【課題】保護部材の定期的なメンテナンス作業を容易に行うことができるレーザー加工装置を提供すること。
【解決手段】集光レンズ４２を内部に保持するレンズホルダー５１と、集光レンズ４２によりウェーハＷに集光されるレーザービーム４７の加工点に向けて、エアーを噴射するブローノズル５２とを備え、ブローノズル５２には、集光レンズ４２の加工点側においてレーザービーム４７を透過すると共に、加工点側からの異物から集光レンズ４２を保護する保護部材７５が設けられ、ブローノズル５２がレンズホルダー５１に対して位置決め状態で着脱自在な構成とした。 （もっと読む）

【課題】貫通孔を精度よく形成すると共に加工容易化が可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】加工対象物１にレーザ光を集光させることにより、加工対象物１内において貫通孔２４に対応する部分に改質領域７２を形成すると共に、加工対象物１内において異方性エッチング処理による除去部分１ｐにＺ方向に平行に延在し且つ改質領域７２に繋がる改質領域７１，７３を形成する。そして、異方性エッチング処理を施すことにより、加工対象物１を薄化させながら、改質領域７１，７３に沿ってエッチングを選択的に進展させた後に改質領域７２に沿ってエッチングを選択的に進展させ、加工対象物１が目標厚さＭのときに貫通孔２４の形成を完了させる。 （もっと読む）

【課題】貫通孔を精度よく形成でき且つ加工容易化が可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】酸化膜２２を加工対象物１の表面３及び裏面に生成した後、加工対象物１にレーザ光を集光させることにより貫通孔に対応する部分に沿って改質領域７を形成する。これと共に、酸化膜２２にレーザ光が集光させることにより、酸化膜２２における貫通孔に対応する部分に沿ってアブレーションするように加工し、かかる部分に欠陥領域（ダメージ領域）２２ｂを形成する。よって、その後のエッチング処理では、酸化膜２２の欠陥領域２２ｂから改質領域７へエッチング剤が侵入され、改質領域７に沿ってエッチングが選択的に進展される。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームからケーブルを保護する。
【解決手段】 レーザビームを出射するレーザ光源と、レーザ光源を出射したレーザビームが加工対象物に照射されて加工が行われる空間を画定するチャンバと、チャンバ内に配置され、加工対象物を保持するテーブルと、チャンバ内に配置されるケーブルと、チャンバ内に配置され、金属で形成され、レーザ光源を出射したレーザビームのケーブルへの照射を防止する位置に設置されるケーブル保護手段とを有するレーザ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射による加工を窒化物材料に施す際に生じる可能性のある種々の問題を解決することによって、高歩留りと高スループットを両立させる。
【解決手段】半導体発光素子は、バンドギャップがＥ_ｇｓ（ｅＶ）である窒化物基板２１上に薄膜結晶層を形成する薄膜結晶層形成工程と、薄膜結晶層に接して電極部を形成する電極部形成工程と、分離位置１０ａでレーザ光を照射することによって変性部を形成する変性部形成工程と、変性部が形成された窒化物基板２１、薄膜結晶層および電極部を含む加工対象物を分離位置１０ａで分離して複数の半導体発光素子とする素子分離工程と、を経て製造される。変性部形成工程では、波長λ_ｉ（ｎｍ）が１２４０／λ_ｉ＜Ｅ_ｇｓであり、かつ、偏光がランダム偏光または円偏光であるレーザ光を、スクライブ痕４０ａが窒化物基板２１の内部にのみ形成されるように照射する。 （もっと読む）

