【課題】半導体装置において生じるＴＦＴのバラツキを低減する。
【解決手段】トランジスタと、第１のソース配線と、隣り合う第２のソース配線と、電源供給線とを有し、第１のソース配線は、トランジスタと電気的に接続することができ、記トランジスタは、チャネル形成領域を有し、チャネル形成領域は、電源供給線と重なる領域を有し、チャネル形成領域は、第２のソース配線と重なる領域を有し、電源供給線は、第２のソース配線と重ならない半導体装置である。その結果、チャネル長Ｌに対するチャネル幅Ｗの比が０．１〜０．０１であるＴＦＴを提供することができ、各ＴＦＴ間のバラツキを低減することができる。さらに、電源供給線は第１のソース配線よりも幅の広い領域を有し、電源供給線は、第２のソース配線よりも幅の広い領域を有する。 （もっと読む）

【課題】応答性が高く、繰り返し使用に対する耐久性が高い電子写真感光体を得るための有機光導電体、特に電子輸送材料として有用な化合物及びこの製造方法の提供。
【解決手段】下記化学式（１）で表わされるビスジアザペンタジエン誘導体。


（式（１）の、Ｒは水素原子もしくはｔｅｒｔ−ブチル基を、Ａｒはｐ−フェニレン基もしくはｍ−フェニレン基を表す。） （もっと読む）

【課題】画像表示フレームにおいて画像にちらつきが生じ難い画像表示装置の駆動方法を提供することにある。
【解決手段】画像表示装置は、第１、第２、第３及び第４副画素から構成された画素が、２次元マトリクス状に配列されて成る画像表示パネルと、信号処理部とを備えており、３原色に第４の色を加えることで拡大されたＨＳＶ色空間における彩度Ｓを変数とした明度の最大値Ｖ_max（Ｓ）が求められており、第ｉ番目のフレームにあっては、信号処理部において、複数の画素における副画素・入力信号値に基づき彩度Ｓ_i及び明度Ｖ_i（Ｓ）を求め、Ｖ_max（Ｓ）／Ｖ_i（Ｓ）の少なくとも１つの値に基づいて伸長係数α_i-0を求め、第（ｉ−ｊ）番目のフレームにおいて既に適用された補正伸長係数α’_(i-j)-0と、第ｉ番目のフレームにおいて求められた伸長係数α_i-0とに基づき、補正伸長係数α’_i-0を決定する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】不正開封や、貼り換えなどの不正行為、さらには、偽造若しくは改竄を困難とする開封防止ラベルを提供する。
【解決手段】開封防止ラベルを構成する透明基材１の一方の面にパターン状に表面活性化処理２を施すことにより、開封防止ラベルを剥そうとすると、透明基材のみが容易に剥離して、その後にその「パターン」が浮き上がるという効果を持ち、さらに、エレクトロルミネッセンス素子層４に所定の電界の印加することにより、その「パターン」状の欠けを含むホログラム再生像が出現して、その真正性を容易に判定可能となる。 （もっと読む）

