説明

Fターム[4E068DA09]の内容

レーザ加工 (34,456) | 特定物品 (3,814) | 電気部品 (2,281)

Fターム[4E068DA09]の下位に属するFターム

Fターム[4E068DA09]に分類される特許

541 - 560 / 709


【課題】レーザスクライブするとき、生産性良く改質部が形成できるスクライブ装置、基板の分断方法及び、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板41にレーザ光37を照射してスクライブするスクライブ装置及び基板の分断方法に係る。スクライブ装置は、レーザ光37を発光するレーザ光源と、基板41の内部にレーザ光37を集光して照射し、改質部45を形成する集光部8とを備えている。集光部8は、レーザ光37の光軸と直交する第1方向38に比べて、光軸及び前記第1方向38と直交する第2方向39に、レーザ光37の開口数が大きくなるように集光して基板41に照射する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程を簡略化する半導体装置の製造技術及び製造装置を提供して、製造コストを低減し、スループットを向上させる。
【解決手段】基板上に光吸収層、絶縁層が順次積層形成された被照射体に、マルチモードのレーザビーム及びシングルモードのレーザビームを重畳するように照射し、当該重畳するようにレーザビームが照射された被照射体の一部をアブレーションさせ、開口を形成する。 (もっと読む)


【課題】
燃料電池用電解質膜の切断において、電池反応を阻害するラジカルを発生させずに切断を可能とする燃料電池用電解質膜の切断装置を提供することにある。
【解決手段】
燃料電池用電解質膜の切断加工において、電解質膜の切断速度、スキャン回数、レーザ出力を変更可能なレーザ発振器を使用し、またレーザ種の選択により波長を選択することで切断時に電解質膜に与えるエネルギーを調整する。またレーザ光のエネルギーにより電解質膜を溶解もしくは消失することにより切断を行う。 (もっと読む)


【課題】加工幅が10μm以下の微細な透明電極構造を有しつつ、熱影響を抑制して優れた視認性を有するタッチパネル用透明電極付樹脂フィルムを作製することが可能なタッチパネルの製造方法と、当該方法により作成した透明電極付樹脂フィルムを用いることによって、良好な視認性及び入力性能を呈するタッチパネルを提供する。
【解決手段】透明導電膜付フィルムの加工に際し、レーザー加工装置1の焦点距離f12を調整し、加工幅半径wが焦点ビーム半径woより小さくなる条件範囲において、加工幅半径wを決定する(加工幅調節ステップ)。そして次に、レーザー強度を低減させ、レーザー強度のガウス分布において、ピーク値を低下させ、加工幅半径wの範囲におけるアブレーション加工に必要十分なレーザー強度を設定する(レーザー強度調節ステップ)。 (もっと読む)


【課題】大きな欠陥で覆われた画素を正確にレーザーリペアできる欠陥修正装置、欠陥修正方法、及びパターン基板の製造方法を得ること。
【解決手段】本発明にかかる欠陥修正装置23は、基板上に設けられた画素パターンのうちの欠陥画素に対して、レーザー光を照射することによって欠陥を除去するものである。これは、画素パターンの配置ピッチが設定される情報処理部22と、パターンマッチングによって得られた欠陥画素周辺の正常画素の位置と、画素パターンの配置ピッチとに基づいて決められた欠陥画素の位置にレーザー光の照射位置をアライメントするステージ21と、アライメントされた位置で、欠陥画素にレーザー光を照射するレーザー光源12とを備える。 (もっと読む)


【課題】微小サイズの半田付けを行うことができる半田付け方法等を提供する。
【解決手段】本発明に係る半田付け方法は、半田または半田付け対象物にレーザ光を照射して半田付けを行う方法であって、単一のコアを有し光増幅した光をシングルモードで出力する増幅用光ファイバ14と、増幅用光ファイバ14に入力させる種光を出力する種光源12とを含み、種光源12が出力した種光を増幅用光ファイバ14において光増幅して出力するファイバレーザ装置10と、ファイバレーザ装置10からの出力光を平行光にした後に集光レンズで集光して半田または半田付け対象物に照射する空間光学系30とを用い、ファイバレーザ装置10からの出力光をマイクロ秒以上のパルス幅の光または連続光として出力し、空間光学系30からの出力光を半田または半田付け対象物に照射することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 基板の上に成膜したアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射して多結晶半導体膜を形成したときの結晶性のむらを低減する。
【解決手段】 基板の上に成膜されたアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射し、該アモルファス半導体膜を溶融、結晶化させて多結晶半導体膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法であって、前記多結晶半導体膜を形成する工程は、前記アモルファス半導体膜が成膜された前記基板を回転させるとともに、該基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面と平行な一方向に相対移動させながら前記連続発振レーザを前記アモルファス半導体膜に照射して、微結晶または粒状結晶の集合で構成される多結晶シリコン膜を形成する工程であり、前記基板の回転軸は、該基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面の法線方向と概ね一致しており、かつ、前記基板上を通る表示装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】レーザスクライブするとき、レーザ光による損傷が防止できる基板の分断方法、電気光学装置の製造方法及びレーザスクライブ装置を提供すること。
【解決手段】集光レンズ8により集光されたレーザ光43を第1基板35の内部に照射して改質部44を形成する。第1基板35には、第2基板36が接着され、第2基板36には光学薄膜38が形成されている。第2基板36にマスク41を重ねて、マスク41を通してレーザ光43を照射する。マスク41は、光学薄膜38の形状に遮光部41a,41bが形成され、遮光部41a,41bが光学薄膜38を覆うように配置する。レーザ光43を照射するとき、マスク41の上からレーザ光43を照射する。 (もっと読む)


