電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の製造装置
【課題】電気光学装置を破壊することなく所望の厚みに形成することができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬパネルの厚みを断層撮影により求める工程（ステップＳ１４）と、有機ＥＬパネルを構成する一対の基板の少なくとも一方の基板にエッチング処理を施して有機ＥＬパネルの厚みを薄くする工程（ステップＳ１５）と、有機ＥＬパネルを洗浄及び乾燥させる工程（ステップＳ１６）と、エッチング処理後の有機ＥＬパネルの厚みを断層撮影により求める工程（ステップＳ１７）と、を有する。
【解決手段】有機ＥＬパネルの厚みを断層撮影により求める工程（ステップＳ１４）と、有機ＥＬパネルを構成する一対の基板の少なくとも一方の基板にエッチング処理を施して有機ＥＬパネルの厚みを薄くする工程（ステップＳ１５）と、有機ＥＬパネルを洗浄及び乾燥させる工程（ステップＳ１６）と、エッチング処理後の有機ＥＬパネルの厚みを断層撮影により求める工程（ステップＳ１７）と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置に薄型加工処理を施す電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に発光材料からなる発光層が挟持された構造を有している。有機ＥＬ装置の製造方法としては、例えば、特許文献１や特許文献２に記載のように、有機ＥＬ装置を構成する基板の外面（露出している面）にエッチング処理を行い、有機ＥＬ装置を薄型化している。
【０００３】
エッチング処理を行った後、所望のエッチング量（厚み）に到達したか否かを、有機ＥＬ装置の厚みを測定することで行っている。厚みを測定する方法としては、接触式のマイクロメーターを用いている。有機ＥＬ装置が所望の厚みに到達しない場合は、再度エッチング処理から厚み測定までを繰り返し行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３７４１７０８号公報
【特許文献２】特許第３８２４６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、接触式のマイクロメーターでの測定は、有機ＥＬ装置を挟むことで厚み値が得られる。つまり、有機ＥＬ装置とマイクロメーターとが接触するため、有機ＥＬ装置を破壊する恐れがあるという課題がある。また、マイクロメーターで測定した場合、有機ＥＬ装置を挟んで測定するため、有機ＥＬ装置が変形したり、測定者による測定ばらつきがあったりする。加えて、有機ＥＬ装置における局所的なオーバーエッチングを見逃す恐れがあるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学パネルを構成する一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施して前記電気光学パネルの厚みを薄くする薄型加工処理工程と、前記薄型加工処理後の前記電気光学パネルの厚みを断層撮影により求める処理後測定工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、処理中において断層撮影により電気光学パネルの厚みを求めるので、電気光学パネルの厚みを接触式の計測器で挟んで測定する方法と比較して、電気光学パネルが破壊されることを防ぐことができる。更に、電気光学パネルを接触式の計測器で挟んで測定した際の、電気光学パネルが変形したり、測定者による測定ばらつきが生じたりすることを防ぐことができる。また、電気光学パネルに対して複数箇所の断層撮影を行って厚みを求めた場合、基板のエッチング面に対するエッチングの傾向（厚みの偏りなど）や局所的なオーバーエッチングを確認することが可能となる。これにより、エッチング処理条件を適正な処理条件に移行していくことができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記薄型加工処理工程の前に、前記電気光学パネルの厚みを前記断層撮影により求める処理前測定工程を有することが好ましい。
【００１０】
この方法によれば、薄型加工処理を行う前に電気光学パネルの厚みを求めておくので、薄型加工処理をどの程度行えばいいか判断することが可能となる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学パネルの厚みが所望の厚みになるまで、前記薄型加工処理工程から前記処理後測定工程までを繰り返し行うことが好ましい。
【００１２】
この方法によれば、所望の厚みになるまで、電気光学パネルに薄型加工処理を施し電気光学パネルの厚み測定を繰り返すので、品質的にばらつきの少ない電気光学装置を提供することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記薄型加工処理は、エッチング処理であることが好ましい。
【００１４】
この方法によれば、エッチング処理を用いて電気光学パネルを薄くするので、機械式の研磨処理方法等と比較して、電気光学パネルに応力がかかることを抑えることができる。よって、電気光学パネルが変形することを抑えることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記エッチング処理は、エッチング液を前記少なくとも一方の基板に吹き付けるようにしてもよい。
【００１６】
この方法によれば、少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けてエッチング処理を行うので、電気光学パネルを薄くすることができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る電気光学装置の製造装置は、一対の基板を有する電気光学パネルを搬送する搬送機構と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施す薄型加工処理部と、前記薄型加工処理が施された前記電気光学パネルの厚みを断層撮影により求める処理後測定部と、を有することを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、処理後測定部により断層撮影を行って電気光学パネルの厚みを求めるので、電気光学パネルの厚みを接触式の計測器で挟んで測定する方法と比較して、電気光学パネルが破壊されることを防ぐことができる。更に、電気光学パネルを接触式の計測器で挟んで測定した際の、電気光学パネルが変形したり、測定者による測定誤差が生じたりすることを防ぐことができる。また、電気光学パネルに対して複数箇所の断層撮影を行って厚みを求めた場合、基板のエッチング面に対するエッチングの傾向や局所的なオーバーエッチングを確認することが可能となる。これにより、エッチング処理条件を適正な処理条件に移行していくことが可能な製造装置を提供することができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記薄型加工処理の前に、前記電気光学パネルの厚みを前記断層撮影により求める処理前測定部を有することが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、処理前測定部によって、薄型加工処理を行う前に電気光学パネルの厚みを求めるので、薄型加工処理をどの程度行えばいいか判断することが可能となる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記処理前測定部及び前記処理後測定部は、Ｘ線ＣＴ装置を用いることが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、Ｘ線ＣＴ装置を用いて電気光学パネルの厚みを測定するので、三次元的に電気光学パネルの形状を表現することが可能となり、厚み寸法のばらつきや偏り等を確認することができる。また、電気光学パネルに対して複数箇所の断層撮影を行うことにより、局所的な凹凸も発見することができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記搬送機構は、前記薄型加工処理された前記電気光学パネルが所望の厚みになるまで、少なくとも前記薄型加工処理部と前記処理後測定部との間において前記電気光学パネルの搬送を繰り返すことが好ましい。
【００２４】
この構成によれば、搬送機構を用いて、複数回の薄型加工処理と電気光学パネルの厚み測定を行うことができるので、電気光学パネルの厚みを所望の厚みにすることができると共に、電気光学パネルの厚みをばらつきの少ない厚みに形成することができる。
【００２５】
［適用例１０］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記薄型加工処理部は、前記電気光学パネルにエッチング処理を施すエッチング処理部であることが好ましい。
【００２６】
この構成によれば、エッチング処理部で電気光学パネルにエッチング処理を施すので、機械式の研磨処理等と比較して、電気光学パネルに応力がかかることを抑えることができる。よって、電気光学パネルが変形することを抑えることができる。
【００２７】
