隙間閉止アクチュエータ（GCA）装置（200）が提供される。GCA装置は、少なくとも一つの装置駆動櫛状構造（202a、202b）、GCA装置の出力を定める少なくとも一つの入力／出力（I／O）櫛構造（216a、216b）、ならびに装置駆動櫛状構造およびI／O櫛状構造と相互嵌合する少なくとも一つの装置トラス櫛状構造（204）を有し、トラス櫛状構造は、トラス櫛状構造と装置駆動櫛状構造の間に印加される第1のバイアス電圧（V_BIAS）に基づいて、第1の移動軸（205）に沿って、複数の相互嵌合位置の間を移動するように構成される。また、GCA装置は、ブレーキ部（203）を有し、これは、装置トラス櫛状構造と選択的物理的に嵌合するように構成され、第1の移動軸に沿った装置トラス櫛状構造の位置が固定される。

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【課題】第２シリコン基板の第１シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第１シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面３に凹部８ａが形成された第１シリコン基板２と、凹部８ａを封止するように第１シリコン基板２に一方の面７が接合された第２シリコン基板６と、第２シリコン基板６の他方の面１２に形成された歪検出素子１３と、第２シリコン基板６の一方の面７で凹部８ａと対向する部位に、少なくとも凹部８ａと対向する部位と第１シリコン基板２の一方の面３と接合された部位との境界を覆うように形成された第１酸化シリコン膜１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁溝と絶縁部材とで構成された絶縁部を有する半導体基板において、反りの発生を抑制する。
【解決手段】ミラーアレイデバイス１は、電極基板４を備えている。電極基板４は、その厚み方向に導通し且つ絶縁部５で囲まれることによって周辺の部分から絶縁された駆動電極４１を有している。絶縁部５は、電極基板４の表面４ａから形成された絶縁溝５１と、電極基板の裏面４ｂから埋め込まれて絶縁溝５１内に突出する絶縁部材５２とで構成されている。電極基板４には、電極基板４の応力を緩和するための応力緩和溝６が絶縁部材５２が埋め込まれた裏面４ｂ側から形成されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロピンセット、その製造方法及びその操作方法に関し、操作性及び簡易性を向上する。
【解決手段】アーム支持部２と前記アーム支持部に設けられ先端部を把持部９とする一対のアーム部３とからなるフレーム１と、前記一対のアームに設けられたＡｓ−Ｓ、Ａｓ−Ｓｅ或いはＡｓ−Ｓ−Ｓｅのいずれかのカルコゲナイドガラス薄膜１０，１１からなる駆動素子と、前記カルコゲナイドガラス薄膜に偏光保持型光ファイバ１２，１３を経由してレーザ光を照射するレーザ光照射手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】封止領域の気密性を高めることができる貫通電極及びその製造方法、並びに微小構造体を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域１１を周囲と絶縁して形成した貫通電極１００であって、前記基板の第１の面側に、前記基板を貫通しない深さに形成された第１のトレンチ３０と、該第１のトレンチより溝幅が狭く、該第１のトレンチの底面と前記基板の第２の面とを貫通する第２のトレンチ２０と、該第２のトレンチを充填するとともに、前記第１のトレンチの溝表面を覆う絶縁層５０と、前記第１のトレンチの溝表面を覆う前記絶縁層上に、前記第１のトレンチの両側の内壁に沿うとともに、前記第１のトレンチの底面を横断する横断部６２を含むように形成された成長膜６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】可動部を支持する可動梁に張力を生じさせ、沈み込みを防止することができる光偏向装置を提供する。
【解決手段】光偏向装置は、基板と、可動部と、一対の支持部と、一対の可動梁を備えている。可動部は、少なくとも１つの開口部を形成する枠形状を備えている。各々の支持部は、基板に固定されて基板から上方に伸びている。一対の支持部は、間隔を挟んで相互に離間しているとともに開口部内に配置されている。各々の可動梁は、対応する支持部と可動部の開口部の内周面とを接続している。一対の可動梁は、基板の表面に平行な同一直線上を伸びて、可動部を直線の周りに揺動可能に支持している。枠形状の可動部のうち、少なくとも間隔に沿って伸びる範囲に、基板よりも熱膨張係数が低い材料で形成されている低熱膨張部分が存在する。 （もっと読む）

