表示装置の製造方法および表示装置
【課題】第１電極を金属と酸化物導電体との積層構造とした場合に、金属と酸化物導電体との間で良好な通電特性を得ることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】金属よりなる第１層１３Ａと、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層１
３Ｂとを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層１３Ｂ
の厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜１３Ｂ１を形成する。金属ターゲットを用
いて第２層１３Ｂを成膜しパーティクルを低減する。表面酸化処理の際に、第２層１３Ｂ
の一部を絶縁膜１４で覆うことで、絶縁膜１４下に酸化されない金属膜１３Ｂ２を残す。
第１層１３Ａの表層に酸化膜が形成されてしまった場合にも、第１層１３Ａから酸化物導
電体膜１３Ｂ１までを、金属膜１３Ｂ２を介して低いコンタクト抵抗で接続する。
【解決手段】金属よりなる第１層１３Ａと、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層１
３Ｂとを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層１３Ｂ
の厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜１３Ｂ１を形成する。金属ターゲットを用
いて第２層１３Ｂを成膜しパーティクルを低減する。表面酸化処理の際に、第２層１３Ｂ
の一部を絶縁膜１４で覆うことで、絶縁膜１４下に酸化されない金属膜１３Ｂ２を残す。
第１層１３Ａの表層に酸化膜が形成されてしまった場合にも、第１層１３Ａから酸化物導
電体膜１３Ｂ１までを、金属膜１３Ｂ２を介して低いコンタクト抵抗で接続する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子または液晶を用いた表示装置の製造方法および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の分野では次世代のディスプレイが盛んに開発されており、省スペース、高輝度、低消費電力等が要望されている。このような表示装置として、有機発光素子を用いた有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光型であるため視野角が広く、バックライトを必要としないため省電力が期待でき、応答性が高く、装置自体の厚みを薄くできるなどの特徴を有している。更に、有機ＥＬ表示装置は、有機発光材料が本来有するフレキシブル性を利用するために基板としてプラスチック基板を用いることにより、フレキシブル性を有する装置としても注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置における駆動方式のうち、駆動素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）が用いられるアクティブマトリックス方式は、パッシブマトリックス方式と比べて応答性や解像力の点で優れており、前述した特長を有する有機ＥＬ表示装置において、特に適した駆動方式と考えられている。
【０００４】
アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置は、第１電極と第２電極との間に有機発光材料よりなる発光層を含む有機発光素子（有機ＥＬ素子）とこの有機発光素子を駆動させるための駆動素子（薄膜トランジスタ）とが設けられた駆動パネルを有しており、この駆動パネルと封止パネルとが有機発光素子を挟むように接着層により貼り合わされた構成となっている。
【０００５】
有機ＥＬ表示装置には、各有機発光素子からの光を上記駆動パネル側に射出する下面発光（ボトム・エミッション）方式と、逆にこの光を上記封止パネル側に射出する上面発光（トップエミッション）方式とがあるが、後者のほうが開口率を高くすることができるため、開発の主流となっている。
【０００６】
上面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、下層すなわち駆動素子側の第１電極に、発光層にホールを注入しやすい仕事関数の比較的大きい材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）などの酸化物導電材料が用いられている。ところが、酸化物導電材料は、通常の配線金属材料などと比べ、抵抗率が２〜３桁程度高くなっており、第１電極以外の配線等の材料として流用することができなかった。また、下側方向へ発光する光を有効に利用できないという問題もあった。
【０００７】
このため、例えば特許文献１では、ＩＴＯなどの透明導電膜の下層に、反射率が高く、かつ抵抗率の低い金属膜を形成し、配線などへ流用することができるようにすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１１５３９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
この特許文献１の構造では、透明導電膜をスパッタリングなどにより形成する。しかしながら、ＩＴＯなどの酸化物導電体のスパッタリングターゲットは、金属ターゲットに比べて硬く脆弱であるために、一辺１ｍを超えるような大型ガラス基板上への成膜を行うためには、ターゲットをいくつかに分割する必要があった。そのため、分割部位に対応する箇所にパーティクルが付着しやすく、これがその後に形成される有機層を貫通し、第２電極と第１電極との間で層間ショート欠陥の原因となり、非発光欠陥（滅点画素不良）が発生するという問題が生じていた。
【００１０】
また、金属膜としては、例えば銀、アルミニウム、またはその合金を用いていたが、これらの材料には表面酸化膜が生じやすく、金属膜と透明導電膜との間のコンタクト抵抗が上昇し、発光性能が低下してしまうおそれがあった。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、第１電極を金属と酸化物導電体との積層構造とした場合に、酸化物導電体のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減し、金属と酸化物導電体との間で良好な通電特性を得ることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による表示装置の製造方法は、第１電極と第２電極との間に表示層を有する表示装置を製造するものであって、第１電極を形成する工程は、以下の（Ａ），（Ｂ）の工程を含むものである。
（Ａ）基板に、金属よりなる第１層と、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層とを順に含む積層構造を形成する工程
（Ｂ）積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層の厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜を形成する工程
【００１３】
本発明による第１の表示装置は、第１電極と第２電極との間に表示層を有するものであって、第１電極は、基板に、金属よりなる第１層と、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層とを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層の厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜を形成することにより形成されたものである。
【００１４】
本発明による第２の表示装置は、第１電極と第２電極との間に表示層を有するものであって、第１電極は、金属よりなる第１層と、第２層との積層構造を有し、第１電極の上に、第２層の平面形状における一部を覆う絶縁膜が設けられており、第２層のうち絶縁膜から露出した表面露出部の厚み方向の少なくとも一部は、酸化物導電体膜であり、第２層のうち絶縁膜で覆われている表面被覆部は、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜であるものである。
【００１５】
本発明の第１の表示装置では、第１電極が、基板に、金属よりなる第１層と、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層とを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層の厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜を形成することにより形成されているので、第２層を成膜する際のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルが低減されている。よって、層間ショート欠陥による滅点不良が抑制される。
【００１６】
本発明の第２の表示装置では、第１電極が、金属よりなる第１層と、第２層との積層構造を有すると共に、第２層のうち絶縁膜から露出した表面露出部の厚み方向の少なくとも一部は、酸化物導電体膜である。一方、第２層のうち絶縁膜で覆われている表面被覆部は、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜である。よって、第１層の表層に酸化膜が形成されてしまった場合にも、第１層から酸化物導電体膜までが、金属膜を介して低いコンタクト抵抗で接続され、第１層と第２層との間で良好な通電特性を得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の表示装置の製造方法、または本発明の第１の表示装置によれば、第１電極を、基板に、金属よりなる第１層と、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層とを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層の厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜を形成することにより形成するようにしたので、第２層を成膜する際のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減することができる。よって、層間ショート欠陥による滅点不良を抑制することができる。
