およびこれらの酸化物から構成することができる。接点電極膜１０６は、例えば、ルテニウム，ロジウム，パラジウム，オスミウム，イリジウム，および白金などの白金属の金属および金などから構成することができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】内部に空洞１０を有する半導体基板２の表面部（上壁１１）に、互いに間隔を空けて噛み合うＺ固定電極６１とＺ可動電極６２とを形成する。そして、各Ｚ可動電極６２の電極部６６において、半導体基板２の表面から空洞１０へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層７０を埋め込む。これにより、Ｚ固定電極６１の電極部６４とＺ可動電極６２の電極部６６とが対向することによって構成されるキャパシタに、電極間距離ｄ１に基づく容量と、電極間距離ｄ２に基づく容量とを付与することによって、同一キャパシタ内において、静電容量の差を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】可動部を低い駆動力で揺動させることが可能な光偏向装置を提供すること。
【解決手段】光偏向装置は、基板と、平板形状の可動部２２０と、可動部２２０の端部２４２ａに接続されている突出部２４１ａと、突出部２４１ａと同一の中心軸２４０を有するように、可動部２２０の端部２４２ｂに接続されている突出部２４１ｂと、基板上に設置されており、突出部２４１ａの中心軸２４０の周囲を取り囲んでいる規制部２５０ａと、基板上に設置されており、突出部２４１ｂの中心軸２４０の周囲を取り囲んでいる規制部２５０ｂと、可動部２２０を揺動させる固定電極２０４ａ、２０４ｂと、を備える。規制部２５０ａで突出部２４１ａが支持されており、規制部２５０ｂで突出部２４１ｂが支持されていることで、可動部２２０が基板の上方に離反した位置で中心軸２４０の周りに揺動可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】均一な又は調整されたコーティングを有する新規なマイクロチャネル装置、及び、これらのコーティングを製造する新規な方法を提供する。
【解決手段】マイクロチャネル装置内の内部マイクロチャネルは、均一にコーティングされる。注目すべきことには、これらの均一なコーティングは、装置が組み立てられた後もしくは製造された後に内部チャネルに適用した材料から形成される。コーティングは、マイクロチャネルのコーナーにおいて、及び／又は、複数マイクロチャネルのアレイの多数のマイクロチャネル全体にわたって、マイクロチャネルの長さに沿って均一に作られ得る。マイクロチャネル上へのウォッシュコートの塗布を調整するための技術も記述される。 （もっと読む）

【課題】 金属基板に形成した圧電膜の特性を向上させることが可能で、かつ、ミラーの反射性能を低下させない光走査素子及びその製造方法を提供すること。
【解決方法】 金属基板に形成された、ミラー２と、ミラー２を保持するヒンジ部１と、ヒンジ部１を保持する金属フレーム３と、ヒンジ部１に捩れ振動を生じさせる振動部とを有し、振動部はヒンジ部１から離れた金属フレーム３上に形成された圧電膜１０と上部電極４とからなり、圧電膜１０が金属基板に形成された窪み５の中に形成されている。圧電膜を形成した後、熱処理を施し、その後、圧電膜が形成された側の面に鏡面研磨が施されている。 （もっと読む）

【課題】基台が有する凹部の表面を被覆することのできるセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサの例によるフローセンサは、一方の面にキャビティ２５を有する基台２０と、基台２０の一方の面の上に設けられるセンサ薄膜３０と、を備える。センサ薄膜３０は、キャビティ２５に通ずるスリット３６を有している。キャビティ２５の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ２５の表面Ａは、原子層堆積法により形成された膜Ｘで被覆されている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を厚くすることなく、放電耐圧を向上させ、デバイスの特性の安定化や性能の向上を図る。
【解決手段】高耐圧配線は、Ｓｉ基板１０１上に形成された配線層１０３と、絶縁膜１０４と、上層配線１０５，１０６と、絶縁膜１０４に形成された溝１０７とを有する。配線層１０３上の絶縁膜１０４の厚さＴは、上層配線１０５と１０６間の距離ｄよりも小さく、溝の幅Ｗは、距離ｄよりも小さい。絶縁膜１０４の厚さＴは、配線層１０３と上層配線１０５，１０６との間に与えられる最大の電位差Ｖ_maxよりも絶縁膜１０４の耐圧が大きくなるように設定され、絶縁膜１０４の露出量Ｘは、溝の幅Ｗと距離ｄとが等しいときの絶縁膜１０４に沿った沿面放電開始電圧をＶ₀（Ｖ₀＝ｂ×ｌｎＴ＋ｃ、ｂ，ｃは定数）としたとき、Ｖ_max＜ａＸ＋Ｖ₀（ａは定数）となるように設定される。 （もっと読む）

