本発明は半導体材料を照射するための装置に関し、本装置は、一次レーザービームを生成するレーザーと、光学系と、一次レーザービームを複数の二次レーザービームに成形するための複数の開口部を含む一次レーザービーム成形手段と、を含み、個々の開口部の形状および／またはサイズは照射対象半導体材料層の共通領域の形状および／またはサイズに対応し、光学系は、共通領域を照射するために二次レーザービームを重ね合わせるのに適合している、ことを特徴とする。さらに、本発明は、半導体デバイス製造におけるこのような装置の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】基準となるスクライブラインに対して一定の距離を保って加工対象のスクライブラインを複数同時に形成すること。
【解決手段】レーザ加工装置は、基板と、基板に配置された薄膜とを有する太陽電池に用いられる被加工基板６０を加工する。レーザ加工装置は、被加工基板６０を保持する保持部１と、レーザ光Ｌを発振するレーザ発振器２１と、レーザ発振器２１から発振されるレーザ光Ｌを案内するとともに当該レーザ光Ｌを端面から外部に照射する複数の光ファイバ２５と、保持部１および光ファイバ２５の端面のうちの少なくとも一方を加工進行方向ＰＤに沿って移動させる加工移動部３５と、を備えている。レーザ加工装置は、光ファイバ２５の端面の薄膜に対する位置情報を検知する検知部と、複数の光ファイバ２５のうちの少なくとも一つに連結され、検知部からの情報に基づいて、光ファイバ２５の端面を加工進行方向に直交する成分を含む方向に移動させるファイバ移動部も備えている。 （もっと読む）

【課題】 光デバイスの輝度を低下させない光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該分割予定ラインの交差点の内部に位置づけて照射して、交差点に対応する基板内部に変質ドット形成し、該変質ドットを分割のきっかけとなる分割起点とする分割起点形成工程と、該分割予定ラインに沿ってＣＯ_２レーザを照射して該分割起点から基板内部にクラックを成長させるクラック成長工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光デバイスの輝度を低下させない光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該分割予定ラインに対応する基板内部に位置づけるとともに該分割予定ラインに沿って照射して基板内部に変質層を形成し、該変質層を分割のきっかけとなる分割起点とする分割起点形成工程と、該分割予定ラインに沿ってＣＯ_２レーザを照射して該分割起点から基板内部にクラックを成長させるクラック成長工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の変質層を形成する際に変質層を基点として伝播する亀裂が変質層間に誘導されるようにしたレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】レーザー光線照射手段がパルスレーザー光線発振手段６２と、パルスレーザー光線発振手段６２が発振するパルスレーザー光線を集光してチャックテーブル３６に保持された被加工物Ｗに照射せしめる集光器６３とを含んでいる、レーザー加工装置であって、集光器６３はパルスレーザー光線発振手段６２から発振されたパルスレーザー光線をチャックテーブル３６に保持された被加工物Ｗの厚さ方向に変位せしめられた複数個の集光点に集光せしめるように構成されており、パルスレーザー光線発振手段６２は発振するパルスレーザー光線のパルス幅を複数個の集光点によって形成する変質層の生成時間より短く設定されている。 （もっと読む）

【課題】 光デバイスの輝度を低下させない光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該分割予定ラインの交差点の内部に位置づけて照射して基板内部に交差点で交わる十文字の変質層形成し、該変質層を分割のきっかけとなる分割起点とする分割起点形成工程と、該分割予定ラインに沿ってＣＯ_２レーザを照射して該分割起点から基板内部にクラックを成長させるクラック成長工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】保持面に形成した吸着溝により伝達される負圧によってワークを保持する場合においても、ワークが適切に保持されていない状態となるのを事前に検出すること。
【解決手段】環状フレーム１０１の開口部１０２にテープ１０３を介してワークＷを支持した形態のワークユニット１０のワークＷをテープ１０３を介して保持する保持面３４とこの保持面３４に形成された吸着溝３４１とを有するワーク保持部３を有するワーク保持機構において、環状フレーム１０１の内周とワークＷの外周との間に位置するテープ１０３に対応する位置に吸着溝３４１を囲むように形成された環状のリーク検出溝３３１と、リーク検出溝３３１に負圧を発生させる吸引部３２３と、リーク検出溝３３１と吸引部３２３との間に配設された圧力センサ３２４とを有し、リーク検出溝３３１の断面積を吸着溝３４１の断面積よりも大きくしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザーを用いた除去加工において、除去したワークの屑がワークの被加工面に付着することを防止する。
【解決手段】ワークＷの被加工面Ｗ１にパルスレーザー３ａを照射して被加工面をアブレーション加工する場合において、ワークＷの被加工面Ｗ１を下に向けて被加工面Ｗ１の下側に空間２０を有した状態でワークＷの外周を保持する保持し、被加工面Ｗ１の反対面からワークＷを透過する波長のパルスレーザー３ａを被加工面Ｗ１で焦点を結ぶように照射することによって被加工面Ｗ１の一部をアブレーション加工して加工屑６を落下させ、加工屑６が被加工面Ｗ１に付着しないようにする。 （もっと読む）

