【課題】従来よりも少ないマスク数により作製でき、光電流による影響が抑えられた薄膜トランジスタ及び表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】遮光膜、下地膜、第１の導電膜、第１の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜を順に積層して形成し、第２の導電膜上に第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて、第２の導電膜、不純物半導体膜、半導体膜、第１の絶縁膜、第１の導電膜、下地膜及び遮光膜に第１のエッチングを行い、第１の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、第２の導電膜上に第２のレジストマスクを形成し、第２のレジストマスクを用いて、第２の導電膜、不純物半導体膜及び半導体膜の一部に第３のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域並びに半導体層を形成することで薄膜トランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおけるリーク電流の低減を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタにおける半導体膜５ｂ（６ｂ）の端部が、スパッタリングによって成膜される金属膜９ｈと接触した際に、導電性を有するように変質してしまった変質導電部５ｊ（６ｊ）の一部が取り除くことで、半導体膜５ｂ（６ｂ）の端面に沿ったソース−ドレイン間のリーク電流経路を遮断して、より一層のリーク電流の低減を図ることとした。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置を破壊することなく所望の厚みに形成することができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬパネルの厚みを断層撮影により求める工程（ステップＳ１４）と、有機ＥＬパネルを構成する一対の基板の少なくとも一方の基板にエッチング処理を施して有機ＥＬパネルの厚みを薄くする工程（ステップＳ１５）と、有機ＥＬパネルを洗浄及び乾燥させる工程（ステップＳ１６）と、エッチング処理後の有機ＥＬパネルの厚みを断層撮影により求める工程（ステップＳ１７）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】回路構成層にクラックの発生を低減させた画像表示装置の提供。
【解決手段】第１フレキシブル基板と、前記第１フレキシブル基板の一方の面に画像表示部を構成する回路構成層が粘着された画像表示装置であって、
前記第１フレキシブル基板の厚さをｔ２とした場合、前記回路構成層の厚さｔ１は次式（１）を満足する値となっていることを特徴とする。
ｔ１ ≧ ３／４０×（ｔ２−２３）……（１） （もっと読む）

【課題】発光素子の素子寿命を長寿命化することを課題とする。
【解決手段】陽極７１は、発光層７２よりも熱伝導率が高い熱伝導率部材の一例としての高熱伝導部７１Ａと、高熱伝導部７１Ａよりも熱伝導率が低い低熱伝導部７１Ｂとを有する。高熱伝導部７１Ａは、平面視において、発光層７２の発光領域Rの中心部に重なる位置に形成され、低熱伝導部７１Ｂは、高熱伝導部７１Ａの周縁部に形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光素子の素子寿命を長寿命化することを課題とする。
【解決手段】発光層７２の中心部に非発光領域Ｈを形成する。非発光領域Ｈとは、発光層７２が発光しない平面視における領域をいい、その領域において、少なくとも、発光層７２、陽極７１、陰極７３のいずれか１つが形成されておらず、発光層７２が発光しない領域をいう。 （もっと読む）

【課題】下部電極または画素分離絶縁膜と有機層との位置ズレを小さくすることが可能な表示装置の製造方法、および、接続孔での短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】接続孔１２Ａの側面を順テーパー形状とすると共に、この接続孔１２Ａを含む領域に下部電極１３を形成する。接続孔１２Ａでの下部電極１３と上部電極１６との短絡を抑えると共に開口率を向上させる。有機層１５は、下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄの全部を覆って形成することにより画素分離絶縁膜を不要としてもよい。下部電極材料膜をエッチングするためのフォトレジスト膜を、蒸着マスクを用いて露光する。または、下部電極１３を、蒸着マスクを用いた電子ビーム蒸着法またはスパッタ法により形成する。下部電極１３と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、構造を簡素化した有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による有機発光表示装置は、基板本体と、前記基板本体上に形成されてチャンネル領域とソース領域とドレイン領域に区分される半導体層と、前記半導体層を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を間において前記半導体層のチャンネル領域上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されて前記半導体層のソース領域及びドレイン領域に各々接続されるソース電極及びドレイン電極と、前記ドレイン電極から伸びて前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一層に形成される画素電極と、を含み、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は透明な導電性物質で構成される第１導電膜と前記第１導電膜上に形成されて金属物質で構成される第２導電膜を含み、前記画素電極は前記第１導電膜だけで形成される。 （もっと読む）

