平板表示装置及びその製造方法
【課題】平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース／ドレイン電極とコンタクトされる半導体層と、基板上に形成されたゲートと、ソース／ドレイン電極とゲートとの間に形成され、開口部を備える絶縁膜と、絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と、を備える平板表示装置である。絶縁膜は、ゲート絶縁膜と画素電極とを限定する画素定義膜として作用する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース／ドレイン電極とコンタクトされる半導体層と、基板上に形成されたゲートと、ソース／ドレイン電極とゲートとの間に形成され、開口部を備える絶縁膜と、絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と、を備える平板表示装置である。絶縁膜は、ゲート絶縁膜と画素電極とを限定する画素定義膜として作用する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板表示装置に係り、さらに具体的には、画素を限定する開口部を有するゲート絶縁膜を備える有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、フレキシブル有機電界発光表示装置は、基板としてフレキシブル基板を使用し、前記フレキシブル基板は、プラスチック基板などを備える。プラスチック基板は、熱安定性が非常に脆弱であるので、低温工程を利用して有機電界発光表示装置を製造することが要求されている。半導体層として有機膜を使用する有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）は、低温工程が可能であるので、フレキシブル有機電界発光表示装置のスイッチング素子として注目されている。ＯＴＦＴは、次世代ディスプレイ装置の駆動素子として活発な研究が進められている。ＯＴＦＴは、半導体層としてシリコン膜の代りに有機膜を使用するものであって、有機膜の材料によってオリゴチオフェン、ペンタセンのような低分子有機物とポリチオフェン系列のような高分子有機物とに分類される。
【０００３】
有機電界発光表示装置は、有機膜層からの光が発光する経路によって、背面発光構造、前面発光構造、そして、両面発光構造を有する。背面発光型の有機電界発光表示装置では、有機発光層から発光する光が基板側に放出され、前面発光型の有機電界発光表示装置では、有機発光層から発光する光が基板の反対方向に放出され、両面発光型の有機電界発光表示装置では、有機発光層から光が基板と基板の反対方向とに同時に放出される。
【０００４】
従来のＯＴＦＴを備えた有機電界発光表示装置は、基板上にソース及びドレイン電極、半導体層及びゲートを備える薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成され、前記ＴＦＴの上部に保護膜が形成され、保護膜上に下部電極、有機膜層及び上部電極を備える有機発光素子が形成される構造を有する。前記ＴＦＴのソース及びドレイン電極とゲートとの間には、ゲート絶縁膜が形成される。前記下部電極は、保護膜に形成されたビアホールを通じて前記ＴＦＴのソース及びドレイン電極のうち一つに連結される。画素分離膜は、下部電極の一部分を露出させる開口部を備え、前記開口部の下部電極上に有機膜層が形成され、その上に上部電極が形成される。
【０００５】
前記のような構造を有する有機電界発光表示装置は、ソース及びドレイン電極、半導体層及びゲートを備えるＴＦＴを形成する工程と、保護膜を形成する工程と、保護膜にマスク工程を通じてビアホールを形成する工程と、保護膜上にビアホールを通じてＴＦＴに連結される下部電極を形成する工程と、前記下部電極を露出させるための開口部を形成する工程と、有機膜及び上部電極を形成する工程と、を含むので、工程が非常に複雑であるという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−４６０８７号公報
【特許文献２】特開２００４−８７４５８号公報
【特許文献３】特開２００３−２５８２６５号公報
【特許文献４】特開２００３−９２４０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記従来の技術の問題点を解決するためのものであって、画素分離膜として使われるゲート絶縁膜を備える平板表示装置を提供することをその目的とする。
【０００８】
また、本発明の目的は、画素を限定する開口部を有するゲート絶縁膜をレーザアブレーション法で形成して、工程を単純化した平板表示装置の製造方法を提供することである。
【０００９】
また、本発明の目的は、画素を限定する開口部を備えるゲート絶縁膜をインクジェット方式で形成して、工程を単純化した平板表示装置の製造方法を提供することである。
【００１０】
また、本発明の目的は、画素を限定する開口部を備えるゲート絶縁膜をレーザ転写法で形成して、工程を単純化した平板表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明の平板表示装置は、基板と、前記基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層と、基板上に形成されたゲートと、前記ソース及びドレイン電極とゲートとの間に形成され、開口部を備える絶縁膜と、前記絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と、を備える。
【００１２】
本発明の実施形態によれば、前記画素電極は、ソース及びドレイン電極のうち一つの電極から延びる反射膜と、前記反射膜とオーバーラップされるように形成された透明電極層とを備える。前記半導体層は、有機半導体物質を含み、前記ソース及びドレイン電極は、異なる物質からなる。前記ソース及びドレイン電極のうち一つの電極は、反射率に優れた物質として、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物から選択される反射膜を備える。前記画素電極の透明電極層は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から選択される透明導電膜を備える。前記ソース電極／ドレイン電極のうち他の一つの電極は、前記半導体層より大きい仕事関数を有する電極物質を含む。前記ソース及びドレイン電極のうち他の一つの電極は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、酸化ＭＯＷ及びＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）から選択される電極物質を含む。
【００１３】
前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜として作用すると同時に、前記画素電極を限定する画素分離膜として作用する。前記絶縁膜は、有機絶縁膜または無機絶縁膜を備えるか、または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。前記絶縁膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＢＳＴ、ＰＺＴ、ポリスチレン（ＰＳ）、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びパリレンを含むグループから選択される。
【００１４】
また、前記絶縁膜は、レーザ吸収が可能な物質として、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。絶縁膜は、ＳｉＯ２、ポリイミド、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、パリレン及びＰＩ／Ａｌ２Ｏ３を使用する。また、絶縁膜は、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体となったポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルクロライド（ＰＶＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、またはフッ素系高分子物質を含むグループから選択される一つ以上の膜を備える。前記レーザは、エキシマーレーザを使用し、前記ゲート絶縁膜に含まれている発色団の量は、０.００５ｗｔ％である。
【００１５】
また、前記絶縁膜は、インクジェット方式で形成された物質として、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００１６】
また、前記絶縁膜は、レーザ転写が可能な物質として、異なる種類のポリマーを２つ以上混合した物質を使用するか、またはポリマーに低分子物質を混合した物質を使用する。前記ポリマーは、ポリイミド、ＰＶＰ、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、パリレン及びポリスチレンから選択され、前記低分子物質は、ジルコニア及びアルミナから選択される。前記ポリマーと低分子物質とは、１：１ないし１：３の割合で混合する。前記半導体層とソース及びドレイン電極との厚さの和は、５０００Å未満であり、望ましくは、前記半導体層とソース及びドレイン電極との厚さの和は、２０００ないし３０００Åである。
【００１７】
前記絶縁膜の開口部は、各画素領域に配列された画素電極の一部分を露出させるようにメッシュ状に配列される。前記絶縁膜の開口部は、複数の画素領域のうちゲートラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるライン形態に配列されるか、またはデータラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるライン形態に配列される。
【００１８】
本発明の平板表示装置の製造方法は、基板上にソース及びドレイン電極、画素電極、前記ソース及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層を形成する工程と、前記画素電極の一部分を露出させる開口部を備える絶縁膜を基板上に形成する工程と、前記半導体層に対応する絶縁膜上にゲートを形成する工程と、を含む。
【００１９】
前記絶縁膜は、レーザ吸収可能な絶縁物質を基板全面に蒸着した後、レーザアブレーション工程を通じて前記開口部に対応する部分をエッチングして形成するか、またはインクジェットプリンティング可能な絶縁物質を前記開口部に対応する部分を除外した基板上に塗布して形成するか、またはレーザ転写法を利用して形成する。前記絶縁膜を形成する前に、前記開口部に対応する基板の表面をＡｒ及びＯ２プラズマを利用してプラズマ処理するか、または前記開口部を除外した基板の表面をＣＦ４またはＣ３Ｆ８を利用したフッ素系プラズマを利用してプラズマ処理する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の有機電界発光表示装置及びその製造方法によれば、ゲート絶縁膜が前記画素電極を限定する画素分離膜として作用するので、画素電極とＴＦＴのソース／ドレイン電極のうち一つの電極と連結させるビアホールを形成するためのマスク工程と、画素電極の発光領域を限定する画素定義膜を形成するための工程とが排除される。これにより、素子の構造及び工程が単純化しうる。
【００２１】
また、本発明では、レーザアブレーション法、レーザ転写法またはインクジェット方式などを利用して、ゲート絶縁膜に画素電極を定義するための開口部を形成する場合には、通常的な画素分離膜の開口部を形成するための写真エッチング工程が排除されるので、感光性物質の残存物が残り、これにより、パターンの不良を防止しうる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図２Ａ】本発明の有機電界発光表示装置において、ゲート絶縁膜の開口部パターンの一例を示す図面である。
【図２Ｂ】本発明の有機電界発光表示装置において、ゲート絶縁膜の開口部パターンの一例を示す図面である。
【図２Ｃ】本発明の有機電界発光表示装置において、ゲート絶縁膜の開口部パターンの一例を示す図面である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である
【図４Ｂ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である
【図４Ｃ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である
【図４Ｄ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図５Ｄ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図７Ａ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図７Ｂ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図７Ｃ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図７Ｄ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図８Ｂ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図８Ｃ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図８Ｄ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図９Ａ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図９Ｂ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図９Ｃ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図９Ｄ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図１１Ａ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１１Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１１Ｃ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１１Ｄ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１２Ａ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１２Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１２Ｃ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１２Ｄ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１３Ａ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１３Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１３Ｃ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１３Ｄ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付された図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置１００は、基板上にマトリックス状に配列された複数の画素を備え、各画素は、ＴＦＴ、例えば、スイッチングＴＦＴと駆動ＴＦＴ、キャパシタ及び有機発光素子を備える。図１は、有機発光素子と前記有機発光素子を駆動するための駆動ＴＦＴとについて示したものである。
【００２５】
図１を参照すれば、基板１１０上にソース及びドレイン電極１２１,１２５が形成され、下部電極１６０が前記ソース及びドレイン電極１２１,１２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極１２５から延設される。前記下部電極１６０は、各画素の画素電極として作用する。前記ソース及びドレイン電極１２１,１２５とコンタクトされるように半導体層１３０が形成される。
【００２６】
基板上に絶縁膜１４０が形成され、前記絶縁膜１４０上にゲート１５０が形成される。前記絶縁膜１４０は、前記下部電極１６０に対応する部分に開口部１４５を備えて下部電極１６０を限定する画素分離膜の役割を行い、またゲート電極１５０の下部に対応する部分は、ゲート絶縁膜として作用する。
【００２７】
前記開口部１４５の下部電極１６０上に有機膜層１７０が形成され、基板上に上部電極１８０が形成される。前記有機膜層１７０は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び正孔抑制層から選択される一つ以上の有機膜を備える。一実施形態では、前記有機膜層１７０が絶縁膜１４０の開口部１４５内に形成されることを例示したが、これに必ずしも限定されず、各画素の発光層（図示せず）は、開口部１４５内に形成されて、隣接する画素の発光層とは分離されるように形成され、共通層である電荷輸送層は、基板全面に形成されてもよい。
【００２８】
前記基板１１０は、ガラス基板、プラスチック基板または金属基板を備える。前記金属基板は、望ましくは、ＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ）を含む。前記プラスチック基板は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなるグループから選択されるプラスチックフィルムを含む。
【００２９】
