【課題】薄型化しながらも物理的強度特性に優れたＩＣチップを提供することにあり、これにより、ＩＣチップをアンテナシートに実装し、インレットを形成した際に、ＩＣチップ部分を樹脂封止等しなくとも破損を防止するだけの強度を有すると共に、ＩＣ媒体表面の平滑性に優れる信頼性の高いＩＣ媒体を提供する。
【解決手段】集積回路及び接続端子が形成されたシリコンウエハ２の片面に接着層３を介して補強板４を貼り合わせた積層体形成し、これをダイシングして、ＩＣチップに個片化する際に、少なくとも補強板４及び接着層３のダイシングにレーザ６を用い、該接着層の該レーザ６に対する吸光度を０．６以上とするため、接着層３に着色剤を含有する。 （もっと読む）

【課題】加工不具合の発生を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】本実施形態では、レーザ光Ｌを加工対象物１に集光させながら該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って移動させることにより、加工対象物１内におけるレーザ光照射面としての表面３から所定距離の位置に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有する複数の改質スポットＳを形成し、これら複数の改質スポットＳにより切断の起点となる改質領域７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 チッピングやクラッキングの発生を防止して、基板を薄型化し且つ基板を分割することのできる切断起点領域の形成方法を提供する。
【解決手段】 基板３の内部に集光点を合わせて、集光点でのピークパワー密度が１×１０^８Ｗ／ｃｍ^２以上となるようにしてレーザ光を照射し、基板３の内部に切断予定ラインに沿った改質領域１３を形成し、この改質領域１３を切断起点領域として、基板３を分割するための当該切断起点領域の形成方法であって、切断予定ラインは格子状に設定されており、切断起点領域を、基板３の厚さ方向における中心位置から基板のレーザ光照射面側に偏倚して形成し、切断起点領域を起点として格子状の切断予定ラインに沿って発生する割れを基板３のレーザ光照射面には到達するが、基板３の反対側面には到達しないようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ素子の溶断を安定して行え、かつ溝の位置がずれてもヒューズ素子が溝から露出することを抑制できるようにする。
【解決手段】ヒューズ素子４００は絶縁膜１００に覆われている。溝１０２は、絶縁膜１００に形成されており、平面視でヒューズ素子４００の隣に位置している。溝１０２は、底部がヒューズ素子４００の底部より下に位置している。そして平面視で、溝１０２のうちヒューズ素子４００に面する側の側面からヒューズ素子４００までの第１距離ｄ_１は、ヒューズ素子が延伸する第１方向Ｙに沿って変化している。 （もっと読む）