［適用例１１］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記エッチング処理部は、前記少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けるようにしてもよい。
【００２８】
この構成によれば、少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けてエッチング処理を行うので、電気光学パネルを薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】有機ＥＬ装置の構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図４】有機ＥＬ装置に薄型加工処理を施すエッチング装置の構造を示す模式図。
【図５】エッチング装置のうちエッチング室内の構成を模式的に示す斜視図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、以下参照する各図面において構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、トップエミッション構造でもよいし、ボトムエミッション構造でも適用可能である。
【００３１】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とを有している。そして、格子状に配置された走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。また、複数の信号線１３が接続された信号線駆動回路１５と、複数の走査線１２が接続された走査線駆動回路１６とを有している。
【００３２】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）とが設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む陽極２４と、陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００３３】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００３４】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００３５】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３６】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３７】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素３４は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）を発光する構成となっている。
【００３８】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００３９】
図２における基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。また、図示しないが、駆動用ＩＣ３７は、信号線駆動回路１５とも接続されている。
【００４０】
図３は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、図３は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４１】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、素子基板４１と、素子基板４１に接着剤５７を介して貼り合わされたカラーフィルター基板４２とを有している。
【００４２】
素子基板４１は、基板３１上に、反射層４３、絶縁層４４、陽極２４、正孔輸送層４６、有機発光層４７、電子輸送層４８、陰極５１、薄膜封止層５２がこの順に積層されている。また、カラーフィルター基板４２は、基板６１と、遮光層５３及び色要素５４を含むカラーフィルター５５とを有する。
【００４３】
有機ＥＬ装置１１は、有機発光層４７において発光した光を基板６１側から取り出す構成のいわゆるトップエミッション型の発光装置である。観察者は、基板６１側から表示を観察する。上記のうち、サブ画素３４毎に形成された、反射層４３から陰極５１までの構成要素からなる素子が、発光素子２７に相当する。
【００４４】
基板３１は、ガラス基板や石英基板等の上に公知の技術を用いてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２１，２３や各種配線（ＴＦＴ素子を駆動するための信号線、走査線等）、絶縁膜等が形成された、いわゆるＴＦＴ素子基板である。
【００４５】
反射層４３は、アルミニウム又は銀等から構成することができる。陽極２４は、反射層４３上に、反射層４３との短絡を防止するためのＳｉＮ等からなる絶縁層４４を挟んで配置された、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極である。
【００４６】
陽極２４は、各サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）に一つずつ配置されており、それぞれの陽極２４は、基板３１に含まれるＴＦＴ素子２１，２３を介して、信号線（図示せず）に接続されている。陰極５１は、マグネシウムと銀の合金を薄く形成してハーフミラー状としたものであり、光反射性及び光透過性を兼ね備えている。
【００４７】
陽極２４と陰極５１との間には、正孔輸送層４６、有機発光層４７、電子輸送層４８がこの順に積層されている。有機発光層４７は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。陽極２４と陰極５１との間に電圧を印加することによって、有機発光層４７には、正孔輸送層４６から正孔が、また、電子輸送層４８から電子が注入され、有機発光層４７においてこれらが再結合したときに発光が行われる。
【００４８】
有機発光層４７からの光は、一部は直接陰極５１を透過し、一部は反射層４３によって反射されてから陰極５１を透過する。いずれにせよ、有機発光層４７からの光は、陰極５１を透過し、その後薄膜封止層５２、接着剤５７、色要素５４、基板６１を順に透過する。
【００４９】
ここで、反射層４３及び陰極５１は、いわゆる光共振器を構成している。このため、有機発光層４７において発せられた光は、反射層４３と陰極５１との間を往復し、共振波長の光だけが基板６１側から取り出される。よって、ピーク強度が高く幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができ、有機ＥＬ装置１１による発光の色再現性を向上させることができる。
【００５０】
上記共振波長は、光共振器の長さを変えることによって調整可能である。有機ＥＬ装置１１においては、陽極２４の厚さを変えることによって光共振器の長さを調整している。より詳細には、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおいてこの順に陽極２４を薄くしていく構成により、光共振器の長さ、及び共振波長がこの順に長くなるようになっている。具体的には、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおける陽極２４の厚さはそれぞれ９０ｎｍ，５０ｎｍ，２０ｎｍとなっている。これにより、共振波長は、サブ画素３４Ｒにおいては赤色、サブ画素３４Ｇにおいては緑色、サブ画素３４Ｂにおいては青色に相当する波長に設定される。この結果、陰極５１からは、共振波長に応じて赤、緑、または青の光が選択的に射出される。
【００５１】
陰極５１を覆って形成された薄膜封止層５２は、ＳｉＯＮ等からなる透光性を有する部材であり、発光素子２７を保護するとともに、光共振器の形成のためにできた陰極５１の段差を埋めて平滑にする役割を果たす。
【００５２】
また、基板６１としては、透光性を有するガラス基板等が挙げられる。なお、基板３１及び基板６１の外面（それぞれ露出している側の面）は、薄型加工処理としてのエッチング処理等が施されている。
【００５３】
基板６１上に形成された色要素５４は、上記したように、入射した光のうちの特定の波長成分を吸収することによって、特定色の透過光を得るための部材である。色要素５４を配置することによって、有機ＥＬ装置１１から取り出される光の色純度が向上するとともに、視野角による色の変化を抑えることができ、かつ外光の反射をある程度抑えることができる。色要素５４は、エポキシ樹脂からなる接着剤５７を介して薄膜封止層５２と対向している。
【００５４】
色要素５４を区画する遮光層５３は、上述したようにカラーフィルター５５の一部を構成する。遮光層５３は、光をほとんど透過させない樹脂であり、各サブ画素３４間の表示の混色を防止する役割を果たす。遮光層５３は、色要素５４と同様に、フォトリソグラフィー法等によって形成される。
【００５５】
カラーフィルター５５は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のそれぞれに対応する色要素５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂと、遮光層５３（ブラックマトリックス）とを有する。なお、カラーフィルター５５は、遮光層５３を含めない構成としてもよい。なお、この後の説明において、有機ＥＬ装置１１にフレキシブル基板３６が備えられていないものを電気光学パネルとしての有機ＥＬパネル１１ａとして説明する。