【課題】インク同士の混色を防ぐことが可能な有機ＥＬ素子およびその製造方法等を提供する。
【解決手段】支持体上に、下部電極と、有機薄膜層と、上部電極とを該順に有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、支持体上の下部電極の周囲の少なくとも一部に多孔質層を設けることを含む、有機ＥＬ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】封止層におけるクラックを発生が低減された信頼性の高い有機ＥＬ装置を得る。
【解決手段】周囲を隔壁で囲まれた島状の第１電極２５と、第１電極２５を覆う発光機能層２６と、発光機能層２６を覆う第２電極２７と、からなる有機ＥＬ素子２９が基板１０上に規則的に配置されてなり、かつ有機ＥＬ素子２９を覆う封止層８５がさらに配置されてなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板１０上に第１絶縁材料層７２を形成する第１工程と、第１絶縁材料層７２上に画素電極２５を形成する第２工程と、画素電極２５を覆う第２絶縁材料層７６を形成する第３工程と、第２絶縁材料層７６を画素電極２５の少なくとも一部が露出し、かつ隣り合う画素電極２５間の中央部に凹部１６が生じるようにパターニングする第４工程と、パターニング後の第２絶縁材料層７６を加熱溶融して隔壁７７とする第５工程と、を順に行なう有機ＥＬ装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反射率が高い反射膜を有するトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】トップエミッション型有機ＥＬ装置１において、反射層の表面に、Ｗを主成分とする正孔注入層を設け、エッチング液やエッチングガスが反射層に接触しないようにする。Ａｌを主成分とする反射層を用いても、反射層の表面がエッチング液やエッチングガスで荒らされることはないので、高反射率の反射層を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像処理による下部電極の劣化に起因するトップエミッション型の有機電界発光素子の点灯不良を防止することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】光反射性を有する第１金属材料層２１ａ上にそれよりもアルカリ性溶液耐性の高い第２金属材料層２１ｂを積層してなる下部電極２１と、感光性組成材料からなり、下部電極２１を露出させる開口窓７ａを有すると共に下部電極２１の周縁を覆う絶縁性パターン７と、少なくとも有機発光層を含むと共に開口窓７ａに下部電極２１上を覆うように設けられた有機層２３と、下部電極２１との間に有機層２３を狭持するように設けられた光透過性の上部電極２５とを有する表示装置１。第２金属材料層２１ｂは、有機発光層で発生した光の透過性が保たれる範囲の薄膜として構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子をフレキシブル化する場合に、半導体素子を破壊することなく剥離を行うことを目的の一とする。また、剥離層とバッファ層との密着性を弱める技術の提供を目的の一とする。また、剥離によって半導体素子に曲げストレスが生じない技術の提供を目的の一とする。
【解決手段】剥離層上にバッファ層を介して形成した半導体素子を、エッチング液を用いて剥離層を溶解させることにより剥離を行う。または、エッチング液に接触したことによって剥離層が溶解した領域にフィルムを挿入し、剥離層が溶解していない領域に向かってフィルムを移動させることにより剥離を行う。 （もっと読む）

第１および第２の電極（５１５、５３６）、少なくとも１つの機能層（５３２、５３４）を含み電極に電気的に結合される機能構造体（５３０）、電極のうちの少なくとも一方（５１５）に電気的に結合されるエッチングされた金属構造体（５１２）、を支持する基板（５７０）を含む電気光学素子（５０１）が提供される。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬパネル及びその製造方法に関し、有機ＥＬパネルの表示品質を向上させ、また、安価に製造可能とすることを目的とする。
【解決手段】支持基板１上に透光性の第一電極２ａ，少なくとも有機発光層３ｃを有する機能層３及び第二電極４を順次積層形成してなる有機ＥＬパネルＡである。支持基板１上に透明導電膜２を形成し、透明導電膜２に部分的に熱処理を施して第一電極２ａを所定の形状に形成することを特徴とする。透明導電膜２は、インジウム亜鉛酸化物からなることを特徴とする。前記熱処理は、レーザー，電子線描画法またはイオンビームを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース／ドレイン電極とコンタクトされる半導体層と、基板上に形成されたゲートと、ソース／ドレイン電極とゲートとの間に形成され、開口部を備える絶縁膜と、絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と、を備える平板表示装置である。絶縁膜は、ゲート絶縁膜と画素電極とを限定する画素定義膜として作用する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い無機ＥＬ素子及びこの素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の無機ＥＬ素子は、基板と、前記基板上に設けられかつ第１平行面とその両側の第１平行面より低い第２平行面を有する透光性の担持体層と、第１平行面の両側の第２平行面の上にそれぞれ設けられた第１電極および第２電極と、第１電極、第２電極及び第１平行面の上に設けられた透光性の保護層と、第１電極と第２電極の間の前記担持体層の一部に形成された発光領域とを備え、前記発光領域は、第１平行面と平行な領域でありかつ発光体を含む領域であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】外光の逆反射によるコントラスト低下を抑えることができる反射板、これを備えた表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光パネル１０の光取り出し側に、複数の反射素子３１Ｃを有する反射板３０を配設する。基体３１の第２面３１Ｂのうち反射素子３１Ｃ以外の平坦領域３１Ｄに、光吸収膜３２を形成する。光吸収膜３２は、ａ−Ｓｉまたはｐ−Ｓｉなどの光吸収率の高い材料により構成する。遮光膜２３を透過した外光を、光吸収膜３２に吸収させ、外光の逆反射によるコントラスト低下を抑える。更に、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅの反射鏡膜３３の上にも光吸収膜３２を形成するようにしてもよい。 （もっと読む）