【００１８】
本発明の第２の表示装置によれば、第１電極を、金属よりなる第１層と、第２層との積層構造とすると共に、第２層のうち絶縁膜から露出した表面露出部の厚み方向の少なくとも一部を酸化物導電体膜とする一方、第２層のうち絶縁膜で覆われている表面被覆部を、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜とするようにしたので、第１層の表層に酸化膜が形成されてしまった場合にも、第１層から酸化物導電体膜までを、金属膜を介して低いコンタクト抵抗で接続することができ、第１層と第２層との間で良好な通電特性を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図４】図３に示した第１電極の構成を表す断面図である。
【図５】図１ないし図４に示した表示装置の製造方法を工程順に表した断面図である。
【図６】図５に続く工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】図３に示した第１電極の作用を説明するための図である。
【図１０】本発明の変形例を表す図である。
【図１１】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１２】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１３】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１４】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１５】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１６】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。
【００２２】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１３の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００２３】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００２４】
図３は、表示領域１１０の断面構成を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは短冊形の平面形状を有し、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。
【００２５】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１、平坦化層１２、陽極としての第１電極１３、絶縁膜１４、後述する発光層を含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。
【００２６】
このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化ケイ素（ＳｉＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層２０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板３１が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。封止用基板３１には、必要に応じてカラーフィルタ３２およびブラックマトリクスとしての光遮蔽膜（図示せず）が設けられていてもよい。
【００２７】
駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化層１２に設けられた接続孔１２Ａを介して第１電極１３に電気的に接続されている。
【００２８】
平坦化層１２は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１２Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化層１２の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）などの無機材料が挙げられる。
【００２９】
第１電極１３は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成され、例えば、金属よりなる第１層１３Ａと、第２層１３Ｂとを順に含む積層構造を有している。第１電極１３は、第１層１３Ａと平坦化層１２との間に、第３層１３Ｃを有していてもよい。
【００３０】
第１層１３Ａは、発光層で発生した光を反射させる反射電極としての機能を有しており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。そのため、第１層１３Ａは、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、具体的には２００ｎｍ程度であり、高反射率導電体、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金、または、銀（Ａｇ）あるいは銀（Ａｇ）を含む合金により構成されている。アルミニウム合金としては、エッチング・洗浄・レジスト剥離工程などでの発生が懸念される腐蝕対策として、インジウム合金と標準電極電位の近いものであることが好ましく、例えば、アルミニウム−ニッケル合金，アルミニウム−白金合金などが挙げられる。
【００３１】
第２層１３Ｂは、有機層１５への正孔注入効率を高めるという仕事関数調整層としての機能も有しており、第１層１３Ａよりも仕事関数の高い材料により構成されていることが好ましい。また、図４に示したように、第１電極１３の上には絶縁膜１４が設けられ、この絶縁膜１４によって、第２層１３Ｂの平面形状における一部が覆われている。第２層１３Ｂのうち絶縁膜１４から露出した表面露出部１３Ｄは、酸化物導電体膜１３Ｂ１である。一方、第２層１３Ｂのうち絶縁膜１４で覆われている表面被覆部１３Ｅは、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）またはカドミウム（Ｃｄ）など、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜１３Ｂ２である。これにより、この表示装置では、後述する製造工程においてスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減し、第１層１３Ａと第２層１３Ｂとの間で良好な通電特性を得ることができるようになっている。
【００３２】
酸化物導電体膜１３Ｂ１は、具体的には、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）およびカドミウム（Ｃｄ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む酸化物導電体により構成されていることが好ましい。例えば、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ；Indium Zinc Oxide ），酸化インジウム（Ｉｎ２ Ｏ３ ），酸化スズ（ＳｎＯ２ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ）からなる群のうちの少なくとも１種が挙げられる。
【００３３】
第２層１３Ｂの厚みは、例えば、０．５ｎｍ（５Å）以上３ｎｍ（３０Å）以下であることが好ましい。０．５ｎｍよりも薄いとホール注入効率の向上効果が得られず、また、３ｎｍよりも厚いと後述する製造工程において表面酸化処理により十分な透明性を有した酸化物導電体膜１３Ｂ１を形成することが困難となるからである。
【００３４】
第３層１３Ｃは、第１層１３Ａが平坦化層１２から剥離するのを防止する、ソース・ドレイン電極層２０１との接触抵抗を低減する、または第１電極１３をパターニングする際の形状制御を容易にする、などの目的で挿入するものであり、例えば、厚みが５ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍであり、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）またはカドミウム（Ｃｄ）により構成されている。また、第３層１３Ｃは、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）およびカドミウム（Ｃｄ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む酸化物導電体により構成されていてもよい。具体的には、ＩＴＯ，ＩＺＯ，酸化インジウム（Ｉｎ２ Ｏ３ ），酸化スズ（ＳｎＯ２ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ）からなる群のうちの少なくとも１種が挙げられる。なお、第３層１３Ｃは、第２層１３Ｂと同じ材料、またはその酸化物である必要はない。また、第３層１３Ｃは、必ずしも設ける必要はない。
【００３５】
このような第１電極１３は、後述するように、基板１１に、第３層１３Ｃと、第１層１３Ａと、第２層１３Ｂとを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層１３Ｂの表面露出部１３Ｄを酸化物導電体膜１３Ｂ１に改質したものである。