【００５６】
＜有機ＥＬ装置の製造装置＞
図４は、有機ＥＬパネルに薄型加工処理（エッチング処理）を施す有機ＥＬ装置の製造装置としてのエッチング装置の構造を示す模式図である。図５は、エッチング装置のうちエッチング室内の構成を模式的に示す斜視図である。以下、エッチング装置の構造を、図４及び図５を参照しながら説明する。
【００５７】
エッチング装置７１は、処理前測定部としての第１測定室７２と、薄型加工処理部（エッチング処理部）としてのエッチング室７３と、洗浄室７４と、乾燥室７５と、処理後測定部としての第２測定室７６とが互いに隣接して直線的に配置されている。
【００５８】
第１測定室７２は、有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法測定が行われる。厚み寸法の測定を行う方法としては、例えば、非接触式の測定装置であるＸ線ＣＴ（Computed Tomography）装置等を用いることができる。有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法としては、基板３１の厚みと基板６１の厚みとを別々に求めるようにしてもよいし、基板３１と基板６１とが貼り合わされた一対の厚みとして一緒に求めるようにしてもよい。なお、Ｘ線ＣＴ装置を用いる測定は、Ｘ線によって有機発光層４７にダメージを与えてしまう恐れがあるため、エッチング処理の条件出しのときのみに用いることが望ましい。
【００５９】
Ｘ線ＣＴ装置は、有機ＥＬパネル１１ａを断層撮影することが可能となっている。また、有機ＥＬパネル１１ａの全体に亘って複数の断層撮影を行うことにより、有機ＥＬパネル１１ａを三次元的な形状に表示することができる。よって、有機ＥＬパネル１１ａの全体のエッチング分布（厚み分布）を確認することができる。具体的には、有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１や基板６１のエッチング面が全体均一にエッチングされているか確認することができる。
【００６０】
また、局所的に厚みの異なる部分（例えば、局所的なオーバーエッチング）を確認することもできる。具体的には、有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１及び基板６１を超えて（溶解して）、有機発光層４７やＴＦＴ素子２３等までエッチングしてしまった部分を確認することができる。
【００６１】
なお、第１測定室７２には、外部からエッチング装置７１の中に有機ＥＬパネル１１ａを搬入するための搬入口７２ａが設けられている。また、エッチング装置７１には、有機ＥＬパネル１１ａを、外部からエッチング装置７１の中に搬入したり、エッチング装置７１内を搬送したりするための搬送機構７７が備えられている。また、有機ＥＬパネル１１ａは、例えば、立てられて搬送されている。つまり、有機ＥＬパネル１１ａにおけるエッチング面と、エッチング装置７１内の側面とが向き合うようにして搬送されている。
【００６２】
エッチング室７３は、有機ＥＬパネル１１ａを構成する一対のガラス基板（基板３１、基板６１）の厚みを薄くするためにエッチング処理が行われる。具体的には、上記したように、基板３１及び基板６１の外面（露出している側の面）にエッチング処理を施すことによって有機ＥＬパネル１１ａの厚みを所望の厚みにする。
【００６３】
より詳述すると、図５に示すように、エッチング室７３には、エッチング室７３に搬送された有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１及び基板６１に向けてエッチング処理液８１を吹きつける吐出部８２が設けられている。吐出部８２には、基板の面全体に亘って均一に吐出できるように、例えば、複数のノズル８３が設けられている。ノズル８３には、エッチング処理液８１を噴射する複数の噴射孔８４が設けられている。エッチング処理液８１としては、例えば、フッ酸等が挙げられる。
【００６４】
基板３１及び基板６１の外面は、吐出部８２に対して有機ＥＬパネル１１ａが相対的に移動することによりエッチング処理が行われる。このエッチング処理は、例えば、化学的な作用と物理的な作用とを行うことが可能となっている。化学的な作用としては、ガラス基板の外面の材料をフッ酸により溶出する。物理的な作用としては、フッ酸をガラス基板の外面に対し吹き付ける衝撃を利用している。処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚みとしては、例えば、１００μｍ程度である。
【００６５】
洗浄室７４は、エッチング処理が終了した有機ＥＬパネル１１ａを洗浄するために用いられる。洗浄液は、例えば水である。洗浄する対象物としては、エッチング処理液（フッ酸）等である。
【００６６】
乾燥室７５は、洗浄が終了した有機ＥＬパネル１１ａから洗浄液などを除去して有機ＥＬパネル１１ａを乾燥させるために用いられる。乾燥方法は、例えば、エアーシャワーである。
【００６７】
第２測定室７６は、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法が測定される。有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法を測定する方法としては、例えば、前述したＸ線ＣＴ装置等が挙げられる。なお、第２測定室７６には、エッチング装置７１から外部に有機ＥＬパネル１１ａを搬出するための搬出口７６ａが設けられている。
【００６８】
また、第２測定室７６には、演算部７８が備えられている。演算部７８は、例えば、第２測定室７６によって得られた有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法値と所望の厚み寸法値とを比較し、所望の値でなかった場合、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の厚みになるためのエッチング時間を求めることが可能となっている。そして、搬送機構７７によって有機ＥＬパネル１１ａがエッチング室７３に戻され、再度、エッチング処理が施される。そして、洗浄室７４、乾燥室７５、第２測定室７６での処理を繰り返すことにより、有機ＥＬパネル１１ａを所望の厚みに仕上げる。
【００６９】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図６は、有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図６を参照しながら説明する。なお、各種配線や電極、駆動用ＴＦＴ等を形成する製造工程については、周知の工程と同様なので、ここではそれらの説明を省略又は簡略化し、これ以降の工程について詳しく説明する。
【００７０】
まず、ステップＳ１１では、素子基板４１を形成する。具体的には、基板３１上に、公知の成膜技術を用いて、反射層４３、絶縁層４４、陽極２４、正孔輸送層４６、有機発光層４７、電子輸送層４８、陰極５１、薄膜封止層５２を順に形成する。
【００７１】
ステップＳ１２では、カラーフィルター基板４２を形成する。具体的には、基板６１上に、公知の成膜技術を用いて、遮光層５３及び色要素５４（５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂ）を含むカラーフィルター５５を形成する。
【００７２】
ステップＳ１３では、素子基板４１とカラーフィルター基板４２とを貼り合わせて、有機ＥＬパネル１１ａを完成させる。具体的には、大気を遮断した窒素雰囲気内において、接着剤５７を用いて貼り合わせ、有機ＥＬパネル１１ａを完成させる。以下、有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１及び基板６１にエッチング処理を施して、有機ＥＬパネル１１ａを薄くする方法について説明する。
【００７３】
ステップＳ１４（処理前測定工程）では、有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法測定を行う。具体的には、有機ＥＬパネル１１ａを構成する一対の基板（基板３１、基板６１）の外面（露出面）をエッチングによって薄くするために、エッチング処理前の有機ＥＬパネル１１ａ厚み寸法を測定する。
【００７４】
厚み寸法を測定する方法としては、上記したように、例えば、非接触式のＸ線ＣＴ装置等が挙げられる。このＸ線ＣＴ装置を用いて、有機ＥＬパネル１１ａを断層撮影し、厚みが厚い部分や薄い部分等の全体の傾向をつかむ。一対の基板（基板３１、基板６１）の総厚みは、例えば、１ｍｍである。
【００７５】
ステップＳ１５（薄型加工処理工程）では、有機ＥＬパネル１１ａにエッチング処理を施す。具体的には、エッチング装置７１の吐出部（図示せず）を通過させることにより、一対の基板３１，６１の外面にエッチング液が吹き付けられる。エッチング液としては、例えば、フッ酸などが挙げられる。一対の基板３１，６１にエッチング液を吹き付ける時間は、エッチング量に応じて変わる。所望の有機ＥＬパネル１１ａの厚みは、例えば、１００μｍである。
【００７６】
