【課題】被トリミング素子の確実な溶断と下地基板のダメージ低減とを同時に実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】下地基板１０上に被トリミング素子２０が配置されており、当該素子２０に被さるように絶縁層３０が配置されている。絶縁層３０はシリコン酸化膜３１から成り、具体的にはＢＰＳＧ等のリンを含有したシリケートガラスが好ましい。酸化膜３１において被トリミング素子２０上の厚さｄは約９０〜２７０ｎｍであり、酸化膜３１は被トリミング素子２０上においてトリミング用レーザーに対して約８０％以上の透過率を有する。絶縁層３０として被トリミング素子２０上での厚さｄが約６５〜１９５ｎｍ程度のシリコン窒化膜を用いても上述の約８０％以上の透過率が得られる。被トリミング素子２０の下に回路素子１４が配置されている。被トリミング素子２０と酸化膜１２との間にシリコン窒化膜を配置してもよい。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工を行う際に発生する加工粉塵の空気中への飛散を効果的に防止して、加工粉塵がレーザ加工に与える悪影響を最小限に抑えることができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】吸塵機構３０において、加工粉塵は、整流部の複数の仕切り区画３２ａを通過し、次いで、受け皿部３３に到達する。このとき、ポンプ（図示せず）による吸引によって生じる空気は、その流れ方向が整流部３１の複数の仕切り区画３２ａの壁面（仕切り壁３２）に対して平行となり、整流部３１の仕切り壁３２に付着する加工粉塵Ｄは最小限に抑えられる。その後、受け皿部３３に到達した加工粉塵Ｄは、受け皿部３３の底部に形成された吸引孔３３ａを通して吸引され、吸引ダクト３６を介してポンプ（図示せず）まで送られる。なお、吸塵機構３０の整流部３１は、太陽電池基板の蒸着薄膜に対して所定の距離だけ離間した状態で配置されている。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー法による廃液の発生を回避しながらオンデマンド型の生産要求に柔軟に対応し、しかも、気泡や輝点等の発生による光透過性部材の光透過性の低下を抑えることができる光透過性部材加工方法を提供する。
【解決手段】光透過性部材たる透明基板１００を次のようにしてレーザー加工装置にて加工するようにした。即ち、透明基板１００の加工対象領域に対し、変形させない程度に弱い弱レーザー光を照射した後に、これよりも強い強レーザー光の照射によってその表面の導電層を部分的に除去するようにした。このようにすると、導電層の下側部分の基材層に発生する気泡や、導電層と基材層の間にある層に発生する輝点を有効に抑えることができた。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー法による廃液の発生を回避しながらオンデマンド型の生産要求に柔軟に対応し、しかも、気泡や輝点等の発生による光透過性部材の光透過性の低下を抑えることができる光透過性部材加工方法を提供する。
【解決手段】光透過性部材たる透明基板１００を次のようにしてレーザー加工装置にて加工するようにした。即ち、透明基板１００の加工対象領域に対し、変形させない程度に弱い弱レーザー光を照射した後に、これよりも強い強レーザー光の照射によってその表面の導電層を部分的に除去するようにした。このようにすると、導電層の下側部分の基材層に発生する気泡や、導電層と基材層の間にある層に発生する輝点を有効に抑えることができた。 （もっと読む）

【課題】 外観検査によらずトリミング跡の良否判定を確実に行うことができるレーザトリミング評価方法を提供する。レーザトリミング用薄膜抵抗体を適切にレーザトリミングすることができるレーザトリミング用レーザ強度設定方法を提供する。
【解決手段】 ウエハ１内に評価用薄膜抵抗体２を設け、レーザトリミング用薄膜抵抗体をレーザトリミングする前に、評価用薄膜抵抗体２に対し所定のレーザ強度のレーザビームにより完全に切り離すレーザトリミングを行った後に、評価用薄膜抵抗体２の絶縁抵抗値を測定した結果、十分な絶縁抵抗値が得られないと、レーザの高強度化、完全に切り離すレーザトリミング及び絶縁抵抗値の測定を十分な絶縁抵抗値が得られるまで行って、十分な絶縁抵抗値が得られた当該レーザ強度に基づいて、レーザトリミング用薄膜抵抗体をレーザトリミングする際のレーザビームのレーザ強度を設定する。 （もっと読む）