【課題】加工物の表面は同一時間にカットした１本の整一な凹み溝を形成し、カット時間を有効に短縮できるウェハーのレーザーカットシステムを提供する。
【解決手段】レーザービームを発振するレーザー光発振器を有し、かつレーザービームの進路に順を追って調節レンズ組と、光よけおよび焦点レンズを備えるカットレンズ組をそれぞれ配置し光よけに中空部を設ける。調節レンズ組はレーザービームの直径を調節し平行ビームとして投射する。平行ビームは光よけの中空部によって投射された後に、中空部と同じ形状の整形ビームが形成され整形ビームを焦点レンズに投射させる。焦点レンズによって整形ビームを集光し、加工物の表面にカット線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 チッピングやクラッキングの発生を防止して、基板を薄型化し且つ基板を分割することのできる切断起点領域形成の制御装置を提供する。
【解決手段】 照射するレーザ光の集光点Ｐが基板１の内部の所定の位置となるように、レーザ光源１０１の集光点Ｐと基板１の載置台１０７との基板厚さ方向の相対位置を設定する手段と、設定された基板厚さ方向の位置を保って、レーザ光源１０１と載置台１０７とを格子状の切断予定ライン５に沿って相対移動させる手段と、集光点Ｐでのピークパワー密度が１×１０^８Ｗ／ｃｍ^２以上となるようにしてレーザ光を基板１に照射して、基板の厚さ方向における中心位置から、基板１のレーザ光照射面側に偏倚した基板内部位置に、改質領域を形成し、改質領域を切断起点領域とする割れを、基板１のレーザ光照射面には到達するが、基板の反対側の面には到達しないように発生させる手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コストアップを招くことなく、高速かつ高い精度で太陽電気基板等の積層基板に対してパターニング加工できるようにする。
【解決手段】このパターニング装置は、所定の間隔をあけて配置された１対の支持部１と、ガイドバー２と、加工ヘッド３と、ローラステージ４と、搬送機構５と、を備えている。ガイドバー２は、１対の支持部１の間に配置されるとともに両端がそれぞれ１対の支持部１に支持され、下方を積層基板が通過可能である。加工ヘッド３は、ガイドバー２に装着され、薄膜層をパターニングするためのものである。ローラステージ４は、１対の支持部１の間において加工ヘッド３に対向して配置されるとともに１対の支持部１に回転自在に支持され、外周面に積層基板が載置される。搬送機構５はローラステージ４上に載置された積層基板を搬送する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の軽量化を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、主面側に回路が形成された半導体ウエハの裏面にレーザー透過性の裏面保護テープ６７を貼着した状態で、裏面保護テープ６７越しに半導体ウエハの裏面にレーザー６９を照射することによって半導体ウエハの裏面にマーキングをし、そのマーキングの前又は後に、半導体ウエハを複数の半導体チップ１１に個片化し、マーキング及び個片化の後に、複数の半導体チップ１１を裏面保護テープ６７から剥離することとした。 （もっと読む）

【課題】 III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することを可能にするレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置１００は、基板の表面上にIII−V族化合物半導体からなる半導体層が積層され、且つ基板に達しない溝が切断予定ライン５に沿って半導体層に形成されたウェハ２に、レーザ光Ｌを照射することにより、切断の起点となる改質領域をライン５に沿って基板の内部に形成する。装置１００は、ウェハ２が載置される載置台１０７と、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌをウェハ２に集光する集光用レンズ１０５と、ウェハ２を撮像し、溝が撮像された撮像データを取得する撮像素子１２１と、撮像データに基づいて、溝に対して所定の位置に改質領域が形成されるように、載置台１０７及びレーザ光源１０１を制御する制御部１２７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】加工後の加工対象物における強度及び品質を向上させる。
【解決手段】本実施形態では、加工対象物１にレーザ光を照射することにより、加工対象物１の刳貫き部分Ｑ１，Ｑ２の外形に沿って改質領域７を形成した後、加工対象物１にエッチング処理を施すことにより、改質領域７に含まれる又は改質領域７から延びる亀裂に沿ってエッチングを選択的に進展させ、そして、刳貫き部分Ｑ１，Ｑ２を加工対象物１から離間移動させる。ここで、改質領域７は、刳貫き部分Ｑ１，Ｑ２の外形に沿って繋がるよう形成されると共に、加工対象物１の表面３側にて露出される。このように、本実施形態においては、外部応力を印加することなく刳貫き部分Ｑ１，Ｑ２を加工対象物１から刳り貫くよう加工できると共に、エッチング処理によって、改質領域７の形成に伴って生じる亀裂を除去できる。 （もっと読む）

【課題】切断面に割れや欠けを生じさせること無く単結晶基板を切断可能であり、かつ、切断時に単結晶基板に強いダメージが加わることが無い単結晶基板の切断装置、単結晶基板の切断方法を提供する。
【解決手段】カッティングライン２５の加工幅ｔ１よりも外側領域まで、レーザ光源装置１２からレーザー光線ＬＲを照射する。このレーザー光線ＬＲの照射幅ｔ２は、カッティングライン２５の加工幅ｔ１よりも広くなるように設定する。即ち、レーザー光線ＬＲは、カッティングライン２５のエッジを越えて、半導体チップ２０の形成領域の端部まで細長く照射する。この照射によって単結晶が多結晶化または非晶質化した改質領域Ｓｎを形成し、そこをブレード１１で切断する。 （もっと読む）