ステップＳ１６では、有機ＥＬパネル１１ａを洗浄及び乾燥させる。具体的には、エッチング等で汚れた有機ＥＬパネル１１ａを洗浄及び乾燥させる。洗浄液としては、例えば、水が挙げられる。乾燥方法としては、例えば、エアーシャワーが用いられる。
【００７７】
ステップＳ１７（処理後測定工程）では、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法がいくつになったかを求める。具体的には、上記したように、Ｘ線ＣＴ装置を用いて測定する。その結果、例えば、局所的なオーバーエッチングが確認された場合、有機ＥＬパネル１１ａを構成する有機発光層４７やＴＦＴ素子２３にダメージを与えてしまうので、エッチング処理条件を適切な処理条件に変更しなければならない。また、測定した結果、有機ＥＬパネル１１ａのエッチング面内に対するエッチング量に偏りが生じている場合も同様、エッチング処理条件を適切な処理条件に移行していく。
【００７８】
ステップＳ１８では、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の厚みになったか否かを判定する。具体的には、有機ＥＬパネル１１ａの所望の厚みに対して、エッチング処理後にいくつの厚みになったかを比較する。例えば、エッチング処理前に１ｍｍあった有機ＥＬパネル１１ａの厚みが、エッチング処理後に１１０μｍになったとする。有機ＥＬパネル１１ａの厚みのねらい値としては、例えば、１００μｍである。有機ＥＬパネル１１ａの厚みが１００μｍになっていれば、処理を終了する。
【００７９】
ステップＳ１９では、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の値にならなかった場合に、あと、どれ位エッチングすれば所望の値になるかを演算して求める。ここで求めたエッチング時間を基に、再度ステップＳ１５に戻りエッチング処理を行う。そして、所望の有機ＥＬパネル１１ａの厚みになるまでステップＳ１５からステップＳ１８までの処理を繰り返し行う。
【００８０】
なお、Ｘ線ＣＴ装置で測定した結果、複数箇所の厚み寸法データが得られる。この場合、例えば、得られた全体の寸法が所望の厚み寸法の範囲に入ることが望ましい。また、少なくとも、薄い部分の厚み寸法が入るように調整してもよいし、逆に厚い部分の厚み寸法が入るように調整してもよい。
【００８１】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８２】
（１）本実施形態によれば、エッチング処理の過程で複数の断層撮影を行うＸ線ＣＴ装置を用いて有機ＥＬパネル１１ａの厚みを求めるので、有機ＥＬパネル１１ａの厚みを接触式の計測器で挟んで測定する方法と比較して、有機ＥＬパネル１１ａが破壊されることを防ぐことができる。更に、有機ＥＬパネル１１ａを接触式の計測器で挟んで測定した際の、有機ＥＬパネル１１ａが変形したり、測定者による測定ばらつきが生じたりすることを防ぐことができる。
【００８３】
（２）本実施形態によれば、有機ＥＬパネル１１ａに対して複数箇所の断層撮影を行って厚みを求めるので、有機ＥＬパネル１１ａのエッチング面がどのようなエッチング傾向（厚み分布）になっているか確認することができる。また、有機ＥＬパネル１１ａの局所的なオーバーエッチングを確認することができる。その結果、エッチング処理の処理条件を変更する等により、品質不良が発生することを抑えることができる。
【００８４】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００８５】
（変形例１）
上記したように、薄型加工処理はエッチング処理に限定されず、例えば、機械式の研磨加工処理でもよい。
【００８６】
（変形例２）
上記したように、エッチング処理の方法として、有機ＥＬパネル１１ａにエッチング処理液を吹きつける方法に限定されず、エッチング処理液の中に入れて行う方法でもよい。
【００８７】
（変形例３）
上記したように、エッチング処理は、基板３１と基板６１との両方に行うことに限定されず、例えば、どちらか一方の基板３１（基板６１）のみにエッチング処理を施して、有機ＥＬパネル１１ａを薄型化するようにしてもよい。
【００８８】
（変形例４）
上記したように、エッチング装置７１を構成する演算部７８を用いて所望の厚みになるようにエッチング時間を求めることに代えて、第２測定室７６での厚み測定値を作業者が確認し、作業者がその測定値からエッチング時間を求めるようにしてもよい。この場合、第２測定室７６に演算部７８が備えられていなくてもよい。
【００８９】
（変形例５）
上記したように、有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１及び基板６１のエッチング面全体にエッチング処理を施すことに限定されず、例えば、Ｘ線ＣＴ装置で得られた厚み寸法の偏り具合から、局所的にエッチング処理を施すようにできればなお望ましい。
【００９０】
（変形例６）
上記した実施形態は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置１１に限定されず、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどに適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９１】
１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１１ａ…電気光学パネルとしての有機ＥＬパネル、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子（駆動用ＴＦＴ）、２４…陽極、２５…陰極、２６…機能層、２７…発光素子、３１，６１…一対の基板を構成する基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４１…素子基板、４２…カラーフィルター基板、４３…反射層、４４…絶縁層、４６…正孔輸送層、４７…有機発光層、４８…電子輸送層、５１…陰極、５２…薄膜封止層、５３…遮光層、５４（５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂ）…色要素、５５…カラーフィルター、５７…接着剤、７１…エッチング装置、７２…処理前測定部としての第１測定室、７２ａ…搬入口、７３…エッチング室、７４…洗浄室、７５…乾燥室、７６…処理後測定部としての第２測定室、７６ａ…搬出口、７７…搬送機構、７８…演算部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置に薄型加工処理を施す電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に発光材料からなる発光層が挟持された構造を有している。有機ＥＬ装置の製造方法としては、例えば、特許文献１や特許文献２に記載のように、有機ＥＬ装置を構成する基板の外面（露出している面）にエッチング処理を行い、有機ＥＬ装置を薄型化している。
【０００３】
エッチング処理を行った後、所望のエッチング量（厚み）に到達したか否かを、有機ＥＬ装置の厚みを測定することで行っている。厚みを測定する方法としては、接触式のマイクロメーターを用いている。有機ＥＬ装置が所望の厚みに到達しない場合は、再度エッチング処理から厚み測定までを繰り返し行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３７４１７０８号公報
【特許文献２】特許第３８２４６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、接触式のマイクロメーターでの測定は、有機ＥＬ装置を挟むことで厚み値が得られる。つまり、有機ＥＬ装置とマイクロメーターとが接触するため、有機ＥＬ装置を破壊する恐れがあるという課題がある。また、マイクロメーターで測定した場合、有機ＥＬ装置を挟んで測定するため、有機ＥＬ装置が変形したり、測定者による測定ばらつきがあったりする。加えて、有機ＥＬ装置における局所的なオーバーエッチングを見逃す恐れがあるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学パネルを構成する一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施して前記電気光学パネルの厚みを薄くする薄型加工処理工程と、前記薄型加工処理後の前記電気光学パネルの厚みを断層撮影により求める処理後測定工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、処理中において断層撮影により電気光学パネルの厚みを求めるので、電気光学パネルの厚みを接触式の計測器で挟んで測定する方法と比較して、電気光学パネルが破壊されることを防ぐことができる。更に、電気光学パネルを接触式の計測器で挟んで測定した際の、電気光学パネルが変形したり、測定者による測定ばらつきが生じたりすることを防ぐことができる。また、電気光学パネルに対して複数箇所の断層撮影を行って厚みを求めた場合、基板のエッチング面に対するエッチングの傾向（厚みの偏りなど）や局所的なオーバーエッチングを確認することが可能となる。これにより、エッチング処理条件を適正な処理条件に移行していくことができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記薄型加工処理工程の前に、前記電気光学パネルの厚みを前記断層撮影により求める処理前測定工程を有することが好ましい。