【００３６】
絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、導電性を有しないと共に耐酸化性を有する材料により構成されていることが好ましい。後述する製造工程において表面酸化処理による絶縁膜１４のアッシングを抑えることができるからである。具体的には、例えば、感光性のアクリル，ポリイミド，ポリベンズオキサゾールなどの有機材料、シリコン酸化物，シリコン窒化物，シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料、またはそれらの複合膜が挙げられる。絶縁膜１４は、第１電極１３の上に設けられると共に、第１電極１３の発光領域に対応して開口部１４Ａを有しており、この開口部１４Ａ内の領域が、第２層１３Ｂの表面露出部１３Ｄ、すなわち酸化物導電体膜１３Ｂ１となっている。なお、有機層１５および第２電極１６は、発光領域だけでなく絶縁膜１４の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは絶縁膜１４の開口部１４Ａだけである。
【００３７】
有機層１５は、例えば、第１電極１３の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層（いずれも図示せず）を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、ホール注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層へのホール輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子とホールとの再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層と第２電極１６との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。
【００３８】
有機発光素子１０Ｒの正孔注入層の構成材料としては、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）が挙げられる。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）が挙げられる。有機発光素子１０Ｒの発光層の構成材料としては、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３ ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものが挙げられる。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ が挙げられる。
【００３９】
有機発光素子１０Ｇの正孔注入層の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡが挙げられる。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられる。有機発光素子１０Ｇの発光層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものが挙げられる。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ が挙げられる。
【００４０】
有機発光素子１０Ｂの正孔注入層の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡが挙げられる。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられる。有機発光素子１０Ｂの発光層の構成材料としては、例えば、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）が挙げられる。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層の構成材料としては、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ が挙げられる。
【００４１】
第２電極１６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通電極として形成され、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。また、第２電極１６は、ＩＴＯ，ＩＺＯ，酸化インジウム（Ｉｎ２ Ｏ３ ），酸化スズ（ＳｎＯ２ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成されていてもよい。
【００４２】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００４３】
図５ないし図８は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図５（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成する。次いで、同じく図５（Ａ）に示したように、例えば、基板１１の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、平坦化層１２および接続孔１２Ａを形成し、焼成する。
【００４４】
続いて、同じく図５（Ａ）に示したように、例えばスパッタ法により、上述した厚みおよび材料よりなる第３層１３Ｃを形成する。
【００４５】
そののち、図５（Ｂ）に示したように、例えばスパッタ法により、上述した厚みおよび材料よりなる第１層１３Ａを形成する。
【００４６】
第１層１３Ａを形成したのち、図５（Ｃ）に示したように、例えばスパッタ法により、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）またはカドミウム（Ｃｄ）など、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層１３Ｂを、上述した厚みで形成する。このとき、スパッタリングターゲットとして、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）またはカドミウム（Ｃｄ）などの金属ターゲットを用いることができるので、分割の必要のない大型一体型ターゲットにより、パーティクルの少ない成膜が可能となり、非発光欠陥の原因となる層間ショート欠陥の発生が抑えられる。
【００４７】
なお、第３層１３Ｃまたは第２層１３Ｂを形成する際には、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）またはカドミウム（Ｃｄ）などの金属ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）等の不活性スパッタリングガスに加えて酸素を使用して酸化しつつスパッタする反応性スパッタリングの手法を用いることも可能である。この場合、第３層１３Ｃまたは第２層１３Ｂは、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）およびカドミウム（Ｃｄ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む酸化物導電体よりなるものとなる。具体的には、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯ，酸化インジウム（Ｉｎ２ Ｏ３ ），酸化スズ（ＳｎＯ２ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ）からなる群のうちの少なくとも１種が挙げられる。反応性スパッタリングでは多少のパーティクルの増加が懸念されるものの、金属ターゲットを用いることにより、分割された酸化物導電体ターゲットを用いる場合に比べてパーティクルの影響は抑えられる。
【００４８】
第２層１３Ｂを形成したのち、図６（Ａ）に示したように、第２層１３Ｂの上にフォトレジストよりなるマスク４１を形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて露光および現像し、所定の形状にパターニングする。続いて、図６（Ｂ）に示したように、マスク４１を用いて第２層１３Ｂ，第１層１３Ａおよび第３層１３Ｃをエッチングしたのち、図７（Ａ）に示したように、マスク４１を除去する。
【００４９】
そののち、基板１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、露光および現像処理を行い、焼成する。これにより、図７（Ｂ）に示したように、第３層１３Ｃ，第１層１３Ａおよび第２層１３Ｂの積層構造の上に、開口部１４Ａを有する絶縁膜１４を形成する。開口部１４Ａ内の領域は、第２層１３Ｂが絶縁膜１４から露出した表面露出部１３Ｄとなる。
【００５０】
絶縁膜１４を形成したのち、表面露出部１３Ｄに対して表面酸化処理を行うことにより、図８に示したように、表面露出部１３Ｄに、上述した材料よりなる酸化物導電体膜１３Ｂ１を形成する。一方、第２層１３Ｂのうち絶縁膜１４で覆われている表面被覆部１３Ｅは、表面酸化処理を行わない領域となり、上述した材料よりなる金属膜１３Ｂ２が残る。表面酸化処理としては、例えば高濃度オゾン水，酸素（またはＮ２Ｏ）プラズマ処理、酸素雰囲気下での高温アニール、あるいはその混合プロセスを使用することができる。この工程は先の焼成工程と兼ねてもよいし、第２層１３Ｂを形成後のどの工程で行われてもよい。
【００５１】
このとき、実際には、第２層１３Ｂのみを酸化するような酸化制御は困難であり、酸化が弱ければ、第２層１３Ｂの表面露出部１３Ｄは、厚み方向の一部のみが酸化物導電体膜１３Ｂ１となり、厚み方向の残部には酸化されない金属膜が残り、第１電極１３の反射率を低下させる可能性がある。しかしながら、仮に厚み１ｎｍ程度の金属膜が残った場合でも、光はこれを透過することができ、光利用効率への影響はほとんどないものと考えられる。よって、酸化物導電体膜１３Ｂ１は、第２層１３Ｂのうち厚み方向の少なくとも一部に形成されていればよい。
