ヘテロレプティックイリジウム錯体を含む新規な化合物を提供する。この化合物は単一のピリジルベンゾ置換配位子を含む配位子の特定の組み合わせを有する。この化合物は有機発光デバイスに、特に発光ドーパントとして有機発光デバイスに用いることができ、向上した効率、寿命、及び生産性をもたらす。
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【課題】第１電極を金属と酸化物導電体との積層構造とした場合に、金属と酸化物導電体との間で良好な通電特性を得ることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】金属よりなる第１層１３Ａと、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層１
３Ｂとを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層１３Ｂ
の厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜１３Ｂ１を形成する。金属ターゲットを用
いて第２層１３Ｂを成膜しパーティクルを低減する。表面酸化処理の際に、第２層１３Ｂ
の一部を絶縁膜１４で覆うことで、絶縁膜１４下に酸化されない金属膜１３Ｂ２を残す。
第１層１３Ａの表層に酸化膜が形成されてしまった場合にも、第１層１３Ａから酸化物導
電体膜１３Ｂ１までを、金属膜１３Ｂ２を介して低いコンタクト抵抗で接続する。 （もっと読む）

【課題】経時での導電性評価において高い導電性と透明性を有する導電膜と、高温、高湿度環境下における環境試験後でも安定性の優れた有機エレクトロルミネッセンス素子（以後有機ＥＬ素子ともいう）を提供する。
【解決手段】導電性ナノワイヤーとバインダーを含有する導電膜であって、該導電性ナノワイヤーが下記一般式（Ｉ）で表される化合物と該一般式（Ｉ）で表される化合物の酸化体の塩からなる混合原子価化合物であることを特徴とする導電膜とその製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
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【課題】結晶性の良好な半導体膜を成膜する。
【解決手段】処理室１０と、処理室１０の内部に互いに対向するように配置された第１電極２１及び第２電極２５とを備え、第１電極２１の第２電極２５側にはガス導入口２３を内部に有する凹部２２が設けられ、凹部２２は、ガス導入口２３から導入された原料ガスのプラズマ状態における電子密度を高めるように構成されたホロー放電部２２ｈと、ホロー放電部２２ｈで解離させた原料ガスの反応を促進させて処理室１０の内部に供給するためのバッファ部２２ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】分子配向方向が制御された電荷輸送性非晶質薄膜を得る方法を提供する。
【解決手段】明確な融点を示さず、６０℃以上のガラス転移点（Tg）を有し、分子量４００〜２５００の範囲にあり、電荷輸送性のアミン系π共役化合物であって、該π共役化合物が内接する最小直径の円筒の長さ(L)と直径(D)の比(L/D)が２．５以上であるπ共役化合物を、基板に蒸着製膜する際に、基板温度を制御することにより、π共役化合物の配向方向を制御して電荷輸送性非晶質膜の配向方向を制御する方法、及び蒸着する基板の温度を０℃〜Tg-３０℃の範囲に制御してπ共役化合物の分子配向が基板に対して水平方向に配向した電荷輸送性非晶質薄膜を製造する方法。 （もっと読む）

本発明は、導電性ポリマー組成物、および電子デバイスにおけるそれらの使用に関する。これらの組成物は、少なくとも１つの高フッ素化酸ポリマーでドープされた少なくとも１つの導電性ポリマーと、非導電性酸化物ナノ粒子と、少なくとも１つの高沸点有機液体と、少なくとも１つの低沸点有機液体との半水性分散液を含有する。
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【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置する半導体層と、前記半導体層と絶縁されるゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極とを絶縁させるゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と絶縁され、前記半導体層に一部が接続されるソース／ドレイン電極とを含み、前記半導体層は１つまたは複数の凹部を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。