【００１０】
この方法によれば、薄型加工処理を行う前に電気光学パネルの厚みを求めておくので、薄型加工処理をどの程度行えばいいか判断することが可能となる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学パネルの厚みが所望の厚みになるまで、前記薄型加工処理工程から前記処理後測定工程までを繰り返し行うことが好ましい。
【００１２】
この方法によれば、所望の厚みになるまで、電気光学パネルに薄型加工処理を施し電気光学パネルの厚み測定を繰り返すので、品質的にばらつきの少ない電気光学装置を提供することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記薄型加工処理は、エッチング処理であることが好ましい。
【００１４】
この方法によれば、エッチング処理を用いて電気光学パネルを薄くするので、機械式の研磨処理方法等と比較して、電気光学パネルに応力がかかることを抑えることができる。よって、電気光学パネルが変形することを抑えることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記エッチング処理は、エッチング液を前記少なくとも一方の基板に吹き付けるようにしてもよい。
【００１６】
この方法によれば、少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けてエッチング処理を行うので、電気光学パネルを薄くすることができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る電気光学装置の製造装置は、一対の基板を有する電気光学パネルを搬送する搬送機構と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施す薄型加工処理部と、前記薄型加工処理が施された前記電気光学パネルの厚みを断層撮影により求める処理後測定部と、を有することを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、処理後測定部により断層撮影を行って電気光学パネルの厚みを求めるので、電気光学パネルの厚みを接触式の計測器で挟んで測定する方法と比較して、電気光学パネルが破壊されることを防ぐことができる。更に、電気光学パネルを接触式の計測器で挟んで測定した際の、電気光学パネルが変形したり、測定者による測定誤差が生じたりすることを防ぐことができる。また、電気光学パネルに対して複数箇所の断層撮影を行って厚みを求めた場合、基板のエッチング面に対するエッチングの傾向や局所的なオーバーエッチングを確認することが可能となる。これにより、エッチング処理条件を適正な処理条件に移行していくことが可能な製造装置を提供することができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記薄型加工処理の前に、前記電気光学パネルの厚みを前記断層撮影により求める処理前測定部を有することが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、処理前測定部によって、薄型加工処理を行う前に電気光学パネルの厚みを求めるので、薄型加工処理をどの程度行えばいいか判断することが可能となる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記処理前測定部及び前記処理後測定部は、Ｘ線ＣＴ装置を用いることが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、Ｘ線ＣＴ装置を用いて電気光学パネルの厚みを測定するので、三次元的に電気光学パネルの形状を表現することが可能となり、厚み寸法のばらつきや偏り等を確認することができる。また、電気光学パネルに対して複数箇所の断層撮影を行うことにより、局所的な凹凸も発見することができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記搬送機構は、前記薄型加工処理された前記電気光学パネルが所望の厚みになるまで、少なくとも前記薄型加工処理部と前記処理後測定部との間において前記電気光学パネルの搬送を繰り返すことが好ましい。
【００２４】
この構成によれば、搬送機構を用いて、複数回の薄型加工処理と電気光学パネルの厚み測定を行うことができるので、電気光学パネルの厚みを所望の厚みにすることができると共に、電気光学パネルの厚みをばらつきの少ない厚みに形成することができる。
【００２５】
［適用例１０］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記薄型加工処理部は、前記電気光学パネルにエッチング処理を施すエッチング処理部であることが好ましい。
【００２６】
この構成によれば、エッチング処理部で電気光学パネルにエッチング処理を施すので、機械式の研磨処理等と比較して、電気光学パネルに応力がかかることを抑えることができる。よって、電気光学パネルが変形することを抑えることができる。
【００２７】
［適用例１１］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記エッチング処理部は、前記少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けるようにしてもよい。
【００２８】
この構成によれば、少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けてエッチング処理を行うので、電気光学パネルを薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】有機ＥＬ装置の構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図４】有機ＥＬ装置に薄型加工処理を施すエッチング装置の構造を示す模式図。
【図５】エッチング装置のうちエッチング室内の構成を模式的に示す斜視図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、以下参照する各図面において構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、トップエミッション構造でもよいし、ボトムエミッション構造でも適用可能である。
【００３１】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とを有している。そして、格子状に配置された走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。また、複数の信号線１３が接続された信号線駆動回路１５と、複数の走査線１２が接続された走査線駆動回路１６とを有している。
【００３２】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）とが設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む陽極２４と、陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００３３】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００３４】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００３５】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３６】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３７】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素３４は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）を発光する構成となっている。
【００３８】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００３９】
図２における基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。また、図示しないが、駆動用ＩＣ３７は、信号線駆動回路１５とも接続されている。
【００４０】
図３は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、図３は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４１】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、素子基板４１と、素子基板４１に接着剤５７を介して貼り合わされたカラーフィルター基板４２とを有している。
【００４２】
素子基板４１は、基板３１上に、反射層４３、絶縁層４４、陽極２４、正孔輸送層４６、有機発光層４７、電子輸送層４８、陰極５１、薄膜封止層５２がこの順に積層されている。また、カラーフィルター基板４２は、基板６１と、遮光層５３及び色要素５４を含むカラーフィルター５５とを有する。
