【課題】シリコンまたは多の単結晶材料のエピタキシャル成長と両立し、かつ厚さに限定されず化学エッチングに対して良好な選択性をもつ犠牲層を有する基板を提供する。
【解決手段】少なくとも１種の単結晶材料の第１および第２の部分と、２つの単結晶ＳｉＧｅ層間に位置する少なくとも１つの単結晶Ｓｉ層からなるスタックによって構成された犠牲層とを含む不均質基板からコンポーネントを製造する方法であって、前記単結晶材料の前記第１の部分と前記第２の部分の間に配置されたスタックに対して、前記第１および／または第２の部分ならびに前記第１および／または第２のＳｉＧｅ層に、少なくとも１つの開口２０を、前記Ｓｉ層に到達するように形成するステップと、該開口を通じて前記Ｓｉ層の全部または一部を除去するステップからなる。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板のハンドリング時や加工時にメンブレンが破損する確率を低下し、ハンドリング部材を被処理基板から迅速に除去する。
【解決手段】 本発明において、ハンドリング部材には、素子と固定する面に、素子と固定された状態で外部と連通する流路の一部を構成する溝が形成される。被処理基板とハンドリング部材との固定工程において、振動膜支持部のエッジ方向と、ハンドリング部材の溝のエッジ方向とが交差するように、ハンドリング部材を固定する。 （もっと読む）

【課題】部分的な単結晶アンカーを含むＭＥＭＳ／ＮＥＭＳ構造体を製造する。
【解決手段】本発明は、基板の一表面に保護層を形成する段階であって、前記保護層が、前記基板の材料と異なる単結晶材料で作られる段階と、少なくとも１つのキャビティを形成するために前記保護層及び前記基板をエッチングする段階であって、前記エッチングが、前記キャビティの端部における前記保護層の材料で作られる突出部を残すように行われる段階と、絶縁アンカー部分を得るために電気絶縁材料で前記キャビティを満たす段階と、フレキシブルな機械的要素の製造のために設計される層を得るために前記保護層及び前記電気絶縁材料からの半導体材料のエピタキシャル成長段階と、前記突出部の少なくとも１つの部分を残すことを可能にしながら前記フレキシブルな機械的要素を開放する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つのアクティブ素子を含む電気機械デバイスを少なくとも１つの基板上に製造する方法を提供する。
【解決手段】第１の部分１と、界面層８と、第２の部分９とを含む不均質基板を製造するステップであり、前記第１の部分１が、第１の単結晶材料中に形成され、埋込みゾーン３_１を含み、表面１”と埋込みゾーンをつなぐ開口２０と、埋込みゾーンと界面層８をつなぐトレンチ２６を通じて、前記埋込みゾーンを選択的に腐食することができるように、第２の単結晶材料３を形成するステップと、前記埋込みゾーン３_１の少なくとも一部をエッチングして、１つの空洞１４を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】異物の侵入などによって弁体部に開閉不良が生じた場合、確実にこれを検出することが可能なマイクロバルブを提供する。
【解決手段】ダイアフラム１２は、開閉検出手段２６を構成する第１の電極（可動電極）を兼ねている。また、第２の基板２０の溝部２２において、ダイアフラム１２と対面する位置に、開閉検出手段２６を構成する第２の電極（固定電極）２８が形成される。 （もっと読む）

本発明は、基板背面からアクセスされる、マイクロメカニカル技術によるメンブラン構造体の特に容易かつ低コストの方法を提案する。この方法はｐ型ドーピングされたＳｉ基板（１）から出発し、以下のプロセスステップを有する：すなわち、基板表面の、連続している少なくとも１つの格子状領域（２）をｎ型ドーピングするステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の下の基板領域（５）を多孔性にエッチングするステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の下の基板領域（５）内に空洞（７）を形成するステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）上に、第１の単結晶シリコンエピタキシャル層（８）を成長させるステップ、とを有している。本願発明は次のような特徴を有している。すなわち、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の少なくとも１つの開口部（６）を、開口部が成長する第１のエピタキシャル層（８）によって封鎖されず、空洞（７）へのアクセス開口部（９）を形成するように定め；空洞壁部上に酸化物層（１０）を形成し；空洞（７）への背面アクセス部（１３）を設け、ここで空洞壁部上の酸化物層（１０）を、エッチングストップ層として用い；酸化物層（１０）を空洞（７）の領域内で除去し、空洞（７）上に形成されているメンブラン構造体（１４）への背面アクセス部（１３）を生じさせる、ことを特徴とする。
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【課題】容量型機械電気変換素子において、電極間に設けられる犠牲層のエッチング速度を比較的高速且つ安定にできて、素子の生産性を向上する。
【解決手段】容量型機械電気変換素子の製造方法において、基板４に第１の電極８を形成し、第１の電極８上に、第１の電極へ通じる開口部６が設けられた絶縁層９を形成し、絶縁層上に犠牲層を形成する。犠牲層上に、第２の電極１を備える振動膜３を形成し、振動膜に開口をエッチング液の入口として設ける。犠牲層をエッチングしてキャビティ１０を形成し、エッチング液の入口としての開口を封止する。開口部６と犠牲層と振動膜の開口を介して、第１の電極８と外部に設けた対向電極との間で通電する電解エッチングを行なってエッチングを実行する。 （もっと読む）