【００５２】
一方、強い酸化条件下では、図９に示したように、第１層１３Ａの表層すなわち第２層１３Ｂとの界面に、良好な絶縁体よりなる酸化膜１３Ａ１が形成される場合がある。しかし、第２層１３Ｂのうち絶縁膜１４で覆われた表面被覆部１３Ｅには、金属膜１３Ｂ２が残っているので、第１層１３Ａから第２層１３Ｂの酸化物導電体膜１３Ｂ１までが、金属膜１３Ｂ２を介して低いコンタクト抵抗で接続され、良好な通電特性が実現可能となる。
【００５３】
そののち、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層１５および第２電極１６を成膜する。以上により、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。続いて、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを、上述した材料よりなる保護膜１７で覆い、この保護膜１７の上に、接着層２０を形成する。続いて、カラーフィルタ３２が設けられ、上述した材料よりなる封止用基板３１を用意し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成された基板１１と封止用基板３１とを接着層２０を間にして貼り合わせる。以上により、図１ないし図４に示した表示装置が完成する。
【００５４】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，カラーフィルタ３２および封止用基板３１を透過して取り出される。ここでは、第１電極１３が、基板１１に、金属よりなる第１層１３Ａと、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層１３Ｂとを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層１３Ｂの厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜１３Ｂ１を形成することにより形成されているので、第２層１３Ｂを成膜する際のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルが低減されている。よって、層間ショート欠陥による滅点不良が抑制され、表示品質が向上する。
【００５５】
また、第２層１３Ｂの絶縁膜１４から露出した表面露出部１３Ｄは酸化物導電体膜１３Ｂ１であり、第２層１３Ｂの絶縁膜１４で覆われている表面被覆部１３Ｅは、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜１３Ｂ２であるので、第１層１３Ａの表層に酸化膜１３Ａ１が形成されてしまった場合にも、第１層１３Ａから酸化物導電体膜１３Ｂ１までが、金属膜１３Ｂ２を介した経路Ｐにより、低いコンタクト抵抗で接続され、第１層１３Ａと第２層１３Ｂとの間で良好な通電特性を得ることが可能となる。
【００５６】
このように本実施の形態では、第１電極１３を形成する工程において、基板１１に、金属よりなる第１層１３Ａと、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層１３Ｂとを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層１３Ｂの厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜１３Ｂ１を形成するようにしたので、第２層１３Ｂを成膜する際のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減することができる。よって、層間ショート欠陥による滅点不良を抑制することができる。
【００５７】
また、第２層１３Ｂのうち絶縁膜１４から露出した表面露出部１３Ｄの厚み方向の少なくとも一部を酸化物導電体膜１３Ｂ１とする一方、第２層１３Ｂのうち絶縁膜１４で覆われた表面被覆部１３Ｅを、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜１３Ｂ２とするようにしたので、第１層１３Ａの表層に酸化膜１３Ａ１が形成されてしまった場合にも、第１層１３Ａから酸化物導電体膜１３Ｂ１までを、金属膜１３Ｂ２を介した経路Ｐにより、低いコンタクト抵抗で接続することができ、第１層１３Ａと第２層１３Ｂとの間で良好な通電特性を得ることが可能となる。
【００５８】
なお、上述した実施の形態では、本発明を有機ＥＬ表示装置に適用した場合について説明したが、本発明は、例えば図１０に示したような反射型液晶表示装置にも適用可能である。この反射型液晶表示装置は、例えば、ガラスよりなる基板６１に、ＴＦＴ６２，平坦化層６３，画素電極としての上述した第１電極１３および配向膜６４を形成すると共に、ガラスよりなる基板７１に、共通電極７２および配向膜７３を形成し、両者の間に液晶層８０を設けたものである。液晶表示装置の場合には、第２層１３Ｂは、例えば、第１層１３Ａに含まれるアルミニウム等により液晶が汚染されるのを抑える保護層としての機能も有している。
【００５９】
なお、液晶表示装置の場合、第２層１３の平面形状における全部に対して表面酸化処理を行い、酸化物導電体膜１３Ｂ１を形成することができる。すなわち、上記実施の形態のように第２層１３Ｂの平面形状における一部に表面露出部１３Ｄを形成し、この表面露出部１３Ｄだけに対して表面酸化処理を行う必要はない。
【００６０】
また、液晶表示装置の場合には、第１層１３Ａの表面に酸化膜１３Ａ１が形成されていてもよい。液晶表示装置の場合は、画素電極（第１電極１３）は液晶層８０の電界制御の目的で用いられるものであり、画素電極の表面からのホール注入効果は必要ないからである。
【００６１】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００６２】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１１に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板３１および接着層２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００６３】
（適用例１）
図１２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６４】
（適用例２）
図１３は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６５】
（適用例３）
図１４は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６６】
（適用例４）
図１５は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６７】
（適用例５）
図１６は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６８】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態では、第２層１３Ｂの平面形状における一部を絶縁膜１４で覆って表面酸化処理を行うようにしたが、絶縁膜１４の代わりに、マスクを用いて第２層１３Ｂの平面形状における一部を覆うようにしてもよい。
【００６９】
また、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、上記実施の形態では、第１電極１３が、平坦化層１２を間にして画素駆動回路１４０の上層に形成されている場合について説明したが、第１電極１３は、画素駆動回路１４０と同層に形成されていてもよい。または、ＴＦＴのソース・ドレイン電極と第１電極１３とを共用するようにしてもよい。
【００７０】
更に、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。加えて、上記実施の形態では、発光層で発生した光を第２電極１６側から取り出すトップエミッション方式の電極形成方法として説明したが、本発明は、発光層で発生した光を第１電極１３側から取り出すボトムエミッション方式の電極形成にも応用が可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００７１】
更に、本発明は、上記実施の形態で説明した有機ＥＬ表示装置または液晶表示装置に限らず、無機ＥＬ表示装置などの他の表示装置にも適用可能である。
【符号の説明】
【００７２】
１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基板、１２…平坦化層、１３…第１電極、１４…絶縁膜、１５…有機層、１６…第２電極、１７…補助配線、１８…保護膜、２０…接着層、３１…封止用基板、３２…カラーフィルタ、１１０…表示領域、１４０…画素駆動回路、Ｃｓ…キャパシタ、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書き込みトランジスタ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子または液晶を用いた表示装置の製造方法および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の分野では次世代のディスプレイが盛んに開発されており、省スペース、高輝度、低消費電力等が要望されている。このような表示装置として、有機発光素子を用いた有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光型であるため視野角が広く、バックライトを必要としないため省電力が期待でき、応答性が高く、装置自体の厚みを薄くできるなどの特徴を有している。更に、有機ＥＬ表示装置は、有機発光材料が本来有するフレキシブル性を利用するために基板としてプラスチック基板を用いることにより、フレキシブル性を有する装置としても注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置における駆動方式のうち、駆動素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）が用いられるアクティブマトリックス方式は、パッシブマトリックス方式と比べて応答性や解像力の点で優れており、前述した特長を有する有機ＥＬ表示装置において、特に適した駆動方式と考えられている。