本発明は、選択的パターニングにレーザーアブレーションを使用して薄膜トランジスター（ＴＦＴ）構造などの電子デバイスを製作する方法に関する。本発明は有機電子デバイスを製作する方法であって、製作される有機電子デバイスは、上部導電層と、この上部導電層のすぐ下にある下位層と、少なくとも１つの溶解処理可能な半導電性層とを有する構造を備え、上部導電層は１０ｎｍと２００ｎｍの間の厚さを有していることが好ましい。本発明の方法は、上部導電層をパターニングするステップを含み、このパターニングのために上部導電層の領域を下位層から除去するように、パルスレーザーを使用して上部導電層にレーザーアブレーションを行い、このレーザーアブレーションは、レーザーの単一のパルスを使用して上部導電層を実質的に完全に除去し、下にある下位層を露出させるものである。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工中における加工クズや加工部周辺のバリ等の発生を防止して、レーザ加工の安定性を飛躍的に向上させることができる、薄膜パネル加工装置を提供する。
【解決手段】移動テーブル１５により薄膜パネル３０がレーザ加工位置Ｐに対して相対的に移動している状態で、レーザ加工装置１０により薄膜パネル３０の上面側（基板３１側）からレーザ光Ｌが照射されると、レーザ光Ｌは、薄膜パネル３０の基板３１を透過して薄膜３２に到達し、薄膜パネル３０の薄膜３２が加工される。薄膜パネル３０の裏面側（薄膜３２側）では、薄膜３２のレーザ加工によって加工クズや加工部周辺でのバリ等が発生するが、これらの加工クズやバリ等は、レーザ加工装置１０により薄膜パネル３０の薄膜３２が加工されているレーザ加工中に洗浄装置２０により洗浄される。 （もっと読む）

【課題】 多光子吸収プロセスによりながらも、所望の範囲に亘る、除去及び整形すなわち微細加工を精度良く行う。
【解決手段】 主光源２１から出射される、パルス幅が１０ピコ秒未満の、例えばフェムト秒（fs）レーザやピコ秒（ps）レーザと呼称されるパルスレーザ光を、被加工部材５に走査照射することにより、被加工部材５の、パルスレーザ光の集光スポットに比して広い範囲に対して、除去などの加工を行う。 （もっと読む）

【課題】 被加工物をレーザ切削加工しながら，被加工物の表面に酸化膜を形成し，形成された酸化膜上にデブリを付着させて，酸化膜を剥がすことによって容易にデブリを除去できるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 被加工物１０にレーザ光を照射して，加工点でアブレーション反応を起こして被加工物１０を切削し，加工点を移動させて被加工物１０に切削溝９０を形成する。このとき，被加工物１０の加工点付近に，不活性ガスおよび酸素ガスを供給する，または被加工物１０が大気中に置かれた状態で加工点付近に不活性ガスを供給することによって，被加工物１０の表面に切削溝９０を形成しながら，被加工物１０のレーザ入射面側の表面上において切削溝９０の両側に酸化膜９１を形成する。そして，酸化膜９１上にデブリ９２３を付着させ，酸化膜９１を剥がすと同時にデブリ９２３を除去する。 （もっと読む）

【課題】適切なレーザ照射条件を効率よく決定して、信頼性の高いレーザ加工を行うことが可能なレーザ加工方法およびそれに用いられるレーザ加工用治具を提供する。
【解決手段】加工対象にレーザ加工を行う際のレーザ加工条件を求めるための試験片１として、レーザ照射面１ａと、該レーザ照射面１ａと略直交する側面１ｂとを備えた透光性材料からなる試験片を用い、レーザ照射面１ａにレーザ光を照射した後、レーザ照射面１ａと略直交する側面１ｂから、レーザ照射による加工状態を確認し、加工状態とレーザ照射条件との関係から、実際の加工対象物にレーザ加工する際のレーザ照射条件を決定する。
試験片として、セットした姿勢のまま、所定の一方向および該一方向に直交する方向へのレーザ加工を行うことが可能なレーザ照射面と、レーザ照射による加工状態を確認することが可能な側面を有する直方体形状の試験片を用いる。 （もっと読む）