【００４３】
有機ＥＬ装置１１は、有機発光層４７において発光した光を基板６１側から取り出す構成のいわゆるトップエミッション型の発光装置である。観察者は、基板６１側から表示を観察する。上記のうち、サブ画素３４毎に形成された、反射層４３から陰極５１までの構成要素からなる素子が、発光素子２７に相当する。
【００４４】
基板３１は、ガラス基板や石英基板等の上に公知の技術を用いてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２１，２３や各種配線（ＴＦＴ素子を駆動するための信号線、走査線等）、絶縁膜等が形成された、いわゆるＴＦＴ素子基板である。
【００４５】
反射層４３は、アルミニウム又は銀等から構成することができる。陽極２４は、反射層４３上に、反射層４３との短絡を防止するためのＳｉＮ等からなる絶縁層４４を挟んで配置された、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極である。
【００４６】
陽極２４は、各サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）に一つずつ配置されており、それぞれの陽極２４は、基板３１に含まれるＴＦＴ素子２１，２３を介して、信号線（図示せず）に接続されている。陰極５１は、マグネシウムと銀の合金を薄く形成してハーフミラー状としたものであり、光反射性及び光透過性を兼ね備えている。
【００４７】
陽極２４と陰極５１との間には、正孔輸送層４６、有機発光層４７、電子輸送層４８がこの順に積層されている。有機発光層４７は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。陽極２４と陰極５１との間に電圧を印加することによって、有機発光層４７には、正孔輸送層４６から正孔が、また、電子輸送層４８から電子が注入され、有機発光層４７においてこれらが再結合したときに発光が行われる。
【００４８】
有機発光層４７からの光は、一部は直接陰極５１を透過し、一部は反射層４３によって反射されてから陰極５１を透過する。いずれにせよ、有機発光層４７からの光は、陰極５１を透過し、その後薄膜封止層５２、接着剤５７、色要素５４、基板６１を順に透過する。
【００４９】
ここで、反射層４３及び陰極５１は、いわゆる光共振器を構成している。このため、有機発光層４７において発せられた光は、反射層４３と陰極５１との間を往復し、共振波長の光だけが基板６１側から取り出される。よって、ピーク強度が高く幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができ、有機ＥＬ装置１１による発光の色再現性を向上させることができる。
【００５０】
上記共振波長は、光共振器の長さを変えることによって調整可能である。有機ＥＬ装置１１においては、陽極２４の厚さを変えることによって光共振器の長さを調整している。より詳細には、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおいてこの順に陽極２４を薄くしていく構成により、光共振器の長さ、及び共振波長がこの順に長くなるようになっている。具体的には、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおける陽極２４の厚さはそれぞれ９０ｎｍ，５０ｎｍ，２０ｎｍとなっている。これにより、共振波長は、サブ画素３４Ｒにおいては赤色、サブ画素３４Ｇにおいては緑色、サブ画素３４Ｂにおいては青色に相当する波長に設定される。この結果、陰極５１からは、共振波長に応じて赤、緑、または青の光が選択的に射出される。
【００５１】
陰極５１を覆って形成された薄膜封止層５２は、ＳｉＯＮ等からなる透光性を有する部材であり、発光素子２７を保護するとともに、光共振器の形成のためにできた陰極５１の段差を埋めて平滑にする役割を果たす。
【００５２】
また、基板６１としては、透光性を有するガラス基板等が挙げられる。なお、基板３１及び基板６１の外面（それぞれ露出している側の面）は、薄型加工処理としてのエッチング処理等が施されている。
【００５３】
基板６１上に形成された色要素５４は、上記したように、入射した光のうちの特定の波長成分を吸収することによって、特定色の透過光を得るための部材である。色要素５４を配置することによって、有機ＥＬ装置１１から取り出される光の色純度が向上するとともに、視野角による色の変化を抑えることができ、かつ外光の反射をある程度抑えることができる。色要素５４は、エポキシ樹脂からなる接着剤５７を介して薄膜封止層５２と対向している。
【００５４】
色要素５４を区画する遮光層５３は、上述したようにカラーフィルター５５の一部を構成する。遮光層５３は、光をほとんど透過させない樹脂であり、各サブ画素３４間の表示の混色を防止する役割を果たす。遮光層５３は、色要素５４と同様に、フォトリソグラフィー法等によって形成される。
【００５５】
カラーフィルター５５は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のそれぞれに対応する色要素５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂと、遮光層５３（ブラックマトリックス）とを有する。なお、カラーフィルター５５は、遮光層５３を含めない構成としてもよい。なお、この後の説明において、有機ＥＬ装置１１にフレキシブル基板３６が備えられていないものを電気光学パネルとしての有機ＥＬパネル１１ａとして説明する。
【００５６】
＜有機ＥＬ装置の製造装置＞
図４は、有機ＥＬパネルに薄型加工処理（エッチング処理）を施す有機ＥＬ装置の製造装置としてのエッチング装置の構造を示す模式図である。図５は、エッチング装置のうちエッチング室内の構成を模式的に示す斜視図である。以下、エッチング装置の構造を、図４及び図５を参照しながら説明する。
【００５７】
エッチング装置７１は、処理前測定部としての第１測定室７２と、薄型加工処理部（エッチング処理部）としてのエッチング室７３と、洗浄室７４と、乾燥室７５と、処理後測定部としての第２測定室７６とが互いに隣接して直線的に配置されている。
【００５８】
第１測定室７２は、有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法測定が行われる。厚み寸法の測定を行う方法としては、例えば、非接触式の測定装置であるＸ線ＣＴ（Computed Tomography）装置等を用いることができる。有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法としては、基板３１の厚みと基板６１の厚みとを別々に求めるようにしてもよいし、基板３１と基板６１とが貼り合わされた一対の厚みとして一緒に求めるようにしてもよい。なお、Ｘ線ＣＴ装置を用いる測定は、Ｘ線によって有機発光層４７にダメージを与えてしまう恐れがあるため、エッチング処理の条件出しのときのみに用いることが望ましい。
【００５９】
Ｘ線ＣＴ装置は、有機ＥＬパネル１１ａを断層撮影することが可能となっている。また、有機ＥＬパネル１１ａの全体に亘って複数の断層撮影を行うことにより、有機ＥＬパネル１１ａを三次元的な形状に表示することができる。よって、有機ＥＬパネル１１ａの全体のエッチング分布（厚み分布）を確認することができる。具体的には、有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１や基板６１のエッチング面が全体均一にエッチングされているか確認することができる。
【００６０】
また、局所的に厚みの異なる部分（例えば、局所的なオーバーエッチング）を確認することもできる。具体的には、有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１及び基板６１を超えて（溶解して）、有機発光層４７やＴＦＴ素子２３等までエッチングしてしまった部分を確認することができる。
【００６１】
なお、第１測定室７２には、外部からエッチング装置７１の中に有機ＥＬパネル１１ａを搬入するための搬入口７２ａが設けられている。また、エッチング装置７１には、有機ＥＬパネル１１ａを、外部からエッチング装置７１の中に搬入したり、エッチング装置７１内を搬送したりするための搬送機構７７が備えられている。また、有機ＥＬパネル１１ａは、例えば、立てられて搬送されている。つまり、有機ＥＬパネル１１ａにおけるエッチング面と、エッチング装置７１内の側面とが向き合うようにして搬送されている。
【００６２】
エッチング室７３は、有機ＥＬパネル１１ａを構成する一対のガラス基板（基板３１、基板６１）の厚みを薄くするためにエッチング処理が行われる。具体的には、上記したように、基板３１及び基板６１の外面（露出している側の面）にエッチング処理を施すことによって有機ＥＬパネル１１ａの厚みを所望の厚みにする。
【００６３】
より詳述すると、図５に示すように、エッチング室７３には、エッチング室７３に搬送された有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１及び基板６１に向けてエッチング処理液８１を吹きつける吐出部８２が設けられている。吐出部８２には、基板の面全体に亘って均一に吐出できるように、例えば、複数のノズル８３が設けられている。ノズル８３には、エッチング処理液８１を噴射する複数の噴射孔８４が設けられている。エッチング処理液８１としては、例えば、フッ酸等が挙げられる。