【０００４】
アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置は、第１電極と第２電極との間に有機発光材料よりなる発光層を含む有機発光素子（有機ＥＬ素子）とこの有機発光素子を駆動させるための駆動素子（薄膜トランジスタ）とが設けられた駆動パネルを有しており、この駆動パネルと封止パネルとが有機発光素子を挟むように接着層により貼り合わされた構成となっている。
【０００５】
有機ＥＬ表示装置には、各有機発光素子からの光を上記駆動パネル側に射出する下面発光（ボトム・エミッション）方式と、逆にこの光を上記封止パネル側に射出する上面発光（トップエミッション）方式とがあるが、後者のほうが開口率を高くすることができるため、開発の主流となっている。
【０００６】
上面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、下層すなわち駆動素子側の第１電極に、発光層にホールを注入しやすい仕事関数の比較的大きい材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）などの酸化物導電材料が用いられている。ところが、酸化物導電材料は、通常の配線金属材料などと比べ、抵抗率が２〜３桁程度高くなっており、第１電極以外の配線等の材料として流用することができなかった。また、下側方向へ発光する光を有効に利用できないという問題もあった。
【０００７】
このため、例えば特許文献１では、ＩＴＯなどの透明導電膜の下層に、反射率が高く、かつ抵抗率の低い金属膜を形成し、配線などへ流用することができるようにすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１１５３９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
この特許文献１の構造では、透明導電膜をスパッタリングなどにより形成する。しかしながら、ＩＴＯなどの酸化物導電体のスパッタリングターゲットは、金属ターゲットに比べて硬く脆弱であるために、一辺１ｍを超えるような大型ガラス基板上への成膜を行うためには、ターゲットをいくつかに分割する必要があった。そのため、分割部位に対応する箇所にパーティクルが付着しやすく、これがその後に形成される有機層を貫通し、第２電極と第１電極との間で層間ショート欠陥の原因となり、非発光欠陥（滅点画素不良）が発生するという問題が生じていた。
【００１０】
また、金属膜としては、例えば銀、アルミニウム、またはその合金を用いていたが、これらの材料には表面酸化膜が生じやすく、金属膜と透明導電膜との間のコンタクト抵抗が上昇し、発光性能が低下してしまうおそれがあった。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、第１電極を金属と酸化物導電体との積層構造とした場合に、酸化物導電体のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減し、金属と酸化物導電体との間で良好な通電特性を得ることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による表示装置の製造方法は、第１電極と第２電極との間に表示層を有する表示装置を製造するものであって、第１電極を形成する工程は、以下の（Ａ），（Ｂ）の工程を含むものである。
（Ａ）基板に、金属よりなる第１層と、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層とを順に含む積層構造を形成する工程
（Ｂ）積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層の厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜を形成する工程
【００１３】
本発明による第１の表示装置は、第１電極と第２電極との間に表示層を有するものであって、第１電極は、基板に、金属よりなる第１層と、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層とを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層の厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜を形成することにより形成されたものである。
【００１４】
本発明による第２の表示装置は、第１電極と第２電極との間に表示層を有するものであって、第１電極は、金属よりなる第１層と、第２層との積層構造を有し、第１電極の上に、第２層の平面形状における一部を覆う絶縁膜が設けられており、第２層のうち絶縁膜から露出した表面露出部の厚み方向の少なくとも一部は、酸化物導電体膜であり、第２層のうち絶縁膜で覆われている表面被覆部は、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜であるものである。
【００１５】
本発明の第１の表示装置では、第１電極が、基板に、金属よりなる第１層と、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層とを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層の厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜を形成することにより形成されているので、第２層を成膜する際のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルが低減されている。よって、層間ショート欠陥による滅点不良が抑制される。
【００１６】
本発明の第２の表示装置では、第１電極が、金属よりなる第１層と、第２層との積層構造を有すると共に、第２層のうち絶縁膜から露出した表面露出部の厚み方向の少なくとも一部は、酸化物導電体膜である。一方、第２層のうち絶縁膜で覆われている表面被覆部は、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜である。よって、第１層の表層に酸化膜が形成されてしまった場合にも、第１層から酸化物導電体膜までが、金属膜を介して低いコンタクト抵抗で接続され、第１層と第２層との間で良好な通電特性を得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の表示装置の製造方法、または本発明の第１の表示装置によれば、第１電極を、基板に、金属よりなる第１層と、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層とを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層の厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜を形成することにより形成するようにしたので、第２層を成膜する際のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減することができる。よって、層間ショート欠陥による滅点不良を抑制することができる。
【００１８】
本発明の第２の表示装置によれば、第１電極を、金属よりなる第１層と、第２層との積層構造とすると共に、第２層のうち絶縁膜から露出した表面露出部の厚み方向の少なくとも一部を酸化物導電体膜とする一方、第２層のうち絶縁膜で覆われている表面被覆部を、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜とするようにしたので、第１層の表層に酸化膜が形成されてしまった場合にも、第１層から酸化物導電体膜までを、金属膜を介して低いコンタクト抵抗で接続することができ、第１層と第２層との間で良好な通電特性を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図４】図３に示した第１電極の構成を表す断面図である。
【図５】図１ないし図４に示した表示装置の製造方法を工程順に表した断面図である。
【図６】図５に続く工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】図３に示した第１電極の作用を説明するための図である。
【図１０】本発明の変形例を表す図である。
【図１１】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１２】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１３】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１４】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１５】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１６】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。
【００２２】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１３の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００２３】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００２４】
