【課題】１回のレーザ照射に必要なレーザ光強度を低く抑えたスクライブが可能となるレ
ーザスクライブ方法、表示装置の製造方法、基板、表示装置、電子機器を提供する。
【解決手段】基板３４の片面に膜３５を形成する。レーザ光３６を膜３５の近傍に集光し
て、改質部３７を形成する。改質部３７は中心にクラック部３８が形成され、その周囲に
光吸収部３９が形成される。集光レンズ８と基板３４とを相対移動して１層目の改質部３
７を形成する。１層目の改質部３７の光吸収部３９にレーザ光３６を集光して２層目の改
質部３７を形成する。順次繰り返し、改質部３７の面を形成する。改質部３７の面に沿っ
て、基板３４の厚み方向に局所的な力を加えて基板３４を分断する。 （もっと読む）

【課題】大板の基板から電気光学装置に用いる基板を分断する際、分断の際、起点となる分断起点領域の深さが設定深さに形成されているかを容易に確認することができる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】マザー基板の内部の設定深さにおいて第１の改質領域を分断予定線に沿って形成して、分断の際の起点となる分断起点領域を形成する分断起点領域形成工程（ステップＳ２、Ｓ５、Ｓ８、Ｓ１１）と、分断起点領域と同じ設定深さにおいて、マザー基板の内部に、第１の改質領域よりも大きな第２の改質領域を形成して、指標を形成する指標形成工程（ステップＳ１、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１２）と、指標の深さを確認することにより、形成された分断起点領域の少なくとも深さを推定して確認する分断起点領域確認工程（ステップＳ１３〜Ｓ１６）とを具備していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハイピクセルをより精密に修理することができる表示装置のピクセル修理装置を提供する。
【解決手段】フェムト秒レーザービームを生成するレーザー発生器と、前記フェムト秒レーザービームの強度を均一にする均質機と、前記フェムト秒レーザービームを集束させ、その焦点レベルを表示パネルアセンブリの、画面全体を黒くして画素の不良の有無を確認する時、液晶層に異物が存在したり、配線の断線または短絡などによって、不良部分が明るく光るいわゆるハイピクセル（ｈｉｇｈ ｐｉｘｅｌ）現象の発生位置に合わせる集束器とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工により発生する加工飛散物を効率よく除去、回収し、加工対象物に付着するデブリを削減する。
【解決手段】加工対象物７に照射されるレーザ光を透過する透過窓９と、レーザ加工ヘッド１１の底部１０に透過窓９を透過したレーザ光を通す開口部２０と、加工対象物７のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を外部へ排出する排気孔１６と、加工対象物７のレーザ光照射領域近傍に気体を導入する第１通気孔１８と、該第１通気孔１８と対向する位置に設けられ加工対象物７のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を排出する第２通気孔１７とを有するレーザ加工ヘッドを備える。そして、加工対象物７のレーザ光照射領域より発生する加工飛散物２１を、レーザ加工ヘッド１１の底部１０に設けられた開口部２０と連通する排気孔１６及び第２通気孔１７より排気する構成とする。 （もっと読む）

【課題】容易に基板を分割することができる基板分割方法、基板分割装置、レーザスクライブ装置、電気光学装置、電子機器を提案する。
【解決手段】本発明では、基板１０に形成された機能部としての液晶表示パネル２０の区画形成領域に沿ってレーザ光５９を照射して、当該レーザ光５９が照射された部分に改質層Ｒｃを形成するレーザ照射工程（図７（ａ））と、液晶表示パネル２０の平面外形の大きさに対応した抜き穴としての貫通穴１２０を備えたステージ８１の上に、液晶表示パネル２０の位置が貫通穴１２０の位置に対応するように基板１０を載置する載置工程（同図（ｂ））と、液晶表示パネル２０が貫通穴１２０に倣って基板１０から分割されるように、液晶表示パネル２０を押し圧する押圧工程（同図（ｃ））とを有する。 （もっと読む）

【課題】生産性及び歩留まりを向上させることができると共に、電気的動作性能及び信頼性が高い半導体装置を得ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ３と、その半導体チップ３上に形成されリードフレーム４と電気的に接続されるソース電極３ａ、ゲート電極３ｂとを有する。電極３ａを、リードフレーム４の端部に形成された薄膜形状の接続部４ａとレーザ溶接することで、リードフレーム４と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】レーザ反射率や熱伝導率の異なる異種金属同士を高品質にかつ効率よく重ね溶接することができるレーザ接合方法を提供する。
【解決手段】鉄系材料からなる下板１０と、鉄系材料よりもレーザ反射率および熱伝導率が高い銅系材料からなる上板１１とを重ね合せ、上板１１側からレーザＬを照射して両板を重ね溶接するレーザ接合方法において、予め上板１１に凹穴１２を形成し、この凹穴１２の底に照射パターンが形成されるようにレーザＬを照射して、凹穴１２の底の薄肉部分１２ａを集中的に加熱溶融する。薄肉部分１２ａを加熱溶融するので、それほどレーザのエネルギー密度を高くしなくても上板１１を効率よく加熱溶融でき、これにより下板１０側でエネルギーオーバーになることはなくなり、下板１０における孔明きが防止され、また、ブローホールの発生原因となる低沸点成分のガス化も抑制される。 （もっと読む）