前記半導体層１３０は、有機半導体層を備え、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、アルファ（α）−６−チオフェン、ぺリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリチオフェン−ヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、アルファ（α）−５−チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、金属含有/非含有のフタロシアニン及びこれらの誘導体、ピロメリット酸二無水物及びその誘導体、ピロメリット酸ジイミド及びこれらの誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物及びこれらの誘導体から選択される有機膜を備える。一方、前記半導体層１３０は、非晶質シリコン膜または多結晶シリコン膜のようなシリコン膜を備え、前記ソース／ドレイン電極１２１,１２５とコンタクトされる部分に高濃度の不純物がドーピングされたソース／ドレイン領域を備えても良い。
【００３０】
前記絶縁膜１４０は、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。絶縁膜１４０のための無機絶縁膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＢＳＴ、ＰＺＴからなるグループから選択される。絶縁膜１４０のための有機絶縁膜は、ＰＳ、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、パリレンを含むグループから選択される一つ以上の有機絶縁膜を備える。
【００３１】
また、前記絶縁膜１４０は、レーザアブレーションが可能な物質を使用できる。前記絶縁膜１４０は、レーザエネルギーの吸収が可能な物質として、ＳｉＯ２、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３または芳香族物質、すなわち、ベンゼンを有する機能基を含む物質、例えば、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレンを含む。レーザエネルギーの吸収がない物質、例えば、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、またはフッ素系高分子物質の場合には、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体からなる絶縁物質を使用してもよい。
【００３２】
しかも、前記絶縁膜１４０は、インクジェットプリンティングが可能な物質を使用できる。前記絶縁膜１４０は、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００３３】
また、前記絶縁膜１４０は、レーザ転写が可能な物質として、汎用ポリマー、例えば、ポリイミド、ＰＶＰ、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、パリレン、ポリスチレンなどを含む。望ましくは、前記絶縁膜１４０は、レーザ転写が容易になるように位相分離を誘発させねばならないので、２種類以上の異なる汎用ポリマーを混合して使用するか、または前記汎用ポリマーに低分子物質を混合して使用してもよい。望ましくは、前記汎用ポリマーにジルコニア、アルミナのような低分子物質を１：１ないし１：３の割合で混合する。一方、レーザ転写が円滑になるためには、絶縁膜１４０の下部に存在する膜、すなわち、半導体層１３０とソース／ドレイン電極１２１,１２５との厚さの和が５０００Å未満でなければならない。前記半導体層１３０と前記ソース／ドレイン電極１２１,１２５との厚さの和は、２０００ないし３０００Åであることが望ましい。
【００３４】
一実施形態による有機電界発光表示装置１００で、ソース電極１２１とドレイン電極１２５とは、異なる物質からなる。ソース電極１２１は、半導体層１３０とのコンタクト抵抗を得るためには、前記半導体層１３０による仕事関数を有する物質を含む。すなわち、前記ソース電極１２１は、有機半導体層１３０より大きい仕事関数を有する電極物質を含み、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄから選択される金属電極物質を含む。
【００３５】
一方、前記ドレイン電極１２５は、絶縁膜１４０によって露出される部分が下部電極１６０、すなわち、陰極電極として作用するので、ドレイン電極は、下部電極物質を含むことが望ましい。例えば、前記有機電界発光表示装置１００が背面発光構造を有する場合、前記下部電極１６０は、透過電極を含むことが望ましい。下部電極１６０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３のような透明導電膜を備えることが望ましい。前面発光構造を有する場合には、前記下部電極１６０は、反射電極を備え、望ましくは、下部電極１６０は、透明導電膜と、前記透明導電膜の下部に反射率に優れた反射膜とを備える。前記下部電極１６０のための透明導電膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３を含み、反射膜としては、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物を含む。
【００３６】
前記上部電極１８０は、背面発光構造を有する場合には、反射電極を備え、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇまたはこれらの化合物を含む。前面発光構造を有する場合には、上部電極１８０は、透過電極を備え、金属膜と透明導電膜との積層構造を有する。前記上部電極１８０のための金属膜は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇまたはこれらの化合物を含み、透明導電膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３を含む。
【００３７】
図２Ａないし図２Ｃは、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置において、絶縁膜１４０の開口部１４５のパターン例を示す図面である。図２Ａないし図２Ｃは、ゲートライン１０１、データライン１０３及び画素領域１０５に配列される画素電極１６０に限定して概略的に示す図面である。本発明の有機電界発光表示装置１００は、複数のゲートライン１０１と複数のデータライン１０３とが基板１１０上に配列され、前記複数のゲートライン１０１と複数のデータライン１０３とによって限定される複数の画素領域１０５を備える。各画素領域１０５には、図１に示したような下部電極１６０である画素電極を備える有機発光素子と、前記有機発光素子を駆動するためのＴＦＴとが配列される。また、電源電圧を供給するための電源ライン（図示せず）が配列されるが、前記ゲートライン１０５とは交差し、前記データラインとは平行に配列されうる。
【００３８】
図２Ａを参照すれば、絶縁膜１４０が基板上に形成され、前記絶縁膜１４０の開口部１４５は、各画素領域１０５に配列される画素電極１６０の一部分をそれぞれ露出させるメッシュ状に配列される。図２Ｂを参照すれば、前記絶縁膜１４０の開口部１４５は、複数の画素領域１０５に配列される画素電極１６０のうち一方向に配列される画素電極、すなわち、データラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるように、ライン形態に配列される。図２Ｃを参照すれば、前記絶縁膜１４０の開口部１４５は、複数の画素領域に配列される画素電極１６０のうち一方向に配列される画素電極、すなわち、ゲートラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるように、ライン形態に配列される。
【００３９】
図３Ａないし図３Ｄは、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【００４０】
図３Ａを参照すれば、基板１１０上にソース電極１２１及びドレイン電極１２５を形成し、前記ソース電極１２１及びドレイン電極１２５とコンタクトされるように半導体層１３０を形成する。前記ドレイン電極１２５のうち一部分１６０は、画素電極として作用する。前記ソース電極１２１を形成した後にドレイン電極１２５を形成するか、または前記ドレイン電極１２５を形成した後にソース電極１２１を形成してもよい。
【００４１】
図３Ｂを参照すれば、基板上にゲート絶縁膜１４０を形成する。前記ゲート絶縁膜１４０は、レーザ吸収が可能な物質として、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。ゲート絶縁膜１４０は、ＳｉＯ２、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン及びＰＩ／Ａｌ２Ｏ３を使用する。また、レーザ吸収のないＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、またはフッ素系高分子物質の場合には、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体からなる絶縁体として使用することによって、レーザ吸収を可能にする。
【００４２】
図３Ｃを参照すれば、レーザアブレーション法を利用して、前記ゲート絶縁膜１４０のうち前記ドレイン電極１２５に対応する部分にレーザ５を照射する。前記レーザ５の照射された部分のゲート絶縁膜１４０がエッチングされて開口部１４５が形成される。前記ゲート絶縁膜１４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような開口部１４５を備える。前記ドレイン電極１２５のうちゲート絶縁膜１４０の開口部１４５に露出される部分は、陽極電極の下部電極１６０となる。
【００４３】
前記レーザ５は、エキシマーレーザを使用する。前記エキシマーレーザは、２４８ｎｍ及び３０８ｎｍ波長の光を発生するので、前記ゲート絶縁膜１４０が２４８ｎｍまたは３０８ｎｍ波長の光を吸収すれば、レーザアブレーションが可能になる。このとき、前記ゲート絶縁膜１４０は、レーザのビーム波長の最小０.００５％以上を吸収することが望ましい。一実施形態で、前記レーザ５としてエキシマーレーザを例示したが、これに必ずしも限定されていない。また、前記レーザアブレーション法以外に、フォト工程を利用して前記絶縁膜１４０に開口部１４５を形成してもよい。
【００４４】
図３Ｄを参照すれば、前記絶縁膜１４０のうち半導体層１３０に対応する部分にゲート１５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層１７０と上部電極１８０とを形成すれば、図１に示したような一実施形態による有機電界発光表示装置１００が製造される。
【００４５】
図４Ａないし図４Ｄは、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【００４６】
図４Ａを参照すれば、基板１１０上にソース電極１２１とドレイン電極１２５とを形成し、前記ソース電極１２１及びドレイン電極１２５とコンタクトされるように半導体層１３０を形成する。図４Ｂを参照すれば、前記ソース及びドレイン電極１２１,１２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極１２５の一部分１６０の表面１６０ａを表面処理する。このとき、表面処理工程は、フッ素系プラズマ１５を使用して表面を疎水性にする。このとき、フッ素系プラズマを利用した表面処理工程は、ＣＦ４またはＣ３Ｆ８のようなフッ素系ガスを利用する。
【００４７】
図４Ｃを参照すれば、基板上にゲート絶縁膜のための絶縁物質を含む溶液をインクジェットヘッド（図示せず）から吐出させてゲート絶縁膜１４０を形成する。このとき、前記ドレイン電極１２５のうち表面処理された部分１６０ａには、ゲート絶縁膜１４０が形成されず、前記ドレイン電極１２５の一部分１６０を露出させる開口部１４５が形成される。
【００４８】
前記ゲート絶縁膜１４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような開口部１４５を備え、前記開口部１４５によって露出される部分１６０は、画素電極として作用する。前記ゲート絶縁膜１４０は、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００４９】
他の例として、基板の表面とインクとの接着力が良好でない場合には、すなわち、基板の表面が疎水性を帯びる場合には、ドレイン電極１２５の一部分を露出させる開口部１４５に対応する部分、すなわち、画素電極１６０を除外した基板の表面を表面処理して開口部１４５を備えるゲート絶縁膜１４０を形成することも可能である。すなわち、開口部１４５に対応するドレイン電極１２５の表面１６０ａを除外した基板の全面に対するＡｒ及びＯ２プラズマを利用した表面処理工程を行って、基板の表面を親水性に改質する。次いで、ゲート絶縁物質を含むインキを基板の表面に吐出すれば、表面処理された部分にのみゲート絶縁膜１４０がコーティングされる。したがって、プラズマ表面処理されないドレイン電極１２５の表面１６０ａには、ゲート絶縁膜１４０が形成されない。
【００５０】
図４Ｄを参照すれば、前記ゲート絶縁膜１４０のうち半導体層１３０に対応する部分にゲート１５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層１７０と上部電極１８０とを形成すれば、図１に示したような一実施形態による有機電界発光表示装置１００が製造される。
【００５１】
図５Ａないし図５Ｄは、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して形成する方法を説明するための断面図である。
【００５２】
図５Ａを参照すれば、基板１１０上にソース電極１２１とドレイン電極１２５とを形成し、前記ソース電極１２１及びドレイン電極１２５とコンタクトされるように半導体層１３０を形成する。図５Ｂを参照すれば、ゲート絶縁膜を形成するためのドナーフィルム１０を準備する。ドナーフィルム１０は、ベースフィルム１１、光−熱変換層１２及び転写層１３を備える。前記ベースフィルム１１は、支持フィルムとしての役割を行い、透明性高分子を含む。例えば、前記ベースフィルム１１は、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレンを含む。
【００５３】
前記光−熱変換層１２は、赤外線−可視光線領域の光を吸収する光吸収性物質を含む。前記転写層１３は、基板１１０上に形成されるゲート絶縁膜と同じ物質が蒸着またはコーティング工程を通じて光−熱変換層１２上に形成される。前記ドナーフィルム１０は、図５Ｂに示した構造に限定されず、反射によって転写層１３の特性が低下することを防止するために、反射防止用のコーティング処理を行うか、またはフィルムの感度を向上させるために、光−熱変換層１２の下部にガス生成層をさらに備えるなど多様な構造を有しうる。
【００５４】
図５Ｃを参照すれば、前記ドナーフィルム１０を基板１１０に接着させた後、開口部１４５が形成される部分を除外したドナーフィルム１０にレーザを照射すれば、前記転写層１３が基板上に転写される。これにより、前記ドレイン電極１２５の一部分を露出させる開口部１４５を備えるゲート絶縁膜１４０が形成される。前記ゲート絶縁膜１４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような形態の開口部１４５を備える。前記ドレイン電極１２５のうちゲート絶縁膜１４０の開口部１４５によって露出される部分は、陽極電極である下部電極１６０となる。図５Ｄを参照すれば、前記ゲート絶縁膜１４０のうち半導体層１３０に対応する部分にゲート１５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層１７０と上部電極１８０とを形成すれば、図１に示したような一実施形態による有機電界発光表示装置１００が製造される。
【００５５】
図６は、本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置２００は、基板上にマトリックス状に配列される複数の画素を備え、各画素は、ＴＦＴ、例えば、スイッチングＴＦＴと駆動ＴＦＴ、キャパシタ及び有機発光素子を備える。図６は、有機発光素子と有機発光素子とを駆動するための駆動ＴＦＴに限定して示す図面である。
【００５６】
図６を参照すれば、基板２１０上にソース及びドレイン電極２２１,２２５が形成され、下部電極２６０が前記ソース及びドレイン電極２２１,２２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極２２５に連結されるように基板上に形成される。一実施形態と同様に、前記基板２１０は、ガラス基板、プラスチック基板または金属基板を備え、前記半導体層２３０は、有機半導体膜またはシリコン膜を備える。前記下部電極２６０は、各画素の画素電極として作用する。前記ソース及びドレイン電極２２１,２２５とコンタクトされるように半導体層２３０が形成される。
【００５７】
基板上に絶縁膜２４０が形成され、前記絶縁膜２４０上にゲート２５０が形成される。前記絶縁膜２４０は、前記下部電極２６０に対応する部分に開口部２４５を備えて下部電極２６０を限定する画素分離膜の役割を行い、またゲート電極２５０の下部に対応する部分は、ゲート絶縁膜として作用する。前記開口部２４５の下部電極２６０上に有機膜層２７０が形成され、基板上に上部電極２８０が形成される。前記有機膜層２７０は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び正孔抑制層から選択される一つ以上の有機膜を備える。他の実施形態では、前記有機膜層２７０が絶縁膜２４０の開口部２４５内に形成されることを例示したが、これに必ずしも限定されず、各画素の発光層（図示せず）は、開口部２４５内に形成されて隣接する画素の発光層とは分離されるように形成され、共通層である電荷輸送層は、基板の全面に形成されてもよい。
【００５８】