図３は、表示領域１１０の断面構成を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは短冊形の平面形状を有し、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。
【００２５】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１、平坦化層１２、陽極としての第１電極１３、絶縁膜１４、後述する発光層を含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。
【００２６】
このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化ケイ素（ＳｉＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層２０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板３１が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。封止用基板３１には、必要に応じてカラーフィルタ３２およびブラックマトリクスとしての光遮蔽膜（図示せず）が設けられていてもよい。
【００２７】
駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化層１２に設けられた接続孔１２Ａを介して第１電極１３に電気的に接続されている。
【００２８】
平坦化層１２は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１２Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化層１２の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）などの無機材料が挙げられる。
【００２９】
第１電極１３は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成され、例えば、金属よりなる第１層１３Ａと、第２層１３Ｂとを順に含む積層構造を有している。第１電極１３は、第１層１３Ａと平坦化層１２との間に、第３層１３Ｃを有していてもよい。
【００３０】
第１層１３Ａは、発光層で発生した光を反射させる反射電極としての機能を有しており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。そのため、第１層１３Ａは、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、具体的には２００ｎｍ程度であり、高反射率導電体、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金、または、銀（Ａｇ）あるいは銀（Ａｇ）を含む合金により構成されている。アルミニウム合金としては、エッチング・洗浄・レジスト剥離工程などでの発生が懸念される腐蝕対策として、インジウム合金と標準電極電位の近いものであることが好ましく、例えば、アルミニウム−ニッケル合金，アルミニウム−白金合金などが挙げられる。
【００３１】
第２層１３Ｂは、有機層１５への正孔注入効率を高めるという仕事関数調整層としての機能も有しており、第１層１３Ａよりも仕事関数の高い材料により構成されていることが好ましい。また、図４に示したように、第１電極１３の上には絶縁膜１４が設けられ、この絶縁膜１４によって、第２層１３Ｂの平面形状における一部が覆われている。第２層１３Ｂのうち絶縁膜１４から露出した表面露出部１３Ｄは、酸化物導電体膜１３Ｂ１である。一方、第２層１３Ｂのうち絶縁膜１４で覆われている表面被覆部１３Ｅは、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）またはカドミウム（Ｃｄ）など、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜１３Ｂ２である。これにより、この表示装置では、後述する製造工程においてスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減し、第１層１３Ａと第２層１３Ｂとの間で良好な通電特性を得ることができるようになっている。
【００３２】
酸化物導電体膜１３Ｂ１は、具体的には、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）およびカドミウム（Ｃｄ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む酸化物導電体により構成されていることが好ましい。例えば、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ；Indium Zinc Oxide ），酸化インジウム（Ｉｎ２ Ｏ３ ），酸化スズ（ＳｎＯ２ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ）からなる群のうちの少なくとも１種が挙げられる。
【００３３】
第２層１３Ｂの厚みは、例えば、０．５ｎｍ（５Å）以上３ｎｍ（３０Å）以下であることが好ましい。０．５ｎｍよりも薄いとホール注入効率の向上効果が得られず、また、３ｎｍよりも厚いと後述する製造工程において表面酸化処理により十分な透明性を有した酸化物導電体膜１３Ｂ１を形成することが困難となるからである。
【００３４】
第３層１３Ｃは、第１層１３Ａが平坦化層１２から剥離するのを防止する、ソース・ドレイン電極層２０１との接触抵抗を低減する、または第１電極１３をパターニングする際の形状制御を容易にする、などの目的で挿入するものであり、例えば、厚みが５ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍであり、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）またはカドミウム（Ｃｄ）により構成されている。また、第３層１３Ｃは、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）およびカドミウム（Ｃｄ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む酸化物導電体により構成されていてもよい。具体的には、ＩＴＯ，ＩＺＯ，酸化インジウム（Ｉｎ２ Ｏ３ ），酸化スズ（ＳｎＯ２ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ）からなる群のうちの少なくとも１種が挙げられる。なお、第３層１３Ｃは、第２層１３Ｂと同じ材料、またはその酸化物である必要はない。また、第３層１３Ｃは、必ずしも設ける必要はない。
【００３５】
このような第１電極１３は、後述するように、基板１１に、第３層１３Ｃと、第１層１３Ａと、第２層１３Ｂとを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層１３Ｂの表面露出部１３Ｄを酸化物導電体膜１３Ｂ１に改質したものである。
【００３６】
絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、導電性を有しないと共に耐酸化性を有する材料により構成されていることが好ましい。後述する製造工程において表面酸化処理による絶縁膜１４のアッシングを抑えることができるからである。具体的には、例えば、感光性のアクリル，ポリイミド，ポリベンズオキサゾールなどの有機材料、シリコン酸化物，シリコン窒化物，シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料、またはそれらの複合膜が挙げられる。絶縁膜１４は、第１電極１３の上に設けられると共に、第１電極１３の発光領域に対応して開口部１４Ａを有しており、この開口部１４Ａ内の領域が、第２層１３Ｂの表面露出部１３Ｄ、すなわち酸化物導電体膜１３Ｂ１となっている。なお、有機層１５および第２電極１６は、発光領域だけでなく絶縁膜１４の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは絶縁膜１４の開口部１４Ａだけである。
【００３７】
有機層１５は、例えば、第１電極１３の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層（いずれも図示せず）を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、ホール注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層へのホール輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子とホールとの再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層と第２電極１６との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。
【００３８】
有機発光素子１０Ｒの正孔注入層の構成材料としては、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）が挙げられる。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）が挙げられる。有機発光素子１０Ｒの発光層の構成材料としては、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３ ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものが挙げられる。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ が挙げられる。
