【課題】開放電圧Ｖ_ＯＣや曲線因子Ｆ．Ｆ．の低下が抑制された、非晶質半導体と結晶系半導体とを組み合わせることにより構成されたヘテロ接合を有する、所望のサイズの光起電力素子を製造できる技術を提供する。
【解決手段】第１導電型の結晶系半導体基板の第１の主面上に、第２導電型の非晶質半導体層と第１の導電性薄膜とを含む第１の積層体を形成し、前記結晶系半導体基板と前記第１の積層体とを備える構造体に前記結晶系半導体基板の第２の主面側からレーザ光を照射することにより、少なくとも前記第２導電型の非晶質半導体層に達しないように前記結晶系半導体基板に溝を形成し、該溝に沿って前記構造体を分割する。 （もっと読む）

偽造防止方法および装置（１０、６０）がパッケージの中の例えば丸剤（２０）のような物体に第１の印（２８）を付け、その後、前記物体（２０）の上にある樹脂製のパッケージカバー（２２）にも第２の印（３２）を付ける一方、第２の印（３０）を前記物体（２０）に付ける。第１のレーザビーム生成手段（１２）は、好適には赤外線スペクトルの第１のレーザビーム（１４）を生成し、ビーム（１４）が前記カバー（２２）を通過するとき、前記物体（２０）に第１の印（２８）を形成する。第２のレーザビーム生成手段（１２）は、好適には紫外線スペクトルの第２のレーザビーム（１８）を生成する。第２のレーザビーム（１８）も前記カバー（２２）を通過し、前記物体（２０）に前記第２の印（３０）を前記第１の印（２８）に重ね合わせて形成する。第２の印（３０）は、つねに前記第１の印とは異なる。前記第２のビーム（１８）の前記カバー（２２）への継続的な通過が、前記カバー（２２）を曇らせ、前記カバー（２２）にも前記第２の印（３２）を形成する。
それゆえに、前記物体（２０）が元のパッケージにあるかどうかを、物体（２０）の第２の印（３０）と樹脂カバー（２２）の印（３２）とを比較することによって断定することができ、そして、前記物体（２０）の前記第２の印（３０）に組み込まれている、物体（２０）がいつ、どこで製造されたかの情報から、物体（２０）が元のパッケージから分離されたかどうかを断定することができる。
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第１の構成部分が開示されている。ここでこの第１の構成部分は、殊にレーザ放射溶接のための溶接用突起（８）を有しており、この溶接用突起は型押し加工部（１０）を有しており、当該型押し加工部は第１の構成部分（４）内に配置されており、少なくとも第２の構成部分（６）と溶接可能である。本発明では前記溶接用突起（８）は張り出し部（１４）を有しており、溶接のために当該張り出し部を介して前記第２の構成部分（６）に当接される。本発明はさらに、このような溶接用突起（８）を有する、ランプ口金用の遮蔽ハウジング（１）に関する。
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【課題】 構造が簡単且つ軽量に構成し得るばかりでなく位置制御および停止又は起動時の速度の制御を適宜に行うことができ、信頼性の高い転向テーブルの駆動制御装置を安価に提供する。
【解決手段】リードスクリュー２によってシリンダー３内を駆動されるスライダー１と転向テーブル４とをロッド５によって連繋し、前記リードスクリュー２をサーボモーター６によって駆動するように構成すると共に、該サーボモーター６をコントローラー７によって制御して前記スライダー１の位置と移動速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 アニールの加工品質の低下を防止することができ、アニールの加工効率の低下を防止することができるレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】 レーザ出射装置１から出射されたパルスレーザ光Ｌが、パターン化マスク２に入射する。パターン化マスク２は、自己に入射したパルスレーザ光Ｌを、そのビーム断面内の位置に関して、ともに複数の四角形を隣り合う四角形同士が両者の角部のみで接するように組み合わせた形状のビーム断面をもつ第１及び第２のパルスレーザ光Ｌ_１及びＬ_２に２分岐する。第１のパルスレーザ光Ｌ_１は、第１のマスク３及び第１の集束光学系４を通して基板Ｗに入射する。第２のパルスレーザ光Ｌ_２は、平面鏡６、第２のマスク７及び第２の集束光学系８を通して基板Ｗに入射する。 （もっと読む）