前記絶縁膜２４０は、前記下部電極２６０を露出させるための開口部２４５を備える。開口部２４５は、図２Ａないし図２Ｃに示したように、メッシュ状またはライン形態の構造を有する。絶縁膜２４０は、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。前記絶縁膜２４０は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＢＳＴ、ＰＺＴからなるグループから選択される無機膜を備える。また、前記絶縁膜２４０は、ＰＳ、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、パリレンを含むグループから選択される一つ以上の有機絶縁膜を備える。
【００５９】
また、前記絶縁膜２４０は、レーザアブレーションが可能な物質を使用できる。前記絶縁膜２４０は、レーザエネルギーの吸収が可能な物質として、ＳｉＯ２、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３または芳香族物質、すなわち、ベンゼンを有する機能基を含む物質、例えば、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレンを含む。レーザエネルギーの吸収のない物質、例えば、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、またはフッ素系高分子物質の場合には、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体からなる絶縁体を使用してもよい。
【００６０】
しかも、前記絶縁膜２４０は、インクジェットプリンティングが可能な物質を使用できる。前記絶縁膜２４０は、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００６１】
また、前記ゲート絶縁膜２４０は、レーザ転写が可能な物質として、汎用ポリマー、例えば、ポリイミド、ＰＶＰ、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、パリレン、ポリスチレンなどを含む。望ましくは、前記ゲート絶縁膜１４０は、レーザ転写が容易になるように位相分離を誘発させねばならないので、２種類以上の異なる汎用ポリマーを混合して使用するか、または前記汎用ポリマーに低分子物質を混合して使用してもよい。望ましくは、前記汎用ポリマーにジルコニア、アルミナのような低分子物質を１：１ないし１：３の割合で混合する。
【００６２】
一方、レーザ転写が円滑になるためには、ゲート絶縁膜２４０の下部に存在する膜、すなわち半導体層２３０とソース／ドレイン電極２２１,２２５との厚さの和が５０００Å未満でなければならない。望ましくは、前記半導体層１３０と前記ソース／ドレイン電極２２１,２２５との厚さの和は、２０００ないし３０００Åであることが望ましい。
【００６３】
前記ソース及びドレイン電極２２１,２２５が半導体層２３０との間に低いコンタクト抵抗を得るためには、前記半導体層２３０による仕事関数を有する物質を含む。前記ソース／ドレイン電極２２１,２２５は、半導体層２３０より大きい仕事関数を有する電極物質を含み、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄから選択される金属電極物質を含む。
【００６４】
前記下部電極２６０は、前記有機電界発光表示装置２００が背面発光構造を有する場合、透過電極を備えることが望ましい。下部電極２６０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３のような透明導電膜を備えることが望ましい。一方、前面発光構造を有する場合には、前記下部電極２６０は、反射電極を備え、望ましくは、下部電極２６０は、透明導電膜と、前記透明導電膜の下部に反射率に優れた反射膜とを備える。前記下部電極２６０のための透明導電膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３を含み、反射膜としては、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物を含む。
【００６５】
前記上部電極２８０は、背面発光構造を有する場合には、反射電極を備え、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇまたはこれらの化合物を含む。一方、前面発光構造を有する場合には、上部電極２８０は、透過電極を備え、金属膜と透明導電膜との積層構造を有する。前記上部電極２８０のための金属膜は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇまたはこれらの化合物を含み、透明導電膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３を含む。
【００６６】
図７Ａないし図７Ｄは、本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【００６７】
図７Ａを参照すれば、基板２１０上にソース電極２２１とドレイン電極２２５とを形成し、前記ソース及びドレイン電極２２１,２２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極２２５に連結される下部電極２６０を形成する。次いで、前記ソース電極２２１及びドレイン電極２２５とコンタクトされるように半導体層２３０を形成する。前記下部電極２６０を形成した後に前記半導体層２３０を形成することを例示したが、これに限定されず、前記下部電極２６０の形成は、前記有機電界発光表示装置の素子特性に及ぼす影響を最小化する範囲内で前記半導体層２３０を形成した後に形成してもよい。
【００６８】
図７Ｂを参照すれば、基板上にゲート絶縁膜２４０を形成する。前記ゲート絶縁膜２４０は、レーザ吸収が可能な物質として、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。ゲート絶縁膜２４０は、ＳｉＯ２、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン及びＰＩ／Ａｌ２Ｏ３を使用する。レーザ吸収のないＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、またはフッ素系高分子物質の場合には、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体からなる絶縁体として使用することによってレーザ吸収を可能にする。
【００６９】
図７Ｃを参照すれば、レーザアブレーション法を利用して、前記ゲート絶縁膜２４０のうち前記下部電極２６０に対応する部分にレーザ６を照射する。前記レーザ６が照射された部分のゲート絶縁膜２４０がエッチングされて開口部２４５が形成される。前記ゲート絶縁膜２４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような開口部２４５を備える。
【００７０】
前記レーザ６としてエキシマーレーザが使われる。前記エキシマーレーザは、２４８ｎｍ及び３０８ｎｍ波長の光を発生するので、前記ゲート絶縁膜２４０が２４８ｎｍまたは３０８ｎｍ波長の光を吸収すれば、レーザアブレーションが可能になる。このとき、前記ゲート絶縁膜２４０は、レーザのビーム波長の最小０.００５％以上を吸収することが望ましい。他の実施形態で、前記レーザ６としてエキシマーレーザを例示したが、これに必ずしも限定されていない。また、前記レーザアブレーション以外に、フォト工程を利用して前記絶縁膜２４０に開口部２４５を形成してもよい。
【００７１】
図７Ｄを参照すれば、前記絶縁膜２４０のうち半導体層２３０に対応する部分にゲート２５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層２７０と上部電極２８０とを形成すれば、図６に示したような他の実施形態による有機電界発光表示装置２００が製造される。
【００７２】
図８Ａないし図８Ｄは、本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【００７３】
図８Ａを参照すれば、基板２１０上にソース電極２２１とドレイン電極２２５とを形成し、前記ソース及びドレイン電極２２１,２２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極２２５に連結される下部電極２６０を形成する。次いで、前記ソース電極２２１及びドレイン電極２２５とコンタクトされるように半導体層２３０を形成する。図８Ｂを参照すれば、前記下部電極２６０の表面２６０ａを部分的に表面処理する。このとき、表面処理工程は、フッ素系プラズマ２５を使用して開口部が形成される部分の表面２６０ａを疎水性にする。このとき、フッ素系プラズマ２５を利用した表面処理工程は、ＣＦ４またはＣ３Ｆ８のようなフッ素系ガスを利用する。
【００７４】
図８Ｃを参照すれば、基板上にゲート絶縁膜のための絶縁物質を含む溶液をインクジェットヘッド（図示せず）から吐出させてゲート絶縁膜２４０を形成する。このとき、前記下部電極２６０のうち表面処理された部分２６０ａには、ゲート絶縁膜２４０が形成されず、前記下部電極２６０を露出させる開口部２４５が形成される。前記ゲート絶縁膜２４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような開口部２４５を備える。したがって、前記ゲート絶縁膜１４０は、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００７５】
他の例として、基板の表面とインクとの接着力が良好でない場合には、すなわち、基板の表面が疎水性である場合には、下部電極２６０の一部分を露出させる開口部２４５に対応する部分を除外した基板の表面を表面処理して開口部２４５を備えるゲート絶縁膜２４０を形成することも可能である。すなわち、開口部２４５に対応する下部電極２６０の表面２６０ａを除外した基板全面に対するＡｒ及びＯ２プラズマを利用した表面処理工程を行って、基板の表面を親水性に改質して接着力を向上させる。次いで、ゲート絶縁物質を含むインクを基板の表面に吐出させれば、表面処理された部分にのみゲート絶縁膜２４０がコーティングされる。したがって、プラズマ表面処理されていない下部電極２６０の表面２６０ａに開口部２４５を備えたゲート絶縁膜２４０が形成される。
【００７６】
図８Ｄを参照すれば、前記絶縁膜２４０のうち半導体層２３０に対応する部分にゲート２５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層２７０と上部電極２８０とを形成すれば、図６に示したような他の実施形態による有機電界発光表示装置２００が製造される。
【００７７】
図９Ａないし図９Ｄは、本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造方法を説明するための断面図である。
【００７８】
図９Ａを参照すれば、基板２１０上にソース電極２２１とドレイン電極２２５とを形成し、前記ソース／ドレイン電極２２１,２２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極２２５に連結される下部電極２６０と、前記ソース電極２２１及びドレイン電極２２５とコンタクトされるように半導体層２３０を形成する。図９Ｂを参照すれば、ゲート絶縁膜を形成するためのドナーフィルム２０を準備する。ドナーフィルム２０は、一実施形態によるドナーフィルム１０と同じ構造を有し、ベースフィルム２１、光−熱変換層２２及び転写層２３を備える。前記転写層２３は、前記ゲート絶縁膜のための膜を備える。
【００７９】
図９Ｃを参照すれば、前記ドナーフィルム２０を基板２１０に接着させた後、開口部２４５が形成される部分を除外したドナーフィルム２０にレーザを照射すれば、前記転写層２３が基板上に転写される。これにより、前記下部電極２６０の一部分を露出させる開口部２４５を備えるゲート絶縁膜２４０が形成される。ゲート絶縁膜２４０の開口部２４５は、図２Ａないし図２Ｃに示したような形態を有する。図９Ｄを参照すれば、前記絶縁膜２４０のうち半導体層２３０に対応する部分にゲート２５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層２７０と上部電極２８０とを形成すれば、図６に示したような他の実施形態による有機電界発光表示装置２００が製造される。
【００８０】
図１０は、本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置３００は、基板上にマトリックス状に配列される複数の画素を備え、各画素は、ＴＦＴ、例えばスイッチングＴＦＴと駆動ＴＦＴ、キャパシタ及び有機発光素子を備える。図１０は、有機発光素子と有機発光素子とを駆動するための駆動ＴＦＴに限定して示す図面である。
【００８１】
図１０を参照すれば、基板３１０上にソース及びドレイン電極３２１，３２５が形成され、下部電極３６０が前記ソース及びドレイン電極３２１，３２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極３２５に連結されるように基板上に形成される。前記ソース及びドレイン電極３２１，３２５とコンタクトされるように半導体層３３０が形成される。一実施形態と同様に、前記基板３１０は、ガラス基板、プラスチック基板または金属基板を備え、前記半導体層３３０は、有機半導体膜またはシリコン膜を備える。
【００８２】
基板上に絶縁膜３４０が形成され、前記絶縁膜３４０上にゲート３５０が形成される。前記絶縁膜３４０は、前記下部電極３６０に対応する部分に、図２Ａないし図２Ｃに示したように、メッシュまたはライン形態の開口部３４５を備える。したがって、前記絶縁膜３４０は、下部電極３６０の発光領域を限定する画素分離膜の役割を行い、またゲート絶縁膜として作用する。前記開口部３４５の下部電極３６０上に有機膜層３７０が形成され、基板上に上部電極３８０が形成される。前記有機膜層３７０は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び正孔抑制層から選択される一つ以上の有機膜を備える。さらに他の実施形態では、前記有機膜層３７０が絶縁膜３４０の開口部３４５内に形成されることを例示したが、これに必ずしも限定されず、各画素の発光層（図示せず）は、開口部３４５内に形成されて隣接する画素の発光層とは分離されるように形成され、共通層の電荷輸送層は、基板全面に形成されてもよい。
【００８３】
絶縁膜３４０は、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。絶縁膜３４０のための無機絶縁膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＢＳＴ、ＰＺＴからなるグループから選択される。絶縁膜３４０のための有機絶縁膜は、ＰＳ、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、パリレンを含むグループから選択される一つ以上の有機絶縁膜を備える。
【００８４】
また、前記絶縁膜３４０は、レーザアブレーションが可能な物質を使用できる。前記絶縁膜３４０は、レーザエネルギーの吸収が可能な物質として、ＳｉＯ２、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３または芳香族物質、すなわち、ベンゼンを有する機能基を含む物質、例えば、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレンを含む。レーザエネルギーの吸収のない物質、例えば、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、またはフッ素系高分子物質の場合には、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体からなる絶縁体を使用してもよい。
【００８５】
しかも、前記絶縁膜３４０は、インクジェットプリンティングが可能な物質を使用できる。前記絶縁膜３４０は、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００８６】
また、前記ゲート絶縁膜３４０は、レーザ転写が可能な物質として、汎用ポリマー、例えば、ポリイミド、ＰＶＰ、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、パリレン、ポリスチレンなどを含む。望ましくは、前記ゲート絶縁膜３４０は、レーザ転写が容易になるように位相分離を誘発させねばならないので、２種類以上の異なる汎用ポリマーを混合して使用するか、または前記汎用ポリマーに低分子物質を混合して使用してもよい。望ましくは、前記汎用ポリマーにジルコニア、アルミナのような低分子物質を１：１ないし１：３の割合で混合する。一方、レーザ転写が円滑になるためには、ゲート絶縁膜３４０の下部に存在する膜、すなわち、半導体層３３０とソース／ドレイン電極３２１,３２５との厚さの和が５０００Å未満でなければならない。前記半導体層３３０と前記ソース／ドレイン電極３２１,３２５との厚さの和は、２０００ないし３０００Åであることが望ましい。
【００８７】
前記ソース電極３２１とドレイン電極３２５とは、異なる物質からなり、前記ソース電極３２１は、半導体層３３０との低いコンタクト抵抗を得るためには、有機半導体層３３０より大きい仕事関数を有する電極物質を含み、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、酸化ＭｏＷ及びＰＥＤＯＴから選択される導電性物質を含む。前記ドレイン電極３２５は、下部電極３６０の反射膜３６１としても作用するので、反射率に優れた物質、例えば、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物を含む。
【００８８】
前記下部電極３６０は、各画素の画素電極として作用し、反射膜３６１と透明電極３６５とを備える。下部電極３６０のうち反射膜３６１は、ドレイン電極３２５から延設され、前記のように、反射率に優れた物質としてＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物などを含む。前記透明電極３６５は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３のような透明導電膜を備える。
【００８９】