【課題】絶縁のために電圧等を印加する必要が無く、機械的強度の低下を抑えることができ、寄生容量を抑制可能な、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を有する構造体及びその製法を提供する。
【解決手段】互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域104を有する構造体は、導電性領域104の上面側に、可動に支持された可動子301が設けられ、可動子301は導電性領域104に対向する電極を有する。導電性領域104の下面を介して電気信号が授受可能に構成され、複数の導電性領域104間が、連続した酸化領域によって絶縁され、酸化領域は、複数の貫通孔103もしくは溝が形成された材料の酸化物102から成る。 （もっと読む）

【課題】内部に段差を有する高アスペクト比の凹部を高い加工精度で容易に形成することができるシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】寸法Ｗまたは形状が異なる複数の開口部２１ａ〜２１ｆ，２２を備えたマスクパターン２を形成するマスクパターン形成工程と、複数の開口部２１ａ〜２１ｆ，２２に露出された基材１を同時に深さｄ１，ｄ２方向に異方性ドライエッチングして、深さｄ１，ｄ２の異なる初期凹部１１，１２を形成するエッチング工程と、複数の初期凹部１１，１２の内表面を酸化することにより、初期凹部１１，１２の各々の間に隔壁１ｗとして残存した基材１の全体を酸化して酸化部を形成する酸化部形成工程と、酸化部を除去して、凹部４を形成する酸化部除去工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスに温度補償用の温度センサを組み込む。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスは、シリコンサブアセンブリに接続されたシリコンピン１０８上に形成されたＰ−Ｎデバイス１１６を含み、このＰ−Ｎデバイスは、シリコンピンが第１ガラスウェーハの中に埋め込まれる前に、シリコンピンを製作するために使用されるシリコン基板の上に形成される。１つの実施形態では、Ｐ−Ｎデバイスを形成するステップは、不純物をシリコンピンの内部に選択的に拡散させるステップと、Ｐ−Ｎデバイスを温度センサとして動作するように構成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗部の上に圧電層を備えるＭＥＭＳの電気的特性を向上させる。
【解決手段】半導体層に不純物を注入することにより前記半導体層にピエゾ抵抗部を形成し、前記半導体層の表面に結合している絶縁層の表面の平坦な領域に下層電極となる導電層を形成し、前記下層電極となる導電層の表面の平坦な領域に圧電層を形成し、前記圧電層の表面に上層電極となる導電層を形成し、前記下層電極となる導電層と前記圧電層と前記上層電極となる導電層とをエッチングすることにより圧電素子を形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。
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【課題】ＭＥＭＳの特性を均一化する。
【解決手段】梁部と錘部と接続部とを備え前記接続部によって前記梁部に前記錘部が接続されているＭＥＭＳの製造方法であって、バルク材からなり前記錘部となる基部の平坦面に形成され前記基部を残してエッチング可能な材料からなる犠牲層に、前記基部を露出させる通孔を形成し、前記犠牲層とともにエッチングされない材料の堆積によって前記通孔内に前記接続部の少なくとも表層を形成し、前記基部の前記通孔を囲む位置に前記犠牲層を露出させる環状溝を形成し、前記環状溝から露出している前記犠牲層を等方性エッチングによって除去することを含み、前記接続部の表層となる材料の堆積によって前記犠牲層の上において前記梁部と前記接続部と前記錘部とが一体となる。 （もっと読む）