レーザービームにより対象をマーキングする方法が開示されている。前記の方法は：レーザービームに対して少なくとも部分的に透過性の支持体にドナーフィルムを適用するステップと；ドナーフィルムがマーキングすべき対象に面するように、ドナーフィルムのある支持体をパターン付けすべき面に近接して位置させるステップと；支持体を通してレーザービームでドナーフィルムを照射し、それによりドナーフィルムのパターンを対象に転写するステップと；ドナーフィルムのある支持体を対象から取り除くステップとを有する。ドナーフィルムは、少なくとも０．５ミクロンの厚さを有する。また、上記の方法によって得られるマーキングされた対象が開示されており、そのマーキングは少なくとも０．５ミクロンの厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】 高精度化が不要な光照射を行う際に、高い照射強度で構成を複雑化することなく、照射むらを防止することが可能な照射装置を提供する。
【解決手段】 複数のレーザ光源１１〜１７による複数のレーザ光を、それぞれ、光ファイバ束２を介して射出する。そしてシリンドリカルレンズアレイ対４が、これら複数のレーザ光をｘ軸方向に重ね合わせ、その輝度をｘ軸方向に均一化する。均一化してから照射対象物６に対して照射するようにすることで、照射対象物６における照射むらを防止することができる。また、このような均一化光学手段を、シリンドリカルレンズアレイ対４のみによって構成することができ、微細な光学素子デバイスを用いる必要がない。よって、構成を複雑化することなく、簡易な構成で照射装置を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】 配線などの金属膜が絶縁膜を間にして重なり合う部分において、絶縁膜やその下の金属膜を損傷することなく加工を行うことができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 絶縁膜２２を間にしてゲート配線２１とソース配線２３とが重なり合う部分に短絡部２３Ａが発生している。短絡部２３Ａに対して少なくとも１回レーザ光ＬＢを照射することにより、短絡部２３Ａの厚み方向の一部を除去し、残部２３Ｂの厚みを５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満とする。次いで、残部２３Ｂに対して０．３Ｊ／ｃｍ² 以上３．０Ｊ／ｃｍ² 未満のエネルギーで最終回の照射を行う。照射されたエネルギーは残部２３Ｂにすべて吸収および反射され、更に熱伝導により残部２３Ｂが完全に溶融し、除去される。絶縁膜２２はソース配線２３に比べて熱伝導率が１桁以上小さいので熱による損傷はほとんど発生せず、絶縁膜２２下のゲート配線２１にも損傷は発生しない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコン基板の表面にナノレベルの微細構造を容易に形成することができる微細加工方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】レーザ発振部１としてＮｄ：ＹＡＧレーザを用いてレーザビームＬをシリコン基板Ｍの表面に垂直方向から照射することで、シリコン基板Ｍの表面に針状結晶突起又は樹枝状結晶突起からなるナノレベルの微細構造を形成する。レーザのフルーエンスが８Ｊ／ｃｍ^２〜１８Ｊ／ｃｍ^２の範囲では、樹枝状結晶突起（ｄｅｎｄｒｉｔｅ）からなる微細構造が形成されており、１８Ｊ／ｃｍ^２〜４０Ｊ／ｃｍ^２の範囲では、針状結晶突起（ｎｅｅｄｌｅ−ｌｉｋｅ）からなる微細構造が形成されている。したがって、フルーエンスを調整することにより微細構造を樹枝状結晶突起又は針状結晶突起に選択して形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＩＴＩを用いた転写工程において転写層が劣化するのを防止することができ，段差が存在する部分でも，転写を良好に行うことができるレーザ照射装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るレーザ照射装置は，パターニング用レーザ発生器２１１と，予熱用レーザ発生器２１２とを備える。パターニング用レーザ発生器２１１から発生する高強度のレーザビーム２４０を利用することによって，転写層１５３が劣化するのを防止することができると同時に，予熱用レーザ発生器２１２から発生するレーザビーム２４５で予熱することによって，アクセプタ基板１６０の段差が存在する部分でもエッジオープン不良が発生することなく，転写を良好に行うことができるという利点がある。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク装置に使用するヘッド／スライダがハンダ接続を失敗したときに再接続する。
【解決手段】ヘッド／スライダ５２のスライダ・パッド５５ａに付着したハンダ塊１００は、リード・パッド５６ａから分離しており両パッド間はハンダ・ボール接続されていない。成形チップ１５９を、あらかじめハンダの融点近辺まで加熱しておく。成形チップをスライダ・パッドの面に平行に移動してハンダ塊を成形チップで軟化させながらリード・パッド側に寄せていく。その後レーザ・ビーム１０５を照射してハンダ・フィレット１０１を形成し、リード・パッドとスライダ・パッドをハンダ接続する。 （もっと読む）