上部電極３８０は、有機電界発光表示装置が前面発光構造を有するので、透過電極を備える。前記上部電極３８０は、金属膜と透明導電膜との積層構造を有する。前記金属膜は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇまたはこれらの化合物を含み、透明導電膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などを含む。
【００９０】
図１１Ａないし図１１Ｄは、本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【００９１】
図１１Ａを参照すれば、基板３１０上にソース電極３２１とドレイン電極３２５とを形成する。前記ソース及びドレイン電極３２１，３２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極３２５とオーバーラップされるように透過電極３６５を形成して下部電極３６０を形成する。前記下部電極３６０は、前記ドレイン電極３２５から延びる反射膜３６１と前記透過電極３６５との積層構造を有する。次いで、前記ソース電極３２１及びドレイン電極３２５とコンタクトされるように半導体層３３０を形成する。前記ソース電極３２１を形成した後にドレイン電極３２５を形成するか、または前記ドレイン電極３２５を形成した後にソース電極３２１を形成してもよい。また、前記透過電極３６５を形成した後に前記半導体層３３０を形成することを例示したが、これに限定されず、前記透過電極３６５の形成は、前記有機電界発光表示装置の素子特性に及ぼす影響を最小化する範囲内で前記半導体層３３０を形成した後に形成してもよい。
【００９２】
図１１Ｂを参照すれば、基板上にゲート絶縁膜３４０を形成する。ゲート絶縁膜３４０は、レーザ吸収が可能な物質として、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を含み、単一膜または多層膜からなる。ゲート絶縁膜３４０は、ＳｉＯ２、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン及びＰＩ／Ａｌ２Ｏ３を使用する。また、レーザ吸収のないＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、またはフッ素系高分子物質の場合には、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体からなる絶縁体として使用することによってレーザ吸収を可能にする。
【００９３】
図１１Ｃを参照すれば、レーザアブレーション法を利用して、前記ゲート絶縁膜３４０のうち前記下部電極３６０に対応する部分にレーザ６を照射する。レーザ６が照射されたゲート絶縁膜３４０がエッチングされて開口部３４５が形成される。これにより、前記下部電極３６０の一部分を露出させる開口部３４５を備えるゲート絶縁膜３４０が形成される。前記ゲート絶縁膜３４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような形態の開口部３４５を備える。
【００９４】
前記レーザ６は、エキシマーレーザを使用する。前記エキシマーレーザは、２４８ｎｍ及び３０８ｎｍ波長の光を発生するので、前記ゲート絶縁膜３４０が２４８ｎｍまたは３０８ｎｍ波長の光を吸収すれば、レーザアブレーションが可能になる。このとき、前記ゲート絶縁膜３４０は、レーザのビーム波長の最小０.００５％以上を吸収することが望ましい。他の実施形態で、前記レーザ６としてエキシマーレーザを例示したが、これに必ずしも限定されず、前記絶縁膜３４０に照射されて開口部３４５を形成できるレーザは何れも使用可能である。また、前記レーザアブレーション法以外、フォト工程を利用して前記絶縁膜３４０に開口部３４５を形成してもよい。
【００９５】
図１１Ｄを参照すれば、前記絶縁膜３４０のうち半導体層３３０に対応する部分にゲート３５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層３７０と上部電極３８０とを形成すれば、図１０に示したような他の実施形態による有機電界発光表示装置３００が製造される。
【００９６】
図１２Ａないし図１２Ｄは、本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造方法を説明するための断面図である。
【００９７】
図１２Ａを参照すれば、基板３１０上にソース電極３２１とドレイン電極３２５とを形成し、前記ソース及びドレイン電極３２１，３２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極３２５とオーバーラップされるように透過電極３６５を形成する。次いで、前記ソース電極３２１及びドレイン電極３２５とコンタクトされるように半導体層３３０を形成する。図１２Ｂを参照すれば、前記下部電極３６０の一部分の表面３６０ａを表面処理する。このとき、表面処理工程は、フッ素系プラズマ３５を使用して前記表面３６０ａを疎水性にして後続のインクジェット工程時にインクとの接着力を減少させる。このとき、フッ素系プラズマを利用した表面処理工程は、ＣＦ４またはＣ３Ｆ８のようなフッ素系ガスを利用する。
【００９８】
図１２Ｃを参照すれば、基板上にゲート絶縁膜のための絶縁物質を含む溶液をインクジェットヘッド（図示せず）から吐出させてゲート絶縁膜３４０を形成する。このとき、前記下部電極３６０のうち表面処理表面３６０ａには、ゲート絶縁膜３４０が形成されず、前記下部電極３６０を露出させる開口部３４５が形成される。前記ゲート絶縁膜３４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような開口部３４５を備える。前記ゲート絶縁膜３４０は、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００９９】
他の例として、基板の表面とインクとの接着力が良好でない場合には、すなわち、基板の表面が疎水性である場合には、画素電極３６０を露出させる開口部３４５に対応する部分を除外した基板の表面を表面処理して開口部３４５を備えるゲート絶縁膜３４０を形成することも可能である。すなわち、開口部３４５に対応する画素電極３６０の表面を除外した基板全面に対するＡｒ及びＯ２プラズマを利用した表面処理工程を行って、基板の表面を親水性に改質して接着力を向上させる。次いで、ゲート絶縁物質を含むインクを基板の表面に吐出すれば、表面処理された部分にのみゲート絶縁膜３４０がコーティングされる。したがって、プラズマ表面処理されていない画素電極３６０の表面には、ゲート絶縁膜３４０が形成されない。
【０１００】
図１２Ｄを参照すれば、前記絶縁膜３４０のうち半導体層３３０に対応する部分にゲート３５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層３７０と上部電極３８０とを形成すれば、図１０に示したようなさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置３００が製造される。
【０１０１】
図１３Ａないし図１３Ｃは、本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【０１０２】
図１３Ａを参照すれば、基板３１０上にソース電極３２１とドレイン電極３２５とを形成し、前記ソース／ドレイン電極３２１，３２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極３２５とオーバーラップされるように透明電極層３６５を形成し、前記ソース電極３２１及びドレイン電極３２５とコンタクトされるように半導体層３３０を形成する。図１３Ｂを参照すれば、ゲート絶縁膜を形成するためのドナーフィルム３０を準備する。ドナーフィルム３０は、一実施形態によるドナーフィルム１０と同じ構造を有し、ベースフィルム３１、光−熱変換層３２及び転写層３３を備える。前記転写層３３は、前記ゲート絶縁膜のための膜を備える。
【０１０３】
図１３Ｃを参照すれば、前記ドナーフィルム３０を基板３１０に接着させた後、開口部３４５が形成される部分を除外したドナーフィルム３０にレーザを照射すれば、前記転写層３３が基板上に転写される。これにより、前記下部電極３６０の一部分を露出させる開口部３４５を備えるゲート絶縁膜３４０が形成される。ゲート絶縁膜３４０の開口部３４５は、図２Ａないし図２Ｃに示したような形態を有する。図１３Ｄを参照すれば、前記絶縁膜３４０のうち半導体層３３０に対応する部分にゲート３５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層３７０と上部電極３８０とを形成すれば、図１０に示したような他の実施形態による有機電界発光表示装置３００が製造される。
【０１０４】
本発明の実施形態では、ゲート絶縁膜が画素分離膜として作用するので、ゲート電極上に直ぐ上部電極がコンタクトされる構造を例示したが、図面上には示していないが、ゲート電極と上部電極との間に絶縁膜を形成する方法を利用して、これらを電気的に分離させる。
【０１０５】
本発明の実施形態では、ＯＴＦＴを備える有機電界発光表示装置において、ゲート絶縁膜を画素電極を限定する画素分離膜として使用する構造を例示したが、これに必ずしも限定されず、ＴＦＴをスイッチング素子として使用する液晶表示装置のような平板表示装置にも適用できる。
【０１０６】
本発明の実施形態では、トップゲート方式のＴＦＴを備える有機電界発光表示装置について説明したが、これに必ずしも限定されず、ゲート絶縁膜を画素定義膜として共有する構造には何れも適用可能である。
【０１０７】
また、本発明は、画素領域に配列される一つの画素構造として駆動ＴＦＴ及び有機発光素子のみを例示したが、これに必ずしも限定されず、多様な形態の画素構造を有する有機電界発光表示装置に適用できる。
【０１０８】
以上、本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、当業者は、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させうるということが分かるであろう。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明は、ＯＴＦＴをスイッチング素子として利用する液晶表示素子のような平板表示装置に適用可能である。
【符号の説明】
【０１１０】
１００ 有機電界発光表示装置
１１０ 基板
１２１ ソース電極
１２５ ドレイン電極
１３０ 半導体層
１４０ 絶縁膜
１４５ 開口部
１５０ ゲート
１６０ 下部電極
１７０ 有機膜層
１８０ 上部電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板表示装置に係り、さらに具体的には、画素を限定する開口部を有するゲート絶縁膜を備える有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、フレキシブル有機電界発光表示装置は、基板としてフレキシブル基板を使用し、前記フレキシブル基板は、プラスチック基板などを備える。プラスチック基板は、熱安定性が非常に脆弱であるので、低温工程を利用して有機電界発光表示装置を製造することが要求されている。半導体層として有機膜を使用する有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）は、低温工程が可能であるので、フレキシブル有機電界発光表示装置のスイッチング素子として注目されている。ＯＴＦＴは、次世代ディスプレイ装置の駆動素子として活発な研究が進められている。ＯＴＦＴは、半導体層としてシリコン膜の代りに有機膜を使用するものであって、有機膜の材料によってオリゴチオフェン、ペンタセンのような低分子有機物とポリチオフェン系列のような高分子有機物とに分類される。
【０００３】
有機電界発光表示装置は、有機膜層からの光が発光する経路によって、背面発光構造、前面発光構造、そして、両面発光構造を有する。背面発光型の有機電界発光表示装置では、有機発光層から発光する光が基板側に放出され、前面発光型の有機電界発光表示装置では、有機発光層から発光する光が基板の反対方向に放出され、両面発光型の有機電界発光表示装置では、有機発光層から光が基板と基板の反対方向とに同時に放出される。
【０００４】
従来のＯＴＦＴを備えた有機電界発光表示装置は、基板上にソース及びドレイン電極、半導体層及びゲートを備える薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成され、前記ＴＦＴの上部に保護膜が形成され、保護膜上に下部電極、有機膜層及び上部電極を備える有機発光素子が形成される構造を有する。前記ＴＦＴのソース及びドレイン電極とゲートとの間には、ゲート絶縁膜が形成される。前記下部電極は、保護膜に形成されたビアホールを通じて前記ＴＦＴのソース及びドレイン電極のうち一つに連結される。画素分離膜は、下部電極の一部分を露出させる開口部を備え、前記開口部の下部電極上に有機膜層が形成され、その上に上部電極が形成される。
【０００５】
前記のような構造を有する有機電界発光表示装置は、ソース及びドレイン電極、半導体層及びゲートを備えるＴＦＴを形成する工程と、保護膜を形成する工程と、保護膜にマスク工程を通じてビアホールを形成する工程と、保護膜上にビアホールを通じてＴＦＴに連結される下部電極を形成する工程と、前記下部電極を露出させるための開口部を形成する工程と、有機膜及び上部電極を形成する工程と、を含むので、工程が非常に複雑であるという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−４６０８７号公報
【特許文献２】特開２００４−８７４５８号公報
【特許文献３】特開２００３−２５８２６５号公報
【特許文献４】特開２００３−９２４０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記従来の技術の問題点を解決するためのものであって、画素分離膜として使われるゲート絶縁膜を備える平板表示装置を提供することをその目的とする。
【０００８】
また、本発明の目的は、画素を限定する開口部を有するゲート絶縁膜をレーザアブレーション法で形成して、工程を単純化した平板表示装置の製造方法を提供することである。
【０００９】
また、本発明の目的は、画素を限定する開口部を備えるゲート絶縁膜をインクジェット方式で形成して、工程を単純化した平板表示装置の製造方法を提供することである。
【００１０】
また、本発明の目的は、画素を限定する開口部を備えるゲート絶縁膜をレーザ転写法で形成して、工程を単純化した平板表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明の平板表示装置は、基板と、前記基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層と、基板上に形成されたゲートと、前記ソース及びドレイン電極とゲートとの間に形成され、開口部を備える絶縁膜と、前記絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と、を備える。
【００１２】
本発明の実施形態によれば、前記画素電極は、ソース及びドレイン電極のうち一つの電極から延びる反射膜と、前記反射膜とオーバーラップされるように形成された透明電極層とを備える。前記半導体層は、有機半導体物質を含み、前記ソース及びドレイン電極は、異なる物質からなる。前記ソース及びドレイン電極のうち一つの電極は、反射率に優れた物質として、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物から選択される反射膜を備える。前記画素電極の透明電極層は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から選択される透明導電膜を備える。前記ソース電極／ドレイン電極のうち他の一つの電極は、前記半導体層より大きい仕事関数を有する電極物質を含む。前記ソース及びドレイン電極のうち他の一つの電極は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、酸化ＭＯＷ及びＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）から選択される電極物質を含む。
【００１３】
前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜として作用すると同時に、前記画素電極を限定する画素分離膜として作用する。前記絶縁膜は、有機絶縁膜または無機絶縁膜を備えるか、または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。前記絶縁膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＢＳＴ、ＰＺＴ、ポリスチレン（ＰＳ）、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びパリレンを含むグループから選択される。
【００１４】
また、前記絶縁膜は、レーザ吸収が可能な物質として、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。絶縁膜は、ＳｉＯ２、ポリイミド、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、パリレン及びＰＩ／Ａｌ２Ｏ３を使用する。また、絶縁膜は、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体となったポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルクロライド（ＰＶＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、またはフッ素系高分子物質を含むグループから選択される一つ以上の膜を備える。前記レーザは、エキシマーレーザを使用し、前記ゲート絶縁膜に含まれている発色団の量は、０.００５ｗｔ％である。
【００１５】
また、前記絶縁膜は、インクジェット方式で形成された物質として、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００１６】