【課題】基板を高速かつ容易に被加工基板を割断することができる割断装置と、割断方法を提供すること。
【解決手段】本発明の割断装置１０は、被加工基板６０を保持する基板ホルダ５１と、基板ホルダ５１に保持された被加工基板６０に対して移動するとともに、被加工基板６０の上基板６１の割断予定線７１にレーザ光を照射して局部的に加熱する加熱部３０と、基板ホルダ５１に保持された被加工基板６０に対して移動するとともに、加熱部３０によって局部的に加熱された上基板６１の割断予定線７１を、局部的に冷却する冷却部４０と、被加工基板の貼合部材に沿って下基板６２側に配置されたシースヒータ（加熱機構）２ａとを備えている。割断装置１０は、被加工基板６０のうち割断予定線７１近傍において、上基板６１に対して下基板６２を高温とし、上基板６１のうち割断予定線７１近傍に、上基板６１と下基板６２との間の温度差による応力を発生させる。 （もっと読む）

本発明は、一般に、太陽電池、太陽電池内部の材料層、太陽電池の生産方法、および太陽電池生産用の製造装置に関する。本発明による太陽電池は、表面を有してレーザーアブレーションによって生産される少なくとも１つの層を備え、生成される均一な表面積が少なくとも０．２ｄｍ²の領域を含み、パルスレーザビームが当該レーザービームを反射するための少なくとも１つのミラーを有する回転式光学スキャナで走査される超短パルスレーザーデポジションを用いることによって、層が生成されている。 （もっと読む）

【課題】より簡略化したプロセスで自在に形成することができる光の屈折率が変化した層を備えた基板、このような基板を備えた電気光学装置および電子機器、基板の製造方法、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置２０は、一対の基板１，２と、一対の基板１，２によって挟持されシール材３によって封着された液晶４と、２つの防塵ガラス１１，１２とを備えている。一対の基板１，２と光が入射する側の防塵ガラス１２の内部に集光点を結ぶようにレーザ光を照射して多光子吸収を発生させ、各基板１，２，１２の内部に表示領域Ｄを囲むように額縁状にそれぞれ遮光性を有する改質層７，８，１３を形成した。各改質層７，８，１３は、各基板１，２，１２の液晶４側に面する表面から僅かに離間した位置を始点として形成した。 （もっと読む）

【課題】レーザー熱転写法による有機膜層形成時の転写効率を極大化し、転写層パターンの品質を向上させることができるレーザー照射装置及びこれを利用した有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザー照射装置は、レーザービームを発生させるレーザーソース３１０；前記レーザーソースの下部に位置しており、前記レーザービームをパターニングするマスク３２０；及び、前記マスク下部に位置して、前記マスクを通過したレーザービームの倍率を決定する投影レンズ３３０を含み、前記マスクを透過したレーザービームは少なくとも２領域以上で異なるドーズを有することを特徴とする。これによって、前記レーザー照射装置を利用した有機電界発光素子の有機膜層形成時、転写効率を極大化して転写層パターンの品質を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】より簡略化したプロセスで自在に形成することができる光の屈折率が変化した層を備えた基板、このような基板を備えた電気光学装置および電子機器、基板の製造方法、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置２０は、一対の基板１，２と、一対の基板１，２によって挟持されシール材３によって封着された液晶４と、２つの防塵ガラス１１，１２とを備えている。一対の基板１，２と光が入射する側の防塵ガラス１２の内部に集光点を結ぶように各基板１，２，１２に対して斜め方向からレーザ光を照射して多光子吸収を発生させ、各基板１，２，１２の内部に複数の画素電極５が配置された表示領域Ｄを囲むように額縁状にそれぞれ傾斜した改質層７，８，１３を形成した。各改質層７，８，１３は、各基板１，２，１２の液晶４側に面する表面から僅かに離間した位置を始点として形成した。 （もっと読む）

【課題】所望の微細パターンを高いスループットにより再現性良く被加工体の表面又は内部に形成することが可能な微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の微細構造体の製造方法は、入射レーザービームを、回折光学素子１４を用いて複数の回折ビームに分岐する工程と、前記分岐した複数の回折ビームを、テレセントリックレンズ１５により集光して互いに平行な回折ビームとする工程と、前記互いに平行となった各回折ビームを、複数のアキシコンがアレイ状に配置されてなるアキシコン集合体１６へ、各回折ビームの中心と各アキシコンの中心とが一致するように面垂直に入射させ、複数のアレイ状のベッセルビームを形成する工程と、前記複数のアレイ状のベッセルビームを被加工体に照射する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 光学系の光路長を短縮したり、照射面におけるレーザ光の長さを長くすると、前記レーザ光の両端がぼける場合がある。
【解決手段】
光学系の光路長を短くしたり、照射面におけるレーザ光の長さを長くすると、レーザ光のレンズに対する入射角度や入射位置によって集光位置が異なってしまう現象（像面湾曲）が生じる。そこで、本発明は、凹レンズや凹シリンドリカルレンズなど負のパワーを有する光学素子を挿入して、レーザ光の光路長を制御し、集光位置を照射面に一致させて、前記照射面上に像を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】吸引ノズルを熱光線の光路の妨げになることなく基材の被処理位置に出来るだけ近づけて配置可能にするとともに熱光線による高温化を防止し、かつ内壁の汚れ確認を容易化する。
【解決手段】半導体ウェハからなる基材９０を支持部としてのステージ１１上に配置する。この基材９０の外周部の被処理位置Ｐに輻射加熱器３０からの熱光線Ｌを局所的に照射する。好ましくは、被処理位置Ｐに吹出しノズル２１からオゾン等の反応性ガスを吹き付ける。被処理位置Ｐの近傍を吸引ノズル２２にて吸引する。この吸引ノズル２２を透光性材料にて構成する。好ましくは、吹出しノズル２１をも透光性材料にて構成する。 （もっと読む）