本発明は半導体構成素子の製造のための方法に関し、この方法では半導体層（２）は基板（１）からレーザパルスによる照射によって分離され、このレーザパルスのパルス持続時間は１０ｎｓよりも小さいか又は１０ｎｓに等しい。レーザパルスは空間的なビームプロフィールを有し、この空間的なビームプロフィールのエッジ急峻度は、半導体層（２）と基板（１）との分離の際に熱的に誘導された横方向の歪みによって生じる半導体層（２）における亀裂が回避されるように小さく選択される。
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【課題】 パッケージに対する熱ストレスを抑え、レーザビームによって溶接することが可能なレーザ溶接装置、及びレーザ溶接方法を提供する。
【解決手段】 レーザ溶接装置は、例えば水晶デバイスなどが収納されたパッケージとリッドとを溶接する際に好適に用いられる。レーザ溶接装置は、レーザビームを照射し、ワークに対して溶接を行うレーザビーム出射手段を備える。照射位置変更手段は、レーザビームがワークに対して照射されている間に、その位置を変更していく。具体的には、照射位置変更手段は、レーザビームがワークに対して照射されている間に、レーザビームの照射位置を、パッケージの縁に沿って移動させる。ここで、レーザビームは、パルスレーザではなく、連続レーザである。連続レーザは、溶接のための照射時間の間、常に一定の出力を保つ。よって、連続レーザは、パッケージに大きな熱ストレスを与えるピークパワーを有さないので、パッケージにかかる熱ストレスを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】適切なレーザ照射条件を効率よく決定して、信頼性の高いレーザ加工を行うことが可能なレーザ加工方法およびそれに用いられるレーザ加工用治具を提供する。
【解決手段】加工対象にレーザ加工を行う際のレーザ加工条件を求めるための試験片１として、レーザ照射面１ａと、該レーザ照射面１ａと略直交する側面１ｂとを備えた透光性材料からなる試験片を用い、レーザ照射面１ａにレーザ光を照射した後、レーザ照射面１ａと略直交する側面１ｂから、レーザ照射による加工状態を確認し、加工状態とレーザ照射条件との関係から、実際の加工対象物にレーザ加工する際のレーザ照射条件を決定する。
試験片として、セットした姿勢のまま、所定の一方向および該一方向に直交する方向へのレーザ加工を行うことが可能なレーザ照射面と、レーザ照射による加工状態を確認することが可能な側面を有する直方体形状の試験片を用いる。 （もっと読む）