【課題】電極部材とチップとのより接合強度を確実に確保することもできるスパークプラグ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第1工程S10において、フランジ部1bと、フランジ部1bの一面1cから突出する凸部1aとからなるチップ1を製作する。第2工程S20において、中心電極30及び接地電極40の少なくとも一方における電極母材の放電ギャップ側の接合面32、42にフランジ部1bの他面1dを抵抗溶接により仮止めする。第3工程S30において、凸部1aの側面の仮想延長線とフランジ部1bの他面1dとの交点より他面1d上の内側に溶融部3が存在するように接合面32、42にフランジ部1bをレーザにより溶接する。 (もっと読む)


【課題】レーザスクライブするとき、レーザ光が構造物による影響を受けにくい基板の分断方法、電気光学装置の製造方法及びレーザスクライブ装置を提供する。
【解決手段】基板66と基板67とが接合された基板65に集光レンズ20a,20b,20e,20f,20i,20jからレーザ光70を集光して光集中部24に照射する。集光レンズ20f,20jから照射するレーザ光70は基板65に対して基板65の厚さ方向から照射される。集光レンズ20a,20b,20e,20iから照射するレーザ光70は基板65の厚さ方向に対して斜めの方向から照射される。レーザ光70が照射される光集中部24には改質部71が形成され、改質部71の中央にはクラック部72が形成される。H切断予定面68に沿って改質部71を配列して形成して、レーザスクライブする。基板65を弾性のある台上に配置し、応力を加えて分断する。 (もっと読む)


【課題】薄膜が形成された基板にレーザ光を照射して薄膜の一部を除去するにあたり、薄膜を除去したい除去領域以外への熱影響を抑えて基板の割れ(クラック)の発生を防止すると共に、単位時間当たりの処理面積を向上させることができるようにした薄膜除去方法及び薄膜除去装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係る薄膜除去方法では、基板2の薄膜1を除去したい除去領域11に赤外波長域のレーザ光3を照射するにあたり、赤外波長域のレーザ光3を照射する前か、あるいは赤外波長域のレーザ光3の照射と同時にまたは本質的同時に、上記除去領域11の境界となる部位12a,12bに紫外波長域のレーザ光4a,4bを照射する。 (もっと読む)


【課題】処理工程が少なく、製品単価を低減させることができるようにする。
【解決手段】パルス状のレーザを周波数fで出力するレーザ発振器8、レーザの外形を三角形、四角形又は六角形のいずれかに整形するマスク13、レーザを時間分岐して周波数がf/NであるN個のレーザとするN個の時間分岐手段10、時間分岐されたレーザを位置決めするN対の位置決め手段29,30、レーザを集光する1個の集光レンズ32、ワークを移動させる回転ドラム18、時間分岐手段10、N対の位置決め手段29,30及び台座19の移動装置を制御する制御手段を設け、N対の位置決め手段29,30をレーザが予め定める位置に照射されるように位置決めした後、台座19を移動させ、この状態で時間分岐手段10を予め定める順序で動作させ、複合シートAに、外形がマスク13で定まる穴を隣接する穴の各辺間の距離が互いに等しくなるよう加工する。 (もっと読む)


【課題】レーザ照射によって金属ケースの外表面に印字された文字や図形を明確に視認することができる電子部品の金属ケースを提供すること。
【解決手段】金属材料で形成され、外表面3が不均一な微細な凹凸形状をなし、電子部品1の外装として用いられる電子部品1の金属ケース2であって、外表面3の少なくとも一部に、レーザ照射によって均一な深さに形成される複数の第1凹部7によって下地領域6を形成するとともに、この下地領域6内に、レーザ照射によって形成され、かつ光の反射濃度が第1凹部7と異なる第2凹部8によって文字4や図形を印字した。 (もっと読む)