また、前記絶縁膜は、レーザ転写が可能な物質として、異なる種類のポリマーを２つ以上混合した物質を使用するか、またはポリマーに低分子物質を混合した物質を使用する。前記ポリマーは、ポリイミド、ＰＶＰ、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、パリレン及びポリスチレンから選択され、前記低分子物質は、ジルコニア及びアルミナから選択される。前記ポリマーと低分子物質とは、１：１ないし１：３の割合で混合する。前記半導体層とソース及びドレイン電極との厚さの和は、５０００Å未満であり、望ましくは、前記半導体層とソース及びドレイン電極との厚さの和は、２０００ないし３０００Åである。
【００１７】
前記絶縁膜の開口部は、各画素領域に配列された画素電極の一部分を露出させるようにメッシュ状に配列される。前記絶縁膜の開口部は、複数の画素領域のうちゲートラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるライン形態に配列されるか、またはデータラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるライン形態に配列される。
【００１８】
本発明の平板表示装置の製造方法は、基板上にソース及びドレイン電極、画素電極、前記ソース及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層を形成する工程と、前記画素電極の一部分を露出させる開口部を備える絶縁膜を基板上に形成する工程と、前記半導体層に対応する絶縁膜上にゲートを形成する工程と、を含む。
【００１９】
前記絶縁膜は、レーザ吸収可能な絶縁物質を基板全面に蒸着した後、レーザアブレーション工程を通じて前記開口部に対応する部分をエッチングして形成するか、またはインクジェットプリンティング可能な絶縁物質を前記開口部に対応する部分を除外した基板上に塗布して形成するか、またはレーザ転写法を利用して形成する。前記絶縁膜を形成する前に、前記開口部に対応する基板の表面をＡｒ及びＯ２プラズマを利用してプラズマ処理するか、または前記開口部を除外した基板の表面をＣＦ４またはＣ３Ｆ８を利用したフッ素系プラズマを利用してプラズマ処理する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の有機電界発光表示装置及びその製造方法によれば、ゲート絶縁膜が前記画素電極を限定する画素分離膜として作用するので、画素電極とＴＦＴのソース／ドレイン電極のうち一つの電極と連結させるビアホールを形成するためのマスク工程と、画素電極の発光領域を限定する画素定義膜を形成するための工程とが排除される。これにより、素子の構造及び工程が単純化しうる。
【００２１】
また、本発明では、レーザアブレーション法、レーザ転写法またはインクジェット方式などを利用して、ゲート絶縁膜に画素電極を定義するための開口部を形成する場合には、通常的な画素分離膜の開口部を形成するための写真エッチング工程が排除されるので、感光性物質の残存物が残り、これにより、パターンの不良を防止しうる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図２Ａ】本発明の有機電界発光表示装置において、ゲート絶縁膜の開口部パターンの一例を示す図面である。
【図２Ｂ】本発明の有機電界発光表示装置において、ゲート絶縁膜の開口部パターンの一例を示す図面である。
【図２Ｃ】本発明の有機電界発光表示装置において、ゲート絶縁膜の開口部パターンの一例を示す図面である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である
【図４Ｂ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である
【図４Ｃ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である
【図４Ｄ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図５Ｄ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図７Ａ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図７Ｂ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図７Ｃ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図７Ｄ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図８Ｂ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図８Ｃ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図８Ｄ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図９Ａ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図９Ｂ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図９Ｃ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図９Ｄ】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図１１Ａ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１１Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１１Ｃ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１１Ｄ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１２Ａ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１２Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１２Ｃ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１２Ｄ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１３Ａ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１３Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１３Ｃ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【図１３Ｄ】本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付された図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置１００は、基板上にマトリックス状に配列された複数の画素を備え、各画素は、ＴＦＴ、例えば、スイッチングＴＦＴと駆動ＴＦＴ、キャパシタ及び有機発光素子を備える。図１は、有機発光素子と前記有機発光素子を駆動するための駆動ＴＦＴとについて示したものである。
【００２５】
図１を参照すれば、基板１１０上にソース及びドレイン電極１２１,１２５が形成され、下部電極１６０が前記ソース及びドレイン電極１２１,１２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極１２５から延設される。前記下部電極１６０は、各画素の画素電極として作用する。前記ソース及びドレイン電極１２１,１２５とコンタクトされるように半導体層１３０が形成される。
【００２６】
基板上に絶縁膜１４０が形成され、前記絶縁膜１４０上にゲート１５０が形成される。前記絶縁膜１４０は、前記下部電極１６０に対応する部分に開口部１４５を備えて下部電極１６０を限定する画素分離膜の役割を行い、またゲート電極１５０の下部に対応する部分は、ゲート絶縁膜として作用する。
【００２７】
前記開口部１４５の下部電極１６０上に有機膜層１７０が形成され、基板上に上部電極１８０が形成される。前記有機膜層１７０は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び正孔抑制層から選択される一つ以上の有機膜を備える。一実施形態では、前記有機膜層１７０が絶縁膜１４０の開口部１４５内に形成されることを例示したが、これに必ずしも限定されず、各画素の発光層（図示せず）は、開口部１４５内に形成されて、隣接する画素の発光層とは分離されるように形成され、共通層である電荷輸送層は、基板全面に形成されてもよい。
【００２８】
前記基板１１０は、ガラス基板、プラスチック基板または金属基板を備える。前記金属基板は、望ましくは、ＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ）を含む。前記プラスチック基板は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなるグループから選択されるプラスチックフィルムを含む。
【００２９】
前記半導体層１３０は、有機半導体層を備え、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、アルファ（α）−６−チオフェン、ぺリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリチオフェン−ヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、アルファ（α）−５−チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、金属含有/非含有のフタロシアニン及びこれらの誘導体、ピロメリット酸二無水物及びその誘導体、ピロメリット酸ジイミド及びこれらの誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物及びこれらの誘導体から選択される有機膜を備える。一方、前記半導体層１３０は、非晶質シリコン膜または多結晶シリコン膜のようなシリコン膜を備え、前記ソース／ドレイン電極１２１,１２５とコンタクトされる部分に高濃度の不純物がドーピングされたソース／ドレイン領域を備えても良い。
【００３０】
前記絶縁膜１４０は、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。絶縁膜１４０のための無機絶縁膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＢＳＴ、ＰＺＴからなるグループから選択される。絶縁膜１４０のための有機絶縁膜は、ＰＳ、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、パリレンを含むグループから選択される一つ以上の有機絶縁膜を備える。
【００３１】
また、前記絶縁膜１４０は、レーザアブレーションが可能な物質を使用できる。前記絶縁膜１４０は、レーザエネルギーの吸収が可能な物質として、ＳｉＯ２、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３または芳香族物質、すなわち、ベンゼンを有する機能基を含む物質、例えば、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレンを含む。レーザエネルギーの吸収がない物質、例えば、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、またはフッ素系高分子物質の場合には、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体からなる絶縁物質を使用してもよい。
【００３２】
しかも、前記絶縁膜１４０は、インクジェットプリンティングが可能な物質を使用できる。前記絶縁膜１４０は、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００３３】
また、前記絶縁膜１４０は、レーザ転写が可能な物質として、汎用ポリマー、例えば、ポリイミド、ＰＶＰ、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、パリレン、ポリスチレンなどを含む。望ましくは、前記絶縁膜１４０は、レーザ転写が容易になるように位相分離を誘発させねばならないので、２種類以上の異なる汎用ポリマーを混合して使用するか、または前記汎用ポリマーに低分子物質を混合して使用してもよい。望ましくは、前記汎用ポリマーにジルコニア、アルミナのような低分子物質を１：１ないし１：３の割合で混合する。一方、レーザ転写が円滑になるためには、絶縁膜１４０の下部に存在する膜、すなわち、半導体層１３０とソース／ドレイン電極１２１,１２５との厚さの和が５０００Å未満でなければならない。前記半導体層１３０と前記ソース／ドレイン電極１２１,１２５との厚さの和は、２０００ないし３０００Åであることが望ましい。
【００３４】
一実施形態による有機電界発光表示装置１００で、ソース電極１２１とドレイン電極１２５とは、異なる物質からなる。ソース電極１２１は、半導体層１３０とのコンタクト抵抗を得るためには、前記半導体層１３０による仕事関数を有する物質を含む。すなわち、前記ソース電極１２１は、有機半導体層１３０より大きい仕事関数を有する電極物質を含み、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄから選択される金属電極物質を含む。
【００３５】
一方、前記ドレイン電極１２５は、絶縁膜１４０によって露出される部分が下部電極１６０、すなわち、陰極電極として作用するので、ドレイン電極は、下部電極物質を含むことが望ましい。例えば、前記有機電界発光表示装置１００が背面発光構造を有する場合、前記下部電極１６０は、透過電極を含むことが望ましい。下部電極１６０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３のような透明導電膜を備えることが望ましい。前面発光構造を有する場合には、前記下部電極１６０は、反射電極を備え、望ましくは、下部電極１６０は、透明導電膜と、前記透明導電膜の下部に反射率に優れた反射膜とを備える。前記下部電極１６０のための透明導電膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３を含み、反射膜としては、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物を含む。
【００３６】
前記上部電極１８０は、背面発光構造を有する場合には、反射電極を備え、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇまたはこれらの化合物を含む。前面発光構造を有する場合には、上部電極１８０は、透過電極を備え、金属膜と透明導電膜との積層構造を有する。前記上部電極１８０のための金属膜は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇまたはこれらの化合物を含み、透明導電膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３を含む。
【００３７】
図２Ａないし図２Ｃは、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置において、絶縁膜１４０の開口部１４５のパターン例を示す図面である。図２Ａないし図２Ｃは、ゲートライン１０１、データライン１０３及び画素領域１０５に配列される画素電極１６０に限定して概略的に示す図面である。本発明の有機電界発光表示装置１００は、複数のゲートライン１０１と複数のデータライン１０３とが基板１１０上に配列され、前記複数のゲートライン１０１と複数のデータライン１０３とによって限定される複数の画素領域１０５を備える。各画素領域１０５には、図１に示したような下部電極１６０である画素電極を備える有機発光素子と、前記有機発光素子を駆動するためのＴＦＴとが配列される。また、電源電圧を供給するための電源ライン（図示せず）が配列されるが、前記ゲートライン１０５とは交差し、前記データラインとは平行に配列されうる。
【００３８】
図２Ａを参照すれば、絶縁膜１４０が基板上に形成され、前記絶縁膜１４０の開口部１４５は、各画素領域１０５に配列される画素電極１６０の一部分をそれぞれ露出させるメッシュ状に配列される。図２Ｂを参照すれば、前記絶縁膜１４０の開口部１４５は、複数の画素領域１０５に配列される画素電極１６０のうち一方向に配列される画素電極、すなわち、データラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるように、ライン形態に配列される。図２Ｃを参照すれば、前記絶縁膜１４０の開口部１４５は、複数の画素領域に配列される画素電極１６０のうち一方向に配列される画素電極、すなわち、ゲートラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるように、ライン形態に配列される。
【００３９】
図３Ａないし図３Ｄは、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【００４０】
図３Ａを参照すれば、基板１１０上にソース電極１２１及びドレイン電極１２５を形成し、前記ソース電極１２１及びドレイン電極１２５とコンタクトされるように半導体層１３０を形成する。前記ドレイン電極１２５のうち一部分１６０は、画素電極として作用する。前記ソース電極１２１を形成した後にドレイン電極１２５を形成するか、または前記ドレイン電極１２５を形成した後にソース電極１２１を形成してもよい。
【００４１】
図３Ｂを参照すれば、基板上にゲート絶縁膜１４０を形成する。前記ゲート絶縁膜１４０は、レーザ吸収が可能な物質として、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。ゲート絶縁膜１４０は、ＳｉＯ２、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン及びＰＩ／Ａｌ２Ｏ３を使用する。また、レーザ吸収のないＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、またはフッ素系高分子物質の場合には、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体からなる絶縁体として使用することによって、レーザ吸収を可能にする。