【課題】光照射領域の周縁（エッジ）と、ワークの材料層に形成しているスクライブラインを簡便な方法で一致させてレーザ光を照射し、透明基板から材料層を剥離させること。
【解決手段】レーザ光出射部１０から、開口が設けられたマスクＭ、投影レンズ４０を介して蛍光板３０ａにレーザ光を照射して、アライメント顕微鏡５０により蛍光板３０ａ上に形成される光照射領域の位置を検出する。次に、ワークステージ３０上に載置されたワークＷ上のワーク・アライメントマークの位置をアライメント顕微鏡５０で検出する。ワークＷは、透明基板上に形成された材料層がスクライブラインにより複数の領域に分割されたものであり、制御部６０は検出した光照射領域の位置とワーク・アライメントマークの位置とに基づき、ワークステージ３０を移動して光照射領域の位置とワークの分割された一乃至複数の領域の位置とを一致させ、レーザ光をワークＷに対して照射する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、当該基板から当該材料層を剥離できるようにすること。
【解決手段】基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。重畳する照射領域におけるそれぞれのレーザ光の大きさを、材料層２を基板１から剥離させるに必要な分解閾値を超えるエネルギーとなるような大きさとすることで、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ等被加工物の表面に保護膜を被覆しないでもレーザー光線を照射することによって発生するデブリを被加工物の表面に付着させることなくレーザー加工を施すことができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持する被加工物保持機構と、被加工物保持機構に保持された被加工物にレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、被加工物保持機構に保持された被加工物を撮像し該レーザー光線照射手段によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段とを具備するレーザー加工装置であって、被加工物保持機構は、被加工物を保持する保持面を下側に向けて配設されたチャックテーブルと、チャックテーブルを加工送り方向に加工送りする加工送り手段と、チャックテーブルを加工送り方向と直交する割り出し送り方向に割り出し送りする割り出し送り手段とを具備し、レーザー光線照射手段の集光器はチャックテーブルの保持面に対向して配設されている。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコンのアニーリングに高調波のＹＡＧレーザ光を使用した場合においても、安定して大きな結晶粒径のポリシリコンが得られるＹＡＧレーザアニーリング装置及びＹＡＧレーザ光によるアニーリング方法を提供する。
【解決手段】ＹＡＧレーザアニーリング装置１は、レーザ光源２からＰ偏光又はＳ偏光のＹＡＧレーザ光を出射する。レーザ光の光路上には、偏光ビームスプリッタ３と、λ／４板４と、部分透過ミラー５と、レーザ光の位相を遅らせる位相遅延部６とがこの順に配置されている。そして、レーザ光源２から出射した１パルスのレーザ光を部分透過ミラー５及び位相遅延部６により複数個のパルスに分割して、アニーリング用のレーザ光として順次取り出し、レーザ光の照射時間を延長するとともに、アモルファスシリコンを徐々に冷却し、結晶粒径を拡大する。 （もっと読む）

【課題】結晶を複数片に分離する際の断面の歪の導入を低減し、窒化物半導体結晶の利用効率を上げることが可能な窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶１０から板状の結晶片を分離し、分離した前記板状の結晶片から窒化物半導体自立基板を作製するための窒化物半導体結晶構造において、レーザー光の照射による加熱分解で前記板状の結晶片に分離すべく、前記窒化物半導体結晶１０内に、該窒化物半導体結晶１０の成長時にバンドギャップの異なる組成の光吸収層２を単層または複数層形成したものである。 （もっと読む）