【００３９】
有機発光素子１０Ｇの正孔注入層の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡが挙げられる。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられる。有機発光素子１０Ｇの発光層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものが挙げられる。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ が挙げられる。
【００４０】
有機発光素子１０Ｂの正孔注入層の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡが挙げられる。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられる。有機発光素子１０Ｂの発光層の構成材料としては、例えば、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）が挙げられる。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層の構成材料としては、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ が挙げられる。
【００４１】
第２電極１６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通電極として形成され、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。また、第２電極１６は、ＩＴＯ，ＩＺＯ，酸化インジウム（Ｉｎ２ Ｏ３ ），酸化スズ（ＳｎＯ２ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成されていてもよい。
【００４２】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００４３】
図５ないし図８は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図５（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成する。次いで、同じく図５（Ａ）に示したように、例えば、基板１１の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、平坦化層１２および接続孔１２Ａを形成し、焼成する。
【００４４】
続いて、同じく図５（Ａ）に示したように、例えばスパッタ法により、上述した厚みおよび材料よりなる第３層１３Ｃを形成する。
【００４５】
そののち、図５（Ｂ）に示したように、例えばスパッタ法により、上述した厚みおよび材料よりなる第１層１３Ａを形成する。
【００４６】
第１層１３Ａを形成したのち、図５（Ｃ）に示したように、例えばスパッタ法により、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）またはカドミウム（Ｃｄ）など、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層１３Ｂを、上述した厚みで形成する。このとき、スパッタリングターゲットとして、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）またはカドミウム（Ｃｄ）などの金属ターゲットを用いることができるので、分割の必要のない大型一体型ターゲットにより、パーティクルの少ない成膜が可能となり、非発光欠陥の原因となる層間ショート欠陥の発生が抑えられる。
【００４７】
なお、第３層１３Ｃまたは第２層１３Ｂを形成する際には、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）またはカドミウム（Ｃｄ）などの金属ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）等の不活性スパッタリングガスに加えて酸素を使用して酸化しつつスパッタする反応性スパッタリングの手法を用いることも可能である。この場合、第３層１３Ｃまたは第２層１３Ｂは、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）およびカドミウム（Ｃｄ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む酸化物導電体よりなるものとなる。具体的には、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯ，酸化インジウム（Ｉｎ２ Ｏ３ ），酸化スズ（ＳｎＯ２ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ）からなる群のうちの少なくとも１種が挙げられる。反応性スパッタリングでは多少のパーティクルの増加が懸念されるものの、金属ターゲットを用いることにより、分割された酸化物導電体ターゲットを用いる場合に比べてパーティクルの影響は抑えられる。
【００４８】
第２層１３Ｂを形成したのち、図６（Ａ）に示したように、第２層１３Ｂの上にフォトレジストよりなるマスク４１を形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて露光および現像し、所定の形状にパターニングする。続いて、図６（Ｂ）に示したように、マスク４１を用いて第２層１３Ｂ，第１層１３Ａおよび第３層１３Ｃをエッチングしたのち、図７（Ａ）に示したように、マスク４１を除去する。
【００４９】
そののち、基板１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、露光および現像処理を行い、焼成する。これにより、図７（Ｂ）に示したように、第３層１３Ｃ，第１層１３Ａおよび第２層１３Ｂの積層構造の上に、開口部１４Ａを有する絶縁膜１４を形成する。開口部１４Ａ内の領域は、第２層１３Ｂが絶縁膜１４から露出した表面露出部１３Ｄとなる。
【００５０】
絶縁膜１４を形成したのち、表面露出部１３Ｄに対して表面酸化処理を行うことにより、図８に示したように、表面露出部１３Ｄに、上述した材料よりなる酸化物導電体膜１３Ｂ１を形成する。一方、第２層１３Ｂのうち絶縁膜１４で覆われている表面被覆部１３Ｅは、表面酸化処理を行わない領域となり、上述した材料よりなる金属膜１３Ｂ２が残る。表面酸化処理としては、例えば高濃度オゾン水，酸素（またはＮ２Ｏ）プラズマ処理、酸素雰囲気下での高温アニール、あるいはその混合プロセスを使用することができる。この工程は先の焼成工程と兼ねてもよいし、第２層１３Ｂを形成後のどの工程で行われてもよい。
【００５１】
このとき、実際には、第２層１３Ｂのみを酸化するような酸化制御は困難であり、酸化が弱ければ、第２層１３Ｂの表面露出部１３Ｄは、厚み方向の一部のみが酸化物導電体膜１３Ｂ１となり、厚み方向の残部には酸化されない金属膜が残り、第１電極１３の反射率を低下させる可能性がある。しかしながら、仮に厚み１ｎｍ程度の金属膜が残った場合でも、光はこれを透過することができ、光利用効率への影響はほとんどないものと考えられる。よって、酸化物導電体膜１３Ｂ１は、第２層１３Ｂのうち厚み方向の少なくとも一部に形成されていればよい。
【００５２】
一方、強い酸化条件下では、図９に示したように、第１層１３Ａの表層すなわち第２層１３Ｂとの界面に、良好な絶縁体よりなる酸化膜１３Ａ１が形成される場合がある。しかし、第２層１３Ｂのうち絶縁膜１４で覆われた表面被覆部１３Ｅには、金属膜１３Ｂ２が残っているので、第１層１３Ａから第２層１３Ｂの酸化物導電体膜１３Ｂ１までが、金属膜１３Ｂ２を介して低いコンタクト抵抗で接続され、良好な通電特性が実現可能となる。
【００５３】
そののち、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層１５および第２電極１６を成膜する。以上により、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。続いて、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを、上述した材料よりなる保護膜１７で覆い、この保護膜１７の上に、接着層２０を形成する。続いて、カラーフィルタ３２が設けられ、上述した材料よりなる封止用基板３１を用意し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成された基板１１と封止用基板３１とを接着層２０を間にして貼り合わせる。以上により、図１ないし図４に示した表示装置が完成する。
【００５４】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，カラーフィルタ３２および封止用基板３１を透過して取り出される。ここでは、第１電極１３が、基板１１に、金属よりなる第１層１３Ａと、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層１３Ｂとを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層１３Ｂの厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜１３Ｂ１を形成することにより形成されているので、第２層１３Ｂを成膜する際のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルが低減されている。よって、層間ショート欠陥による滅点不良が抑制され、表示品質が向上する。
【００５５】