本発明は、半導体製造工程におけるパッケージまたはストリップを吸着する時に使われる吸着パッドを加工するための装置及びその加工方法に関するものであって、吸着パッド加工装置は、被加工物が安着する被加工物移送部と、上記被加工物移送部の上部に所定間隔を置いて設けられるレーザ発生装置と、上記被加工物移送部と上記レーザ発生装置との相対移動を発生させる移送手段と、上記レーザ発生装置を制御する制御装置とを含んで、吸着パッドの用途やパッケージのサイズによってパターンの形態及び大きさを多様に精密加工することができ、これを標準化することで、加工時間及び費用を最小化することができる。
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電気的な回路基板を加工するために、０．１Ｗおよび約５Ｗの間の平均レーザ出力において２６６ｎｍと１０６４ｎｍとの間の波長、１ｋＨｚと１ＭＨｚとの間のパルス繰り返し周波数、３０ｎｓないし２００ｎｓのパルス長を有するレーザビームを送出することができるダイオードポンピングされ、Ｑ制御され、パルス化される固体レーザを有するレーザ源（１）が使用され、その際制御部を介して用途に応じて相応に種々の組み合わせのレーザ出力および繰り返し周波数を有する予め定めた作動モードが調整設定されて、同じレーザで選択的に穿孔作動モード、剥離作動モードまやじゃ露光作動モードを実施することができるようにしている。同様に制御ユニットによって調整設定可能なガルボミラー偏向ユニットを用いてそれぞれの作動モードに相応して基板にレーザビームが偏向される。
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【課題】高速精密レーザトリミングの方法及びシステム、そこで使用される走査レンズシステム、及びそれによって生成される電気装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの電気要素を高速レーザベース精密レーザトリミングする方法、システム、及び走査レンズシステム。本方法は、ある一定の繰返し数での１つ又はそれよりも多くのレーザパルスを有するパルスレーザ出力を発生させる段階を含む。各レーザパルスは、パルスエネルギ、レーザ波長の範囲内のレーザ波長、及びパルス持続時間を有する。本方法は、更に、ある一定の方向に沿った不均一強度プロフィールと僅か約６ミクロンから約１５ミクロンのスポット直径とを有する少なくとも１つのスポットに集束された１つ又はそれよりも多くのレーザパルスを用いて少なくとも１つの電気要素を選択的に照射し、１つ又はそれよりも多くのレーザパルスに少なくとも１つの要素から材料を選択的に除去させ、かつ少なくとも１つの要素内の実質的な微小亀裂発生を回避しながら少なくとも１つの要素をレーザトリミングさせる段階を含む。この波長は、小さなスポットサイズ、厳しい公差、及び高い吸収の望ましい短波長の恩典を生成するほど十分に短いが、微小亀裂発生を引き起こすほど短くはない。 （もっと読む）

【課題】被加工物の材料の制約を受けることなく、回折限界以下の微小な加工形状のレーザ加工を行うことができるレーザ誘起加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物７を、微粒子６を分散した溶液５中に浸漬させて配置する。高強度超短パルスレーザ１から出射した高強度超短パルスレーザ光２を、被加工物７の手前側位置に焦点を結ぶように集光して溶液５にパルス照射する。高強度超短パルスレーザ１の出力強度を制御して、レーザ光２によって誘起される溶液５の非線形光学効果により発生する自己集束とレーザ光２の回折とが釣り合うようにバランスさせることにより、レーザ光２を溶液５内において微小線状に被加工物７に向け伝播させ、その微小線状の領域内の溶液５中に浮遊する微粒子６を被加工物７に衝突させて加工を行う。 （もっと読む）

【課題】ヒューズの切断不良に起因する被害（ＬＳＩの歩留りの低下、原因究明の長時間化、これに伴う対策の遅れやＬＳＩ製造の遅延、現場の作業効率の低下等）を最小限に抑える。
【解決手段】レーザートリミング装置に、カメラ１２および非接触温度測定器１３を設け、ヒューズ切断加工中に、ヒューズの画像ならびに表面温度を測定し、ヒューズ切断の成否判定部１４にて、切断の成否判定を行う。不具合が生じたと判定された場合には、制御部８が、切断作業を直ちに中止する。 （もっと読む）