【００６４】
基板３１及び基板６１の外面は、吐出部８２に対して有機ＥＬパネル１１ａが相対的に移動することによりエッチング処理が行われる。このエッチング処理は、例えば、化学的な作用と物理的な作用とを行うことが可能となっている。化学的な作用としては、ガラス基板の外面の材料をフッ酸により溶出する。物理的な作用としては、フッ酸をガラス基板の外面に対し吹き付ける衝撃を利用している。処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚みとしては、例えば、１００μｍ程度である。
【００６５】
洗浄室７４は、エッチング処理が終了した有機ＥＬパネル１１ａを洗浄するために用いられる。洗浄液は、例えば水である。洗浄する対象物としては、エッチング処理液（フッ酸）等である。
【００６６】
乾燥室７５は、洗浄が終了した有機ＥＬパネル１１ａから洗浄液などを除去して有機ＥＬパネル１１ａを乾燥させるために用いられる。乾燥方法は、例えば、エアーシャワーである。
【００６７】
第２測定室７６は、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法が測定される。有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法を測定する方法としては、例えば、前述したＸ線ＣＴ装置等が挙げられる。なお、第２測定室７６には、エッチング装置７１から外部に有機ＥＬパネル１１ａを搬出するための搬出口７６ａが設けられている。
【００６８】
また、第２測定室７６には、演算部７８が備えられている。演算部７８は、例えば、第２測定室７６によって得られた有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法値と所望の厚み寸法値とを比較し、所望の値でなかった場合、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の厚みになるためのエッチング時間を求めることが可能となっている。そして、搬送機構７７によって有機ＥＬパネル１１ａがエッチング室７３に戻され、再度、エッチング処理が施される。そして、洗浄室７４、乾燥室７５、第２測定室７６での処理を繰り返すことにより、有機ＥＬパネル１１ａを所望の厚みに仕上げる。
【００６９】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図６は、有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図６を参照しながら説明する。なお、各種配線や電極、駆動用ＴＦＴ等を形成する製造工程については、周知の工程と同様なので、ここではそれらの説明を省略又は簡略化し、これ以降の工程について詳しく説明する。
【００７０】
まず、ステップＳ１１では、素子基板４１を形成する。具体的には、基板３１上に、公知の成膜技術を用いて、反射層４３、絶縁層４４、陽極２４、正孔輸送層４６、有機発光層４７、電子輸送層４８、陰極５１、薄膜封止層５２を順に形成する。
【００７１】
ステップＳ１２では、カラーフィルター基板４２を形成する。具体的には、基板６１上に、公知の成膜技術を用いて、遮光層５３及び色要素５４（５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂ）を含むカラーフィルター５５を形成する。
【００７２】
ステップＳ１３では、素子基板４１とカラーフィルター基板４２とを貼り合わせて、有機ＥＬパネル１１ａを完成させる。具体的には、大気を遮断した窒素雰囲気内において、接着剤５７を用いて貼り合わせ、有機ＥＬパネル１１ａを完成させる。以下、有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１及び基板６１にエッチング処理を施して、有機ＥＬパネル１１ａを薄くする方法について説明する。
【００７３】
ステップＳ１４（処理前測定工程）では、有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法測定を行う。具体的には、有機ＥＬパネル１１ａを構成する一対の基板（基板３１、基板６１）の外面（露出面）をエッチングによって薄くするために、エッチング処理前の有機ＥＬパネル１１ａ厚み寸法を測定する。
【００７４】
厚み寸法を測定する方法としては、上記したように、例えば、非接触式のＸ線ＣＴ装置等が挙げられる。このＸ線ＣＴ装置を用いて、有機ＥＬパネル１１ａを断層撮影し、厚みが厚い部分や薄い部分等の全体の傾向をつかむ。一対の基板（基板３１、基板６１）の総厚みは、例えば、１ｍｍである。
【００７５】
ステップＳ１５（薄型加工処理工程）では、有機ＥＬパネル１１ａにエッチング処理を施す。具体的には、エッチング装置７１の吐出部（図示せず）を通過させることにより、一対の基板３１，６１の外面にエッチング液が吹き付けられる。エッチング液としては、例えば、フッ酸などが挙げられる。一対の基板３１，６１にエッチング液を吹き付ける時間は、エッチング量に応じて変わる。所望の有機ＥＬパネル１１ａの厚みは、例えば、１００μｍである。
【００７６】
ステップＳ１６では、有機ＥＬパネル１１ａを洗浄及び乾燥させる。具体的には、エッチング等で汚れた有機ＥＬパネル１１ａを洗浄及び乾燥させる。洗浄液としては、例えば、水が挙げられる。乾燥方法としては、例えば、エアーシャワーが用いられる。
【００７７】
ステップＳ１７（処理後測定工程）では、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚み寸法がいくつになったかを求める。具体的には、上記したように、Ｘ線ＣＴ装置を用いて測定する。その結果、例えば、局所的なオーバーエッチングが確認された場合、有機ＥＬパネル１１ａを構成する有機発光層４７やＴＦＴ素子２３にダメージを与えてしまうので、エッチング処理条件を適切な処理条件に変更しなければならない。また、測定した結果、有機ＥＬパネル１１ａのエッチング面内に対するエッチング量に偏りが生じている場合も同様、エッチング処理条件を適切な処理条件に移行していく。
【００７８】
ステップＳ１８では、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の厚みになったか否かを判定する。具体的には、有機ＥＬパネル１１ａの所望の厚みに対して、エッチング処理後にいくつの厚みになったかを比較する。例えば、エッチング処理前に１ｍｍあった有機ＥＬパネル１１ａの厚みが、エッチング処理後に１１０μｍになったとする。有機ＥＬパネル１１ａの厚みのねらい値としては、例えば、１００μｍである。有機ＥＬパネル１１ａの厚みが１００μｍになっていれば、処理を終了する。
【００７９】
ステップＳ１９では、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の値にならなかった場合に、あと、どれ位エッチングすれば所望の値になるかを演算して求める。ここで求めたエッチング時間を基に、再度ステップＳ１５に戻りエッチング処理を行う。そして、所望の有機ＥＬパネル１１ａの厚みになるまでステップＳ１５からステップＳ１８までの処理を繰り返し行う。
【００８０】
なお、Ｘ線ＣＴ装置で測定した結果、複数箇所の厚み寸法データが得られる。この場合、例えば、得られた全体の寸法が所望の厚み寸法の範囲に入ることが望ましい。また、少なくとも、薄い部分の厚み寸法が入るように調整してもよいし、逆に厚い部分の厚み寸法が入るように調整してもよい。
【００８１】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８２】
（１）本実施形態によれば、エッチング処理の過程で複数の断層撮影を行うＸ線ＣＴ装置を用いて有機ＥＬパネル１１ａの厚みを求めるので、有機ＥＬパネル１１ａの厚みを接触式の計測器で挟んで測定する方法と比較して、有機ＥＬパネル１１ａが破壊されることを防ぐことができる。更に、有機ＥＬパネル１１ａを接触式の計測器で挟んで測定した際の、有機ＥＬパネル１１ａが変形したり、測定者による測定ばらつきが生じたりすることを防ぐことができる。
【００８３】
（２）本実施形態によれば、有機ＥＬパネル１１ａに対して複数箇所の断層撮影を行って厚みを求めるので、有機ＥＬパネル１１ａのエッチング面がどのようなエッチング傾向（厚み分布）になっているか確認することができる。また、有機ＥＬパネル１１ａの局所的なオーバーエッチングを確認することができる。その結果、エッチング処理の処理条件を変更する等により、品質不良が発生することを抑えることができる。
【００８４】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００８５】
（変形例１）
上記したように、薄型加工処理はエッチング処理に限定されず、例えば、機械式の研磨加工処理でもよい。
【００８６】
（変形例２）
上記したように、エッチング処理の方法として、有機ＥＬパネル１１ａにエッチング処理液を吹きつける方法に限定されず、エッチング処理液の中に入れて行う方法でもよい。
【００８７】
（変形例３）