【課題】設計自由度が高く曲げ強度が高く極めてアスペクト比が高いニードルを提供する。
【解決手段】最小幅１μｍ以上の連続領域を保護する膜であるリード保護膜Ｒ１をシリコン基板１００の主面１０１の一カ所以上に形成する工程と、シリコン基板１００の主面１０１のリード保護膜Ｒ１から露出している領域を垂直方向にエッチングすることによって直柱体１０２を形成する工程と、直柱体１０２の内部に酸化されずに残る直柱体領域１０４の横断面最大幅が１μｍ未満になるまでシリコン基板１００を熱酸化する工程と、シリコン基板１００に形成された酸化膜１０３を除去することによって、直柱体領域１０４からなるリードと、底に向かって広がるフレア面を側面とし頂からリード１０４が突出するマウント１０５とを有しシリコンからなるニードル１０を形成する工程と、を含むシリコンナノニードルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 可変容量素子の動作不良を防止し、可変容量素子の信頼性を向上する。
【解決手段】 可変容量素子は、固定電極と、固定電極上に積層された絶縁層を含む絶縁部と、絶縁層上に絶縁層から離れる方向に移動可能に積層された可動部および可動部の一端を絶縁部に固定する固定部を含む可動電極と、可動電極に間隔を空けて対向する対向電極とを有している。 （もっと読む）

【課題】引出電極間の短絡による圧電アクチュエーターの駆動不良の減少した圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子７３の形成工程後、エッチング工程において、後に形成される引出電極９０間の振動板５３の少なくとも一部を、エッチング残り上電極膜８３が除去され、振動板５３が除去されない条件でエッチングする。圧電素子形成工程の際に、エッチング残り上電極膜８３が引出電極９０間に生じても、エッチング残り上電極膜８３がエッチングによって分断され、エッチング残り上電極膜８３に形成される引出電極９０間の絶縁を保つことができる。したがって、引出電極９０間の短絡によって生じる圧電アクチュエーターの駆動不良が減少した圧電アクチュエーターの製造方法を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可動ゲート電極の変位を制御可能な可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１７とドレイン電極１８との上に導電シールド電極２０が配置される可動ゲート型電界効果トランジスタ１とした。そして導電シールド電極２０の電位を固定することとした。導電シールド電極２０が配置されることにより、可動ゲート１５とドレイン電極１８またはソース電極１７との間に発生する静電力を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】気密空間の気密信頼性が向上されたウェハレベルパッケージ構造体、センサエレメント、センサデバイス、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】センシング部を有するセンサ本体が複数形成されたセンサウェハと、センシング部を気密封止する空間を形成するための凹部が少なくとも１つ形成されたパッケージウェハとが常温接合されており、センサウェハとパッケージウェハとの接合面が環状に形成され、その環状の接合面における外周側の端部が、センサウェハとパッケージウェハそれぞれの外表面に形成された蒸着膜若しくは熱酸化膜によって閉塞されている。 （もっと読む）

【課題】回路構成の設計自由度の高いＭＥＭＳ及びＭＥＭＳの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の一方の面側に設けられる第１半導体部２１と、基板１０の一方の面側に設けられる振動子３１と、を備えるＭＥＭＳにおいて、第１半導体部２１の側面側に設けられ、かつ基板表面に対して略垂直な第１面２１ａと、振動子３１の側面側に設けられ、かつ基板表面に平行な方向において第１面２１ａと対向する第２面３１ａが設けられると共に、第２面３１ａ側の表層部分は第１面２１ａ側をゲート電極として電圧が印加された際にチャネルとなることで、第１半導体部２１における第１面２１ａを含む部分と振動子３１における第２面３１ａを含む部分とで電界効果トランジスタが構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】短時間で製造することができ、十分な気密性を有するとともに、基板の反りを低減させることができる貫通電極、微小構造体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域を貫通トレンチ２１で囲み、貫通トレンチ２１内に絶縁膜５０を形成して周囲から絶縁分離した貫通電極６０において、絶縁膜５０は、貫通トレンチ２１の側面から化学気相成長させたシリコン膜４０を熱酸化したシリコン熱酸化膜５０である。 （もっと読む）