【課題】素子搭載部材ウエハの状態であってもそれぞれの素子搭載部材となる部分の電気的特性を検査することができ、部品素子用凹部空間を所定の位置に設けることができる生産性のよい素子搭載部材ウエハの製造方法及び素子搭載部材の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザーを用いて、一方の主面に部品素子用凹部空間が設けられている他方の主面に外部端子が設けられている素子搭載部材が行列状に設けられている素子搭載部材ウエハのそれぞれの素子搭載部材となる部分の縁に沿って溝を設けつつ、所定の一つの前記素子搭載部材の外部端子と隣接する所定の他の一つの前記素子搭載部材の外部端子とを電気的に接続している接続膜を切断する接続膜切断溝形成工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】板状物の種類にかかわらず、ＣＯ_２レーザ光の照射により正確にウェーハを分割できるようにする。
【解決手段】板状物Ｗに対して透過性を有する波長のレーザ光３０ａを内部に集光して切断の起点となる変質層１０を形成するか、または、板状物Ｗに対して吸収性を有する波長のレーザ光を表面に集光して起点となるアブレーション溝を形成する誘導起点形成工程と、誘導起点形成工程によって形成された起点に沿ってＣＯ_２レーザ光を照射して加熱するとともに加熱された領域に冷却媒体を吹き付けて板状物Ｗを分割する分割工程とを遂行することにより、結晶方位等の影響を受けずに正確に分割を行い、デバイスＤを損傷させたりその品質を低下させたりするのを防止する。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によりＩＩＩ族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に設けられているＧａＮ膜１２と、を含むサファイア／ＧａＮ構造体Ｗから、レーザ照射によりＧａＮ膜１２を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗを、ＧａＮ膜１２が下方または側方に向いた状態で、ＧａＮ膜１２表面に接触することなく保持する基板保持台１４と、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を伝送する光ファイバの長さ方向に沿って配線した銅線などの断線検知線に通電し、この通電の遮断により光ファイバの断線を検知するにあたり、光ファイバが断線しても断線検知線が溶断するまで断線検知線が高温にならない場合であっても、光ファイバの断線を確実に検知すること。
【解決手段】温度ヒューズ４２を断線検知線４１に設けて、光ファイバ２２の断線部から外部に漏れ出すレーザ光の熱によって断線検知線４１が溶断しない程度にレーザ光の出力が低い場合であっても、温度ヒューズ４２において電流が遮断されるようにする。 （もっと読む）

本発明は、基板（２０）を熱加工するための熱処理内側チャンバ（３）であって、壁（１０）を備え、該壁（１０）は、熱処理内側チャンバ（３）の内室（２４）を包囲し、熱加工の間に基板（２０）を支承するための支承装置（８）を備え、熱処理内側チャンバ（３）の内室（２４）にエネルギを導入するためのエネルギ源（１１）を備え、壁（１０）の内側面の少なくとも一部は、エネルギ源（１１）により導入される出力を反射するように形成されるものにおいて、壁（１０）の内側面の少なくとも一部は、少なくとも赤外線高反射性の材料から成ることを特徴とする。さらに本発明は、基板（２０）を熱加工するための熱処理内側チャンバ（３）であって、壁（１０）を備え、該壁（１０）は、熱処理内側チャンバ（３）の内室（２４）を包囲し、熱加工の間に基板（２０）を支承するための支承装置（８）を備え、熱処理内側チャンバ（３）の内室（２４）にエネルギを導入するためのエネルギ源（１１）を備えるものにおいて、壁（１０）の少なくとも一部を冷却するための冷却装置（１４）を設ける。
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【課題】広い幅のレーザー加工溝を形成することができ、加工ラインに沿って効果的な加工を施すことができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物Ｗを保持するチャックテーブル３６と、レーザー光線ＬＢを照射するレーザー光線照射手段５２と、両者を相対移動する加工送り手段とを具備する。レーザー光線照射手段はレーザー光線発振手段５３と、レーザー光線を集光する集光器６とを具備し、集光器はレーザー光線を光学軸に対して平行な偏光成分と垂直な偏光成分に位相差を生じさせる波長板６２１ａ，６２２ａとレーザー光線を所定の分離角度で分離する複屈折型ビームスプリッター６２１ｂ，６２２ｂとからなる分離器６２１，６２２を複数個直列に配設したレーザー光線分離手段６２と、複数のレーザー光線を集光する集光レンズ６３とによって構成され、各複屈折型ビームスプリッターは異なる分離角度に設定される。 （もっと読む）