【００４２】
図３Ｃを参照すれば、レーザアブレーション法を利用して、前記ゲート絶縁膜１４０のうち前記ドレイン電極１２５に対応する部分にレーザ５を照射する。前記レーザ５の照射された部分のゲート絶縁膜１４０がエッチングされて開口部１４５が形成される。前記ゲート絶縁膜１４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような開口部１４５を備える。前記ドレイン電極１２５のうちゲート絶縁膜１４０の開口部１４５に露出される部分は、陽極電極の下部電極１６０となる。
【００４３】
前記レーザ５は、エキシマーレーザを使用する。前記エキシマーレーザは、２４８ｎｍ及び３０８ｎｍ波長の光を発生するので、前記ゲート絶縁膜１４０が２４８ｎｍまたは３０８ｎｍ波長の光を吸収すれば、レーザアブレーションが可能になる。このとき、前記ゲート絶縁膜１４０は、レーザのビーム波長の最小０.００５％以上を吸収することが望ましい。一実施形態で、前記レーザ５としてエキシマーレーザを例示したが、これに必ずしも限定されていない。また、前記レーザアブレーション法以外に、フォト工程を利用して前記絶縁膜１４０に開口部１４５を形成してもよい。
【００４４】
図３Ｄを参照すれば、前記絶縁膜１４０のうち半導体層１３０に対応する部分にゲート１５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層１７０と上部電極１８０とを形成すれば、図１に示したような一実施形態による有機電界発光表示装置１００が製造される。
【００４５】
図４Ａないし図４Ｄは、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【００４６】
図４Ａを参照すれば、基板１１０上にソース電極１２１とドレイン電極１２５とを形成し、前記ソース電極１２１及びドレイン電極１２５とコンタクトされるように半導体層１３０を形成する。図４Ｂを参照すれば、前記ソース及びドレイン電極１２１,１２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極１２５の一部分１６０の表面１６０ａを表面処理する。このとき、表面処理工程は、フッ素系プラズマ１５を使用して表面を疎水性にする。このとき、フッ素系プラズマを利用した表面処理工程は、ＣＦ４またはＣ３Ｆ８のようなフッ素系ガスを利用する。
【００４７】
図４Ｃを参照すれば、基板上にゲート絶縁膜のための絶縁物質を含む溶液をインクジェットヘッド（図示せず）から吐出させてゲート絶縁膜１４０を形成する。このとき、前記ドレイン電極１２５のうち表面処理された部分１６０ａには、ゲート絶縁膜１４０が形成されず、前記ドレイン電極１２５の一部分１６０を露出させる開口部１４５が形成される。
【００４８】
前記ゲート絶縁膜１４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような開口部１４５を備え、前記開口部１４５によって露出される部分１６０は、画素電極として作用する。前記ゲート絶縁膜１４０は、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００４９】
他の例として、基板の表面とインクとの接着力が良好でない場合には、すなわち、基板の表面が疎水性を帯びる場合には、ドレイン電極１２５の一部分を露出させる開口部１４５に対応する部分、すなわち、画素電極１６０を除外した基板の表面を表面処理して開口部１４５を備えるゲート絶縁膜１４０を形成することも可能である。すなわち、開口部１４５に対応するドレイン電極１２５の表面１６０ａを除外した基板の全面に対するＡｒ及びＯ２プラズマを利用した表面処理工程を行って、基板の表面を親水性に改質する。次いで、ゲート絶縁物質を含むインキを基板の表面に吐出すれば、表面処理された部分にのみゲート絶縁膜１４０がコーティングされる。したがって、プラズマ表面処理されないドレイン電極１２５の表面１６０ａには、ゲート絶縁膜１４０が形成されない。
【００５０】
図４Ｄを参照すれば、前記ゲート絶縁膜１４０のうち半導体層１３０に対応する部分にゲート１５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層１７０と上部電極１８０とを形成すれば、図１に示したような一実施形態による有機電界発光表示装置１００が製造される。
【００５１】
図５Ａないし図５Ｄは、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して形成する方法を説明するための断面図である。
【００５２】
図５Ａを参照すれば、基板１１０上にソース電極１２１とドレイン電極１２５とを形成し、前記ソース電極１２１及びドレイン電極１２５とコンタクトされるように半導体層１３０を形成する。図５Ｂを参照すれば、ゲート絶縁膜を形成するためのドナーフィルム１０を準備する。ドナーフィルム１０は、ベースフィルム１１、光−熱変換層１２及び転写層１３を備える。前記ベースフィルム１１は、支持フィルムとしての役割を行い、透明性高分子を含む。例えば、前記ベースフィルム１１は、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレンを含む。
【００５３】
前記光−熱変換層１２は、赤外線−可視光線領域の光を吸収する光吸収性物質を含む。前記転写層１３は、基板１１０上に形成されるゲート絶縁膜と同じ物質が蒸着またはコーティング工程を通じて光−熱変換層１２上に形成される。前記ドナーフィルム１０は、図５Ｂに示した構造に限定されず、反射によって転写層１３の特性が低下することを防止するために、反射防止用のコーティング処理を行うか、またはフィルムの感度を向上させるために、光−熱変換層１２の下部にガス生成層をさらに備えるなど多様な構造を有しうる。
【００５４】
図５Ｃを参照すれば、前記ドナーフィルム１０を基板１１０に接着させた後、開口部１４５が形成される部分を除外したドナーフィルム１０にレーザを照射すれば、前記転写層１３が基板上に転写される。これにより、前記ドレイン電極１２５の一部分を露出させる開口部１４５を備えるゲート絶縁膜１４０が形成される。前記ゲート絶縁膜１４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような形態の開口部１４５を備える。前記ドレイン電極１２５のうちゲート絶縁膜１４０の開口部１４５によって露出される部分は、陽極電極である下部電極１６０となる。図５Ｄを参照すれば、前記ゲート絶縁膜１４０のうち半導体層１３０に対応する部分にゲート１５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層１７０と上部電極１８０とを形成すれば、図１に示したような一実施形態による有機電界発光表示装置１００が製造される。
【００５５】
図６は、本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置２００は、基板上にマトリックス状に配列される複数の画素を備え、各画素は、ＴＦＴ、例えば、スイッチングＴＦＴと駆動ＴＦＴ、キャパシタ及び有機発光素子を備える。図６は、有機発光素子と有機発光素子とを駆動するための駆動ＴＦＴに限定して示す図面である。
【００５６】
図６を参照すれば、基板２１０上にソース及びドレイン電極２２１,２２５が形成され、下部電極２６０が前記ソース及びドレイン電極２２１,２２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極２２５に連結されるように基板上に形成される。一実施形態と同様に、前記基板２１０は、ガラス基板、プラスチック基板または金属基板を備え、前記半導体層２３０は、有機半導体膜またはシリコン膜を備える。前記下部電極２６０は、各画素の画素電極として作用する。前記ソース及びドレイン電極２２１,２２５とコンタクトされるように半導体層２３０が形成される。
【００５７】
基板上に絶縁膜２４０が形成され、前記絶縁膜２４０上にゲート２５０が形成される。前記絶縁膜２４０は、前記下部電極２６０に対応する部分に開口部２４５を備えて下部電極２６０を限定する画素分離膜の役割を行い、またゲート電極２５０の下部に対応する部分は、ゲート絶縁膜として作用する。前記開口部２４５の下部電極２６０上に有機膜層２７０が形成され、基板上に上部電極２８０が形成される。前記有機膜層２７０は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び正孔抑制層から選択される一つ以上の有機膜を備える。他の実施形態では、前記有機膜層２７０が絶縁膜２４０の開口部２４５内に形成されることを例示したが、これに必ずしも限定されず、各画素の発光層（図示せず）は、開口部２４５内に形成されて隣接する画素の発光層とは分離されるように形成され、共通層である電荷輸送層は、基板の全面に形成されてもよい。
【００５８】
前記絶縁膜２４０は、前記下部電極２６０を露出させるための開口部２４５を備える。開口部２４５は、図２Ａないし図２Ｃに示したように、メッシュ状またはライン形態の構造を有する。絶縁膜２４０は、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。前記絶縁膜２４０は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＢＳＴ、ＰＺＴからなるグループから選択される無機膜を備える。また、前記絶縁膜２４０は、ＰＳ、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、パリレンを含むグループから選択される一つ以上の有機絶縁膜を備える。
【００５９】
また、前記絶縁膜２４０は、レーザアブレーションが可能な物質を使用できる。前記絶縁膜２４０は、レーザエネルギーの吸収が可能な物質として、ＳｉＯ２、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３または芳香族物質、すなわち、ベンゼンを有する機能基を含む物質、例えば、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレンを含む。レーザエネルギーの吸収のない物質、例えば、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、またはフッ素系高分子物質の場合には、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体からなる絶縁体を使用してもよい。
【００６０】
しかも、前記絶縁膜２４０は、インクジェットプリンティングが可能な物質を使用できる。前記絶縁膜２４０は、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００６１】
また、前記ゲート絶縁膜２４０は、レーザ転写が可能な物質として、汎用ポリマー、例えば、ポリイミド、ＰＶＰ、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、パリレン、ポリスチレンなどを含む。望ましくは、前記ゲート絶縁膜１４０は、レーザ転写が容易になるように位相分離を誘発させねばならないので、２種類以上の異なる汎用ポリマーを混合して使用するか、または前記汎用ポリマーに低分子物質を混合して使用してもよい。望ましくは、前記汎用ポリマーにジルコニア、アルミナのような低分子物質を１：１ないし１：３の割合で混合する。
【００６２】
一方、レーザ転写が円滑になるためには、ゲート絶縁膜２４０の下部に存在する膜、すなわち半導体層２３０とソース／ドレイン電極２２１,２２５との厚さの和が５０００Å未満でなければならない。望ましくは、前記半導体層１３０と前記ソース／ドレイン電極２２１,２２５との厚さの和は、２０００ないし３０００Åであることが望ましい。
【００６３】
前記ソース及びドレイン電極２２１,２２５が半導体層２３０との間に低いコンタクト抵抗を得るためには、前記半導体層２３０による仕事関数を有する物質を含む。前記ソース／ドレイン電極２２１,２２５は、半導体層２３０より大きい仕事関数を有する電極物質を含み、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄから選択される金属電極物質を含む。
【００６４】
前記下部電極２６０は、前記有機電界発光表示装置２００が背面発光構造を有する場合、透過電極を備えることが望ましい。下部電極２６０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３のような透明導電膜を備えることが望ましい。一方、前面発光構造を有する場合には、前記下部電極２６０は、反射電極を備え、望ましくは、下部電極２６０は、透明導電膜と、前記透明導電膜の下部に反射率に優れた反射膜とを備える。前記下部電極２６０のための透明導電膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３を含み、反射膜としては、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物を含む。
【００６５】
前記上部電極２８０は、背面発光構造を有する場合には、反射電極を備え、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇまたはこれらの化合物を含む。一方、前面発光構造を有する場合には、上部電極２８０は、透過電極を備え、金属膜と透明導電膜との積層構造を有する。前記上部電極２８０のための金属膜は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇまたはこれらの化合物を含み、透明導電膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３を含む。
【００６６】
図７Ａないし図７Ｄは、本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【００６７】
図７Ａを参照すれば、基板２１０上にソース電極２２１とドレイン電極２２５とを形成し、前記ソース及びドレイン電極２２１,２２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極２２５に連結される下部電極２６０を形成する。次いで、前記ソース電極２２１及びドレイン電極２２５とコンタクトされるように半導体層２３０を形成する。前記下部電極２６０を形成した後に前記半導体層２３０を形成することを例示したが、これに限定されず、前記下部電極２６０の形成は、前記有機電界発光表示装置の素子特性に及ぼす影響を最小化する範囲内で前記半導体層２３０を形成した後に形成してもよい。
【００６８】
図７Ｂを参照すれば、基板上にゲート絶縁膜２４０を形成する。前記ゲート絶縁膜２４０は、レーザ吸収が可能な物質として、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。ゲート絶縁膜２４０は、ＳｉＯ２、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン及びＰＩ／Ａｌ２Ｏ３を使用する。レーザ吸収のないＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、またはフッ素系高分子物質の場合には、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体からなる絶縁体として使用することによってレーザ吸収を可能にする。
【００６９】
図７Ｃを参照すれば、レーザアブレーション法を利用して、前記ゲート絶縁膜２４０のうち前記下部電極２６０に対応する部分にレーザ６を照射する。前記レーザ６が照射された部分のゲート絶縁膜２４０がエッチングされて開口部２４５が形成される。前記ゲート絶縁膜２４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような開口部２４５を備える。
【００７０】
前記レーザ６としてエキシマーレーザが使われる。前記エキシマーレーザは、２４８ｎｍ及び３０８ｎｍ波長の光を発生するので、前記ゲート絶縁膜２４０が２４８ｎｍまたは３０８ｎｍ波長の光を吸収すれば、レーザアブレーションが可能になる。このとき、前記ゲート絶縁膜２４０は、レーザのビーム波長の最小０.００５％以上を吸収することが望ましい。他の実施形態で、前記レーザ６としてエキシマーレーザを例示したが、これに必ずしも限定されていない。また、前記レーザアブレーション以外に、フォト工程を利用して前記絶縁膜２４０に開口部２４５を形成してもよい。
【００７１】
図７Ｄを参照すれば、前記絶縁膜２４０のうち半導体層２３０に対応する部分にゲート２５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層２７０と上部電極２８０とを形成すれば、図６に示したような他の実施形態による有機電界発光表示装置２００が製造される。
【００７２】
図８Ａないし図８Ｄは、本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【００７３】
図８Ａを参照すれば、基板２１０上にソース電極２２１とドレイン電極２２５とを形成し、前記ソース及びドレイン電極２２１,２２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極２２５に連結される下部電極２６０を形成する。次いで、前記ソース電極２２１及びドレイン電極２２５とコンタクトされるように半導体層２３０を形成する。図８Ｂを参照すれば、前記下部電極２６０の表面２６０ａを部分的に表面処理する。このとき、表面処理工程は、フッ素系プラズマ２５を使用して開口部が形成される部分の表面２６０ａを疎水性にする。このとき、フッ素系プラズマ２５を利用した表面処理工程は、ＣＦ４またはＣ３Ｆ８のようなフッ素系ガスを利用する。
【００７４】
図８Ｃを参照すれば、基板上にゲート絶縁膜のための絶縁物質を含む溶液をインクジェットヘッド（図示せず）から吐出させてゲート絶縁膜２４０を形成する。このとき、前記下部電極２６０のうち表面処理された部分２６０ａには、ゲート絶縁膜２４０が形成されず、前記下部電極２６０を露出させる開口部２４５が形成される。前記ゲート絶縁膜２４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような開口部２４５を備える。したがって、前記ゲート絶縁膜１４０は、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００７５】