本発明の方法及びシステムは、複数のレーザビームを使って、半導体基板（７４０）の上又は内部の導電性のあるリンクを加工する。例えば本発明の方法は、２又は３以上のＮについて、スループットの利益を得るためにＮ組のレーザパルスを使う。前記リンクは、ほぼ長手方向に延びる実質的に平行な複数の列をなして配置される。前記Ｎ組のレーザパルスは選択された構造の上に投射するまでＮ本のそれぞれのビーム光軸に沿って伝搬する。得られたレーザビームスポットのパターンは、Ｎ本の別個の列内のリンクか、同一の列内の別個のリンクか、同一のリンクかの上に、部分的に重複するか完全に重複するかのいずれかである。得られたレーザスポットは、互いからの前記列の長手方向のオフセットと、前記列の長手方向と垂直な方向のオフセットとの一方又は両方を有する。 （もっと読む）

【課題】 微細パターンの欠陥を短時間で修正することができ、装置価格が低く、装置設置面積が小さく、修正の品質が高い微細パターン修正装置を提供する。
【解決手段】 この微細パターン修正装置は、レーザビームを照射して黒欠陥を除去するレーザ装置１、欠陥を観察する観察光学系２、インクを塗布して色抜け欠陥を修正するインク塗布ユニット３、および突起欠陥を研磨して修正するテープ研磨ユニット５を含む修正ヘッド部６と、修正ヘッド部６を位置決めするＸＹＺテーブル７〜９と、被修正ガラス基板１０を搭載するガラス定盤１１とを備える。したがって、１台の装置で色抜け欠陥、黒欠陥および突起欠陥を修正することができる。 （もっと読む）

固体レーザ（１０ａ）は、２つの個別のレーザ微細機械加工ビームを提供すべく両端に出力ポート（２２ａ_１、２２ｂ_１）を有するレーザ共振器（２０ａ）を備える。レーザ微細機械加工ビームをマイクロハーモニック波長出力に変換するために一組の波長変換器（２６ａ_１、２６ｂ_１）を使用することができ、これにより波長変換器への損傷のリスクを低減し、より高い総平均の調波（ハーモニック）パワーが単一のレーザから得られる。両レーザ微細機械加工ビームは、独立的に異なるレーザ作業をなすために異ならせることができ、あるいは実質的に同一のワークピース（５４）に同時に平行な高品質のレーザの作業を可能とすべく実質的に等しいパラメータを持つように適用することができ、また両レーザ微細機械加工ビームは単一のレーザシステム出力（４２ｅ）を得るべく結合することができる。２つのレーザ微細機械加工ビームは、特定の応用に適するように、さらに分割または多重化することができる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】エネルギビーム機械加工システムは、エネルギビームを射出するための射出部と、システムの瞳サイズを複数の値に調節するためのズーム望遠鏡などのビーム調節光学系と、を備える。瞳サイズの調節は、自動、半自動、または手動で実行可能である。手動モードでは、瞳サイズの調節方法を示す指示が、（例えば、モニタや予めプログラムされた音声指示を介して）操作者に提供されてよい。集束レンズは、各光路に沿って方向付けられた調節後のビームを、集束レンズの視野に含まれる走査範囲内の異なる焦点に集束させる。ビーム方向付け光学系は、集束レンズの視野内で複数の走査範囲を実現するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ヒューズをレーザトリミングをする半導体装置において、高精度でヒューズを切断すること。及びスクライブライン領域に占めるレーザートリミング位置決め用パターンの面積を小さくすること。
【解決手段】 レーザトリミング位置決め用パターンは、高光反射率領域と低光反射率領域との境界、すなわち光反射率が急峻に変化する場所をレーザトリミング用ヒューズ素子と同じ薄膜により形成されたパタンによって規定できるようにした。さらにレーザトリミング位置決め用パターン内部の寸法と、レーザービームスポット径との望ましい関係を示した。また、レーザトリミング位置決め用パターンを、半導体集積回路チップ内の既存のパッド領域内やブリーダ抵抗領域内に形成したり、スクライブラインの交点に配置して、半導体ウエハの回転方向に対する比較的荒い位置合せを行なうためのいわゆるシータマークの機能と、繰り返し配置された半導体集積回路一つ一つに対して正確な位置合せを行なうためのトリミングマークの機能とを兼用できる連続した構造として占有面積の縮小を図った。 （もっと読む）