【課題】チッピング防止のために、スクライブラインにレーザを照射して層間絶縁膜の除去を行っても、後のダイシング時に、ダイシングブレードのアライメントが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】スクライブライン３とスクライブライン上に形成されたアライメントマーク４１１、４１２とを有する半導体ウエハ１を用意する工程と、半導体ウエハ１のスクライブライン３にレーザを照射する工程とを有し、レーザを照射する工程において、少なくとも一つのアライメントマーク４１１、４１２が残存するようにレーザ照射を行う。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ製品率を向上させる。
【解決手段】基板１０上に非接触にレーザ集光手段１６を配置する工程と、レーザ集光手段１６により、基板１０表面にレーザ光を照射し、基板内部にレーザ光を集光する工程と、レーザ集光手段１６と基板１０を相対的に移動させて、基板１０内部に２次元状内部改質層１２を形成する工程と、レーザ集光手段１６と基板１０を相対的に移動させて、２次元状内部改質層１２のレーザ集光手段１６側およびまたはレーザ集光手段１６と反対側に少なくとも１層のパターン状改質層３６を形成する工程と、基板１０表面にパターン状改質層３６を露出させる工程と、パターン状改質層３６および２次元状内部改質層１２をエッチングする工程とを有する基板加工方法。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ基板の割れを防止し、製品率を向上させる。
【解決手段】基板１０上に非接触にレーザ集光手段１６を配置する工程と、レーザ集光手段１６により、基板１０表面にレーザ光を照射し、基板内部にレーザ光を集光する工程と、レーザ集光手段１６と基板１０を相対的に移動させて、基板１０内部に２次元状内部改質層１２を形成する工程と、レーザ集光手段１６と基板１０を相対的に移動させて、２次元状内部改質層１２のレーザ集光手段１６側およびまたはレーザ集光手段１６と反対側に少なくとも１層のパターン状改質層３６を形成する工程と、基板１０表面にパターン状改質層３６を露出させる工程と、パターン状改質層３６および２次元状内部改質層１２をエッチングする工程とを有し、レーザ集光手段１６と基板１０の相対的な移動方向は、基板１０の劈開方向と一致していない基板加工方法。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物の切断精度の低下を防止しつつ、切断予定ラインに沿って加工対象物の厚さ方向に形成する改質領域の列数を減少させることができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 加工対象物１に対し裏面２１側の位置と表面３側の位置との間の中間位置に改質領域ＳＤ３を形成するためのレーザ光の変調に、切断予定ライン５と略直交する方向に延在する第１の明度領域、及び切断予定ライン５の延在方向において第１の明度領域の両側に位置する第２の明度領域を有する品質パターンＪを用いる。すなわち、表面３をレーザ光入射面として、裏面２１側の位置に改質領域ＳＤ１，ＳＤ２を形成した後かつ表面３側の位置に改質領域ＳＤ４，ＳＤ５を形成する前に、品質パターンＪを含む変調パターンに基づいて変調したレーザ光を照射することにより、中間位置に改質領域ＳＤ３を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によりＩＩＩ族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に設けられているＧａＮ膜１２と、を含むサファイア／ＧａＮ構造体Ｗから、レーザ照射によりＧａＮ膜１２を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗを、ＧａＮ膜１２が下方または側方に向いた状態で、ＧａＮ膜１２表面に接触することなく保持する基板保持台１４と、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】優れた割断特性を有するともに、ダイシング速度を変えても安定したダイシンング加工を実現するレーザダイシング装置を提供する。
【解決手段】ステージと、基準クロック発振回路と、パルスレーザビームを出射するレーザ発振器と、パルスレーザビームをクロック信号に同期させるレーザ発振器制御部と、パルスレーザビームの被加工基板への照射と非照射を切り替えるパルスピッカーと、クロック信号に同期して、光パルス単位でパルスレーザビームの通過と遮断を制御するパルスピッカー制御部と、被加工基板とパルスレーザビームとの標準の相対速度に対するダイシング加工データを記述した加工テーブルを記憶する加工テーブル部と、相対速度の新たな設定値を入力する速度入力部と、新たな加工テーブルを演算し加工テーブル部へ記憶させる演算部とを備え、新たな加工テーブルに基づき、パルスピッカー制御部がパルスレーザビームの通過と遮断を制御するレーザダイシング装置。 （もっと読む）