他の例として、基板の表面とインクとの接着力が良好でない場合には、すなわち、基板の表面が疎水性である場合には、下部電極２６０の一部分を露出させる開口部２４５に対応する部分を除外した基板の表面を表面処理して開口部２４５を備えるゲート絶縁膜２４０を形成することも可能である。すなわち、開口部２４５に対応する下部電極２６０の表面２６０ａを除外した基板全面に対するＡｒ及びＯ２プラズマを利用した表面処理工程を行って、基板の表面を親水性に改質して接着力を向上させる。次いで、ゲート絶縁物質を含むインクを基板の表面に吐出させれば、表面処理された部分にのみゲート絶縁膜２４０がコーティングされる。したがって、プラズマ表面処理されていない下部電極２６０の表面２６０ａに開口部２４５を備えたゲート絶縁膜２４０が形成される。
【００７６】
図８Ｄを参照すれば、前記絶縁膜２４０のうち半導体層２３０に対応する部分にゲート２５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層２７０と上部電極２８０とを形成すれば、図６に示したような他の実施形態による有機電界発光表示装置２００が製造される。
【００７７】
図９Ａないし図９Ｄは、本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造方法を説明するための断面図である。
【００７８】
図９Ａを参照すれば、基板２１０上にソース電極２２１とドレイン電極２２５とを形成し、前記ソース／ドレイン電極２２１,２２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極２２５に連結される下部電極２６０と、前記ソース電極２２１及びドレイン電極２２５とコンタクトされるように半導体層２３０を形成する。図９Ｂを参照すれば、ゲート絶縁膜を形成するためのドナーフィルム２０を準備する。ドナーフィルム２０は、一実施形態によるドナーフィルム１０と同じ構造を有し、ベースフィルム２１、光−熱変換層２２及び転写層２３を備える。前記転写層２３は、前記ゲート絶縁膜のための膜を備える。
【００７９】
図９Ｃを参照すれば、前記ドナーフィルム２０を基板２１０に接着させた後、開口部２４５が形成される部分を除外したドナーフィルム２０にレーザを照射すれば、前記転写層２３が基板上に転写される。これにより、前記下部電極２６０の一部分を露出させる開口部２４５を備えるゲート絶縁膜２４０が形成される。ゲート絶縁膜２４０の開口部２４５は、図２Ａないし図２Ｃに示したような形態を有する。図９Ｄを参照すれば、前記絶縁膜２４０のうち半導体層２３０に対応する部分にゲート２５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層２７０と上部電極２８０とを形成すれば、図６に示したような他の実施形態による有機電界発光表示装置２００が製造される。
【００８０】
図１０は、本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置３００は、基板上にマトリックス状に配列される複数の画素を備え、各画素は、ＴＦＴ、例えばスイッチングＴＦＴと駆動ＴＦＴ、キャパシタ及び有機発光素子を備える。図１０は、有機発光素子と有機発光素子とを駆動するための駆動ＴＦＴに限定して示す図面である。
【００８１】
図１０を参照すれば、基板３１０上にソース及びドレイン電極３２１，３２５が形成され、下部電極３６０が前記ソース及びドレイン電極３２１，３２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極３２５に連結されるように基板上に形成される。前記ソース及びドレイン電極３２１，３２５とコンタクトされるように半導体層３３０が形成される。一実施形態と同様に、前記基板３１０は、ガラス基板、プラスチック基板または金属基板を備え、前記半導体層３３０は、有機半導体膜またはシリコン膜を備える。
【００８２】
基板上に絶縁膜３４０が形成され、前記絶縁膜３４０上にゲート３５０が形成される。前記絶縁膜３４０は、前記下部電極３６０に対応する部分に、図２Ａないし図２Ｃに示したように、メッシュまたはライン形態の開口部３４５を備える。したがって、前記絶縁膜３４０は、下部電極３６０の発光領域を限定する画素分離膜の役割を行い、またゲート絶縁膜として作用する。前記開口部３４５の下部電極３６０上に有機膜層３７０が形成され、基板上に上部電極３８０が形成される。前記有機膜層３７０は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び正孔抑制層から選択される一つ以上の有機膜を備える。さらに他の実施形態では、前記有機膜層３７０が絶縁膜３４０の開口部３４５内に形成されることを例示したが、これに必ずしも限定されず、各画素の発光層（図示せず）は、開口部３４５内に形成されて隣接する画素の発光層とは分離されるように形成され、共通層の電荷輸送層は、基板全面に形成されてもよい。
【００８３】
絶縁膜３４０は、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなる。絶縁膜３４０のための無機絶縁膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＢＳＴ、ＰＺＴからなるグループから選択される。絶縁膜３４０のための有機絶縁膜は、ＰＳ、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、パリレンを含むグループから選択される一つ以上の有機絶縁膜を備える。
【００８４】
また、前記絶縁膜３４０は、レーザアブレーションが可能な物質を使用できる。前記絶縁膜３４０は、レーザエネルギーの吸収が可能な物質として、ＳｉＯ２、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３または芳香族物質、すなわち、ベンゼンを有する機能基を含む物質、例えば、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレンを含む。レーザエネルギーの吸収のない物質、例えば、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、またはフッ素系高分子物質の場合には、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体からなる絶縁体を使用してもよい。
【００８５】
しかも、前記絶縁膜３４０は、インクジェットプリンティングが可能な物質を使用できる。前記絶縁膜３４０は、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００８６】
また、前記ゲート絶縁膜３４０は、レーザ転写が可能な物質として、汎用ポリマー、例えば、ポリイミド、ＰＶＰ、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、パリレン、ポリスチレンなどを含む。望ましくは、前記ゲート絶縁膜３４０は、レーザ転写が容易になるように位相分離を誘発させねばならないので、２種類以上の異なる汎用ポリマーを混合して使用するか、または前記汎用ポリマーに低分子物質を混合して使用してもよい。望ましくは、前記汎用ポリマーにジルコニア、アルミナのような低分子物質を１：１ないし１：３の割合で混合する。一方、レーザ転写が円滑になるためには、ゲート絶縁膜３４０の下部に存在する膜、すなわち、半導体層３３０とソース／ドレイン電極３２１,３２５との厚さの和が５０００Å未満でなければならない。前記半導体層３３０と前記ソース／ドレイン電極３２１,３２５との厚さの和は、２０００ないし３０００Åであることが望ましい。
【００８７】
前記ソース電極３２１とドレイン電極３２５とは、異なる物質からなり、前記ソース電極３２１は、半導体層３３０との低いコンタクト抵抗を得るためには、有機半導体層３３０より大きい仕事関数を有する電極物質を含み、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、酸化ＭｏＷ及びＰＥＤＯＴから選択される導電性物質を含む。前記ドレイン電極３２５は、下部電極３６０の反射膜３６１としても作用するので、反射率に優れた物質、例えば、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物を含む。
【００８８】
前記下部電極３６０は、各画素の画素電極として作用し、反射膜３６１と透明電極３６５とを備える。下部電極３６０のうち反射膜３６１は、ドレイン電極３２５から延設され、前記のように、反射率に優れた物質としてＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物などを含む。前記透明電極３６５は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３のような透明導電膜を備える。
【００８９】
上部電極３８０は、有機電界発光表示装置が前面発光構造を有するので、透過電極を備える。前記上部電極３８０は、金属膜と透明導電膜との積層構造を有する。前記金属膜は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇまたはこれらの化合物を含み、透明導電膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などを含む。
【００９０】
図１１Ａないし図１１Ｄは、本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザアブレーション法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【００９１】
図１１Ａを参照すれば、基板３１０上にソース電極３２１とドレイン電極３２５とを形成する。前記ソース及びドレイン電極３２１，３２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極３２５とオーバーラップされるように透過電極３６５を形成して下部電極３６０を形成する。前記下部電極３６０は、前記ドレイン電極３２５から延びる反射膜３６１と前記透過電極３６５との積層構造を有する。次いで、前記ソース電極３２１及びドレイン電極３２５とコンタクトされるように半導体層３３０を形成する。前記ソース電極３２１を形成した後にドレイン電極３２５を形成するか、または前記ドレイン電極３２５を形成した後にソース電極３２１を形成してもよい。また、前記透過電極３６５を形成した後に前記半導体層３３０を形成することを例示したが、これに限定されず、前記透過電極３６５の形成は、前記有機電界発光表示装置の素子特性に及ぼす影響を最小化する範囲内で前記半導体層３３０を形成した後に形成してもよい。
【００９２】
図１１Ｂを参照すれば、基板上にゲート絶縁膜３４０を形成する。ゲート絶縁膜３４０は、レーザ吸収が可能な物質として、有機絶縁膜、無機絶縁膜または有機−無機ハイブリッド膜を含み、単一膜または多層膜からなる。ゲート絶縁膜３４０は、ＳｉＯ２、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン及びＰＩ／Ａｌ２Ｏ３を使用する。また、レーザ吸収のないＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、またはフッ素系高分子物質の場合には、レーザのビーム波長の吸収帯のある発色団が０.００５ｗｔ％以上混合されるか、または共重合体からなる絶縁体として使用することによってレーザ吸収を可能にする。
【００９３】
図１１Ｃを参照すれば、レーザアブレーション法を利用して、前記ゲート絶縁膜３４０のうち前記下部電極３６０に対応する部分にレーザ６を照射する。レーザ６が照射されたゲート絶縁膜３４０がエッチングされて開口部３４５が形成される。これにより、前記下部電極３６０の一部分を露出させる開口部３４５を備えるゲート絶縁膜３４０が形成される。前記ゲート絶縁膜３４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような形態の開口部３４５を備える。
【００９４】
前記レーザ６は、エキシマーレーザを使用する。前記エキシマーレーザは、２４８ｎｍ及び３０８ｎｍ波長の光を発生するので、前記ゲート絶縁膜３４０が２４８ｎｍまたは３０８ｎｍ波長の光を吸収すれば、レーザアブレーションが可能になる。このとき、前記ゲート絶縁膜３４０は、レーザのビーム波長の最小０.００５％以上を吸収することが望ましい。他の実施形態で、前記レーザ６としてエキシマーレーザを例示したが、これに必ずしも限定されず、前記絶縁膜３４０に照射されて開口部３４５を形成できるレーザは何れも使用可能である。また、前記レーザアブレーション法以外、フォト工程を利用して前記絶縁膜３４０に開口部３４５を形成してもよい。
【００９５】
図１１Ｄを参照すれば、前記絶縁膜３４０のうち半導体層３３０に対応する部分にゲート３５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層３７０と上部電極３８０とを形成すれば、図１０に示したような他の実施形態による有機電界発光表示装置３００が製造される。
【００９６】
図１２Ａないし図１２Ｄは、本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をインクジェット方式を利用して製造方法を説明するための断面図である。
【００９７】
図１２Ａを参照すれば、基板３１０上にソース電極３２１とドレイン電極３２５とを形成し、前記ソース及びドレイン電極３２１，３２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極３２５とオーバーラップされるように透過電極３６５を形成する。次いで、前記ソース電極３２１及びドレイン電極３２５とコンタクトされるように半導体層３３０を形成する。図１２Ｂを参照すれば、前記下部電極３６０の一部分の表面３６０ａを表面処理する。このとき、表面処理工程は、フッ素系プラズマ３５を使用して前記表面３６０ａを疎水性にして後続のインクジェット工程時にインクとの接着力を減少させる。このとき、フッ素系プラズマを利用した表面処理工程は、ＣＦ４またはＣ３Ｆ８のようなフッ素系ガスを利用する。
【００９８】
図１２Ｃを参照すれば、基板上にゲート絶縁膜のための絶縁物質を含む溶液をインクジェットヘッド（図示せず）から吐出させてゲート絶縁膜３４０を形成する。このとき、前記下部電極３６０のうち表面処理表面３６０ａには、ゲート絶縁膜３４０が形成されず、前記下部電極３６０を露出させる開口部３４５が形成される。前記ゲート絶縁膜３４０は、図２Ａないし図２Ｃに示したような開口部３４５を備える。前記ゲート絶縁膜３４０は、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択される膜を備える。
【００９９】
他の例として、基板の表面とインクとの接着力が良好でない場合には、すなわち、基板の表面が疎水性である場合には、画素電極３６０を露出させる開口部３４５に対応する部分を除外した基板の表面を表面処理して開口部３４５を備えるゲート絶縁膜３４０を形成することも可能である。すなわち、開口部３４５に対応する画素電極３６０の表面を除外した基板全面に対するＡｒ及びＯ２プラズマを利用した表面処理工程を行って、基板の表面を親水性に改質して接着力を向上させる。次いで、ゲート絶縁物質を含むインクを基板の表面に吐出すれば、表面処理された部分にのみゲート絶縁膜３４０がコーティングされる。したがって、プラズマ表面処理されていない画素電極３６０の表面には、ゲート絶縁膜３４０が形成されない。
【０１００】
図１２Ｄを参照すれば、前記絶縁膜３４０のうち半導体層３３０に対応する部分にゲート３５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層３７０と上部電極３８０とを形成すれば、図１０に示したようなさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置３００が製造される。
【０１０１】
図１３Ａないし図１３Ｃは、本発明のさらに他の実施形態による有機電界発光表示装置をレーザ転写法を利用して製造する方法を説明するための断面図である。
【０１０２】
図１３Ａを参照すれば、基板３１０上にソース電極３２１とドレイン電極３２５とを形成し、前記ソース／ドレイン電極３２１，３２５のうち一つの電極、例えば、ドレイン電極３２５とオーバーラップされるように透明電極層３６５を形成し、前記ソース電極３２１及びドレイン電極３２５とコンタクトされるように半導体層３３０を形成する。図１３Ｂを参照すれば、ゲート絶縁膜を形成するためのドナーフィルム３０を準備する。ドナーフィルム３０は、一実施形態によるドナーフィルム１０と同じ構造を有し、ベースフィルム３１、光−熱変換層３２及び転写層３３を備える。前記転写層３３は、前記ゲート絶縁膜のための膜を備える。
【０１０３】
図１３Ｃを参照すれば、前記ドナーフィルム３０を基板３１０に接着させた後、開口部３４５が形成される部分を除外したドナーフィルム３０にレーザを照射すれば、前記転写層３３が基板上に転写される。これにより、前記下部電極３６０の一部分を露出させる開口部３４５を備えるゲート絶縁膜３４０が形成される。ゲート絶縁膜３４０の開口部３４５は、図２Ａないし図２Ｃに示したような形態を有する。図１３Ｄを参照すれば、前記絶縁膜３４０のうち半導体層３３０に対応する部分にゲート３５０を形成する。次いで、基板上に有機膜層３７０と上部電極３８０とを形成すれば、図１０に示したような他の実施形態による有機電界発光表示装置３００が製造される。
【０１０４】
本発明の実施形態では、ゲート絶縁膜が画素分離膜として作用するので、ゲート電極上に直ぐ上部電極がコンタクトされる構造を例示したが、図面上には示していないが、ゲート電極と上部電極との間に絶縁膜を形成する方法を利用して、これらを電気的に分離させる。
【０１０５】
本発明の実施形態では、ＯＴＦＴを備える有機電界発光表示装置において、ゲート絶縁膜を画素電極を限定する画素分離膜として使用する構造を例示したが、これに必ずしも限定されず、ＴＦＴをスイッチング素子として使用する液晶表示装置のような平板表示装置にも適用できる。