【課題】素子特性を劣化させない光電変換効率の優れた太陽電池モジュールの製造方法の提供。
【解決手段】透明基板上に、導電性透明電極膜を形成するステップと、前記導電性透明電極膜に溝を形成して、複数の領域に分割する第１分割ステップと、前記透明基板上に、シリコン系薄膜半導体膜層を形成するステップと、前記シリコン薄膜系半導体層膜に溝を形成して、複数の領域に分割する第２分割ステップと、前記透明基板上に、金属電極膜を形成するステップと、前記金属電極膜に溝を形成して、複数の領域に分割する第３分割ステップと、を具備し、前記第１、第２、及第３の分割ステップの少なくとも１つは、溝を形成するレーザービーム照射ステップを含み前記ビーム照射ステップは、溝に直交する方向の両端部となる部分を、カットオフするカットオフステップと、カットオフされた後の前記レーザービームを、分離すべき膜に照射する照射ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】被加工物に照射されるレーザビームのビームモードのくずれによって発生するレーザ加工形状の不具合発生を防止できるレーザ加工装置を提供することを目的とする。
【解決手段】レーザ発振器１から出射されたレーザビームをガルバノミラー４で反射させ、この反射されたレーザビームを集光光学部品であるｆθレンズ５を用いて被加工物７の表面に集光させると共に、ガルバノミラー４で反射されたレーザビームの光路内に、ビームプロファイラ６を挿脱可能に配置する構成とした。 （もっと読む）

【課題】微細な金メッキ剥離加工を効率よくかつ高精度に行う。
【解決手段】出射ユニット１６は、ＹＡＧレーザ発振器より光ファイバ１８を介して受け取ったＹＡＧ第２高調波のレーザ光ＳＨＧをユニット内の光学レンズに通して先端の出射口より出射し、各コンタクトＷに設定された剥離領域ＨＥ内に扁平度の高い楕円状ビームスポットＳＰ_SHGで集光照射する。剥離領域ＨＥにおいては、楕円状ビームスポットＳＰ_SHG付近で金メッキ層１２がレーザエネルギーにより一瞬に蒸発して除去される。剥離領域ＨＥ内の金メッキ層１２をほぼ隈なく除去するために、ＹＡＧ第２高調波レーザ光ＳＨＧと加工対象のコンタクトＷとの間で楕円状ビームスポットＳＰ_SHGの長軸方向に対して所望の角度をなす方向に相対移動（走査）が行われる。 （もっと読む）

【課題】被トリミング素子の確実な溶断と下地基板のダメージ低減とを同時に実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】下地基板１０上に被トリミング素子２０が配置されており、当該素子２０に被さるように絶縁層３０が配置されている。絶縁層３０はシリコン酸化膜３１から成り、具体的にはＢＰＳＧ等のリンを含有したシリケートガラスが好ましい。酸化膜３１において被トリミング素子２０上の厚さｄは約９０〜２７０ｎｍであり、酸化膜３１は被トリミング素子２０上においてトリミング用レーザーに対して約８０％以上の透過率を有する。絶縁層３０として被トリミング素子２０上での厚さｄが約６５〜１９５ｎｍ程度のシリコン窒化膜を用いても上述の約８０％以上の透過率が得られる。被トリミング素子２０の下に回路素子１４が配置されている。被トリミング素子２０と酸化膜１２との間にシリコン窒化膜を配置してもよい。 （もっと読む）

【課題】複数の層を有する層状基板を、各層への損傷を低く抑えつつ効率的に分割する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第１基板２ａ、第２基板１６及び第３基板１ｗのそれぞれを層の一つとして含み、前記第１基板２ａと前記第３基板１ｗとの間に前記第２基板１６が位置するように構成された層状基板３０に、前記第１基板２ａ及び前記第２基板１６のそれぞれに対して透過性を有するレーザ光を、前記第１基板２ａ側から照射して、前記第１基板２ａ及び前記第２基板１６のそれぞれの厚み方向に改質部Ｒｃを形成する工程と、前記第１基板２ａ及び前記第２基板１６に外力を加えて、前記第１基板２ａ及び前記第２基板１６を前記改質部Ｒｃで分割する工程と、を含む。 （もっと読む）