【課題】
ＭＥＭＳ分野に適したＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板と、前記Ｓｉ基板の一主面上に配置されたＳｉＯ_２層と、前記ＳｉＯ_２層上に配置され、前記Ｓｉ基板と前記ＳｉＯ_２層との密着強度に比べ、前記ＳｉＯ_２層との密着強度が小さいと共に、前記Ｓｉ基板に比べて厚みの小さいＳｉ層と、を含むＳＯＩ基板である。これにより、ＭＥＭＳ分野に適応したときに生産性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】患部に直接薬剤を打ち込む治療を行うための生体内適合性針状体を再現性良く高精度に製造する方法を提供する。
【解決手段】
複数のエッチング工程によって形成したマスターモールドを反転転写して形成したマスターモールドの針状体の形状を反転転写した微細孔２１ａを備えた針状体成型用モールド２１に溶融した生体内適合性材料を充填する。生体内適合性材料が固化した後、針状体成型用モールド２１取り外すことによって、先端に向かって細径化したテーパ状をなす先端部と該先端部に連なる長手方向にわたって同一径、あるいは径が小さくなる支柱部を有する生体溶解性針状体２２ｂを製造する。
マスターモールドのエッチングにおいて、ボッシュプロセスによって任意の微細形状の支柱部を形成し、酸化シリコン膜の形成の除去を繰り返しによって、先端部の鋭角化を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上および製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層中のチャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域(13)と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(19)と、前記ゲート絶縁膜上に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接触するよう可動に構成され、前記ゲート電極上に加わる力を、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との接触面積により検出するように構成する。このように、上記接触面積によりゲート電極上に加わる力を検出することができる。また、一時的なＦＥＴ構造を利用することにより、装置および製造工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板と蓋との位置合わせを高い精度で行うことが可能な、可動部を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】外力により変位する、少なくとも上面及び側面に絶縁膜が形成された半導体からなる第１の可動部２１及び第２の可動部２２が表面に形成された基板１０と、封止された貫通孔８１を有し、第１の可動部２１及び第２の可動部２２との間に空間３００を形成するように基板１０上に配置された絶縁膜からなる蓋８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】高効率の触媒反応を可能とする信頼性の高いマイクロリアクターと、そのようなマイクロリアクターを簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】マイクロリアクター１を、内部に触媒Ｃを担持した金属製のマイクロリアクター本体２と、このマイクロリアクター本体２の少なくとも１つの面に電気絶縁層１１を介して配設された発熱体１４とを有するものとし、電気絶縁層１１は、マイクロリアクター本体２側から軟質金属酸化物膜１２と金属酸化物膜１３が積層された多層構造とし、軟質金属酸化物膜１２の硬度は、ＳＡＩＣＡＳによる切削時の水平方向の荷重値が１〜１０ｍＮ／ｓの範囲、垂直方向の荷重値が１〜１０ｍＮ／ｓの範囲のものとする。 （もっと読む）

【課題】高い感度で外力を検出することができるＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】基板５０と、基板５０上に配置された第１の支持部５１及び第２の支持部５２と、第１可動電極１１を有し、第１可動電極１１から離間した位置において第１の支持部５１に固定され、外力により変位する第１の可動部１０と、第１可動電極１１と対向して配置された第２可動電極２１を有し、第２可動電極２１から離間した位置において第２の支持部５２に固定され、外力により変位する第２の可動部２０とを備え、第１可動電極１１と第２可動電極２１との対向位置Ａと第１の可動部１０の重心位置Ｃ１との間において第１の可動部１０が第１の支持部５１に固定され、第２の可動部２０の重心位置Ｃ２を挟んで対向位置Ａと対向する位置において第２の可動部２０が第２の支持部５２に固定されている。 （もっと読む）

【課題】 新規な補強シリコン製マイクロメカニカル部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の新規な補強シリコンマイクロメカニカル部品の製造方法は下記の順の、
(A)シリコンウエハ内に部品又は部品のバッチを微細機械加工するステップと、
(B)自然二酸化珪素の厚さよりも少なくとも５倍超の厚さの二酸化珪素を生成するために、一ステップ又は数ステップで、前記部品の全ての外面上に二酸化珪素層を形成するステップと、
(C)エッチングにより二酸化珪素層を除去するステップと、
からなる。 （もっと読む）