【課題】本発明は、乾式で、インラインでの生産が可能な新規な電磁波遮断シートの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第1の基材上に導電性物質を含んでなる導電性層を形成してなる導電性シートに、レーザを集光させて前記導電性層を除去し、導電性パターンを形成する第1の工程と、
前記導電性パターン間に、樹脂を充填する第2の工程とを含む電磁波遮蔽材の製造方法。
第1の基材が、剥離処理されているものである上記電磁波遮断材の製造方法。
剥離処理が、エネルギー線により粘着性が消失する粘着剤処理である上記電磁波遮断材の製造方法。
第2の工程が、第2の基材上に樹脂層を形成したシートに、導電性パターンを形成した導電性シートを圧着させるものである上記電磁波遮断材の製造方法。
さらに、第2の工程の後に、第1の基材を剥離する第3の工程を含む上記電磁波遮断材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】複数本の線と複数の端子部材を一括で溶接接合することにより生産性及び歩留まりを向上させたレーザ溶接装置及びレーザ溶接方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るレーザ溶接装置は、複数の端子部材それぞれに線を一括で溶接によって接合するレーザ溶接装置であって、半導体レーザ101と、前記半導体レーザによって出力されたレーザビーム105aから平行ビーム105bを形成するコリメートレンズ102と、前記コリメートレンズによって形成された平行ビームを複数の集光ビーム105cに集光させるマイクロレンズアレイ103と、前記マイクロレンズアレイによって集光される集光ビームの位置に、前記複数の端子部材及び前記端子部材それぞれ上に配置された線が配置されるように、前記端子部材及び前記線を有する被溶接接合物104を載置する載置台と、を具備することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】脆性材料にレーザビーム照射による加熱によって熱応力を惹起し、脆性材料の全厚さにわたるスクライブを発生させ、このスクライブのみにより脆性材料を割断する。
【解決手段】脆性材料のレーザビームに対する吸収係数を制御し、同ビームが材料の全厚さを透過するか、あるいは裏面まで透過しなくとも十分な深さまで透過し、熱応力起因のスクライブ面を材料の全厚みで発生させる。吸収係数の制御は、脆性材料にレーザ光を吸収発熱し、かつ可視域の透過特性に影響せず、表示器用ガラスの表示特性を悪化させない照射レーザ光吸収用不純物を添加することによって実現する。また、蛍光発光防止のためには消光用不純物を添加する。 (もっと読む)


【課題】レーザスクライブするとき、レーザ光による損傷が防止できる基板及びその分断方法、電気光学装置及びその製造方法、電子機器を提供すること。
【解決手段】基板39に光透過性の導電膜からなる配線41及び電極端子42等を形成する。基板38と基板39とを接着剤37にて接合する。基板38において、配線41及び電極端子42と対向する場所に分断予定線55a,55bを設定する。レーザ光56を集光レンズ8にて集光し、基板38に設定されている分断予定線55a,55bに沿って、照射する。基板38内にレーザ光56が集光して照射される場所には改質部57が形成される。集光レンズ8と基板38とを相対的に移動して改質部57を配列して形成する。改質部57が配列されているスクライブ面59a,59bに沿って応力を加え、基板38を分断する。 (もっと読む)


制御方法によれば、レーザビーム24の伝送が、基準点28とレーザビーム24の源22の間に配置されたレーザビーム24をマスキングするための手段30の助力によって、周期的に中断される。さらに、レーザビーム24の源22の伝達パワーが、最小値と最大値の間で変動させられ、したがってレーザビーム24の源22の最小パワーでの放射時間が、マスキング手段30によるレーザビーム24のマスキング時間と実質的に一致する。最小値が、レーザビーム24の源22の最大放射パワーの少なくとも10%に等しく、最大値が、多くともその90%に等しいことが好ましい。
(もっと読む)


【課題】照射されたレーザ光により、レーザ加工する基板以外に損傷が生じ難いレーザ照射装置、レーザスクライブ方法、電気光学装置の製造方法、加工生産物を提供すること。
【解決手段】レーザ照射装置100は、波長分散特性を有するパルスレーザ光を射出するレーザ光源101と、集光レンズ103と、少なくとも1つは厚みが異なる複数の領域を有する軸上色収差拡大部としての回転体106と、複数の領域のいずれかが集光レンズ103とマザー基板1との間の光軸101a上に配置されるように回転体106を駆動可能なサーボモータ105と、マザー基板1が載置されるステージ107をX軸方向およびY軸方向に移動可能なX軸スライド部110およびY軸スライド部108と、集光レンズ103に対するマザー基板1の相対移動に同期して、複数の領域のいずれかを選択しレーザ光を照射するように、各構成部を制御するメインコンピュータ120とを備えた。 (もっと読む)


【課題】高い生産性で加工対象物のスクライブが可能なレーザ照射装置、このレーザ照射装置を用いたレーザスクライブ方法および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】レーザ照射装置100は、レーザ光を射出するレーザ光源101と、複数の集光レンズを有する集光機構103と、複数の集光レンズのいずれかがレーザ光の光軸101a上に配置されるように集光機構103を駆動する駆動部としてのサーボモータ104と、加工対象物としての基板Wの内部にレーザ光の集光点が位置するように、集光機構103を光軸101a方向に移動可能な第1の移動機構としてZ軸スライド機構104cと、基板Wが載置されるステージ105をレーザ光の光軸101aと略直交する平面内で相対的に移動可能な第2の移動機構としてのX軸スライド部108およびY軸スライド部106と、上記各構成を制御する制御部としてのメインコンピュータ120とを備えた。 (もっと読む)


541 - 560 / 709