【課題】 液晶パネルからの液晶の分離を短時間に効率よく行うことができる液晶パネル処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶パネル処理方法は、チャンバー２０内に収容した液晶パネル１０を減圧加熱処理することで前記液晶パネル１０から液晶を分離するに際して、前記液晶パネル１０にレーザー光を照射することで、該液晶パネル１０に封止された液晶を前記チャンバーの内部空間２０ａに蒸散させるためのリーク路を形成することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 所定寸法の絶縁基板から可能な限り多くのチップ抵抗器が生産できて、抵抗ペーストの印刷に伴なう滲みやダレの防止が図れ、抵抗膜の厚さを均一にできて、保護コート膜の分断面及び絶縁基板分割に伴なう分割面の形状精度が良好な超小型且つ薄型のチップ抵抗器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 分割溝が予め刻設されていない絶縁基板を使用し、絶縁基板の所定領域に一対の電極膜を複数形成し、各一対の電極膜の一部に重畳するように帯状の抵抗膜を複数印刷した後に乾燥させ、乾燥した帯状の抵抗膜の不要部を除去し、除去後に残された抵抗膜を焼成し、抵抗膜の上に少なくとも保護コート膜を帯状に複数形成し、保護コート膜及び電極膜を縦横に所定の間隔で分断すると同時に絶縁基板にも分割溝を刻設することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 母基板の対向する一対の基板にそれぞれ赤外線のレーザ光を照射して基板をそれぞれ割断するため、光学系の構造が複雑化する。
【解決手段】 脆性材料製の第１，第２の基板２１，２２を重ね合わせた状態で所定間隔で複数箇所を貼り合わせて一体化させた母基板１にレーザ光を照射し、母基板１を割断するレーザ割断方法であつて、第２の基板２２の１辺を第１の基板２１の１辺から突出させて段差２を形成した状態で、第１，第２の基板の隣接する貼り合わせ部２３ａ，２３ｂの間の切断予定線３Ａ上に位置する初期クラック３Ａａを第１，第２の基板２１，２２の１辺に形成し、かつ、第２の基板２２の初期クラック３Ａａから赤外線のレーザＬを照射し、第２の基板２２の段差２部分を割断した後に、第１の基板２１の初期クラック３Ａａから赤外線のレーザＬを照射し、第１，第２の基板２１，２２を一体として割断する。 （もっと読む）

【課題】材質や線径の異なる複数の接続端子を溶接する場合でも、接続端子毎に溶接方法を変更することなく、各接続端子をバスバーに良好に溶接する。
【解決手段】銅系材料よりなる本体部１と、挿入孔３Ａ〜３Ｃをもつように本体部１から一体に隆起して筒状にそれぞれ突出するとともに各突出先端側に先端側溶融部をそれぞれもつ複数の筒状突起部５Ａ〜５Ｃとを有し、材質及び線径が互いに異なる複数の接続端子７Ａ〜７Ｃが各挿入孔３Ａ〜３Ｃにそれぞれ挿入された状態で、各先端側溶融部がレーザ光８によりそれぞれ溶融されることによって各筒状突起部５Ａ〜５Ｃと各接続端子７Ａ〜７Ｃとがそれぞれ溶接される。各筒状突起部５Ａ〜５Ｃは、各接続端子７Ａ〜７Ｃとの接合強度が所定値以上となるように、各接続端子７Ａ〜７Ｃの材質及び線径に応じて突出高さがそれぞれ調整されることにより先端側溶融部の長さがそれぞれ調整されている。 （もっと読む）

【課題】バスバーに対して高さ方向における位置決めを正確に行いつつ接続端子を簡易にセットすることができ、また良好に溶接することのできる電子機器用バスバー及びその電子機器用バスバーへの接続端子の接合方法を提供する。
【解決手段】銅系材料よりなる本体部２と、挿入孔３Ａをもつように本体部２から一体に隆起して筒状に突出するとともに突出先端側に先端側溶融部４Ａをもつ筒状突起部５Ａとを有し、接続端子７Ａが挿入孔３Ａに挿入された状態で、先端側溶融部４Ａがレーザ光８により溶融されることによって筒状突起部５Ａと接続端子７Ａとが溶接される。筒状突起部５Ａは、挿入孔３Ａを塞ぐように筒状突起部５Ａの突出先端に一体に設けられて先端側溶融部４Ａの一部を構成する、接続端子７Ａの先端面が当接可能な頂部１０Ａを有している。 （もっと読む）

【課題】 より精度高く、効率よく分割をするための加工を行えるような基板加工方法及
びその加工方法に基づいた、基板に形成される素子の製造方法を得る。
【解決手段】 基板１０を分割しようとする予定分割線のうち、第１の予定分割線と交差
してＴ字形状を成す第２の予定分割線に沿って、第１の予定分割線との交差地点から所定
の長さ及び深さでエッチング加工を行い、エッチング加工を行なっていない予定分割線の
部分に対して基板１０を分割するためのスクライブ、改質、切断等のレーザ加工を行うも
のである。 （もっと読む）