【課題】可動部の反りを抑制することができる可変容量素子を提供する。
【解決手段】 第１の可動部７のＸ軸方向の両側には、第２の可動部１０をそれぞれ配置し、第１，第２の可動部７，１０を絶縁状態の連結梁９を用いて連結する。第２の可動部１０は、支持梁１２を用いて支持部５に連結する。第２の可動部１０、連結梁９および支持梁１２は、第１の可動部７を挟んでＸ軸方向に対して対称な形状に形成する。これにより、第１，第２の可動部７，１０の反りが累積するのを防止して、第１の可動部７および第２の可動部１０を合わせた全体の反り量を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の信頼性の向上とＭＩＭ素子の特性の向上とを両立する。
【解決手段】本発明の例に関わるＭＥＭＳデバイスは、基板１上に設けられる第１の下部電極１２と、第１の下部電極１２上に設けられ、第１の厚さｔ１を有する第１の絶縁体２０と、第１の下部電極１２上方にアンカーによって中空に支持される可動な第１の上部電極１６とを有するＭＥＭＳ素子１０と、基板１上に設けられる第２の下部電極５２と、第２の下部電極５２上に設けられ、第２の厚さｔ２を有する第２の絶縁体２５と、第２の絶縁体２５上に設けられる第２の上部電極５４とを有する容量素子５０と、を具備し、第２の厚さｔ２は、第１の厚さｔ１よりも薄いことを備える。 （もっと読む）

【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に形成された多結晶シリコンからなる固定電極１０と、シリコン基板１上に形成された窒化膜３と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置された多結晶シリコンからなる可動電極２０と、可動電極２０の周囲に形成され且つ固定電極１０の一部を覆うように形成された第１層間絶縁膜１３、第１配線層２３、第２層間絶縁膜１４、第２配線層２４、および保護膜１９がこの順に積層された配線積層部と、を有し、固定電極１０の前記配線積層部に覆われた部分がシリサイド化されてシリサイド部分２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜を形成する耐熱性基板上の下地電極にあらかじめ剥離性の高い積層構造を導入しておいて転写することにより、低コストで高誘電率を有する誘電体構造体、及び、その誘電体構造の製造方法、圧着転写方法、保持構造を提供すること。
【解決手段】非耐熱性基板６０上に下部電極６１ｂを形成する工程と、耐熱性基板６６上に上部電極６４ｂを形成する工程と、上部電極６４ｂ上に誘電体６３ｂを形成する工程と、誘電体６３ｂと、下部電極６１ｂとを、導電性接着部６２ｂを介して、向き合わせて圧着する工程と、誘電体６３ｂと、下部電極６１ｂとを、導電性接着部６２ｂを介して、向き合わせて圧着した後、上部電極６４ｂを耐熱性基板６６から剥離する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】振動子のヤング率などの物性定数がより容易に計測できるようにする。
【解決手段】例えば希弗酸溶液を用い、貫通孔１０４ａを介して犠牲層１０３を等方的にエッチングし、振動子層１０４とＧａＡｓバッファー層１０２との層間に、貫通孔１０４ａの領域を超える空間１３１を形成する。例えば、レジストパターン１０５を除去した後、貫通孔１０４ａを備える振動子層１０４を備える基板１０１を希弗酸溶液に浸漬する。これにより、貫通孔１０４ａより浸入する希弗酸溶液により犠牲層１０３が等方的にエッチングされ、空間１３１が形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】備える機能素子を直接測定することなく、機能素子の寸法を精度よく測定することにより、機能素子の状態が把握されることができる電子装置を提供すること。
【解決手段】電子装置１は、基板２と、基板２上に配置され、固定電極３１および固定電極３１と空隙を隔てて対向配置された可動板３２２を備える可動電極３２を有する機能素子３と、基板２上に設けられ、機能素子３が配置された空洞部６を画成する素子周囲構造体５と、基板２上の空洞部６の外部に設けられ、固定電極３１に対応する第１の検査用膜４１と、可動電極３２に対応する第２の検査用膜４２とを有する検査体４とを有し、検査体４は、所定の部位の寸法が測定されることにより、機能素子３の所定の部位の寸法を求めるために用いられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】機能素子の寸法を精度よく求めることができ、精度よく機能素子の周波数特性を推定することのできる機能素子の寸法の測定方法を提供すること。
【解決手段】 機能素子の寸法の測定方法は、基板２と、基板２上に設けられた固定電極３１および可動電極３２を有する機能素子３とを有する機能素子付き基板１に対し、機能素子３の寸法を測定する方法であって、固定電極３１の形成と同時に、固定電極３１と同様の方法で第１の検査用膜４１を形成する工程と、可動電極３２の形成と同時に、可動電極３２の形成と同様の方法で第２の検査用膜４２を形成する工程と、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２とからなる検査体４の所定の部位の寸法を測定する工程と、測定の結果から、機能素子３の所定の部位の寸法を求める工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）