【課題】レーザ光をワークに照射しながら、前記レーザ光と前記ワークとを相対的に移動させて前記ワークを所定の深さまで融解するレーザ加工方法において、ワーク温度が不均一になる場合でも、前記深さを一定にする。
【解決手段】前記ワークの被照射部と異なる位置のワークの温度を測定し、前記深さと前記温度とから出力を制御する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン太陽電池を構成する各層を同一波長のレーザー光線によって分割することを可能とし、各単位セルを直列に接続したアモルファスシリコン太陽電池を製造する方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁基板に積層された透明電極層を単位セル透明電極に分割する透明電極層分割工程と、単位セル透明電極に積層されたアモルファスシリコン層を単位セルアモルファスシリコン層に分割するアモルファスシリコン層分割工程と、単位セルアモルファスシリコン層に積層された金属電極層を単位セル金属電極に分割する金属電極層分割工程は、グリーン光領域または近赤外線領域の同一波長を有しパルス幅が５０ps以下または３０ps以下のパルスレーザー光線を各層に対応した出力にそれぞれ調整して照射することにより、透明電極層とアモルファスシリコン層と金属電極層を単位セルに分割する。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高精度にワーク上に曲線加工を施すことが可能なレーザー加工装置を提供すること。
【解決手段】レーザー加工装置１は、ワークＷを保持する保持テーブル２０と、保持テーブル２０を鉛直方向を回転軸として回転可能に支持する回転支持部と、保持テーブル２０に保持されたワークＷにレーザービームを照射して加工するレーザー加工手段と、を含み、保持テーブル２０を回転させながら一軸方向に集光点４０を走査させて、ワークＷの加工予定ライン３０上にレーザービームを集光して照射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１を構成する積層半導体層１２が形成された素子群形成基板２０に対し、基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射し、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向に向かう第１改質領域Ｌ１、第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向に向かう第２改質領域Ｌ２、第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板１１の基板表面１１ａに近い側から遠い側（基板裏面１１ｂに遠い側から近い側）に向けて順番に、第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４の順で形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向（第１方向に対応）に向かう第１改質領域Ｌ１および第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向（第２方向に対応）に向かう第２改質領域Ｌ２および第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板の基板裏面１１ｂからの深さを異ならせて、第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４を形成する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の上面位置を計測する高さ位置計測装置およびレーザー加工機を提供する。
【解決手段】発光源からの光を第１の経路に導き、反射光を第２の経路に導く光分岐手段と、第１の経路に導かれた光を平行光に形成するコリメーションレンズによって平行光に形成された光を被加工物に導く対物レンズと、コリメーションレンズと対物レンズとの間に配設され、対物レンズ側の端面に反射ミラーが形成され、光路長を伸ばす透明体からなる円筒状の基準光路長設定部材と、反射ミラーによって反射し第１の光分岐手段から第２の経路に導かれた反射光と、被加工物で反射し第１の光分岐手段から第２の経路に導かれた反射光との干渉を回折する回折格子と、回折した反射光の所定の波長域における光強度を検出するイメージセンサーからの検出信号に基づいてチャックテーブルの表面から被加工物の上面までの距離を求める制御手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】レーザー加工と切削加工とを行うことができる加工装置において、レーザー加工を行う機構を効率よく稼動させて生産性を向上させる。
【解決手段】ワークを保持する保持手段２と保持手段２に保持されたワークを切削加工する切削加工手段３と保持手段２に保持されたワークにレーザー光線を照射して加工するレーザー加工手段４とを備える加工装置１において、保持手段２は第一の保持テーブル２ａと第二の保持テーブル２ｂとを備え、切削手段３は、第一の切削ブレード３０ａと第一の切削ブレード３０ａに切削水を供給する第一の切削水供給手段３２ｂとを備えた第一の切削加工部３ａと、第二の切削ブレード３０ｂと第二の切削ブレード３０ｂに切削水を供給する第二の切削水供給手段３２ｂとを備えた第二の切削加工部３ｂとを有し、レーザー加工手段４は、レーザー光線を発振する発振器と発振器から発振されたレーザー光線を集光する加工ヘッド４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に３以上の改質領域を形成し、且つ、これらのうち２つの改質領域を同じ方向に沿って形成する場合に、基板に形成される改質領域の位置ずれを抑制する
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１を構成する積層半導体層１２が形成された素子群形成基板２０に対し、基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向に向かう第１改質領域Ｌ１、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向に向かう第２改質領域Ｌ２、ｙ方向に向かう第３改質領域Ｌ３、ｘ方向に向かう第４改質領域Ｌ４を、第１改質領域Ｌ１〜第４改質領域Ｌ４の順で形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に３以上の改質領域を形成し、且つ、これらのうち２つの改質領域を同じ方向に沿って形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向（第１方向に対応）に向かう第１改質領域Ｌ１および第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向（第２方向に対応）に向かう第２改質領域Ｌ２および第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板の基板裏面１１ｂからの深さを異ならせて、改質領域群を構成する第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に関し、製造装置間搬送回数を減らすとともに、ウェーハワレリスクを少なくする。
【解決手段】 半導体ウェーハの背面からレーザ光を照射して、前記半導体ウェーハの背面より内部に非単結晶質の改質層からなるマークを形成する工程と、前記マークを形成する工程の後に、前記半導体ウェーハの背面を研磨或いは研削処理して前記改質層を表出させる工程を設ける。 （もっと読む）