また、前記薄膜トランジスタにおいて、前記基板全面に位置する絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記ソース／ドレインと電気的に接続される第１電極、有機膜層及び第２電極とを含み、前記半導体層は１つまたは複数の凹部を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】金属触媒を利用して結晶化した半導体層を利用した薄膜トランジスタにおいて、半導体層に残留する残留金属触媒を最小化して特性が向上した薄膜トランジスタとその製造方法、及び有機電界発光表示装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と；基板上に形成されたシリコン膜と；シリコン膜上部に形成された拡散層と；拡散層上に形成された金属触媒を利用して結晶化した半導体層と；半導体層のチャネル領域に対応するように位置するゲート電極と；半導体層とゲート電極を絶縁させるためにゲート電極と半導体層間に位置するゲート絶縁膜と；半導体層のソース／ドレイン領域に電気的に連結されるソース／ドレイン電極とを含む。また、基板全面にかけて位置する保護膜；及び保護膜上に位置し、ソース／ドレイン電極と電気的に連結される第１電極、有機膜層及び第２電極を含む有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は表面平滑性・導電性・透明性に優れ、かつ生産性の高い透明電極およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】透明支持体上に金属ナノワイヤおよび導電性高分子を含む導電層を有する透明電極の製造方法において、金属ナノワイヤおよびバインダーを含む液を塗布することにより第一導電層を形成する工程、前記バインダーを架橋または硬化する工程、導電性高分子および非導電性高分子を含有する水系分散液を第一導電層の上に塗布し第二導電層を形成する工程および金属ナノワイヤ除去液をパターン印刷し水洗する工程を有することを特徴とする透明電極の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのバーナー（２）を含む火炎処理装置に沿って移動するガラス基材（１）上に堆積された少なくとも１つの薄膜を火炎熱処理するための方法であり、この処理が少なくとも１つの薄膜の結晶化率を増大させ及び／又は少なくとも１つの薄膜内の微結晶サイズを増大させるのに適している方法であって、最大の一時的な曲げ「ｂ」が１５０ｍｍ未満でかつ以下の条件、すなわち、ｂ≦０．９×ｄを満たし、式中、曲げ「ｂ」が、加熱されない基材の平面（Ｐ１）と、バーナー（２）の先端（６）を通りかつ加熱されない基材の平面（Ｐ１）に平行な平面（Ｐ２）に最も近い基材の点との間のｍｍ単位で表される距離に対応し、「ｄ」が、加熱されない基材の平面（Ｐ１）とバーナー（２）の先端（６）との間のｍｍ単位で表される距離に対応し、移動方向（５）に垂直な方向での基材の幅「Ｌ」が１．１ｍ以上であることを特徴とする方法に関する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの表面積を増大させて容量が増加した有機電界発光表示装置及びその製造方法。
【解決手段】薄膜トランジスタ及びキャパシタ領域を含む基板と；バッファー層と；トランジスタ領域に位置する金属触媒を利用して結晶化した半導体層パターンと；ゲート絶縁膜と；前記パターンの一定領域に対応されるゲート電極及びキャパシタ領域のキャパシタ下部電極と；層間絶縁膜と；前記パターンと一部が連結されるソース／ドレイン電極及びキャパシタ下部電極に対応される上部電極と；同じく層間絶縁膜上のソース／ドレイン電極と電気的に連結される第１電極と；発光層を含む有機膜層；及び第２電極をこの順で含み、キャパシタ領域に対応されるバッファー層、ゲート絶縁膜、及び層間絶縁膜の一定領域、キャパシタ下部電極、及びキャパシタ上部電極の表面には半導体層パターンを形成する結晶粒の結晶粒界及びシードの形状と一致する形状の突出部を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】チャネル形成領域にＳｉＯｘを含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層を用い、電気抵抗値の低い金属材料からなる配線層とのコンタクト抵抗を低減するため、ソース電極層及びドレイン電極層と上記ＳｉＯｘを含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層との間にソース領域又はドレイン領域を設ける。ソース領域又はドレイン領域、及び画素領域は同一層のＳｉＯｘを含まないＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高導電性と高透明性を併有する有機薄膜とその製造法、ならびにそれらを用いて製造される有機デバイスを提供する。