また、第２層１３Ｂの絶縁膜１４から露出した表面露出部１３Ｄは酸化物導電体膜１３Ｂ１であり、第２層１３Ｂの絶縁膜１４で覆われている表面被覆部１３Ｅは、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜１３Ｂ２であるので、第１層１３Ａの表層に酸化膜１３Ａ１が形成されてしまった場合にも、第１層１３Ａから酸化物導電体膜１３Ｂ１までが、金属膜１３Ｂ２を介した経路Ｐにより、低いコンタクト抵抗で接続され、第１層１３Ａと第２層１３Ｂとの間で良好な通電特性を得ることが可能となる。
【００５６】
このように本実施の形態では、第１電極１３を形成する工程において、基板１１に、金属よりなる第１層１３Ａと、酸化物が導電性を示す金属よりなる第２層１３Ｂとを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第２層１３Ｂの厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜１３Ｂ１を形成するようにしたので、第２層１３Ｂを成膜する際のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減することができる。よって、層間ショート欠陥による滅点不良を抑制することができる。
【００５７】
また、第２層１３Ｂのうち絶縁膜１４から露出した表面露出部１３Ｄの厚み方向の少なくとも一部を酸化物導電体膜１３Ｂ１とする一方、第２層１３Ｂのうち絶縁膜１４で覆われた表面被覆部１３Ｅを、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜１３Ｂ２とするようにしたので、第１層１３Ａの表層に酸化膜１３Ａ１が形成されてしまった場合にも、第１層１３Ａから酸化物導電体膜１３Ｂ１までを、金属膜１３Ｂ２を介した経路Ｐにより、低いコンタクト抵抗で接続することができ、第１層１３Ａと第２層１３Ｂとの間で良好な通電特性を得ることが可能となる。
【００５８】
なお、上述した実施の形態では、本発明を有機ＥＬ表示装置に適用した場合について説明したが、本発明は、例えば図１０に示したような反射型液晶表示装置にも適用可能である。この反射型液晶表示装置は、例えば、ガラスよりなる基板６１に、ＴＦＴ６２，平坦化層６３，画素電極としての上述した第１電極１３および配向膜６４を形成すると共に、ガラスよりなる基板７１に、共通電極７２および配向膜７３を形成し、両者の間に液晶層８０を設けたものである。液晶表示装置の場合には、第２層１３Ｂは、例えば、第１層１３Ａに含まれるアルミニウム等により液晶が汚染されるのを抑える保護層としての機能も有している。
【００５９】
なお、液晶表示装置の場合、第２層１３の平面形状における全部に対して表面酸化処理を行い、酸化物導電体膜１３Ｂ１を形成することができる。すなわち、上記実施の形態のように第２層１３Ｂの平面形状における一部に表面露出部１３Ｄを形成し、この表面露出部１３Ｄだけに対して表面酸化処理を行う必要はない。
【００６０】
また、液晶表示装置の場合には、第１層１３Ａの表面に酸化膜１３Ａ１が形成されていてもよい。液晶表示装置の場合は、画素電極（第１電極１３）は液晶層８０の電界制御の目的で用いられるものであり、画素電極の表面からのホール注入効果は必要ないからである。
【００６１】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００６２】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１１に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板３１および接着層２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００６３】
（適用例１）
図１２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６４】
（適用例２）
図１３は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６５】
（適用例３）
図１４は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６６】
（適用例４）
図１５は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６７】
（適用例５）
図１６は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６８】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態では、第２層１３Ｂの平面形状における一部を絶縁膜１４で覆って表面酸化処理を行うようにしたが、絶縁膜１４の代わりに、マスクを用いて第２層１３Ｂの平面形状における一部を覆うようにしてもよい。
【００６９】
また、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、上記実施の形態では、第１電極１３が、平坦化層１２を間にして画素駆動回路１４０の上層に形成されている場合について説明したが、第１電極１３は、画素駆動回路１４０と同層に形成されていてもよい。または、ＴＦＴのソース・ドレイン電極と第１電極１３とを共用するようにしてもよい。
【００７０】
更に、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。加えて、上記実施の形態では、発光層で発生した光を第２電極１６側から取り出すトップエミッション方式の電極形成方法として説明したが、本発明は、発光層で発生した光を第１電極１３側から取り出すボトムエミッション方式の電極形成にも応用が可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００７１】
更に、本発明は、上記実施の形態で説明した有機ＥＬ表示装置または液晶表示装置に限らず、無機ＥＬ表示装置などの他の表示装置にも適用可能である。
【符号の説明】
【００７２】
１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基板、１２…平坦化層、１３…第１電極、１４…絶縁膜、１５…有機層、１６…第２電極、１７…補助配線、１８…保護膜、２０…接着層、３１…封止用基板、３２…カラーフィルタ、１１０…表示領域、１４０…画素駆動回路、Ｃｓ…キャパシタ、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書き込みトランジスタ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極との間に表示層を有する表示装置であって、
前記第１電極は、金属よりなる第１層と、第２層との積層構造を有し、
前記第１電極の上に、前記第２層の平面形状における一部を覆う絶縁膜が設けられており、
前記第２層のうち前記絶縁膜から露出した表面露出部の厚み方向の少なくとも一部は、酸化物導電体膜であり、
前記第２層のうち前記絶縁膜で覆われている表面被覆部は、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜である
表示装置。
【請求項２】
前記第１層は、アルミニウムあるいはアルミニウムを含む合金、または銀あるいは銀を含む合金により構成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、導電性を有しないと共に耐酸化性を有する材料により構成されている
請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記酸化物が導電性を示す金属は、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）およびカドミウム（Ｃｄ）からなる群のうちの少なくとも１種である
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１】
第１電極と第２電極との間に表示層を有する表示装置であって、
前記第１電極は、金属よりなる第１層と、第２層との積層構造を有し、
前記第１電極の上に、前記第２層の平面形状における一部を覆う絶縁膜が設けられており、
前記第２層のうち前記絶縁膜から露出した表面露出部の厚み方向の少なくとも一部は、酸化物導電体膜であり、
前記第２層のうち前記絶縁膜で覆われている表面被覆部は、酸化物が導電性を示す金属よりなる金属膜である
表示装置。
【請求項２】
前記第１層は、アルミニウムあるいはアルミニウムを含む合金、または銀あるいは銀を含む合金により構成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、導電性を有しないと共に耐酸化性を有する材料により構成されている
請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記酸化物が導電性を示す金属は、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ）およびカドミウム（Ｃｄ）からなる群のうちの少なくとも１種である
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１０−２１２２５８（Ｐ２０１０−２１２２５８Ａ）
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３４８９９（Ｐ２０１０−１３４８９９）
【出願日】平成２２年６月１４日（２０１０．６．１４）
【分割の表示】特願２００８−１５０５６７（Ｐ２００８−１５０５６７）の分割
【原出願日】平成２０年６月９日（２００８．６．９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１４日（２０１０．６．１４）
【分割の表示】特願２００８−１５０５６７（Ｐ２００８−１５０５６７）の分割
【原出願日】平成２０年６月９日（２００８．６．９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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