【課題】機械共振器の共振周波数をより高くし、加えて、Ｑ値をより高くできるようにする。
【解決手段】ＧａＡｓの結晶からなる基板１０１の上に、Ｉｎ_0.1Ｇａ_0.9Ａｓからなる膜厚３μｍのバッファ層１０２が形成され、バッファ層１０２の上にＩｎ_0.1Ａｌ_0.9Ａｓからなる膜厚２μｍの歪み印加層１０３が形成され、歪み印加層１０３の上にＧａＡｓからなる膜厚２００ｎｍの振動部形成層１０４が形成された状態とする。次に、振動部形成層１０４および歪み印加層１０３を選択的に除去し、基板１０１の上に細線構造１０５が形成された状態とする。この後、細線構造１０５の下部の歪み印加層１０３を除去し、２箇所の支持部１０６により支持された梁構造１０７が、基板１０１の上に離間して振動可能に形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】脆弱な部分を有する構造の半導体装置を製造する際に、半導体装置の破損を避けてダイシングを行なう。
【解決手段】本発明の半導体装置１００の製造方法は、複数のチップを有する半導体ウェーハ１０１における各チップの所定の領域上に、振動膜１０３を形成する工程（ａ）と、各チップの振動膜１０３上に位置する犠牲層１１３を含む中間膜１０２を半導体ウェーハ上に形成する工程（ｂ）と、中間膜１０２上に固定膜１０４を形成する工程（ｃ）と、半導体ウェーハ１０１をブレードダイシングすることにより、各チップ１００ａを分離する工程（ｄ）と、各チップ１００ａに対するエッチングにより、犠牲層１１３を除去して振動膜１０３と固定膜１０４との間に空隙を設ける工程（ｅ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上に積層された素子を形成するための膜にクラックが伝搬する被害を抑えることができる素子ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上において加速度センサ２０が形成られた本願領域６の外周に、本番領域６を囲うように絶縁膜を凹状に成膜した凹部１０を設ける。凹部によってクラックが加速度センサ２０の部分に伝搬することが抑制される。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の優れた封止材を有する微小構造体装置、およびその微小構造体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に微小構造体４が設けられた第１基板２と、微小構造体４に対向する表面を備えた第２基板３と、第１基板２および第２基板３の対向する表面同士を接合するとともに、微小構造体４を取り囲んで封止する封止材５とを備え、封止材５は、第１基板２および第２基板３の対向する表面にそれぞれ設けられた環状の金属層１０と、各金属層の間で各金属層に沿って環状に設けられるとともに、金属層１０，１１同士を接続するＣｕ_６Ｓｎ_５を主成分とするＣｕＳｎ化合物層１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】ギャップを更に狭小化することが可能なマイクロエレクトロメカニカルデバイスの構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスにおいては、共振子２２と電極２１が互いに対向し、その対向面には一対の熱酸化膜５、５が形成されて、両熱酸化膜間に狭小化されたギャップを有している。本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造工程においては、共振子２２と電極２１となるＳｉ層に対し、フォトリソグラフィとエッチングを用いた加工を施して、ギャップとなる溝２０を形成した後、該Ｓｉ層に対し、熱酸化処理を施して、溝２０の対向面に一対のＳｉ熱酸化膜５、５を形成する。 （もっと読む）

【課題】プロセス時間を短縮したバンプの形成方法を提供する。
【解決手段】基板３２上にフォトレジスト層が形成される。基板の第１の領域がフォトマスクを通じて発光源に露出される。露光された領域を第１の深さまでエッチングするために、露光されたフォトレジストの第１の領域が現像液で現像される。第２の領域が第２のフォトマスクを通じて発光源に露出される。第２のフォトマスクは、基板上のバンプ特徴を想定している領域を画定する。第２の領域は現像液で現像され、金属層３４のための露光された第１および第２の領域を準備する。金属が基板および基板上に残っている任意のフォトレジストの両方に接着するように、金属層が基板上に堆積される。残っているフォトレジストおよびそこに付着している金属は溶解し、相互接続パターンおよび少なくとも１つのバンプ３６が残る。 （もっと読む）

【課題】上部電極層と下部電極層との短絡を回避しつつ、アクチュエータの駆動力の低下を防止したアクチュエータ及びアクチュエータの製造方法を提供する。
【解決手段】基材４上の所定領域に下部電極層５Ａ〜５Ｄ、圧電素子層６Ａ、６Ｂ及び上部電極層７Ａ〜７Ｄを順に積層し、その後、特に梁部１４Ａ、１４Ｂの縁部において、切断面Ａに沿って基材４、下部電極層５Ａ〜５Ｄ、圧電素子層６Ａ、６Ｂ及び上部電極層７Ａ〜７Ｄの一部を切除することにより、上部電極層と下部電極層との短絡を回避するように構成する。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械の形成において、材料の除去量が少なく加工時間が短い方法を提供する。
【解決手段】基板３０上にエアロゲルベース層３１を堆積する。ガリウムイオンビームでエアロゲルベース層３１にキャビティー３２を形成する。キャビティーを含むエアロゲルベース層の形状は微小電気機械の表面外形と同一とする。このエアロゲルベース層３１を型としてこの上に酸化シリコン、金、白金、ポリシリコンなどの重い金属層３４を堆積し、微小電気機械の一部とする。 （もっと読む）