【解決手段】先ず、導電性高分子とこの導電性高分子材料の溶解性を高めるための絶縁性の高分子材料からなるドーパントとを溶媒に溶解し、導電性を高めるために1次粒子を分割して粒径の小さく揃った溶液を基板の表面に供給すると共に、当該基板を回転させ、前記基板の表面に１次コロイド粒子の単層又は数層からなる塗布膜を形成する。続いて前記基板を加熱して前記塗布膜中の溶媒を除去し、高導電性と高透明性を併有する有機薄膜を形成する。また前記溶液を基板の中心部に供給する前に、当該溶液に対して基板の漏れ性を高めるためにプリウエット液を基板の表面に塗布してもよい。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタ及び表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜と、絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と、第２の導電膜とを積層し、この上にレジストマスクを形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、該第１の導電膜に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングをドライエッチングにより行ってゲート電極層を形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。ドライエッチングを行う前に、少なくともエッチングされた半導体膜の側壁を酸化処理することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ発光素子において、光取り出し効率の向上と電気的特性の安定化を両立させる。
【解決手段】有機ＥＬ発光素子１は、透光性の基板２と、有機発光層４と、基板２と有機発光層４との間の透光性電極３と、有機発光層４の透光性電極３と反対側に位置する対向電極５とを備える。基板２と透光性電極３との間に、透光性電極３よりも屈折率の低いグリッド６が設けられる。これにより、素子内を層方向に伝播する横伝搬光が、グリッド６に取り込まれて外部に取り出されるので、光取り出し効率が向上し、グリッド６による凹凸が透光性電極３によって緩和されて有機発光層４及び対向電極５の膜厚の均一性が向上するので、電気的特性が安定化される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。また、該酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを形成するにあたって、酸化物半導体層を用い、該酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より高い導電率を有するチタン化合物を含むクラスターを形成する。 （もっと読む）

【課題】 駆動素子の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 画素３０は、有機ＥＬ素子２１を駆動させるための第１選択トランジスタと、第２選択トランジスタＴｒ１２と、発光駆動トランジスタＴｒ１３とを備える。これらのトランジスタの上に形成される層間絶縁膜３５の上面の、スイッチング動作に寄与するトランジスタに対向する領域に凹部５１ａを形成する。これにより、スイッチング動作を行うトランジスタには有機ＥＬ素子から発せられる光、外光等が入射しにくく、発光駆動トランジスタＴｒ１３にはこれらの光が入射する。この光の入射により、有機ＥＬ素子２１の発光量に影響するトランジスタＴｒ１３の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】チャネル形成領域にＳｉＯｘを含む酸化物半導体層を用い、電気抵抗値の低い金属材料からなるソース電極層及びドレイン電極層とのコンタクト抵抗を低減するため、ソース電極層及びドレイン電極層と上記ＳｉＯｘを含む酸化物半導体層との間にソース領域またはドレイン領域を設ける。ソース領域またはドレイン領域は、ＳｉＯｘを含まない酸化物半導体層または酸窒化物膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】低応答速度のアモルファスＳｉ−ＴＦＴを駆動ＴＦＴに用いた場合であっても閾値電圧の更新を逐次可能とすること。
【解決手段】表示装置の一水平期間内に、以下の処理を行う。駆動ＴＦＴの閾値電圧よりも高いパルス電圧Ｖｐｒｅを印加する。蓄積コンデンサを放電させ、放電中に駆動ＴＦＴのゲート電圧Ｖｔｈ’を読み取る。読み取った電圧を、放電が終了した場合の駆動ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈと放電中の駆動ＴＦＴのゲート電圧の間の所定の関係に従って補正することで、駆動ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈを更新する。更新した閾値電圧Ｖｔｈを使用して画素へのデータＶｄａｔａ書き込みを行う。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性の良好な有機半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】低分子有機半導体化合物前駆体及び高分子有機半導体化合物を含む塗布液を調整する塗布液調整工程と、前記塗布液を支持体表面に塗布する塗布工程と、前記支持体表面に塗布された前記塗布液を加熱する加熱工程と、を有する、有機半導体膜の製造方法。 （もっと読む）