上記したように、エッチング処理は、基板３１と基板６１との両方に行うことに限定されず、例えば、どちらか一方の基板３１（基板６１）のみにエッチング処理を施して、有機ＥＬパネル１１ａを薄型化するようにしてもよい。
【００８８】
（変形例４）
上記したように、エッチング装置７１を構成する演算部７８を用いて所望の厚みになるようにエッチング時間を求めることに代えて、第２測定室７６での厚み測定値を作業者が確認し、作業者がその測定値からエッチング時間を求めるようにしてもよい。この場合、第２測定室７６に演算部７８が備えられていなくてもよい。
【００８９】
（変形例５）
上記したように、有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１及び基板６１のエッチング面全体にエッチング処理を施すことに限定されず、例えば、Ｘ線ＣＴ装置で得られた厚み寸法の偏り具合から、局所的にエッチング処理を施すようにできればなお望ましい。
【００９０】
（変形例６）
上記した実施形態は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置１１に限定されず、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどに適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９１】
１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１１ａ…電気光学パネルとしての有機ＥＬパネル、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子（駆動用ＴＦＴ）、２４…陽極、２５…陰極、２６…機能層、２７…発光素子、３１，６１…一対の基板を構成する基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４１…素子基板、４２…カラーフィルター基板、４３…反射層、４４…絶縁層、４６…正孔輸送層、４７…有機発光層、４８…電子輸送層、５１…陰極、５２…薄膜封止層、５３…遮光層、５４（５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂ）…色要素、５５…カラーフィルター、５７…接着剤、７１…エッチング装置、７２…処理前測定部としての第１測定室、７２ａ…搬入口、７３…エッチング室、７４…洗浄室、７５…乾燥室、７６…処理後測定部としての第２測定室、７６ａ…搬出口、７７…搬送機構、７８…演算部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学パネルを構成する一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施して前記電気光学パネルの厚みを薄くする薄型加工処理工程と、
前記薄型加工処理後の前記電気光学パネルの厚みを断層撮影により求める処理後測定工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記薄型加工処理工程の前に、前記電気光学パネルの厚みを前記断層撮影により求める処理前測定工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学パネルの厚みが所望の厚みになるまで、前記薄型加工処理工程から前記処理後測定工程までを繰り返し行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記薄型加工処理は、エッチング処理であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記エッチング処理は、エッチング液を前記少なくとも一方の基板に吹き付けることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
一対の基板を有する電気光学パネルを搬送する搬送機構と、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施す薄型加工処理部と、
前記薄型加工処理が施された前記電気光学パネルの厚みを断層撮影により求める処理後測定部と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記薄型加工処理の前に、前記電気光学パネルの厚みを前記断層撮影により求める処理前測定部を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記処理前測定部及び前記処理後測定部は、Ｘ線ＣＴ装置を用いることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項９】
請求項６に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記搬送機構は、前記薄型加工処理された前記電気光学パネルが所望の厚みになるまで、少なくとも前記薄型加工処理部と前記処理後測定部との間において前記電気光学パネルの搬送を繰り返すことを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記薄型加工処理部は、前記電気光学パネルにエッチング処理を施すエッチング処理部であることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記エッチング処理部は、前記少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項１】
電気光学パネルを構成する一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施して前記電気光学パネルの厚みを薄くする薄型加工処理工程と、
前記薄型加工処理後の前記電気光学パネルの厚みを断層撮影により求める処理後測定工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記薄型加工処理工程の前に、前記電気光学パネルの厚みを前記断層撮影により求める処理前測定工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学パネルの厚みが所望の厚みになるまで、前記薄型加工処理工程から前記処理後測定工程までを繰り返し行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記薄型加工処理は、エッチング処理であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記エッチング処理は、エッチング液を前記少なくとも一方の基板に吹き付けることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
一対の基板を有する電気光学パネルを搬送する搬送機構と、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施す薄型加工処理部と、
前記薄型加工処理が施された前記電気光学パネルの厚みを断層撮影により求める処理後測定部と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記薄型加工処理の前に、前記電気光学パネルの厚みを前記断層撮影により求める処理前測定部を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記処理前測定部及び前記処理後測定部は、Ｘ線ＣＴ装置を用いることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項９】
請求項６に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記搬送機構は、前記薄型加工処理された前記電気光学パネルが所望の厚みになるまで、少なくとも前記薄型加工処理部と前記処理後測定部との間において前記電気光学パネルの搬送を繰り返すことを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記薄型加工処理部は、前記電気光学パネルにエッチング処理を施すエッチング処理部であることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記エッチング処理部は、前記少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−１９７５４３（Ｐ２０１０−１９７５４３Ａ）
【公開日】平成２２年９月９日（２０１０．９．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−４０３１５（Ｐ２００９−４０３１５）
【出願日】平成２１年２月２４日（２００９．２．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月９日（２０１０．９．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月２４日（２００９．２．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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