【０１０６】
本発明の実施形態では、トップゲート方式のＴＦＴを備える有機電界発光表示装置について説明したが、これに必ずしも限定されず、ゲート絶縁膜を画素定義膜として共有する構造には何れも適用可能である。
【０１０７】
また、本発明は、画素領域に配列される一つの画素構造として駆動ＴＦＴ及び有機発光素子のみを例示したが、これに必ずしも限定されず、多様な形態の画素構造を有する有機電界発光表示装置に適用できる。
【０１０８】
以上、本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、当業者は、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させうるということが分かるであろう。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明は、ＯＴＦＴをスイッチング素子として利用する液晶表示素子のような平板表示装置に適用可能である。
【符号の説明】
【０１１０】
１００ 有機電界発光表示装置
１１０ 基板
１２１ ソース電極
１２５ ドレイン電極
１３０ 半導体層
１４０ 絶縁膜
１４５ 開口部
１５０ ゲート
１６０ 下部電極
１７０ 有機膜層
１８０ 上部電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層と、
基板上に形成されたゲートと、
前記ソース及びドレイン電極とゲートとの間に形成され、開口部を備える絶縁膜と、
前記絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と、を備え、
前記半導体層は、有機半導体物質を含み、
前記ソース／ドレイン電極は、異なる物質からなり、
前記画素電極は、ソース及びドレイン電極のうち一つの電極から延設される反射膜と、前記反射膜とオーバーラップされるように形成された透明電極層とを備えることを特徴とする平板表示装置。
【請求項２】
前記ソース電極／ドレイン電極のうち一つの電極と前記画素電極の前記反射膜とは、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物から選択され、前記画素電極の前記透明電極層は、前記ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から選択されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項３】
前記ソース電極／ドレイン電極のうち他の一つの電極は、前記半導体層より大きい仕事関数を有する電極物質として、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、酸化ＭｏＷ及びＰＥＤＯＴから選択される導電性物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、有機絶縁膜または無機絶縁膜を備えるか、または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＢＳＴ、ＰＺＴ、ＰＳ、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びパリレンを含むグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項６】
前記絶縁膜は、レーザ吸収が可能な物質として、ＳｉＯ２、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン及びＰＩ／Ａｌ２Ｏ３を含むグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項７】
前記絶縁膜は、レーザのビーム波長の吸収帯を有する発色団が混合されるか、または共重合体からなるＰＶＣ、ＰＶＡ、ＰＭＭＡ及びフッ素系高分子物質を含むグループから選択される少なくとも何れか一つ以上の膜を備えることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項８】
前記絶縁膜に備えられている発色団の量は、０.００５ｗｔ％であることを特徴とする請求項７に記載の平板表示装置。
【請求項９】
前記絶縁膜は、インクジェット方式で形成可能な物質として、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項１０】
前記ゲート絶縁膜は、レーザ転写が可能な物質として、異なる種類のポリマーを２つ以上混合した物質を使用するか、またはポリマーに低分子物質を混合した物質を使用することを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項１１】
前記ポリマーは、ポリイミド、ＰＶＰ、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、パリレン及びポリスチレンから選択され、前記低分子物質は、ジルコニア及びアルミナから選択されることを特徴とする請求項１０に記載の平板表示素子。
【請求項１２】
前記ポリマーと低分子物質とは、１：１ないし１：３の割合で混合することを特徴とする請求項１０に記載の平板表示装置。
【請求項１３】
前記半導体層及びソース／ドレイン電極の厚さの和は、５０００Å未満であることを特徴とする請求項１０に記載の平板表示装置。
【請求項１４】
前記半導体層及びソース／ドレイン電極の厚さの和は、２０００ないし３０００Åであることを特徴とする請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項１５】
基板上で交差して配列される複数のゲートライン及びデータラインと、
前記複数のゲートライン及びデータラインによって限定される複数の画素領域と、をさらに備え、
各画素領域には、前記ソース／ドレイン電極、前記半導体層及び前記ゲートを備える薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極またはドレイン電極のうち一つに連結される前記画素電極とを備え、
前記絶縁膜の開口部は、各画素領域に配列された画素電極の一部分を露出させるようにメッシュ状に配列されるか、または複数の画素領域のうちゲートラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるライン形態またはデータラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるライン形態に配列されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項１６】
基板上にソース及びドレイン電極、画素電極、前記ソース及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層を形成する工程と、
前記画素電極の一部分を露出させる開口部を備える絶縁膜を基板上に形成する工程と、
前記半導体層に対応する絶縁膜上にゲートを形成する工程と、を含み、
前記ソース／ドレイン電極は、異なる物質からなり、
前記画素電極は、前記ソース及びドレイン電極のうち一つの電極から延設される反射膜と、前記反射膜とオーバーラップされるように形成された透明電極層とを備えることを特徴とする平板表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁膜は、レーザ吸収が可能な絶縁物質を基板全面に蒸着した後、レーザアブレーション工程を通じて前記開口部に対応する部分をエッチングして形成することを特徴とする請求項１６に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記絶縁膜は、インクジェット方式で形成された絶縁物質を前記開口部に対応する部分を除外した基板上に塗布して形成することを特徴とする請求項１６に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁膜を形成する工程前に、基板の表面をプラズマ処理する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記プラズマ処理工程は、前記開口部に対応する基板の表面をＡｒ及びＯ２プラズマを利用してプラズマ処理するか、または前記開口部を除外した基板の表面をＣＦ４またはＣ３Ｆ８を利用したフッ素系プラズマを用いてプラズマ処理することを特徴とする請求項１９に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記絶縁膜は、レーザ転写法を利用して形成することを特徴とする請求項１６に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層と、
基板上に形成されたゲートと、
前記ソース及びドレイン電極とゲートとの間に形成され、開口部を備える絶縁膜と、
前記絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と、を備え、
前記半導体層は、有機半導体物質を含み、
前記ソース／ドレイン電極は、異なる物質からなり、
前記画素電極は、ソース及びドレイン電極のうち一つの電極から延設される反射膜と、前記反射膜とオーバーラップされるように形成された透明電極層とを備えることを特徴とする平板表示装置。
【請求項２】
前記ソース電極／ドレイン電極のうち一つの電極と前記画素電極の前記反射膜とは、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物から選択され、前記画素電極の前記透明電極層は、前記ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から選択されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項３】
前記ソース電極／ドレイン電極のうち他の一つの電極は、前記半導体層より大きい仕事関数を有する電極物質として、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、酸化ＭｏＷ及びＰＥＤＯＴから選択される導電性物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、有機絶縁膜または無機絶縁膜を備えるか、または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＢＳＴ、ＰＺＴ、ＰＳ、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びパリレンを含むグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項６】
前記絶縁膜は、レーザ吸収が可能な物質として、ＳｉＯ２、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン及びＰＩ／Ａｌ２Ｏ３を含むグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項７】
前記絶縁膜は、レーザのビーム波長の吸収帯を有する発色団が混合されるか、または共重合体からなるＰＶＣ、ＰＶＡ、ＰＭＭＡ及びフッ素系高分子物質を含むグループから選択される少なくとも何れか一つ以上の膜を備えることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項８】
前記絶縁膜に備えられている発色団の量は、０.００５ｗｔ％であることを特徴とする請求項７に記載の平板表示装置。
【請求項９】
前記絶縁膜は、インクジェット方式で形成可能な物質として、ＰＩ／Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド、ＰＶＰ、パリレン、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡを含むグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項１０】
前記ゲート絶縁膜は、レーザ転写が可能な物質として、異なる種類のポリマーを２つ以上混合した物質を使用するか、またはポリマーに低分子物質を混合した物質を使用することを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項１１】
前記ポリマーは、ポリイミド、ＰＶＰ、ＰＶＡ、ＰＶＣ、ＰＭＭＡ、パリレン及びポリスチレンから選択され、前記低分子物質は、ジルコニア及びアルミナから選択されることを特徴とする請求項１０に記載の平板表示素子。
【請求項１２】
前記ポリマーと低分子物質とは、１：１ないし１：３の割合で混合することを特徴とする請求項１０に記載の平板表示装置。
【請求項１３】
前記半導体層及びソース／ドレイン電極の厚さの和は、５０００Å未満であることを特徴とする請求項１０に記載の平板表示装置。
【請求項１４】
前記半導体層及びソース／ドレイン電極の厚さの和は、２０００ないし３０００Åであることを特徴とする請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項１５】
基板上で交差して配列される複数のゲートライン及びデータラインと、
前記複数のゲートライン及びデータラインによって限定される複数の画素領域と、をさらに備え、
各画素領域には、前記ソース／ドレイン電極、前記半導体層及び前記ゲートを備える薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極またはドレイン電極のうち一つに連結される前記画素電極とを備え、
前記絶縁膜の開口部は、各画素領域に配列された画素電極の一部分を露出させるようにメッシュ状に配列されるか、または複数の画素領域のうちゲートラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるライン形態またはデータラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるライン形態に配列されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項１６】
基板上にソース及びドレイン電極、画素電極、前記ソース及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層を形成する工程と、
前記画素電極の一部分を露出させる開口部を備える絶縁膜を基板上に形成する工程と、
前記半導体層に対応する絶縁膜上にゲートを形成する工程と、を含み、
前記ソース／ドレイン電極は、異なる物質からなり、
前記画素電極は、前記ソース及びドレイン電極のうち一つの電極から延設される反射膜と、前記反射膜とオーバーラップされるように形成された透明電極層とを備えることを特徴とする平板表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁膜は、レーザ吸収が可能な絶縁物質を基板全面に蒸着した後、レーザアブレーション工程を通じて前記開口部に対応する部分をエッチングして形成することを特徴とする請求項１６に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記絶縁膜は、インクジェット方式で形成された絶縁物質を前記開口部に対応する部分を除外した基板上に塗布して形成することを特徴とする請求項１６に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁膜を形成する工程前に、基板の表面をプラズマ処理する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記プラズマ処理工程は、前記開口部に対応する基板の表面をＡｒ及びＯ２プラズマを利用してプラズマ処理するか、または前記開口部を除外した基板の表面をＣＦ４またはＣ３Ｆ８を利用したフッ素系プラズマを用いてプラズマ処理することを特徴とする請求項１９に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記絶縁膜は、レーザ転写法を利用して形成することを特徴とする請求項１６に記載の平板表示装置の製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図９Ｄ】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１１Ｄ】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１２Ｄ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１３Ｃ】
【図１３Ｄ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図９Ｄ】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１１Ｄ】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１２Ｄ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１３Ｃ】
【図１３Ｄ】
【公開番号】特開２０１０−１４７０２７（Ｐ２０１０−１４７０２７Ａ）
【公開日】平成２２年７月１日（２０１０．７．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１９（Ｐ２０１０−２１９）
【出願日】平成２２年１月４日（２０１０．１．４）
【分割の表示】特願２００６−１６７９０１（Ｐ２００６−１６７９０１）の分割
【原出願日】平成１８年６月１６日（２００６．６．１６）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月１日（２０１０．７．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月４日（２０１０．１．４）
【分割の表示】特願２００６−１６７９０１（Ｐ２００６−１６７９０１）の分割
【原出願日】平成１８年６月１６日（２００６．６．１６）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【Ｆターム（参考）】
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