【課題】 光透過率の低減を抑制することのできる薄型のフロントライトユニットを提供する。
【解決手段】 フロントライトユニット２は、光透過領域Ｒ１を有した導光板１０と、薄型の発光体と、を備えている。発光体は、光透過領域Ｒ１から外れた導光板１０上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性無機基板上に塗布法で形成された高い仕事関数を有する有機ＥＬ用透明導電性基材とその製造方法、有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、主成分として有機インジウム化合物、または有機インジウム化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液、あるいは、主成分として有機錫化合物、または有機錫化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布工程、前記塗布膜を乾燥して乾燥塗布膜を形成する乾燥工程、前記乾燥塗布膜を無機化して、酸化インジウム、またはドーパント金属酸化物を含む酸化インジウムである導電性酸化物を主成分とする無機膜、あるいは酸化錫、またはドーパント金属酸化物を含む酸化錫を主成分とする無機膜を形成する無機化工程の各工程からなる塗布法により透明導電膜３を形成する有機ＥＬ用透明導電性基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造を提供する。
【解決手段】異なるエネルギーギャップを有する、少なくとも第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を積層させた酸化物半導体積層であって、化学量論的組成比よりも過剰に酸素を含む領域を有する酸化物半導体積層を用いてトランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】画素の高精細化と迷光の抑制とを両立した有機ＥＬ装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上で隣り合う第１有機ＥＬ素子２０Ｂおよび第２有機ＥＬ素子２０Ｇと、第１有機ＥＬ素子２０Ｂと第２有機ＥＬ素子２０Ｇとを覆い、基板１０と密着した保護層３０と、保護層３０に積層したカラーフィルター層４０と、カラーフィルター層４０の上に金属材料を用いて形成された、第１有機ＥＬ素子２０Ｂおよび第２有機ＥＬ素子２０Ｇと平面的に重なる開口部５１を有する遮光層５０と、を備え、カラーフィルター層４０は、第１有機ＥＬ素子と平面的に重なる第１着色層４１Ｂと、第１着色層４１Ｂとは異なる波長の光を吸収し第２有機ＥＬ素子２０Ｇと平面的に重なる第２着色層４１Ｇと、を有し、第１着色層４１Ｂと第２着色層４１Ｇとは、遮光層５０と平面的に重なる領域において、第１着色層４１Ｂの端部と第２着色層４１Ｇの端部とが接している。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し
、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形
成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加熱処理を行うことによ
り、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成
し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面
に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも優れた視認性を発揮し、かつ設置や維持管理が容易で、車両衝突等の衝撃が加わった場合であっても破損物が飛散し難くなる車両誘導表示物が設置された道路路肩壁状構造物を提供する。
【解決手段】有機エレクトロルミネッセンスデバイスを含む車両誘導表示物１２，１３を、ガードレールのビーム１０からなる道路路肩壁状構造物に特定の位置、特定の方向を向くようにして設置する。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】開口率を増大させて寿命を向上させ、知覚画質が低下するという問題を改善できる有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】六角形構造に配置された複数のサブピクセルと、サブピクセルにそれぞれ備えられた複数の有機発光素子とを備え、複数のサブピクセルは、第１色の光を放出する複数の第１サブピクセルと、第１色と異なる第２色の光を放出する複数の第２サブピクセルと、第１色及び第２色と異なる第３色の光を放出する複数の第３サブピクセルとを備え、互いに隣接した一つの第１サブピクセル、一つの第２サブピクセル及び一つの第３サブピクセルの各中心が三角形をなすが、三角形の三辺のうち一辺の長さが残りの辺より短いことを特徴とする有機発光表示装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第１のソース電極又はドレイン電極と、前記第１のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第１のソース電極又はドレイン電極上に
第２のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第２のソース電極又はドレイン電極は
前記第１のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第１のソース電極又はドレ
イン電極及び第２のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 （もっと読む）

【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にＬＤＤ領域を少なくとも一つ備えたＴＦＴを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なＴＦＴ、例えば、チャネル形成領域の片側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴと、チャネル形成領域の両側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成す
る。 （もっと読む）

【課題】最良のパフォーマンス／コスト比を有するフルカラー・アクティブ・マトリクス有機発光ディスプレイを提供する。
【解決手段】透明な基板１２、カラー・フィルタ１４、および、カラー・フィルタ上に重なる関係で配置され、かつ、ピクセルのアレイを画定する金属酸化物薄膜トランジスタ・バックパネル１８を含む。ＯＬＥＤのアレイ２０は、バックパネル上に形成され、フルカラー・ディスプレイのバックパネル、カラー・フィルタ、およびの基板を通って光を下方へ透過するために配置される。各ＯＬＥＤによって発光された光は、複数の原色うちの２つの範囲にわたって広がる波長を有する第１発光帯域、および、残りの原色の範囲にわたって広がる波長を有する第２発光帯域を含む。カラー・フィルタは、各ピクセルのために、第１発光帯域を２つの別個の原色に分離する２つのゾーン、および、第２発光帯域を透過させる第３のゾーンを含む。 （もっと読む）

【課題】
ホログラムを用いたホログラムシートにおいて、その真正性を高めるために、照明光と同一の波長のホログラム再生像を再生するホログラムとは異なり、電圧を印加することで、照明光とは異なる波長のホログラム再生をする新規なホログラムシートを提供する。
【解決手段】
ホログラム形成層上にエレクトロルミネッセンス素子層及び、全反射性薄膜を設け、そのエレクトロルミネッセンス素子層及び、全反射性薄膜層が、ホログラムレリーフの形状を有することで、通常照明光下では通常のホログラムシートとしか認識できないホログラムシートに、所定の電圧を印加したときに、空間にその所定の波長のホログラムが浮き上がり、このことによって、そのホログラムが真正品であると判定可能な、偽造防止性の高いホログラムシートを提供する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信
頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導
体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第１
の導電膜を形成し、第１の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第２の導電
膜を形成し、第１の導電膜及び第２の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレ
イン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜
と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】 電子装置における、デジタル階調と時間階調とを組み合わせた駆動方法において、高いデューティー比を確保し、かつアドレス期間よりも短いサステイン期間を有する場合にも正常に画像（映像）の表示が可能であり、かつ信号波形のなまりの影響を受けにくい新規の駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 アドレス期間よりも短いサステイン期間を有するサブフレーム期間１０２において、サステイン期間１０４の終了後、次のサブフレーム期間のアドレス期間が開始されるまでの期間、強制的にクリア期間１０５を設けて、サステイン期間１０４の長さを、アドレス期間１０３の長さとは無関係に設定することを可能とする。この非表示期間は、保持容量線の電位を変えることにより行うため、陰極配線の電位を変えることで非表示期間を設ける方法と異なり、信号波形のなまりによる影響を受けない。 （もっと読む）