【課題】加工不具合の発生を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置３００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源２０２と、レーザ光Ｌを支持台上の加工対象物１の内部に集光させる集光光学系２０４と、支持台を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光源２０２及びステージ１１１を制御する制御部２５０と、を備えている。この制御部２５０は、レーザ光Ｌを加工対象物１に集光させながら該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って移動させることにより、加工対象物１内におけるレーザ光照射面としての表面３から所定距離の位置に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有する複数の改質スポットを形成させ、これら複数の改質スポットにより改質領域７を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 レーザ加工によって半導体ウェーハの深さ方向の任意の位置にアライメントマークを形成することが可能な半導体ウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る半導体ウェーハの製造方法は、半導体ウェーハ２０の両面２０ａ，２０ｂのいずれか一方の面２０ａから、該半導体ウェーハの任意の所定深さ位置２１に焦点を合わせてレーザ光線１０を照射することにより、所定深さ位置２１にある半導体ウェーハの特定部分のみに多光子吸収過程を生じさせて、半導体ウェーハ２０の位置合わせを行うためのアライメントマーク２２を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被照射物内に厚さのばらつきが存在する場合であっても、被照射物に対してレーザ光の照射を均一に行うレーザ光の照射方法を提供する。
【解決手段】厚さのばらつきが存在する被照射物にレーザ光を照射する際に、オートフォーカス機構を用いることによって、被照射物の表面にレーザ光を集光するレンズと被照射物間との距離を一定に保ちながらレーザ光の照射を行う。特に、レーザ光に対して被照射物を被照射物の表面に形成されたビームスポットの第１の方向および第２の方向に相対的に移動させて、被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、第１の方向および第２の方向のいずれかの方向に移動させる前にオートフォーカス機構によってレンズと被照射物間との距離を制御する。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池等の積層基板の金属膜に溝を形成する際に、容易にかつ精度よく溝加工が行えるようにする。
【解決手段】この溝加工方法は、集積型薄膜太陽電池等の積層基板に形成された金属薄膜の一部を除去して溝を形成するための溝加工方法であって、以下の工程を含んでいる。
（ａ）金属薄膜の溝予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、金属薄膜を溶融させることなく溝加工予定ラインに沿って熱応力を与えるレーザ光照射工程。
（ｂ）レーザ光が照射された溝予定ラインに沿ってメカニカル工具によって金属薄膜を除去し、溝を形成するメカニカルスクライブ工程。 （もっと読む）

【課題】太陽電池基板の積層膜を所定パターンにパターニングできたかどうかを、ライン工程においても確実かつ簡単な構造で判定することができる、レーザースクライブ装置を提供することにある。
【解決手段】このレーザースクライブ装置１０は、基板１上に、電極層３と、少なくとも１つの光電変換層５と、透明電極層８とが積層されてなる太陽電池基板の積層膜を、前記透明電極層側８から入射するレーザー光により切断してパターニングするものであって、前記レーザー光を照射するレーザー光照射手段１２と、前記レーザー光の反射光を検出して切断の良否を判定する検査手段１４とを有している。 （もっと読む）

【課題】チャックテーブルに保持された半導体ウエーハ等の被加工物の上面位置を計測する計測装置および計測装置を装備したレーザー加工機を提供する。
【解決手段】発光源からの光を第１の経路に導くとともに第１の経路を逆行する反射光を第２の経路に導く第１の光分岐手段と第１の経路に導かれた光を平行光にし、この平行光を第３の経路と第４の経路に分ける第２の光分岐手段と第３の経路に配設され第３の経路に導かれた光を被加工物に導く対物レンズと、第２の光分岐手段と対物レンズとの間に配設された集光レンズと、第４の経路に導かれた平行光を反射し、この反射光を逆行せしめる反射ミラーと、第２の経路に導かれた反射光を回折する回折格子と、回折光の所定の波長域における各波長の逆数の光強度を検出するイメージセンサーと、検出信号からの分光干渉波形と理論上の波形関数に基づくフーリエ変換理論による波形解析を実行する制御手段とを具備している。 （もっと読む）